(完整版)高频电子线路教案第三章高频功率放大器
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高频电路基础第3章 高频功率放大器

• 过压区:由于晶体管饱和, 输出电压趋于不变;由于出 现凹陷,输出基波电流也趋 于不变,所以输出功率趋于 不变。
2016/6/20 高频电路基础
Po Vcm1 Icm1
欠压 临界 过压
Vbm
12
临界状态下的输出
ic ic Vbm Icm t 0 VCC 0 vce VBB+Vbe(on) 0 Vces Vcm 0 t
Po 2 Pi 1 0.1W 1 GP lg ( ) lg (1.3) 10
2016/6/20 高频电路基础
17
负载变化对于C类功放的影响
ic re 小 re 大
0
Vbm
VCC
vce
• 保持输入 vbm不变, 保持电源电压VCC不变 • 通过改变 re ,研究C类功放的输出随负载阻抗改变的规律
20
集电极调制特性
集电极电压VCC 增大,工作状 态趋于欠压区;VCC 减小,工 作状态趋于过压区 欠压区:由于晶体管的恒流特 性,导致输出电压和输出电流 均基本不变,输出功率亦基本 不变
过压区:晶体管进入饱和区, 输出电压、输出电流以及输出 功率受VCC 控制(调制)
2016/6/20 高频电路基础
2016/6/20
三个特性的总结与应用
综合效率、输出功率等因素,C类谐振放大器一般设计在临 界状态工作。 常用负载特性来判断放大器的工作状态:在欠压状态,输出 功率随 re 加大而加大,集电极电流随 re 加大而减小(但不明
显)。在过压状态,输出功率随 re 加大而减小,集电极电流
随 re 加大而明显减小。
2016/6/20 高频电路基础
26
C类功率放大器的实际电路
2016/6/20 高频电路基础
Po Vcm1 Icm1
欠压 临界 过压
Vbm
12
临界状态下的输出
ic ic Vbm Icm t 0 VCC 0 vce VBB+Vbe(on) 0 Vces Vcm 0 t
Po 2 Pi 1 0.1W 1 GP lg ( ) lg (1.3) 10
2016/6/20 高频电路基础
17
负载变化对于C类功放的影响
ic re 小 re 大
0
Vbm
VCC
vce
• 保持输入 vbm不变, 保持电源电压VCC不变 • 通过改变 re ,研究C类功放的输出随负载阻抗改变的规律
20
集电极调制特性
集电极电压VCC 增大,工作状 态趋于欠压区;VCC 减小,工 作状态趋于过压区 欠压区:由于晶体管的恒流特 性,导致输出电压和输出电流 均基本不变,输出功率亦基本 不变
过压区:晶体管进入饱和区, 输出电压、输出电流以及输出 功率受VCC 控制(调制)
2016/6/20 高频电路基础
2016/6/20
三个特性的总结与应用
综合效率、输出功率等因素,C类谐振放大器一般设计在临 界状态工作。 常用负载特性来判断放大器的工作状态:在欠压状态,输出 功率随 re 加大而加大,集电极电流随 re 加大而减小(但不明
显)。在过压状态,输出功率随 re 加大而减小,集电极电流
随 re 加大而明显减小。
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C类功率放大器的实际电路
电子教案-高频电子教案(第三版)-高频电子教案(第三版)-3fuxi-电子课件

Po
O欠压
临界
PC
过压
RP
电压、电流变化曲线
功率、效率变化曲线
临界时Po最大, PC较小,效率较高,功放性能最佳。
匹配 负载
Rpopt
1
U
2 cm
2 Po
1(VCC UCE(sat))2
2
Po
3.3 谐振功率放大器电路
主要要求:
了解谐振功放常用的直流馈电电路及其特点。 掌握谐振功放中滤波匹配网络的作用,了解其 主要要求。 了解基本滤波匹配网络的组成、分析与设计。
C
Po PD
1 2
I c1m I C0
Ucm VCC
1 1( ) Ucm 2 0 ( ) VCC
1 2
g1 (
)
3.2 谐振功率放大器的特性分析
主要要求:
理解谐振功放过压、欠压、临界工作状态的特点 掌握丙类谐振功放的负载特性。
了解VCC、VBB 、Uim对谐振功放工作状态的影响
了解谐振功放的应用
RP 1 RL
(2) 高阻变低阻型
L
L
C’
RP
C RL
RP
R’L
电路在工作频率上达到串联谐振,即
Q根据阻抗匹配要求确定,即 Q RL 1 RP
LC网络的阻抗变换作用
1. 串并联网络的阻抗变换
XS
YS
RS
RP XP YP
RP RS (1 Q2 )
1 X P XS (1 Q2 )
串并联网络变换后,电抗性质不变
2. L型滤波匹配网络的阻抗变换 (1)低阻变高阻型
L
RP C
RL
RP C
L’ R’L
电路在工作频率上达到并联谐振,即
[理学]3-高频功率放大电路讲课教案
![[理学]3-高频功率放大电路讲课教案](https://img.taocdn.com/s3/m/91e99371998fcc22bdd10d63.png)
0 θ
C
斜率-gd
B
D UCC uCE
C
FQ
uCE
UCm ωt
2020/6/20
30
Ucm Ic1m
Ic0
PD PO
O 过压
临界
Ucc
欠压
O 过压
临界
(b)
Ucc 对工作状态的影响
PC V cc
欠压
2020/6/20
31
( 2)改变Ubm或UBB对工作状态的影响
UCC、UBB与R∑不变,改变激励电压Ubm,设原先工作 在临界状态
PD=UCCIC0
交流功率Po: P OIc1 U c1 2Ic1m U cm 1 2I2c1m R
集电极效率η:
PO 1 Ic1mUcm
PD 2 IC0Ucc
集电极功耗PC: P CP DP OP D (1)
实现大功率、高效率的途径:
➢增大输入信号振幅
➢降低静态工作点
思考:丙类功放工作在谐振状态,如果失谐会有什么后 果?
