模拟电子技术复习资料
填空题
1.信号是消息的载体，从广义上讲，它包含______，_______，______。
2.电信号是指随时间而变化的_______。
3.模拟信号的幅度（或数值）具有____性，数字信号的幅度（或数值）具有____性。
4.模拟电子技术是主要研究处理______的电子技术。
5.模拟电子系统主要是____、____、____和____四部分组成。
简答题
1.何为有源元件？何为无源元件？
2.电子系统设计时应做到哪几点？
3.画图说明电子系统的设计流程？
2-1
填空题
1.N型半导体是本征半导体中掺入______；P型半导体是在本征半导体中掺入_______。
2.PN结的导电特性是________。
3.二极管在外加直流电压时，理想二极管的正向导通阻抗为__；反向截止时的阻抗为_____。
4.PN结的结电容包括_____电容和_____电容。
5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流会_____。
6.PN结加正向电压时，耗尽层变____，加反偏电压时，耗尽层变____。
7.PN结加正向电压时，主要由____运动形成正向导通电流，加反偏电压时，主要由____
运动形成反向电流。
8.稳压二极管工作在稳压区时，其PN结工作在_____状态。
9.发光二极管正常发光时，其PN结工作在_____状态。
判断题
1.本征半导体是指杂志密度非常小的晶体半导体。（）
2.本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）
3.P型半导体空穴是多子，所以P型半导体带正电；N型半导体电子是多子，所以N型半导体带负电。（）
4.在稳压管两端加适当的反向电压就能骑稳压作用。（）
5.在N型半导体中如果掺入了足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
6.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为0。（）
7.二极管在低频状态下工作时，静态电阻和动态电阻近似相等。（）
8.随着二极管导通电压逐渐增大，其静态电阻逐渐增大。（）
9.随着二极管导通电压逐渐增大，其动态电阻逐渐增大。（）
10.变容二极管在电路中使用时，其PN结通常工作在反偏状态。（）
简答题
1.为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压？
2.当直流电源电压波动或外接负载电阻R变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳
定？若能稳定，请说明其工作原理。
3.利用万用表的测试二极管的极性时，分别使用数字万用表和模拟万用表，应该如何测
试？
4.如果发光二极管的导通电压时1V，是否可以直接将一个1.5V的干电池正向连接到二极
管的两端？检查是否可以正常发光，为什么？
5.什么是不可逆击穿？不可逆击穿后PN结是否损坏？
3—1
填空题
1.晶体管的三个极分别是_____、_____和_____；三极管中两个PN结分别称为_____和
_____。三极管的工作去分别是_____、_____和_____；在放大电路中，三极管通常工作在_____区。
2.三极管在工作时发射结、集电结或正片或反偏；工作在放大区时，发射结_____，集电
结_____；工作在饱和区时，发射结_____，集电结_____；工作在截止区时，发射结_____，集电结_____。
3.双极结型三极管中的“双极”是指它的内部有两种载流子参与导电，它们是_____和
______。
4.三极管发射区和集电区的杂质密度不同，发射区的杂质密度_____。
5.共集放大电路的特点是电压放大倍数___，电流放大倍数___，输入电阻___，输出电阻
____。
判断题
1.三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）
2.三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。（）
3.三极管是电流控制元件。（）
4.所有组态三极管单管放大电路都可以进行功率放大。（）
5.放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关（）
6.乙类放大电路可以进行功率放大，但甲类放大电路不能。（）
7.对于NPN单管放大电路，三极管工作在放大区时，集电极电位最高,发射极最低。（）
8.差模放大电路具有抑制共模干扰、输入电阻大的特点。（）
9.OCL功率放大电路具有抑制共模干扰、输入电阻大的特点。（）
10.甲类乙类放大电路都能进行功率放大。（）
简答题
1.三极管具有两个PN结，可否用两个二极管相连以构成一个三极管，为什么？
2.三极管的电流放大系数α、β是如何定义的？能否从共射极输出特性曲线上求得β？利
用放大区的输出特性曲线，β的取值是否均匀一致？
3.放大电路的NPN型三极管，能否将e和c两电极交换使用？为什么？
4.三极管放大电路产生非线性失真的主要原因是什么？
5.三极管放大电路饱和失真和截止失真的原因是什么？
6.产生零点漂移的原因有哪些？为什么零漂通常称为温漂？
7.为什么低频小信号放大电路（甲类）可以不考虑转换效率，功率放大电路一定要考虑效
率问题？
8.为了简化放大电路的性能分析，分析低频小信号特性时通常使用三极管的混分h模型，
分析高频小信号特性是通常使用三极管的Π模型。如果希望同时活的放大电路全频带的增益特性，应该使用哪种模型？为什么？
9.在测量三极管放大电路公社电流增益β时，如果忽略三极管的穿透电流Iceo，测得放大
电路的集电极电流ic和基级电流ib，则认为β=ic/ib；若果考虑三极管的穿透电流Iceo 时，应如何测量β和Iceo
选择题
1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
2.晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______。
