玻璃蚀刻工艺
玻璃蚀刻工艺流程
玻璃蚀刻工艺流程1. 概述玻璃蚀刻是一种常用的工艺，用于在玻璃表面刻上图案或文字。
蚀刻后的图案具有美观、耐久的特点，广泛应用于装饰、标识、艺术品等领域。
本文将详细描述玻璃蚀刻的工艺流程和步骤。
2. 设计图案在进行玻璃蚀刻之前，首先需要设计图案。
可以使用计算机辅助设计（CAD）软件进行设计，也可以手绘图案。
设计时需要考虑图案的大小、形状、线条粗细等因素，并确保图案与玻璃表面相适应。
3. 制作模板制作模板是为了将设计好的图案转移到玻璃上，可以使用多种方式制作模板：3.1 薄膜模板将设计好的图案打印在透明胶片或者特殊材料上，然后将胶片粘贴在玻璃表面，并使用剪刀或者刀具将图案剪下。
3.2 蜡纸模板将设计好的图案打印在一张普通纸上，然后将蜡纸放在图案上，用铅笔或者其他工具描绘图案的轮廓线，使蜡纸上的蜡沾满整个图案。
3.3 喷墨模板使用喷墨打印机将设计好的图案直接喷印在特殊的模板材料上，然后将模板材料粘贴在玻璃表面。
4. 准备工作在进行玻璃蚀刻之前，需要做一些准备工作：4.1 清洁玻璃表面使用清洁剂和软布清洁玻璃表面，确保表面干净无尘。
4.2 贴好胶带在玻璃边缘贴好胶带，以保护边缘不被蚀刻液侵蚀。
4.3 准备蚀刻液根据实际需要选择合适的蚀刻液，并按照说明书中的比例调配好。
5. 蚀刻操作进行蚀刻操作时需要注意安全事项，佩戴手套、护目镜等防护装备。
下面是具体的操作步骤：5.1 固定模板将制作好的模板固定在玻璃表面，可以使用胶水或者胶带固定。
5.2 涂刷蚀刻液使用刷子或者喷枪将蚀刻液均匀涂刷在模板上，确保涂层厚度均匀。
5.3 等待蚀刻根据蚀刻液的说明书，等待足够的时间让蚀刻液起作用。
通常需要几分钟到几小时不等。
5.4 清洗玻璃将玻璃放入清水中，用软布轻轻擦洗表面，清除残留的蚀刻液和模板。
5.5 去除模板将模板从玻璃表面轻轻剥离，注意不要损坏蚀刻后的图案。
5.6 完成品质检查检查蚀刻后的图案是否符合设计要求，如果有缺陷可以进行修复。
玻璃杯印刷工艺
玻璃杯印刷工艺
玻璃杯印刷工艺指的是在玻璃杯表面进行图案、文字等印刷的工艺。
常见的玻璃杯印刷工艺有以下几种：
1. 丝网印刷：采用丝网印刷技术，在玻璃杯表面印刷出所需图案或文字，丝网印刷具有印刷质量好、制作成本低等优势。
2. 电化学蚀刻：采用在玻璃杯表面进行匀速的蚀刻处理，使其表面形成人工蚀刻凹槽状，印刷出所需的图案或文字。
3. 喷涂印刷：采用喷涂设备将油墨喷洒在玻璃杯表面，使其形成所需图案或文字。
以上是玻璃杯印刷的三种常见工艺，具体选择哪种工艺主要取决于不同的印刷需求和生产条件。
玻璃蚀刻材料和工艺
玻璃蚀刻材料和工艺1. 简介玻璃蚀刻是一种常用的玻璃加工工艺，通过在玻璃表面施加化学蚀刻剂，可以实现对玻璃表面的花纹、图案或文字等进行加工和刻画。
玻璃蚀刻材料和工艺的选择对最终的加工效果和质量有着重要的影响。
本文将介绍常用的玻璃蚀刻材料和工艺，以及其特点和应用。
2. 玻璃蚀刻材料玻璃蚀刻通常使用的材料有以下几种：2.1. 蚀刻剂蚀刻剂是玻璃蚀刻过程中最关键的材料之一，它可以在玻璃表面形成化学反应，从而实现刻画和加工效果。
常用的玻璃蚀刻剂包括氢氟酸、氟化铵、氢氟酸和氧化铬等。
不同的蚀刻剂适用于不同类型的玻璃材料和蚀刻要求，因此在选择蚀刻剂时需要考虑材料的特性和加工需求。
2.2. 保护剂保护剂是用于保护玻璃未被蚀刻的部分的材料。
在玻璃蚀刻过程中，可以通过涂抹保护剂在要保护的区域上，形成一层保护膜，防止蚀刻剂对该区域的作用。
常用的保护剂包括蜡、胶水和胶带等。
2.3. 粘结剂粘结剂主要用于将蚀刻剂固定在玻璃表面，以便更好地控制蚀刻剂的作用区域和形状。
常用的粘结剂有蜡、胶水和橡皮泥等。
粘结剂的选择应根据蚀刻剂的特性和加工需求进行合理选择，以确保粘结效果和加工质量。
3. 玻璃蚀刻工艺玻璃蚀刻的工艺流程一般包括以下几个步骤：3.1. 准备工作在进行玻璃蚀刻前，需要对玻璃进行准备，包括清洁玻璃表面、确定蚀刻图案和位置，以及准备好所需的蚀刻剂、保护剂和粘结剂等材料。
同时，还需要准备好相应的工具，如刷子、刮刀和喷枪等。
3.2. 施加保护剂在确定蚀刻图案后，可以使用刷子或其他工具将保护剂均匀地涂抹在要保护的区域上，形成一层保护膜。