f3f(2ftA(4)t(f)tA1)(t) 4A/
A
OO
t t
OO
t t
2020/6/20
8
丙类功率放大 器输出电流
ic
其频谱为
ωt θ
… …
ωω
0
通 过 滤 波 器 后 的0
ω ω0 0
2ω 0 2ω0 3ω 03ω0
电流为:
中O心频率为ω0 的带通滤波器
t
❖结论:丙类功放无失真放大信号的条件是:加入带通滤波 器将丙类功放非线性状态所产生谐波成分滤除。
/°
/°
尖顶余弦脉冲的分解系数α(θ)与波形系数g1(θ)
C
斜率-gd
B
D UCC uCE
C
FQ
uCE
UCm ωt
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Ucm Ic1m
Ic0
PD PO
O 过压
临界
Ucc
欠压
O 过压
临界
(b)
Ucc 对工作状态的影响
PC V cc
欠压
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( 2)改变Ubm或UBB对工作状态的影响
UCC、UBB与R∑不变,改变激励电压Ubm,设原先工作 在临界状态
PD=UCCIC0
交流功率Po: P OIc1 U c1 2Ic1m U cm 1 2I2c1m R
集电极效率η:
PO 1 Ic1mUcm
PD 2 IC0Ucc
集电极功耗PC: P CP DP OP D (1)
实现大功率、高效率的途径:
➢增大输入信号振幅
➢降低静态工作点
思考:丙类功放工作在谐振状态,如果失谐会有什么后 果?
f3f(2ftA(4)t(f)tA1)(t) 4A/
A
OO
t t
OO
t t
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丙类功率放大 器输出电流
ic
其频谱为
ωt θ
… …
ωω
0
通 过 滤 波 器 后 的0
ω ω0 0
2ω 0 2ω0 3ω 03ω0
电流为:
中O心频率为ω0 的带通滤波器
t
❖结论:丙类功放无失真放大信号的条件是:加入带通滤波 器将丙类功放非线性状态所产生谐波成分滤除。
/°
/°
尖顶余弦脉冲的分解系数α(θ)与波形系数g1(θ)
高频电子线路第3章高频功率放大器

ic I c 0 I c1m cos t I c 2m cos 2t ... I cnm cos nt
其中各分量的振幅:
1 I c0 2
I c1m 1
1 i d ( t ) c 2
c
c
c
c
I cM
cost cos c I sin c c cos c d (t ) cM ( ) 0 ( c ) I cM 1 cos c 1 cos c
窄带谐振放大器
有源器件 谐振回路 采用具有滤 波特性的选 频网络作为 负载
丙类
四、谐振功率放大器与小信号谐振放大器的异同
相同之处:它们放大的信号均为高频信号,而且放大器的负 载均为谐振回路。 不同之处:激励信号幅度大小不同;放大器工作点不同; 晶体管动态范围不同。
ic ic
ic ic
Q
o o
o
eb
t
尖顶余弦脉冲
图3-5丙类状态下集电极电流波形
1、iC表达式:
u BE VBB U bm cost 由 iC g c (u BE U BZ ) iC g c (VBB U bm cost U BZ )(3 9)
图3-3
2, iC两参数:I CM 、c
另外,为了分析方便,根据理想化输入特性,将理想化输 出特性曲线中的参变量ib 改为ube。
图中 ib=7mA,由输入特性
可知,uce=0.68V时,对应 的ic=180mA;而 ib=0 时, ube=0.6V,在0.60V-0.68V之 间,可按每间隔0.02V画出
水平线,即得到以ube为参
变量的理想化特性曲线。这 样的理想化特性正好满足gc 为常数。
高频电子线路第3章-高频功率放大器电路PPT课件

的位置可能发生移动。因此,根据A点的位置不同,谐振功率 放大器有欠压、临界和过压三种工作状态。
u CE
25
图3.7 三种状态下的动态特性及集电极电流波形
动态线A1B1C1:斜率最大,即对应的负载Re最小, 相应的输 出电压振幅Ucm1也最小, 晶体管工作在放大区和截止区。
动态线A2B2C2:斜率较小,与特性曲线相交于饱和区和放 大区的交点处(此点称为临界点), 相应的输出电压振幅Ucm2增大, 晶体管工作在临界点、放大区和截止区。
(3.23)
C
Po PD
1 I c1m 2 I C0
U cm VCC
1 2
g1 ( )
(3.24) 16
其中, U cm
VCC
称为集电极电压利用系数, 1 。
g1 ( )
I c1m I C0
1 ( ) 0 ( )
称为波形系数。
g1( ) 是导通角 的函数,且是单调的,其关系如图3.5所示。
谐振回路:滤波和阻抗匹配
偏置电压
VBB<0.7V
图3.1 高频谐振功率放大器原理电路图
4
设输入信号 ui Uim cost ,从图3.1(c)电路可见,
晶体管基极与发射极之间的电压为:
uBE VBB ui VBB Uim cost (3.1) VBB本身包含正负号
晶体管集电极与发射极之间的电压为:
27
图3.9谐振功率放大器的负载特性
可以看到, 随着Re的逐渐增大, 动态线的斜率逐渐减小, 由欠
iC max
Ic0
0 (70)
100 0.253
395 mA
由式(3.17) 可求得 由式(3.21) 可求得
Ic1m iC max 1(70) 395 0.436 172 mA
u CE
25
图3.7 三种状态下的动态特性及集电极电流波形
动态线A1B1C1:斜率最大,即对应的负载Re最小, 相应的输 出电压振幅Ucm1也最小, 晶体管工作在放大区和截止区。
动态线A2B2C2:斜率较小,与特性曲线相交于饱和区和放 大区的交点处(此点称为临界点), 相应的输出电压振幅Ucm2增大, 晶体管工作在临界点、放大区和截止区。
(3.23)
C
Po PD
1 I c1m 2 I C0
U cm VCC
1 2
g1 ( )
(3.24) 16
其中, U cm
VCC
称为集电极电压利用系数, 1 。
g1 ( )
I c1m I C0
1 ( ) 0 ( )
称为波形系数。
g1( ) 是导通角 的函数,且是单调的,其关系如图3.5所示。
谐振回路:滤波和阻抗匹配
偏置电压
VBB<0.7V
图3.1 高频谐振功率放大器原理电路图
4
设输入信号 ui Uim cost ,从图3.1(c)电路可见,
晶体管基极与发射极之间的电压为:
uBE VBB ui VBB Uim cost (3.1) VBB本身包含正负号
晶体管集电极与发射极之间的电压为:
27
图3.9谐振功率放大器的负载特性
可以看到, 随着Re的逐渐增大, 动态线的斜率逐渐减小, 由欠
iC max
Ic0
0 (70)
100 0.253
395 mA
由式(3.17) 可求得 由式(3.21) 可求得
Ic1m iC max 1(70) 395 0.436 172 mA
高频电子线路第3章高频功率放大器

第四十页,共71页。
书山有路勤为径,学海无涯苦做舟
第四十一页,共71页。
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第四十二页,共71页。
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第四十三页,共71页。
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第四十五页,共71页。
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高频(ɡāo pín)电子线路 第3章高频(ɡāo pín)功率
放大器
2021/1111//1122
第一页,共71页。
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第二页,共71页。
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第三页,共71页。
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第四页,共71页。
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第五页,共71页。
第六十八页,共71页。
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第六十九页,共71页。
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第七十页,共71页。
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第七十一页,共71页。
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第四十六页,共71页。
书山有路勤为径,学海无涯苦做舟来自第四十七页,共71页。
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第四十九页,共71页。
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高频电子线路阳昌汉版第3章高频功率放大器

输入匹配网络
根据晶体管的输入阻抗和信号源阻抗,设计合适的输入匹配网络 ,实现最大功率传输和最小失真。
输出匹配网络
根据负载阻抗和晶体管的输出阻抗,设计合适的输出匹配网络,实 现最大功率传输和最小失真。
阻抗变换
采用阻抗变换技术,如L型、π型或T型网络等,实现输入、输出阻 抗与信号源、负载阻抗的匹配。
04
高频功率放大器是一种电子设备 ,用于将低频信号放大为高频信 号,并且能够输出足够的功率以 驱动负载。
作用