A.发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
3.在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是_____。
A.共射
B.共集
C.共基
D.不确定
4.对于NPN管组成的单管共射放大电路，当输入电压为余弦信号时，若产生饱和失真则输
出电压_____失真；若产生截止失真，则输出电压_____失真。
A.顶部
B.低部
C.顶部或底部
D.正极性和负极性信号交越处
5.对于NPN管组成的单管共射放大电路，当输入电压为余弦信号时，若发生饱和失真则基
极电流ib的波形将_____，集电极电流ic的波形将_____，输出电压uo的波形将_____。
A.正半波消波
B.负半波消波
C.双向消波
D.不消波
6.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低阻输入电阻的放大电路）
很好的配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入______。
A.共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态电路
7.为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电流源）转变为高阻输出的放大电路（或
内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入______。
A.共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态电路
8.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波
形。当为CE电路是，ui和uo的相位______;当为CC电路时，ui和uo的相位______；
当为cb电路时，ui和uo的相位_____。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
9.可以放大电压又能放大电流的是______组态放大电路；可以放大电压但不能电流的是
______组态放大电路；可以放大电流但不能放大电压的是_____组态放大电路；能够进行功率放大的是_____组态放大电路。
A.共射
B.共集
C.共基
D.任意组态
10.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_____组态；
输入电阻最大的是_____组态，最小的是______；输出电阻最大的是______组态，最小的是_____。
A.共射
B.共集
C.共基
D.任意组态
11.放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在____和_____；而在高频信
号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在______。
A.耦合电容
B.耦合电阻
C.旁路电容
D.三极管结电容
12.三极管的特征频率ft点对应的β值为_____。
A.1
B.1/√2
C.0.5
D.3
13.某三极管的贷款增益积为4MHz。如果输入信号为单一拼了吧的余弦波，CE组态放大电
路能够进行电流放大的最高频率为_____。
A.1MHz
B.2MHz
C.3MHz
D.4MHz
14.某放大电路无耦合电容。利用单一频率的余弦信号进行测试，测试结果是：低频增益为
AU；提高输入信号频率，频率f1时信号增益为1/√2AU，频率f2是输入信号增益为1/2AU，频率f3时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为_____。
A.f1
B.f2
C.f3
D.无穷
15.差分放大电路中，双端输入、双端输出时差模电压放大倍数是Aud；单端输入、双端输
出是差模电压放大倍数为______；双端输入、单端输出是差模电压放大倍数是_____；
单端输入、单端输出时差模电压放大倍数是_______。
A.2Aud B0.5Aud C.Aud D无法确定
16.差分放大电路能够________。
A.提高输入电阻
B.降低输入电阻
C.抑制温漂
D.提高电压放大倍数
17.共模抑制比越大，表明电路_______。
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越低
C.抑制温漂能力越强D交流放大倍数越强
18.在差分放大电路中，用恒流源代替差分管的公共射极电阻Ree是为了______。
A.减小偏置电流
B.提高差模放大倍数
C提高共模抑制比D提高共模放大倍数
19.功率放大电路最大输出功率是在输入电压为正弦波信号时，输出基本不是正情况下负载
可能获得的最大_______。
A.交流功率
B. 直流功率
C.平均功率
D.无法确定
20.分析功率放大电路时应利用______。
A．混合h模型 B.Π模型 C.特性曲线 D.任意模型
21.在单端输出的差放电路中，用恒流源替代发射极电阻能够_____。
A提高差模增益 B.提高共模增益
C.增强抑制共模信号能力
D.减小差模增益
22.对于图3-4所示放大电路中，当用直流电压表测得UceVcc时，有可能是因为______，测
得Uce≈0时，有可能是因为______。
A.Rb开路
B.Rc开路
C.Rb短路
D.Rb过小
4.1 填空题
1）场效应管利用外加电压产生的_____来控制漏极电流的大小。
2）场效应管属于电压控制元件，而三极管属于_____控制元件。
3）为了使结型场效应管能够正常工作，栅极间两PN结必须加_____电压来改变导通沟道的宽度。
4）对于增强型N沟道MOS管，UGS只能为___极性，并且只能当UGS>UGS(on) 时，才能有漏极电流。
5）对于增强型P沟道MOS管，UGS只能为___极性。