保护剂可以防止蚀刻剂对玻璃未被加工的部分产生影响。
3.3. 涂抹蚀刻剂将蚀刻剂涂抹在需要加工的区域上。
蚀刻剂会与玻璃表面发生化学反应，形成蚀刻效果。
涂抹蚀刻剂时要注意均匀、一致地涂抹，以保证加工效果的质量和一致性。
3.4. 蚀刻处理经过一定时间的蚀刻处理后，可以开始检查蚀刻效果。
根据需要，可以适当延长或缩短蚀刻处理的时间，以获得所需的加工效果。
玻璃的表面改性
（４）表面导电膜——在玻璃表面镀上过 渡金属氧化物或金属薄膜，使其具有良 好导电性。
制造方法包括热喷雾法，浸渍法，真空 沉积法，还原法等。
（５）表面憎水薄层：在表面施加硅有机 化合物等镀层，起到憎水作用。 用于高湿度下的观察窗、电气绝缘材料 、防止玻璃表面漏电、防止风化。 常用聚硅酮作为憎水涂层。 制备方法：喷雾法、浸渍法等。
（２）缺点 离子注入层薄 离子束从发射至零部件表面为直线行进 ，因此，不能处理复杂的凹腔表面。 由于离子注入需在真空下进行，因此， 零部件的尺寸受到真空室尺寸的限制。 离子注入设备比较昂贵，因此工艺成本 较高。
三.电子束表面改性处理
１.电子束的产生及其材料表层的作用 电子由电子枪阴极发射后，在加速电压的作 用下，速度高达光束的2/3。高速电子束经电 磁透镜聚集后辐照在待处理的工件表面。
由于离子注入是高能量输入的动力学过 程，因此获得的表面层组成相不受传统 的热力学限制，可获得其它方法得不到 的新合金相。
离子注入表层与基体材料无明显界面， 使力学性能在注入层至基材为连续过渡 ，保证了注入层与基材之间具有良好的 动力学匹配性，避免了表面层的破裂与 剥落。
离子注入为常温真空表面处理技术，因此 ，零部件经表面处理后，无变形，无氧化 ，保持的尺寸精度和表面状态。
滤光膜
吸收、干涉原理
中性密度滤光膜：在一个很宽的光谱内 ，均匀的降低入射光束强度的滤光膜。 由单层金属制成。
截止滤光膜：特征曲线
干涉截止：长波通、短波通
带通滤光膜：只允许一定宽度光波通过 的滤光片。
第三节 三束表面改性
三束指：激光束、离子束、电子束。 采用三束对材料表面进行改性具有如下特 点： 激光束的能量密度大，被处理的材料表
蚀刻玻璃工艺流程时间
蚀刻玻璃工艺流程时间英文回答：The etching process for glass involves removing certain areas of the glass surface to create a design or pattern. The time required for the etching process can vary depending on several factors, including the complexity of the design, the size of the glass piece, and the type of etching technique used.One common method of etching glass is using a chemical etching solution, such as hydrofluoric acid. The glasspiece is first cleaned thoroughly to remove any dirt or oils. Then, a stencil or resist material is applied to the glass surface, covering the areas that should not be etched. The etching solution is then applied to the exposed areas, which reacts with the glass and creates the desired etched effect.The time required for the chemical etching process canrange from a few minutes to several hours, depending on the depth