高频功率放大器在通信、广播、 电视、雷达、导航等领域中广泛 应用,是实现信号传输和处理的 关键部件之一。
发展历程及现状
发展历程
高频功率放大器的发展经历了电子管、晶体管、集成电路等不同的技术阶段, 随着半导体技术的不断进步,高频功率放大器的性能不断提高,体积不断缩小 。
偏置电路设计
静态工作点设置
根据晶体管的特性和工作 要求,设置合适的静态工 作点,以确保放大器在正 常工作范围内。
温度补偿
采用温度补偿电路,减小 温度变化对放大器性能的 影响。
偏置电路稳定性
采用合适的偏置电路结构 和元件参数,确保偏置电 路的稳定性,避免自激振 荡和失真等问题。
输入输出匹配网络设计
模块化设计
实现不同功能模块之间 的灵活组合和配置,提 高放大器的适应性和可 扩展性。
数字化控制
采用数字信号处理技术 对放大器进行精确控制 和管理,提高性能和稳 定性。
面临的挑战及解决思路
散热问题
高频功率放大器在工作过程中会产生大量热量,需要采取有效的散 热措施,如使用高效散热器、优化散热结构等。
线性度与效率的矛盾
宽带放大技术
宽带放大原理
01
高频电子线路第 3 章 高频功率放PPT课件

为了便于分析,输出特性曲线的参变量
采用电压 ,而不是 。曲线由
u CE
iB 和
u 决B 定 E 。V B B u i V B B U ico t suCE V CC U cm co ts
图3-4
和U
集电极电流脉冲的宽度主要取决于 im的大小 。
V
BB
由图3-4还可以看出:
•
1.欠压状态:R
p
较小,U
集电极的输出电压仍然是不失真的余弦波。
根据三极管的输入特性可知,将产生 基极脉冲电流,将用傅氏级数展开即
I B I b o I bc 1m t o I bs c 22 m o t I s bc nn m o t s
将 iC 用傅氏级数展开得
I C I c o I cc 1m t o I cs c 22 m o t I s cc nn m o t s
•
3.过压状态:R
p
很大,U
也很大的情况。
cm
动态线的上端进入了晶体管特性曲线的饱
和区,此时集电极电流波形为凹顶状,且
脉冲幅度较低。
• (1)谐振功率放大器的负载特性
所谓的负载特性就是当VBB,V CC ,U im
一定时,放大器的电流、电压、功率和效 率等随 R p 变化的特性。
(2)V CC 对放电器工作状态的影响
• 在工作频率上,等效并联回路发生谐振, 此时,L形匹配网络可把实际电阻变换为放
大器处于临界状态时所要求的较大的谐振 阻抗,理论分析可以求得:
Q RP 1 RL
X2 RL(RPRL)
X1 RP
RL RP RL
图3-12a所示为高阻抗变低阻抗的输出匹配 网络
图3-12a
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5。 三种工作状态比较
(1)欠压状态:Po、C均低,Pc较大,ic为尖顶余弦脉冲.
(2)临界状态:Po最大,C较高,ic为尖顶余弦脉冲-—最佳状态。
条件:EC-Ucm=UCESIcmax=gcrUCES
(3)过压状态:弱过压时C最高,但Po逐步减小,ic为有凹陷的余弦脉冲。Ucm随Re变化不大,即Ucm较为稳定。
图3—4 各级电压和电流波形
丙类(C类)高频功率放大器的折线分析法
由于丙类高频功率放大器工作在大信号非线性状态,所以,晶体管的小信号等效电路的分析方法是不适用的.虽然采用静态特性曲线经过理想化成为折线来进行近似分析会存在一定的误差,但是,用它对高频功率放大器进行定性分析是一种较为简便的方法.
一、晶体管特性曲线的理想化及其解析式
其中 IC0=0()iCmaxIC1m=1()iCmaxIC2m=2()iCmax……ICnm=n()iCmax
二、输出功率PoPo=UcmIc1m/ 2 =I2c1mRP/ 2
三、两个利用系数
⒈集电极电压利用系数= Ucm/UCC= RPIc1m/UCC
⒉电流利用系数g1()= a1()/ a0()
(3-8)
式中, .
在放大区,根据理想化原理,集电极电流与集电极电压无关。那么,各条特性曲线均为平行于uCE轴的水平线.又因=△iC/△iB为常数,故各平行线对等差的△iB来说,间隔应该是均匀相等的。
一、集电极余弦电流脉冲的分解
(一)余弦电流脉冲的表示式
余弦电流脉冲是由脉冲高度ICM和通角C来决定的。只要知道这两个值,脉冲形状便可完全确定。
第三章 高频功率放大器
概述
一、高频功率放大器的应用和任务
二、高频功率放大器的特点
1.高频功率放大器与低频功率放大器的异同点
相同点:输出功率大、效率高
不同点:频带宽度不同、负载
2.高频功率放大器与高频小信号调谐放大器的异同点
相同点:工作在高频段、调谐回路作负载
不同点:信号大小不同、任务不同、分析方法不同
(3—6)
gc称为理想化晶体管的跨导.它表示晶体管工作于放大区时,单位基极电压变化产生的集电极电流变化。正向传输特性的数学表示式为
(3-7)
(三)输出特性曲线的理想化
图3—5(b)所示的输出特性曲线要分别对饱和区和放大区采取不同的简化方法.