6）对于耗尽型MOS管，UGS可以为_______极性。
7）场效应管与三极管相比，具有输入电阻___，噪声____，稳定性___。
8）场效应管放大电路有三种基本连接方式，即____电路、____电路、_____电路。
4.2 判断题
1）放大电路中结型场效应管的漏极和源极颠倒使用，电路仍能正常工作。（）
2）放大电路中增强型场效应管的漏极和源极颠倒使用，电路仍能正常工作。（）
3）由于场效应管的输入电阻大，所以场效应管的三种基本放大电路都具有输入电阻大的特点。（）
4）跨导gm反映了场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。（）
5）场效应管的跨导gm是常数。（）
4.3 简答题
1）请说明双极结型晶体管与场效应管的相同点与不同点。
2）为什么说三极管是双极型的，而称场效应管是单极型的？
3）为什么说MOS管的输入电阻比结型场效应管的输入电阻高？
4）为什么场效应管的输入电阻要比三极管的输入电阻高？
5）为什么在实际电路中很少采用共栅放大电路？
4.4选择题
1）场效应管是用___控制漏极电流的
A.栅极电流
B.栅极电压
C.漏源电流
D.漏源电压
2）结型场效应管发生预夹断后，管子___。
A.进入截止区
B.进入恒流区
C.进入饱和区
D.进入可变电阻区
3）场效应管的低频跨导gm是___。
A.常数
B.不是常数
C.与栅极电压有关
D.与栅极电压无关
4）场效应管是通过___导电。
A.一种载流子
B.两种载流子
C.电子
D.空穴
5）增强型PMOS管的开启电压___。
A.大于零
B.小于零
C.等于零
D.或大于零点
6）增强型NMOS管的开启电压___。
A.大于零
B.小于零
C.等于零
D.或大于零点
7）只有___场效应管才能采取自偏压电路。
A.增强型
B.耗尽型
C.结型
D.增强型和耗尽型
8）分压式外加偏压电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是__。
A.设置合适的静态工作点
B.减少栅极电流
C.提高电路的电压放大倍数
D.提高电路的输入电阻
9）某场效用管的IDSS为6mA，而IDQ的自漏极流出，大小为8mA，则该管是____。
A.增强型PMOS管
B.耗尽型PMOS管
C.增强型NMOS管
D.耗尽型NMOS管
5-1 填空题
1.0级联放大电路的耦合方式有（）（）（）（）.
2.0 集成放大电路不采用阻容耦合而采用直接耦合方式的主要原因是
（）
3.0选用差分放大电路作为级联放大电路的输入级的原因是
（）
4.0直间耦合放大电路存在零点漂移的原因是
（）
5-2判断题
1.0集成放大电路采用直接耦合的原因是便于集成（）
2.0直间耦合多级放大电路的静态工作点事相互独立的（）
3.0由于功率放大电路的带负载能力强，所以一般用于多级放大电路的输出级（）
4.0光电耦合不仅具有抗干扰能力强的优点，其静态工作点也是独立的（）
5.0阻容耦合多级放大电路不仅能够放大交流信号，也能放大直流信号（）
6.0单级放大电路无法做到电压增益大，输入电阻大，输出电阻小的要求（）
5.3简答题
1.0为了提高电压放大倍数或者提高电路性能，实际应用中经常将多个放大电路级联组
成多级放大电路，多级放大电路主要有，阻容耦合.变压器耦合.直接耦合.光电耦合四中方式各有什么特点
2.0多级放大电路中放大倍数为Au=A1到An之和，问在计算放大倍数Au时应该注意什
么？常用计算方法有那两种？
3.0多级放大电路中通常输入级（第一级）采用差分电路，输出级（最后一级）采用OCL
电路，中间级采用共射组态放大电路，其主要目的是什么？
5.4选择填空题
1.阻容耦合放大电路的静态工作点是（）.直间耦合多级放大电路的静态工作点（）
A相互独立B相互影响C前级影响后级D后级影响前级
2.阻容耦合多级放大电路能放大（）信号，直间耦合多级放大电路能放大（）信号A直流信号B交流信号C交直流信号
3.直间耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）
A电阻阻值存在误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D电源电压不稳定
4.选用差分放大电路作为多级放大电路的第一级的原因是（）
A克服漂移B提高输入电阻C提高放大倍数D隔离作用
5.变压器耦合的突出优点是（）
A提高输出效率B实现阻抗变换C提高放大倍数D抗干扰能力强
6.通常来说级联放大电路的输入电阻决定于（）
A第一级电阻B最后一级电阻C前两级电阻D电路所有参数
7.0通常来说级联放大电路的输出电阻决定于（）
A第一级电阻B最后一级电阻C后两级电阻D电路所有参数
第六章
6.1填空题
1）理想运放的开环差模电压增益Aod = ________，差模输入电阻rid = _________，输出电阻rod =________，共模抑制比KCMR=_______;
2）运算放大器组成运算电路时均引入了_____反馈。
3）若要实现电压放大倍数AU = 60，应该选用______比例放大电路。
4）________比例放大电路中集成运放反向输入端为虚地。
5）集成运放性能指标有极限参数和电气参数，增益带宽积属于________参数，最大？？功率属于__________参数。
2．判断题
1）当理想运放引入负反馈时，其工作在线性状态（）
2）当理想运放在开环情况下，其工作在线性状态（）
3）具有理想特性的集成运放不存在（）
4）运算电路中集成运放一般工作在线性区（）
5）反向比例运算电路输入电阻很大，输出电阻很小（）
6）需短是指集成运放两个输入端短路（）
3．解答题
1）集成运放种类繁多，但内部电路结构总体来讲基本一致，主要有哪几部分？
2）集成运放中通常采用恒流源提供偏置电流，为什么？
3）电流源在集成运放有哪些作用？
4）集成运放芯片的指标参数主要有哪些？
5）集成运放对余弦波进行放大时，输出为三角波，为什么会出现这样的问题？
4.选择填空题
1）_______运算电路的电压增益大于0，______运放电路的赠与小于0.