and complexity of the design. The etching solution may need to be applied multiple times to achieve the desired result. After the etching is complete, the resist material is removed, and the glass piece is cleaned again to remove any residue from the etching solution.Another method of etching glass is using a sandblasting technique. In this process, a high-pressure stream of abrasive material, such as sand or aluminum oxide, is directed at the glass surface. The abrasive particles remove the glass material, creating the etched effect. The time required for sandblasting can also vary depending on the size and complexity of the design.Sandblasting is often a quicker process compared to chemical etching, as the abrasive particles can remove glass material more efficiently. However, it may require more skill and precision to achieve intricate designs with sandblasting. After sandblasting, the glass piece is cleaned to remove any residual abrasive particles.In summary, the time required for the etching process on glass can vary depending on the chosen technique, the complexity of the design, and the size of the glass piece. Chemical etching using a hydrofluoric acid solution may take a few minutes to several hours, while sandblasting can be a quicker process. Both techniques require proper cleaning and preparation before and after the etching process.中文回答：玻璃蚀刻工艺涉及将玻璃表面的某些区域去除以创建设计或图案。
玻璃蚀刻工艺流程
玻璃蚀刻工艺流程步骤玻璃蚀刻是一种常用的玻璃加工技术，通过化学溶液对玻璃进行蚀刻，以实现在玻璃表面刻出所需花纹或图案的目的。
下面将详细描述玻璃蚀刻的工艺流程步骤，以确保流程清晰且实用。
1. 设计准备首先，需要进行设计准备工作，明确蚀刻的花纹或图案。
可以使用计算机图形设计软件进行设计，也可以手绘设计稿。
设计稿中的线条或图案需要清晰，同时需要考虑蚀刻的可行性。
2. 材料准备选择合适的玻璃材料进行蚀刻。
常用的玻璃材料有透明玻璃、磨砂玻璃等。
根据设计要求，选择合适的玻璃材料。
3. 蒙版制作将设计好的图案或花纹转换为蚀刻蒙版，以便在玻璃表面形成图案。
蚀刻蒙版可以使用光刻胶、胶膜等材料制作。
将蚀刻蒙版固定在玻璃表面，并确保蒙版与玻璃表面接触紧密，以防止溶液渗透。
4. 蚀刻设备准备准备蚀刻设备，常见的蚀刻设备有酸蚀刻设备和激光蚀刻设备。