在饱和区,根据理想化原理,集电极电流只受集电极电压的控制,而与基极电压无关。这样,理想化特性曲线对不同的uBE值,应重合为一条通过原点的斜线。该斜线称为饱和临界线,其斜率用gcr表示。它表示晶体管工作于饱和区时,单位集电极电压变化引起集电极电流的变化的关系。可表示为
传输线变压器是将两根等长的导线紧靠在一起,并绕在高导磁率低损耗的磁芯上构成的。最高工作频率可扩展到几百兆赫甚至上千兆赫。
传输线变压器与普通变压器在传输能量的方式上是不相同的,传输线变压器负载两端的电压不是次级感应电压,而是传输线的终端电压。
两根导线紧靠在一起,所以导线任意长度处的线间电容很大,且在整个线上均匀分布。其次,两根等长导线同时绕在高μ磁芯上,所以导线上均匀分布的电感量也很大,这种电路通常又叫分布参数电路。
②Re增加,Ucm增加,使EC-Ucm=UCES
临界工作状态,ic波形仍为尖顶余弦脉冲。
③Re较大,Ucm较大,过压状态,动态线在A3点转折,由此动态线对应作出的ic波形为一中间有凹陷的脉冲。
⒋负载特性曲线
——以Re为横坐标,Ic1m、Ic0、Ucm、C、Po、PD、Pc与Re的关系(晶体管一定,且Ubm、Ec、EB一定)
—-倒L型网络由两个异性电抗元件组成。
——T型、∏型网络各由三个电抗元件(其中两个同性质,另一个异性质)组成。
串、并联阻抗变换
Rp≈Qe2Rs
Xp≈Xs
注意阻抗变换后电抗元件的性质不变.
例题:某电阻性负载为10Ω,请设计一个匹配网络,使该负载在20MHz时变换为50Ω。如负载由10Ω电阻和0。2μH电感组成,又该怎样设计匹配网络?
近年来一种新颖的,能够在很宽的波段内实现不调谐工作的宽频带功率放大器得到了迅速的推广。
宽带功率放大器,实际上就是一种以非调谐单元作为输出匹配电路的功率放大器。它是以频率特性很宽的传输线变压器,代替了电阻、电容或电感线圈作为其输出电路.
宽频带功率放大器没有选频作用。因此谐波的抑制成了一个重要的问题。为此,放大管的工作状态就只能选在非线性畸变比较小的甲类或甲乙类状态,效率较低,也就是说宽频带放大器是以牺牲效率作为代价来换取宽频带输出的。
(答案:318pF、0.16μH;318pF、1560pF)
三、谐振功率放大器的调谐与调配
四、谐振功率放大电路
3.5 宽带高频功率放大器
以LC谐振回路为输出电路的功率放大器,由于其相对通频带B/fo只有百分之几甚至千分之几,所以又称为窄带高频功率放大器.由于调谐系统复杂,窄带功率放大器的运用就受到了很大的限制 。
当EC变化时,Q点将移动,动态线将平移.即EC减小,负载线向左平移,放大器从欠压工作状态进入过压工作状态。
⒉基极调制特性
—-当Re、Ubm、EC一定时,放大器性能随EB变化的特性。
当Ubm一定,EB由负值逐渐增大到正值时会使通角增大,放大器的工作状态由欠压区进入过压区.
3. 3 谐振功率放大器电路
一、馈电电路
三、丙类放大器的电压特性(调制特性和放大特性)
(一)放大特性
——是指Re、Ec、EB一定时,放大器的输出功率、电压、效率随输入信号的电压振幅Ubm的变化情况。
Ubm增加,将使IBmax增加、Icmax增加且通角增加,放大器从欠压工作状态进入过压状态.