A．同相比例运算电路 B.反向比例运算电路
C.积分电路
D.微分电路
2）_________运算电路可以实现三角波转换为方波，_____可以实现方波转换为三角波。
A.同相比例运算电路
B.方向比例运算电路
C.积分电路
D.微分电路
3）________运算电路的电压增益|AU|>=1，________运算电路的电压增益|Au|>0
A.同相比例运算电路
B.反向比例运算电路
C.积分电路
D.微分电路
4）理想运放的非线性状态的主要特征有____，；理想运放的线性状态的主要特征有______.
A.虚地
B.需短
C.虚断
D.输出饱和
5）______运算电路的输入电阻大，_____运算电路的输入电阻小。
A．同相比例运算电路B。方向比例运算电路
5.试用两个集成运放实现一个电压放大倍数为100，输入电阻为10K欧姆的运算电路。
要求所采用的电阻的最大阻值为500K欧姆。
6.求解如图题6-6所示电路的运算关系
7.1填空题
1.0为了稳定静态工作点，放大电路应该引入（）反馈
2.0负反馈放大电路产生自激震荡的条件是（）
3.0放大电路引入电压负反馈后，电路的输出电阻将（）
4.0在放大电路引入串联负反馈后，电路的输入电阻值将（）
5.0电压负反馈可以稳定（）
7-2判断题
1.0电流负反馈可以稳定电流（）
2.0电压负反馈不仅可以稳定输出电压还可以稳定输出电流（）
3.0负反馈可以抑制开环放大电路产生的非线性失真（）
4.0阻容耦合级联放大电路中的耦合电容.旁路电容越多，引入负反馈后越容易产生自激震荡（）
5.0放大电路级数越多引入负反馈后越容易产生自激震荡（）
6.0开环放大电路电压增益为Au，引入负反馈后，若反馈系数为B，则闭环电压增益为Au=Au/（1+Au B）（）
7-3简答题
1.0简要介绍负反馈的分类方法。
2.0负反馈对放大电路有哪些影响？
3.0雷雨天，收音机经常被干扰，那么问题来了，请问能否在收音机的放大电路中引入合适的负反馈来减少这种干扰？为什么？
7-4选择填空题
1.0为了拓展放大电路通频带带宽，应引入（）；为了稳定输出电压，应引入（）；为了稳定输出电流，应引入（）；为了增大输入电阻，应引入（）；为了减少输出电阻，应引入（）
A交流负反馈B直流负反馈C电压负反馈D电流负反馈E串联负反馈F 并联负反馈
2.0但反馈使输出（）的反馈被称为（）
A增大B减小C负反馈D正反馈
3.0负反馈所能抑制的噪声和干扰是（）
A 外界对输入信号的干扰和噪声B外界对输出信号的干扰和噪声C反馈还内的噪声和干扰D反馈环外的噪声和干扰
4.0为了得到一个由电流控制的电压源应选择（）放大电路为了得到一个由电压控制的电路，应选择（）放大电路
A电压串联负反馈B电压并联负反馈C电流串联负反馈D电流并联负反馈
5.0为了增大从电流源索取的电流并增大带负载的能力，应选择（）放大电路.