酸蚀刻设备主要是通过溶液对玻璃表面进行蚀刻，而激光蚀刻设备则是通过激光束对玻璃进行刻蚀。
根据实际情况选择合适的蚀刻设备。
5. 蚀刻过程控制5.1. 清洗玻璃表面在进行蚀刻之前，需要先清洗玻璃表面，以去除尘埃、油脂等杂质。
可以使用洗涤剂和水来清洗玻璃表面，然后用干净的布擦拭干燥。
5.2. 控制蚀刻时间根据蚀刻的要求，控制蚀刻的时间。
蚀刻时间过长会使蚀刻深度过大，而时间过短则无法达到蚀刻的效果。
在蚀刻过程中，可以根据蚀刻深度的情况，适时调整蚀刻时间。
5.3. 监测蚀刻过程蚀刻过程中，需要不断监测蚀刻的进展情况。
可以使用显微镜等工具观察蚀刻的效果，以确保蚀刻深度和图案的质量。
5.4. 洗净玻璃表面蚀刻完成后，需要对玻璃表面进行清洗。
将玻璃浸泡在清洗液中，用软毛刷清洗玻璃表面，然后用水冲洗干净。
6. 后处理蚀刻完成后，还需要进行一些后处理工作，以提高蚀刻效果的质量和保护玻璃表面。
6.1. 研磨和抛光蚀刻完成后的玻璃表面可能存在一些毛刺或粗糙的情况。
可以使用研磨和抛光工具对玻璃表面进行处理，使其光滑平整。
玻璃蚀刻材料和工艺
二、蚀刻保护材料-油墨
２、保护效果
以上共六种油墨均在浸泡过程中发生油墨起泡、大面积 脱落现象。表白该油墨不耐ＨＦ和Ｈ２ＳＯ4等旳腐蚀。
３、寻找新旳耐ＨＦ和Ｈ２ＳＯ4腐蚀油墨。
三、蚀刻工艺和设备
（一）蚀刻工艺
流程：
１、贴膜－雕刻－撕膜－蚀刻和清洗－磨边－脱膜－清洗 ２、丝印－蚀刻和清洗－边部抛光－脱油墨－清洗
差
信达
黑色 ＰＶＣ １２Ｃ 好
5MIN可脱 除
不小
于
30MI
N
/
/
不 小
5MIN可脱除
于
30
二、蚀刻保护材料-油墨
１、油墨品种
下列试验旳为市场上寻找旳用于蚀刻保护、玻璃蒙砂保护用旳油墨。 已试样品：（１）文达化工：耐酸碱保护油墨、蓝色保护油墨
（２）江门万达富： wd801、w3035 （３）中山金华油墨:玻璃蚀刻保护油墨 （４）杜比ＰＬ １４５０油墨 （５）Asahi:可剥胶 （６）犀马精细化工：蚀刻保护油墨 待试样品：（７）ＳＵＮＣＨＥＭＩＣＡＬ （８）容大电子材料有限企业
蚀刻方式：
静置浸泡、抛动、喷淋 单面蚀刻、双面蚀刻
三、蚀刻工艺和设备
（二）蚀刻效果
圆孔
蚀刻面
三、蚀刻工艺和设备
（三）蚀刻设备 供给商：
东莞至诚、 深圳科达、 常州天亿电子设备
四、下步工作
１、继续寻找新旳耐蚀刻保护油墨 ２、配合保护膜镭射雕刻旳蚀刻试验 ３、蚀刻面旳形状和蚀刻精度 ４、ＨＦ旳防护措施和处理 ５、蚀刻设备旳基本构造和原理
好
待定
二、蚀刻保护材料－胶带
２、保护胶带
（１）包装黄胶带 （２）３Ｍ ８５１ＳＴ （３）３Ｍ ８６１ＳＴ （４）信达保护胶带：
玻璃工艺中的表面改性与涂层技术
玻璃工艺中的表面改性与涂层技术1. 前言玻璃作为一种传统的材料，因其优异的透明度、化学稳定性和机械性能，在许多领域有着广泛的应用。
随着科技的进步和工业的发展，对玻璃的性能要求也越来越高。
表面改性和涂层技术作为玻璃加工的重要手段，能够显著提升玻璃的性能，拓宽其应用范围。
本文将详细探讨玻璃工艺中的表面改性和涂层技术。
2. 表面改性技术表面改性技术是指通过物理或化学方法改变玻璃表面性质的技术。
常见的表面改性方法有：化学蚀刻、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等。
2.1 化学蚀刻化学蚀刻是利用化学反应去除玻璃表面一定厚度的物质，以改变其表面形貌和粗糙度的方法。
常用的蚀刻剂有氢氟酸、硫酸等。
化学蚀刻可以实现对玻璃表面的精细加工，用于制作微孔、微通道等结构。
2.2 物理气相沉积（PVD）PVD技术是通过真空条件下，将蒸发源的固体材料蒸发并沉积在玻璃表面，形成一层均匀、致密的薄膜。
常见的PVD方法有真空蒸发、磁控溅射等。
PVD技术可以用于制备各种功能性薄膜，如防指纹膜、抗反射膜等。
2.3 化学气相沉积（CVD）CVD技术是通过在真空条件下，将气体前驱体在加热或光照的条件下分解，在玻璃表面沉积一层薄膜。
CVD技术可以实现对玻璃表面进行纳米级加工，用于制备纳米结构薄膜。
3. 涂层技术涂层技术是在玻璃表面涂覆一层或多层涂层，以改善玻璃的性能和增加其功能。