(二)调制特性
⒈集电极调制特性
-—当Re、Ubm、EB一定时,放大器性能随Ec变化的特性。
四、效率CC= Po/ PD=(UcmIc1m)/(2 EcIc0)=1/2g1()
3。2。2功率放大器的工作状态分析
一、动态特性
uBE=EB+Ubmcoswt —-①
uCE=Ec-Ucmcoswt—-②
由②式得coswt =(Ec-uCE)/Ucm代入①式得:
uBE=EB+Ubm(Ec-uCE)/Ucm
在传输线变压器中,线间的分布电容不影响高频能量的传输,电磁波以电磁能交换的形式在导线间介质中传播的。
(3-11)
当 时, ,可得
(3—12)
将式(3—12)代人式(3一11)中,可得集电极余弦电流脉冲的表示式为
(3-13)
(二)余弦电流脉冲的分解系数
周期性的电流脉冲可以用傅里叶级数分解为直流分量、基波分量及高次谐波分量,即iC可写成为
式中
(3—14)
(3—15)
(3-16)
称为余弦电流脉冲分解系数。(C)为直流分量分解系数;(C)为基波分量分解系数;n(C)为n次谐波分量分解系数。这些分解系数在使用中,通常不需要通过积分关系求出各个分量,可以由图3—7或本章附录中查得。 图3—7给出了、、、和g1=/与C的关系曲线.本章附录给出了不同C值所对应的、、和g1的数据值.
⒈馈电原则及其方法
原则:
⑴直流分量(IB0、Ic0)对管外电路呈现短路,不消耗直流能量
⑵基波分量(IB1m、Ic1m)允许通过负载回路或输入回路,其余电路均短路。
⑶高次谐波分量(IBnm、Icnm)对所有电路呈现短路,不消耗能量.
方法:
⑴串馈:晶体管、调谐回路、电源三者相串。
⑵并馈:晶体管、调谐回路、电源三者相并。
图3-7 余弦脉冲分解系数与的c关系
3.2 谐振功率放大器的分析
3。2。1功率放大器的性能分析
一、集电极电流和通角
cos=(vj-UBB)/ Ubm
iC=iCmax(coswt-cos)/(1-cos)
将其傅里叶级数展开 iC=IC0+IC1mcoswt+IC2mcos2wt +…+ICnmcosnwt
在已知条件下,通过理想化正向传输特性求出集电极电流脉冲,可用图3-6来说明。
图信号为 ,则 。而晶体管理想化正向传输特性可表示为
将uBE代人式中,可得
(3-9)
由图3—6可知,当 时, ,代入式(3—9)中可得
(3—10)
上式表明,已知VBB,UBZ和Ubm可确定高频功率放大器的半通角C,有时也称C为通角.通常用C= 180。表示甲类放大;C= 90.表示乙类放大;C< 90。表示丙类放大。但是,必须注意的是高频功率放大器的实际全通角为2C.将式(3-10)代入式(3—9),得
ic=gcruCE(当uCE<UCES时)
gcr为临界线斜率、UCES为临界饱和压降.
OP以右为放大区,集电结反偏。
当uCE一定时,iB增大,ic也增大.
OP以左为饱和区,集电结正偏。
当uCE一定时,iB增大,ic不变。
从图中可以看出ic与gc、Vj、Ec、EB、Ubm、Ucm(RP)有关,当晶体管选定后gc、Vj一定,ic仅与Ec、EB、Ubm、Ucm(RP)有关.
∴ic=gc(uBE-Vj)=-gc(Ubm/Ucm)[ uCE-(UbmEc+UcmEB-UcmVj)/ Ubm]
即动态特性曲线是一条斜率为—gc(Ubm/Ucm)、截距为(UbmEc+UcmEB-UcmVj)/ Ubm的直线。(图中Ec即UCC、EB即UBB、gc即G)
图中OP为临界饱和线,方程为
甲类:一个周期内均导通
晶体管在输入信号的整个周期都导通静态IC较大,波形好,管耗大效率低.
乙类:导通角等于180°
晶体管只在输入信号的半个周期内导通,静态IC=0,波形严重失真,管耗小效率高.
甲乙类:导通角大于180°
晶体管导通的时间大于半个周期,静态IC» 0,一般功放常采用。
丙类:导通角小于180°
二、负载特性
⒈不同Re对Ucm的影响
(1)欠压状态:Po、C均低,Pc较大,ic为尖顶余弦脉冲.
(2)临界状态:Po最大,C较高,ic为尖顶余弦脉冲-—最佳状态。
条件:EC-Ucm=UCESIcmax=gcrUCES
(3)过压状态:弱过压时C最高,但Po逐步减小,ic为有凹陷的余弦脉冲。Ucm随Re变化不大,即Ucm较为稳定。
图3—4 各级电压和电流波形
丙类(C类)高频功率放大器的折线分析法
由于丙类高频功率放大器工作在大信号非线性状态,所以,晶体管的小信号等效电路的分析方法是不适用的.虽然采用静态特性曲线经过理想化成为折线来进行近似分析会存在一定的误差,但是,用它对高频功率放大器进行定性分析是一种较为简便的方法.