A电压串联负反馈B电压并联负反馈C电流串联负反馈D电流并联负反馈
6.0负反馈放大电路产生自激震荡的起震条件是（）
A AB=1 BAB=-1 C AB>1 D AB<1
7.0引入反馈系数为0.1的电流并联负反馈，放大器的输入电阻由100欧姆变为10欧姆，那么问题来了，放大器的开环和闭环增益分别是为什么东东（）
A 90和9
B 90和10
C 9和99
D 100和9
8.0多级负反馈放大电路容易引起自激震荡的原因是（）
A电路增益Ai过大 B 反馈系数B过大C反馈深度F过大D各级放大电路的参数分散
最新高频电子期末考试试题及答案
《高频电子技术》科期考试题 考试类型：理论考试时间：90分钟出题老师：韦艳云 考试班级：考生姓名：考生学号：卷面成绩： 一、填空题（每空一分，共 35分）。 1、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 2、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） 3、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 4、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 5、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 6、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变 ，当f
（答案：谐振曲线顶部凹陷） 12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。 （答案：传输；滤波；匹配） 13、设一放大器工作状态有下述几种：甲类，乙类，丙类。效率最高。（答案：丙类） 14、反馈式振荡器的自激条件是。 （答案：正反馈） 15、正弦波振荡器由、、组成。 （答案：放大器；反馈网络；选频网络） 二、选择题(每题2分，共20分)。 1、下列表达式正确的是（ B ）。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与（A ）相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 3、电视、调频广播和移动通信均属（A ）通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 4、串联谐振曲线是（ B ）之间的关系。 A）回路电流I与谐振时回路电流I0 B）回路电流幅值与信号电压频率 C）回路电压幅值与信号电流频率D）谐振时回路电流I0与信号电压频率 5、强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（A ）。 A) 越大B)越小C) 不出现
高频电子技术试题库第三章
一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区 答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流
答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器 答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法 答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置 答案：B
9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大 答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o
答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是 。（ ） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号 电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为 。（ ） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B
高频电子技术试题库第二章
1LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为 ______ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 2LC串联谐振回路发生谐振时.回路总阻抗为______ o（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到_____ o < ） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：A 4串联谐振曲线是 _____ 之问的关系曲线。（） A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5 LC串联谐振回路 ____ ,谐振特性曲残越尖锐。（） A.回路Q值大 B.回路Q值大 C. 0 答案：A 6 LC串联谐振回路Q值大，回路选择性0 （） A.差B?好 C. 不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成O() A.正比B?反比 C. 无关 答案：B () 8单回路通频带B与谐扳频率f成 A.正比B?反比 C. 无关 答案：A 9并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为 _____ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 10并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为0 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：B 11并联谐振回路发生谐振时，阻抗为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 13 LC串脫谐振回路发生失谐时，阻抗为0 () A.大 B.小 C. 0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f V坨时，阻抗呈 _______ 。（） A.容性 B.感性 C. 0
电力电子技术复习资料
电力电子技术 复习资料 一、名词解释 (每小题2分，共10分) 1.自然换相点 2.GTR 3.换相重叠角γ 4.同步 5.脉宽调制法 二、填空题(每空1分，共20分) 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt 和通态电流临界上升率等，若du/dt 过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt 过大，会导致晶闸管________。 2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos φ 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。各管上承受的最大反向电压为________。 3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。晶闸管所承受的最大反向电压为________。 4.在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U 2，反电势为E 时，不导电角δ=________，若晶闸管不导通时，输出电压应为______。 5.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。此电路的移相范围为________。 6.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________，十二相可控整流，其输出电压的脉动频率为________。 7.在晶闸管触发脉冲产生电路中，常用的同步电压有________和________两种。 8.单结晶体管又称为________，利用它伏安特性的________，可作成弛张振荡器。 9.在晶闸管触发脉冲产生的电路中，为满足不会产生逆变失败所需的最小逆变角 βmin 值，常将________和________相叠加，从而有效地限制了逆变角β的大小。 10.在逆变器中，晶闸管的自然关断法，是利用负载回路中的电感L 和________在产生振荡时，电路中的电流具有________的特点，从而使晶闸管发生自然关断。 三、画图题(6分) 说明下面斩波电路的类型及其工作原理，画出输出电压o u 、输出电流o i 波形 四、问答题(第1小题6分，第2小题8分，共14分) 1.对整流电路的输出电压进行谐波分析后，能得出什么结论?