常见的涂层方法有溶胶-凝胶法、喷涂法、 roll-to-roll 涂层等。
3.1 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是通过溶液中的金属盐或氧化物与醇或酸反应，形成溶胶，随后溶胶凝胶化形成涂层。
该方法可以实现对玻璃表面进行精细调控，制备出具有特定性能的涂层，如光学涂层、抗菌涂层等。
3.2 喷涂法喷涂法是将涂料通过喷枪喷涂在玻璃表面，形成均匀的涂层。
喷涂法适用于大面积涂层制备，效率高，成本低。
常见的喷涂方法有空气喷涂、高压喷涂等。
3.3 roll-to-roll 涂层roll-to-roll 涂层是一种连续涂层制备技术，通过滚轴将涂料均匀涂覆在玻璃表面。
玻璃的表面化学深蚀刻的工艺原理与其操作方案
玻璃的表面化学深蚀刻的工艺原理与其操作方案发布日期：2010-5-15 2:57:46 | | 来源：admin一、化学蚀刻的原理：我们知道玻璃属于无机硅物质中的一种,非晶态固体。
易碎;透明。
它与我们的生活密不可分,现代人已不再满足于物理式机械手段加工的艺术玻璃制品,更致力于用多种化学方式对玻璃表面进行求新求异深加工,以求得到更好的视觉享受,从而使玻璃产品的附加值再度得到提高. 例如对玻璃表面进行化学粗化[蒙砂;玉砂],化学深蚀刻[凹蒙;冰雕],化学抛光及其它工艺,本文论述的重点将是玻璃化学的氧化与还原反应的构造及工艺操作控制性。
对于玻璃蚀刻液中起氧化反应的物质是选择纯液质的能与玻璃起氧化反应的可以是H2SO4; HCL, HNO3. 它们能与玻璃中的硅原子发生氧化作用,形成SIO2, 做为蚀刻液中设定的络合剂氢氟酸正好能将SIO2再次分解, 从而形成我们设计的化学反应程式,达到对玻璃表面进行蚀刻的目地。
例如程式:a:3SI+4HNO3=3SIO2+2H2O+4NO b:SIO 2+6HF = H2[SIF6]+2H2O对玻璃蚀刻液配制可以展现的物质性质包含氧化剂;络合剂;缓冲剂;催化剂;附加剂;表面活性剂;酸雾抑制剂. 如下再例:氧化剂：H2SO4 ; HCL ; HNO3;还原剂：HF缓冲剂：H2O; CH3COOH;催化剂：NH4NO3; CuSO4; NaNO2; AgNO3;附加剂：Br2酸雾抑制剂：FC-129; FC-4; FT248TM 湿润活性剂; 长直链烷基TH系; 烷基酚聚氧乙烯醚按重量百分比配制玻璃蚀刻液可以视深蚀刻、浅蚀刻及抛光要求对蚀刻液中各物质百分比投料进行调整. 如下续例:缓冲剂--------------------------------------- 40----67%氧化剂--------------------------------------- 15----38%络合剂--------------------------------------- 27----45%催化剂--------------------------------------- 0.03---0.06附加剂--------------------------------------- 0.05---0.1--------------------------- 0.04酸雾抑制剂----------------------------------0.003重度蚀刻液中氧化剂控制在20%左右; 值得提醒的是被蚀刻的玻璃凹面呈抛光状态的控制是将缓冲剂的量放在60%左右. 若冰棱小可适量提高络合剂比例上升4%—8%左右.对于玻璃表面化学抛光方案另再续实例如下:1: 100g五倍子酸+ 305ml乙醇胺+ 140ml水+ 1.3g吡嗪+ 0.24mlFC1292: 60ml49%HF +30mlHNO3[69%] +30ml/5ml/LCrO3+2gCu[NO3]+ 60ml CH3COOH + H2O 60ml3: 100gH2O+ 40% HF36g + 68%HNO3 + NaNO2 0.03g +0.24mlFC--3或0.02gFT2484: 50g HNO3[68%] + 30gHF {55%} + CH3 COOH 30 g+0.6gBr2对于以上各种化学配比希望操作人再次调试以获得良好结构比,满足工艺要求！二、关于对玻璃表面蚀刻的冰棱大小及深度的调整方案∶1: 蚀刻深度较理想,但冰棱较小或没有？解决方案: 对全量加入5%—16%络合剂适量调整。