一、晶体管特性曲线的理想化及其解析式
其中 IC0=0()iCmaxIC1m=1()iCmaxIC2m=2()iCmax……ICnm=n()iCmax
二、输出功率PoPo=UcmIc1m/ 2 =I2c1mRP/ 2
三、两个利用系数
⒈集电极电压利用系数= Ucm/UCC= RPIc1m/UCC
⒉电流利用系数g1()= a1()/ a0()
(3-8)
式中, .
在放大区,根据理想化原理,集电极电流与集电极电压无关。那么,各条特性曲线均为平行于uCE轴的水平线.又因=△iC/△iB为常数,故各平行线对等差的△iB来说,间隔应该是均匀相等的。
一、集电极余弦电流脉冲的分解
(一)余弦电流脉冲的表示式
余弦电流脉冲是由脉冲高度ICM和通角C来决定的。只要知道这两个值,脉冲形状便可完全确定。
第三章 高频功率放大器
概述
一、高频功率放大器的应用和任务
二、高频功率放大器的特点
1.高频功率放大器与低频功率放大器的异同点
相同点:输出功率大、效率高
不同点:频带宽度不同、负载
2.高频功率放大器与高频小信号调谐放大器的异同点
相同点:工作在高频段、调谐回路作负载
不同点:信号大小不同、任务不同、分析方法不同
(3—6)
gc称为理想化晶体管的跨导.它表示晶体管工作于放大区时,单位基极电压变化产生的集电极电流变化。正向传输特性的数学表示式为
(3-7)
(三)输出特性曲线的理想化
图3—5(b)所示的输出特性曲线要分别对饱和区和放大区采取不同的简化方法.
在饱和区,根据理想化原理,集电极电流只受集电极电压的控制,而与基极电压无关。这样,理想化特性曲线对不同的uBE值,应重合为一条通过原点的斜线。该斜线称为饱和临界线,其斜率用gcr表示。它表示晶体管工作于饱和区时,单位集电极电压变化引起集电极电流的变化的关系。可表示为
传输线变压器是将两根等长的导线紧靠在一起,并绕在高导磁率低损耗的磁芯上构成的。最高工作频率可扩展到几百兆赫甚至上千兆赫。
传输线变压器与普通变压器在传输能量的方式上是不相同的,传输线变压器负载两端的电压不是次级感应电压,而是传输线的终端电压。
两根导线紧靠在一起,所以导线任意长度处的线间电容很大,且在整个线上均匀分布。其次,两根等长导线同时绕在高μ磁芯上,所以导线上均匀分布的电感量也很大,这种电路通常又叫分布参数电路。
②Re增加,Ucm增加,使EC-Ucm=UCES
临界工作状态,ic波形仍为尖顶余弦脉冲。
③Re较大,Ucm较大,过压状态,动态线在A3点转折,由此动态线对应作出的ic波形为一中间有凹陷的脉冲。
⒋负载特性曲线
——以Re为横坐标,Ic1m、Ic0、Ucm、C、Po、PD、Pc与Re的关系(晶体管一定,且Ubm、Ec、EB一定)
—-倒L型网络由两个异性电抗元件组成。
——T型、∏型网络各由三个电抗元件(其中两个同性质,另一个异性质)组成。
串、并联阻抗变换
Rp≈Qe2Rs
Xp≈Xs
注意阻抗变换后电抗元件的性质不变.
例题:某电阻性负载为10Ω,请设计一个匹配网络,使该负载在20MHz时变换为50Ω。如负载由10Ω电阻和0。2μH电感组成,又该怎样设计匹配网络?
近年来一种新颖的,能够在很宽的波段内实现不调谐工作的宽频带功率放大器得到了迅速的推广。
宽带功率放大器,实际上就是一种以非调谐单元作为输出匹配电路的功率放大器。它是以频率特性很宽的传输线变压器,代替了电阻、电容或电感线圈作为其输出电路.
宽频带功率放大器没有选频作用。因此谐波的抑制成了一个重要的问题。为此,放大管的工作状态就只能选在非线性畸变比较小的甲类或甲乙类状态,效率较低,也就是说宽频带放大器是以牺牲效率作为代价来换取宽频带输出的。
(答案:318pF、0.16μH;318pF、1560pF)
三、谐振功率放大器的调谐与调配
四、谐振功率放大电路
3.5 宽带高频功率放大器
以LC谐振回路为输出电路的功率放大器,由于其相对通频带B/fo只有百分之几甚至千分之几,所以又称为窄带高频功率放大器.由于调谐系统复杂,窄带功率放大器的运用就受到了很大的限制 。
当EC变化时,Q点将移动,动态线将平移.即EC减小,负载线向左平移,放大器从欠压工作状态进入过压工作状态。
⒉基极调制特性
—-当Re、Ubm、EC一定时,放大器性能随EB变化的特性。
当Ubm一定,EB由负值逐渐增大到正值时会使通角增大,放大器的工作状态由欠压区进入过压区.