《高频电子技术》试卷及答案
试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益 ，通频带 ，选择性 。 4、镜像干扰是指 ，抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为 ，对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ，各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ，最小值为 ，边频信号幅度为 ，载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率 ，而并联谐振频率 ，通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ）时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（ ）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（ ） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（ ），高电平调幅器应用在（ ） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（ ） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（ ） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（ ） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（ ） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（ ） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（ ） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（ ） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（ ） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（ ） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（ ） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（ ） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（ ） 四、画图题（10分） 已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω
电力电子技术复习资料doc
一、填空 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。 3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。 4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表示表示200A，9表示900V。 5、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。 1、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳
极A ，阴极K 和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通
高频电子技术试题库 第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
《电力电子技术》复习资料
电力电子技术第五版复习资料 第1章绪论 1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 （1）交流变直流AC-DC：整流 （2）直流变交流DC-AC：逆变 （3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现 （4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。 第2章电力电子器件 1 电力电子器件与主电路的关系 （1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 （2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。 2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。 3 电力电子系统基本组成与工作原理 （1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 （2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 （3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 （4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。 4 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 （1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。 （3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 （1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO 、GTR。 （2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 （1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。 （2）双极型器件：由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。 （3）复合型器件：有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。 5 半控型器件—晶闸管SCR 晶闸管的结构与工作原理
高频电子技术复习题
一、填空题 1.LC回路并联谐振时，回路_______最大，电压电流相位为_______； 2.为了提高放大器的稳定性，可以从电路上设法消除晶体管的内部反向作用， 具体方法有_______法和_______法。 3.与低频功放不同，高频功放选用谐振回路作负载，完成两个功能，即_______ 和_______。 4. 集中选频放大器由____________，___________两部分组成。 5.三点振荡器的类型有_____________反馈型和____________反馈型； 6．集电极调幅晶体管应工作于___________________状态； 7、双调谐回路的两种耦合形式为、。 8、普通调幅波的频带宽度为调制信号最大频率的，单边带调幅波的频带 宽度为调制信号最大频率的。 9、调频制比调幅制抗干扰能力强的两个主要原 因，。 10、设放大器有ｎ级, 各级电压增益分别为Ａu1, Ａu2, …, Ａun, 则总电压 增益是。 11、高频功放常采用效率较高的工作状态, 即晶体管集电极电流导通时间 输入信号半个周期的工作状态。为了滤除工作时产生的众多高次谐波分量, 常采用回路作为选频网络, 故称为功率放大电路。 12、高频输入回路常采用回路, 中频放大电路常用和两种选频 方式。 13、振荡器是一种能自动地将能量转换为一定波形的交变振荡信号能量的 转换电路。 14、单边带调幅波比普通调幅相比的优点是，缺点是。 二、单项选择题 1.丙类谐振功率放大器的集电板电流i c 的波形和集电极与发射极之间电压u ce 的 波形为( ) A. 均为正(余)弦波形 B. 均为周期性脉冲波形 C. ic为周期性脉冲波形、uce为正(余)弦波形 D ic为正(余)弦波形、uce为周期性脉冲波形
高频电子技术试题库-第二章
高频电子技术试题库-第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
电力电子技术复习题答案
电力电子技术复习题答 案 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