蚀刻工艺流程
蚀刻工艺流程
蚀刻工艺流程是一种利用化学物质的作用，通过溶解、腐蚀等手段来加工材料的工艺方法。
其流程主要包括图纸设计、材料准备、蚀刻操作和后续加工等步骤。
首先，进行蚀刻工艺需要根据产品的设计要求制作相应的图纸。
图纸设计的关键是将产品的尺寸和形状准确地表达出来，包括材料的厚度、孔洞的位置和大小等。
这一步骤需要准确度较高的CAD绘图软件和相应的设计技术。
其次，准备工作材料。
在进行蚀刻工艺之前，需要选择合适的材料作为工作件。
常见的材料有金属、玻璃等。
根据材料的性质选择合适的蚀刻液和工艺条件，以确保蚀刻效果的质量和稳定性。
然后，进行蚀刻操作。
首先，将材料固定在蚀刻设备上。
蚀刻设备通常由蚀刻槽、电源、控制系统等组成。
固定好材料后，将蚀刻液注入蚀刻槽内，并进行相应的温度和浓度调整。
然后，通过电源控制系统对蚀刻液进行搅拌和加热，使其充分与材料接触。
根据蚀刻液的特性和蚀刻对象的需求，在蚀刻过程中可以调整温度、浓度和蚀刻时间等参数，以控制蚀刻深度和形状。
最后，进行后续加工。
在蚀刻完成后，需对工件进行清洗、抛光等处理，以去除蚀刻液残留和产生的表面缺陷。
根据产品的需求，还可以进行其他加工步骤，如涂层、装配等，以增加产品的功能和美观。
总之，蚀刻工艺流程是一种通过溶解、腐蚀等化学作用来加工材料的工艺方法。
其包括图纸设计、材料准备、蚀刻操作和后续加工等步骤，需要合适的设备和材料，并严格控制工艺参数，以确保蚀刻效果的质量和稳定性。
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Comparison of Equipment Comparison of Equipment Initial Cost Foot Print Running Cost Throughput Up-Time
5
Dry Etch High Small Low Low High
Wet etch Low Large High High High
Dry
Etch Parameters
¡» ¡» ¡» ¡»
Effects of Pressure Effects of Frequency Effects of Temperature Effects of RF Power
28
The Effects of Pressure
29
The Effects of Frequency
Capacitive Coupling Plasma
43
Dry Etcher HAI
44
Dry Etcher HAI
45
Dry Etcher HAI
Piano Reactor
46
Inductive Coupled Plasma and Microwave
47
Contents
Etching Introduction Dry Etching Process Wet Etching Process Cleaning Process Introduction Summary
6
Dry Etch Low Good Good Small Poor Good Possible
Wet etch High Poor Poor Large Good Very Poor Difficult
Etching Mechanism¡] 1¡^
7
Etching Mechanism¡] 2¡^
F ilm
A l& T i Cr
E tc h a n t
B C l3 /C l2 C l2 /O 2
B C l3 e n h a n c e th e e tc h a b ility o f m e ta l o x id e in i n i t i a t e e tc h i n g R e s id u a l C l2 e x p o s u re in a tm o s p h e r i c h u m i d i t y t o fo rm H C l, w h ic h c o r r o d e t h e m e ta l .