3. 3 谐振功率放大器电路
一、馈电电路
三、丙类放大器的电压特性(调制特性和放大特性)
(一)放大特性
——是指Re、Ec、EB一定时,放大器的输出功率、电压、效率随输入信号的电压振幅Ubm的变化情况。
Ubm增加,将使IBmax增加、Icmax增加且通角增加,放大器从欠压工作状态进入过压状态.
(二)调制特性
⒈集电极调制特性
-—当Re、Ubm、EB一定时,放大器性能随Ec变化的特性。
四、效率CC= Po/ PD=(UcmIc1m)/(2 EcIc0)=1/2g1()
3。2。2功率放大器的工作状态分析
一、动态特性
uBE=EB+Ubmcoswt —-①
uCE=Ec-Ucmcoswt—-②
由②式得coswt =(Ec-uCE)/Ucm代入①式得:
uBE=EB+Ubm(Ec-uCE)/Ucm
在传输线变压器中,线间的分布电容不影响高频能量的传输,电磁波以电磁能交换的形式在导线间介质中传播的。
(3-11)
当 时, ,可得
(3—12)
将式(3—12)代人式(3一11)中,可得集电极余弦电流脉冲的表示式为
(3-13)
(二)余弦电流脉冲的分解系数
周期性的电流脉冲可以用傅里叶级数分解为直流分量、基波分量及高次谐波分量,即iC可写成为
式中
(3—14)
(3—15)
(3-16)
称为余弦电流脉冲分解系数。(C)为直流分量分解系数;(C)为基波分量分解系数;n(C)为n次谐波分量分解系数。这些分解系数在使用中,通常不需要通过积分关系求出各个分量,可以由图3—7或本章附录中查得。 图3—7给出了、、、和g1=/与C的关系曲线.本章附录给出了不同C值所对应的、、和g1的数据值.
⒈馈电原则及其方法
原则:
⑴直流分量(IB0、Ic0)对管外电路呈现短路,不消耗直流能量
⑵基波分量(IB1m、Ic1m)允许通过负载回路或输入回路,其余电路均短路。
⑶高次谐波分量(IBnm、Icnm)对所有电路呈现短路,不消耗能量.
方法:
⑴串馈:晶体管、调谐回路、电源三者相串。
⑵并馈:晶体管、调谐回路、电源三者相并。
图3-7 余弦脉冲分解系数与的c关系
3.2 谐振功率放大器的分析
3。2。1功率放大器的性能分析
一、集电极电流和通角
cos=(vj-UBB)/ Ubm
iC=iCmax(coswt-cos)/(1-cos)
将其傅里叶级数展开 iC=IC0+IC1mcoswt+IC2mcos2wt +…+ICnmcosnwt
在已知条件下,通过理想化正向传输特性求出集电极电流脉冲,可用图3-6来说明。
图信号为 ,则 。而晶体管理想化正向传输特性可表示为
将uBE代人式中,可得
(3-9)
由图3—6可知,当 时, ,代入式(3—9)中可得
(3—10)
上式表明,已知VBB,UBZ和Ubm可确定高频功率放大器的半通角C,有时也称C为通角.通常用C= 180。表示甲类放大;C= 90.表示乙类放大;C< 90。表示丙类放大。但是,必须注意的是高频功率放大器的实际全通角为2C.将式(3-10)代入式(3—9),得
ic=gcruCE(当uCE<UCES时)
gcr为临界线斜率、UCES为临界饱和压降.
OP以右为放大区,集电结反偏。
当uCE一定时,iB增大,ic也增大.
OP以左为饱和区,集电结正偏。
当uCE一定时,iB增大,ic不变。
从图中可以看出ic与gc、Vj、Ec、EB、Ubm、Ucm(RP)有关,当晶体管选定后gc、Vj一定,ic仅与Ec、EB、Ubm、Ucm(RP)有关.
∴ic=gc(uBE-Vj)=-gc(Ubm/Ucm)[ uCE-(UbmEc+UcmEB-UcmVj)/ Ubm]
即动态特性曲线是一条斜率为—gc(Ubm/Ucm)、截距为(UbmEc+UcmEB-UcmVj)/ Ubm的直线。(图中Ec即UCC、EB即UBB、gc即G)
图中OP为临界饱和线,方程为
甲类:一个周期内均导通
晶体管在输入信号的整个周期都导通静态IC较大,波形好,管耗大效率低.
乙类:导通角等于180°
晶体管只在输入信号的半个周期内导通,静态IC=0,波形严重失真,管耗小效率高.
甲乙类:导通角大于180°
晶体管导通的时间大于半个周期,静态IC» 0,一般功放常采用。
丙类:导通角小于180°
二、负载特性
⒈不同Re对Ucm的影响