第二章： 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等， 若du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶 闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV)
答：晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α（移相角） 答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。 8.常用电力电子器件有哪些 答：不可控器件：电力二极管。 半控型器件：晶闸管。 全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电力场效应晶体管（电力MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电力晶体管。 9.电力电子器件有几种工作状态（电力电子器件有哪四种工作状态） 答：四种，即开通、截止、反向击穿、正向击穿。 10.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 答：维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 晶闸管由导通变为关断：去掉正向电压，施加反压，使晶闸管的电流低于维持电流。 11.简述晶闸管的正常工作时的特性。 答: 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶
高频复习题(有答案)
高频复习题 一、单项选择题 1. 下列表达正确的是（） A. 低频信号可直接从天线有效地辐射 B. 低频信号必须装载到高频信号上才能从天线有效地辐射 C. 高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射 D. 高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射 2. 高频电子技术所研究的高频工作频率是（） A. 300Hz～30MHz B. 300Hz～30kHz C. 30kHz～300MHz D. 300kHz～3000MHz 3. 在电视广播系统中，图像信号采用（） A. 残留边带调幅方式 B. 单边带调幅方式 C. 双边带调幅方式 D. 正交调幅方式 4. 晶体管fβ参数的定义为（） A. 当β下降到低频电流放大系数的 2 1时，此时的频率为fβ B. 当β的模值下降到低频电流放大系数的2 1时，此时的频率为fβ C. 当频率升高时，β值下降。当β的模 值下降到低频电流放大器系数的 2 1时，此时的频率为fβ D.当β的模值下降到低频电流放大系数的10 1时，此时的频率为fβ 5. 在相同条件下，双调谐回路放大器与单 调谐放大器相比，下列表达正确的是（） A. 双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较宽 B. 双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较窄 C. 单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较宽 D. 单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较窄 6. 设计一个稳定度高的频率可调振荡器， 通常采用（） A. 晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器 C. 西勒振荡器 D.哈莱特振荡器 7. 振荡器的幅度由（） A. 相位平衡确定 B. 幅度平衡确定 C. 相位稳定确定 D. 幅度稳定确定 8. 晶体的等效阻抗（） A. 是一个小电阻 B. 是一个大电阻 C. 是电容性 D. 是电感性 9. 电视机的高放与中放电路应采用（） A. 单调谐放大器 B. 双调谐放大器 C. 宽频带放大器 D. 单调谐放大器或双调谐放大器 10.单边带发射机频率合成是通过（） A. 混频、倍频、分频实现的 B. 混频、倍频、检波实现的 C. 倍频、差频、检波实现的 D. 调频、分频、放大实现的 11.在基极调幅电路中，谐振功放工作在（） A. 过压状态 B. 欠压状态 C. 临界状态 D. 任意状态均可
电子技术基础试题库完整
电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不
《电力电子技术》复习提纲
《电力电子技术》期末复习提纲 绪论 1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 （1）交流变直流AC-DC：整流 （2）直流变交流DC-AC：逆变 （3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现 （4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。 第1章电力电子器件 3 电力电子系统基本组成一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 4 电力电子器件的分类 （1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如S晶闸管。 （2）全控型器件：如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。 （3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 5 半控型器件—晶闸管（大功率半导体变流器件）阳极A、阴极K、门极G组成 晶闸管的导通条件：1.主电路加正向电压2.控制电路加合适的正向电压 6.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 7.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 8.晶闸管的测量:万用表R*1档 GTO（门极可关断晶闸管） （1）GTO与普通晶闸管的相同点：是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 （2）当GTO承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 （3）GTO导通后，若门极施加反向驱动电流，则GTO关断，也即可以通过门极电流控制GTO导通和关断。 GTR（大功率晶体管）与普通晶体管相似B（基极）c、e 电力场效应晶体管MOSFET 绝缘栅双极晶体管IGBT （1）GTR和GTO是双极型电流驱动器件，其优点是通流能力强，耐压及耐电流等级高，但不足是开关速度低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 （1）IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。 （2）IGBT由MOSFET和GTR组合而成。 第2章整流电路 （1）整流电路定义：将交流电能变成直流电能供给直流用电设备的变流装置。 单相半波可控整流电路 （4）触发角 ： 从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲为止的电角度，称为触发角或控制角。 （7）几个定义 ①“半波”整流：改变触发时刻，d u和d i波形随之改变，直流输出电压d u为极性不变但瞬时值变化的脉动直流，其波形只在2u正半周内出现，因此称“半波”整流。 ②单相半波可控整流电路：如上半波整流，同时电路中采用了可控器件晶闸管，且交流输入为单相，因此为单相半波可控
高职高专—高频电子技术期末复习材料分解
本人根据老师上课划的重点，自己手敲这么多字，收你们一个财富值，请多见谅，对不起了！！！ 高频电子线路期末复习 1.无线通信系统由发射设备，传输媒质，接收设备三部分组成。 ①发射设备：信息源、变换器、发射机、发射天线。 ②接收设备：受信人、变换器、接收机、接收天线。 ③传输媒质：自由空间。 2.发射设备的基本组成 振荡器、倍频器、低频放大器、功率放大器、调制器。 3.接收设备的基本组成 高频放大器、混频器、本地振荡器、中频放大器、解调器、低频放大器。 4.三种调制方式：①调幅②调频③调相 5.三种解调方式： ①检波（调幅波的解调） ②鉴频（调频波的解调） ③鉴相（调相波的解调） 6.无线通信中为什么要进行调制与解调？它们的作用是什么？ ①天线尺寸：天线尺寸与被辐射信号的波长相比拟时（波长λ的1/10~1），信号才能被天线有效的辐射出去。对于音频范围20Hz~20kHz来说，这样的天线不可能实现。 ②信号选择：如果直接发射，多家电台的发射信号频率范围大致相同，信号会干扰，接收机无法区分。 7.示意画出超外差式调幅收音机的原理框图，简要叙述其工作原理。