23
PR Removal
¡»
PR Removal Issue
Ion dopping»sµ{§¹¦¨«á¡A¥úªý·|¦³µLªk¥h°£ªºÝÃD¡A¤×¨ä ¬O¦b°ª¾¯¶q¤Îªø®É¶¡º»sµ{«á¡C
¡» ¡»
k »®° s »è¨ p ¦{µ G ª k » L ¹¡¶É®è¨ A ¡[¤ h ¥ýªú ³¦|·]¤ D ÃÝ°ºª£ C ¡ k »ãÀ A ¡É®è¨ A ¡Y«öúª~ ǾƤ÷ ³¦²Äµ± ½ ý ú¥°¬] i ¥³¦ ௠°_¤ÏÀ³¨¥úªýµLªk¥h°£¡C
• ¡»
PR Un-removable¡G PR / Al¡]
hillocks¡^
25
EPD Control
• ¡»
End Point Detector
Optical Emission Spectroscopy
26
EPD Control
Pressure and Bias Change
27
Plasma Etching
37
Dry Etcher 450E
38
Dry Etcher 450E
Transformer Coupled Plasma
39
Dry Etcher 450E
Antenna
40
Dry Etcher 450E
P-Chuck
41
Dry Etcher 450E
P-Chuck•FHelium Back Side Cooling
(4) Ãn¥ú¡B¼v Åã
Á¡½¤°Ï ¶À¥ú°Ï »k¨è°Ï
(1) °òªO¥-©Z ªí± ¤Æ (5) »k¨è¡] Dry or Wet¡^
(2) Áὤ
(3) ¤W¥úªý
(6) ¥h¥úªý¡]
Wet¡^
3
Etch Profile
4
Dry Etch vs. Wet Etch
Plasma Heating
Glass Cooling Stage
Plasma Heating Resist Damage (PR Burning)
Glass
Electrostatic Chuck
Cooling Stage
He Gas
42
Resist No Damage
Dry Etcher HAI
10
Dry Etch – What is Plasma etch ?
•
£¥Í² Plasma ¤T-n¯À Low Pressure
¡»
: RF Power / Electrode Space /
11
Nonmetallic Etching
F ilm
£\ -S i
E tc h a n t
S F 6 /O 2 C F 4 /O 2 C l 2 /O 2 H B r/O 2
15
Taper Profile Control
16
Taper Profile Control
17
Taper Profile Control
18
Taper Profile Control
Step coverage
19
Taper Profile Control
Tapering feature by resist erosion
30
The Effects of Temperature
31
The Effects of Power
32
Summary
Future
• ¡» • ¡» • ¡» • ¡» • ¡»
Tasks for Etching Process
Process stability and repeatedly Different layer etch Contact hole etch PR Fully Ashing HDP Developing
Etching Process
1
Contents
Etching Introduction Dry Etching Process Wet Etching Process Cleaning Process Introduction Summary
2
Etching Introduction
‚d‚r‚b System RF
Asher
35
Etcher
Plasma Etching
• ¡»
Comparison of CCP vs. HDP
Current CCP Technology HDP Technology
36
Plasma Etching
• ¡»
Advantage of low pressure high density plasma
5 0 :1
S elec tiv ity
1 0 0 :1
S iN x
S F 6 /O 2 C F 4 /O 2 N F 3 /O 2 C H F 3 /C H 2 F 2 /O 2
good
T E O S & S iO x
C F 4 /O 2 C H F 3 /O 2 C 4F 8
12
Metallic Etching
8
Contents
Etching Introduction Dry Etching Process Wet Etching Process Cleaning Process Introduction Summary
9
Dry Etch – What is Plasma ?
• ¡»
Plasma
Dielectric Window
HDP TCP, ICP
(Anode Couple) (Cathode Couple) (Microwave Slot Antenna)
Plasma
Plasma
High Density Plasma
High Density Plasma
RF
13.56MHz
RF
13.56MHz
Dry Etch vs. Wet Etch
Comparison of Process
Comparison of Process Etch Rate Uniformity Repeatability CD Loss Selectivity to Under Layer Profile Control Multi Layer Etch
49
What are the concerns for Wet etching¡H
• Á¡½¤ @¯ë¥i¤À¬°¥H¤U´X¤jÃþ¡A¥]¬Aª÷ÄÝ ¼h¡B«Dª÷Äݼh¤Îµ´½t¼h¡A³o¨Ç§÷®Æ¤j³¡ À¬Ò ¥i¾A¥Î©ó°®¦¡¤ Àã »k¨è A°£«D¬O¤@¨ÇÁ¡½ ¥u¯à S©w¥Î©ó°®¦¡ Àã »k¨è C
33
TFT Etching Equipment
Comparison of Plasma Source