答：工作原理：接收天线接收从空间传来的电磁波并感生出微小的高频信号，高频放大器从中选择出所需的信号并进行放大，得到高频调幅波信号u1(t)，高频放大器通常由一级或多级具有选频特性的小信号谐振放大器组成。本地振荡器（又称本机振荡器）产生高频等幅振荡信号u2(t)，它比u1(t)的载频高一个中间频率，简称中频。调幅波信号u1(t)和本振信号u2(t)同时送至混频器进行混频，混频后输出电压u3(t)。u3(t)与u1(t)相比，其包络线的形状不变，即仍携有原来调制信号的信息，但载波频率则转换为u2(t)的频率与u1(t)的载频之差，即转换为中频，因此u3(t)为中频调幅波信号。u3(t)经中频放大器放大为u4(t)，再送到检波器。检波器从中频调幅信号u4(t)中取出反映传送信息的调制信号u5(t)，再经低频放大器放大为u6(t)，送到扬声器中转变为声音信号。 8.如接收的广播信号频率为936KHZ，中频为465KHZ，问接收机的本机振荡频率是多少？ 9.区分点 ①高频小信号放大器工作在甲类工作状态 ②高频功率放大器工作在丙类工作状态 10.宽带放大器的主要技术指标 ①通频带②增益③输入阻抗④失真 11.宽带放大器的分析方法 ①稳态法：通过分析宽放对不同频率正弦波的响应，得到电路的幅频特性和相频特性，并由此分析出该放大器的一些性能指标。 ②暂态法：通过观察矩形阶跃脉冲经宽放后波形的失真情况来判断该放大器的特性。 12.扩展放大器通频带的方法 ①负反馈法 ②组合电路法 ③补偿法【基极回路补偿；发射极回路补偿；集电极回路补偿】 13.简述共射-共基组合电路扩展通频带的原理。 答：对于“共射-共基”组合电路，由于共基电路的上限频率远高于共射电路，所以整个组
电子技术基础试题库(1-6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章） 一、填空题：（每空1分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。答：导体、半导体、绝缘体。 2、半导体具有特性，特性和特性。 答：热敏、光敏、掺杂。 3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。 答：单向导电、导通、截止。 4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。 答：0.7V、0.3V。 （中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。 答：最大整流电流、最高反向工作电压。 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和 电流，所以硅二极管的热稳定性。 答：小于、较好。 6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转 换成信号。 答：电、光、光、电。 7、三极管有三个电极，即极、极和极。 答：集电极、基极、发射极。 8、半导体三极管有型和型。 答：NPN、PNP。 （中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极 管具有作用。 答：电流放大。 10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。晶体三极 管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。 答：0 .5、0.2、0.7、0.3。 11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。 答：I C=βI B。 （中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。 答：增加、小。 12、三极管的极限参数分别是，，和。答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。 （中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管 可作为器件。 答：放大、开关。 14、放大电路按三极管连接方式可分为， 和。 答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。 15、放大电路设置静态工作点的目的是。 答：使放大器能不失真地放大交流信号。 16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
高频电子技术期末复习题及答案
高频电子技术期末复习及答案 一．填空题 1．LC 并联谐振回路Q 值越小，回路谐振电阻越（ 小 ），抑制干扰能力越（ 差 ），通频带越（ 宽 ）。 2．LC 并联谐振回路中，只增大回路电容时，其谐振频率会（ 下降 ），品质因素会（ 下降 ），谐振电阻会（ 减少 ）。 3．集中选频放大器由（ ）和（ ）组成，其主要优点是（ ）。 集成宽带放大器、集中选频滤波器、K 0.1→1 4．单调谐放大器多级级联后其谐振增益（ ），选择性（ ），通频带（ ）。 增大、改善、变窄 5.小信号谐振放大器性能与谐振回路的等效品质因素Q e 有密切关系，Q e 越大，其谐振曲线越（ ），谐振增益越（ ），选择性越（ ），通频带越（ ）。 尖锐、大、好、窄 6.丙类谐振功放的P O =1W ，V CC =10V ，i Cmax =0.5A ，导通角θ=70o，α0（70o）=0.25, α1（70o）=0.44，此时直流电源供给功率P D 为（ ），集电极损耗功率P C 为（ ），集电极效率ηC 为（ ）， 集电极负载电阻R e 为（ ）。 1.25W 、0.25W 、80%4、1Ω 7. 丙类谐振功放的负载由（ ） 组成，其作用是（ ），（ ）。 滤波匹配网络（或谐振回路）、滤除谐波、阻抗匹配 8. 高频谐振功率放大器为了提高效率而工作在（ ）类状态，其导通角小于（ ），导通角越小，放大器的效率（ ）。 丙、90o、高 9. 反馈型正弦波振荡器的起振条件是（ ）、（ ）。 1AF >&&、()20,1,2,a f n n φφπ+==K 10. 正弦波振荡器的作用是（ ），它的主要技术指标有（ ）、（ ）。 产生正弦波信号、频率及其稳定度、幅度及其稳定度 11. 反馈型正弦波振荡器的振荡频率由（ ）条件确定，振荡幅度由（ ）条件确定。 相位平衡、振幅平衡 12. 单边带调幅信号频谱含有（ ），其产生的基本方法是先产生双边带调幅信号，然后用（ ）法或（ ）法获得。 一个边带、滤波、移相 13. 已调信号336()[53cos(210)2cos(410)](cos210)V u t t t t πππ=+?+??，它是（ ）信号，其载频频率为（ ）Hz ，频带宽度为（ ）Hz 。 双音普通调幅、106、4×103 14. 模拟乘法器是完成两个模拟信号（ ）功能的电路，它是（ ）器件，可用来构成（ ）搬移电路。 相乘、非线性、频谱线性 15. 一个普通调幅信号36()(105cos210)cos(210)V AM u t t t ππ=+??，其调幅系数m a 为（ ），频带宽度为（ ）Hz ，上边频为（ ）Hz ，下边频为（ ）Hz 。 0.5、2000、106+103、106-103
高频电子电路期末考试试题
电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A） 一、填空题（每空分，共30分） 1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。 3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω k。 4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。 5.载波功率为100W，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V，P0=5W，则当% 60 = c η，= C P ,I CO= ，若 P 0保持不变，将 c η提高到80%，P c减小。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙 类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（） D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（） A.提高回路的Q值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波