4存储器
第四章-存储器04-高速缓冲存储器
Cache 000 001 010 011 100 101 110 111 000 001 010 011 100 101 110 111
调入
4.1、地址映象——直接映像
例2：设一个Cache中有8块，访问主存进行读操作的块地址依次为： 10110、11010、10110、11010、10000、00100、10010， 求每次访问时Cache的内容。
硬件完成功能： 访存地址 转成 Cache地址 辅助存储器
Cache 的全部功能都是 由硬件完成的， 对程序员来说是透明的。
4.1、地址映象
映象：其物理意义就是位置的对应关系，将主存地址变成Cache地址。
常见的映象方式主要有三种： 1）直接映象 2）全相联映象 3）组相联映象
CPU Cache 字 数据总线 字
2位 主存区号标记 00 主存块号 比较 3位 区内块号 100 Cache块号 未命中 访问内存 000 001 010 011 100 101 110 111 块内地址 块内地址
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111
调入
块表 000 001 010 011 100 101 110 111
4、高速缓冲存储器（Cache）
考研试题精选：
假设：CPU执行某段程序时，共访问Cache 3800 次，访问主存200 次，已知Cache存取周期为50ns，主存存取周期为250ns。
求：Cache—主存系统的平均存取时间和效率。 解： 系统命中率 h = 3800 / 3800 + 200 = 0.95
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111 调入
块表 000 10 001 010 11 011 100 101 110 10 111
计算机组成原理 第 4 章 存储器系统
• 存储单元的编址
• 编址单位：存储器中可寻址的最小单位。 • ① 按字节编址：相邻的两个单元是两个字节。 • ② 按字编址：相邻的两个单元是两个字。
• 例如一个32位字长的按字节寻址计算机，一个 存储器字中包含四个可单独寻址的字节单元。 当需要访问一个字，即同时访问4个字节时，可 以按地址的整数边界进行存取。即每个字的编 址中最低2位的二进制数必须是“00” ，这样可 以由地址的低两位来区分不同的字节。
• 主存储器用于存放CPU正在运行的程序和数据。 主存与CPU之间通过总线进行连接。
地址总线 MAR CPU MDR (k 位) 数据总线 (n 位) R/W MFC
2013-11-4 27
主 存 2k×n 位
主存的操作过程
• MAR：地址寄存器 MDR：数据寄存器
读操作（取操作） 地址 （MAR） AB
2013-11-4
5
(3) 高速缓冲存储器（Cache）
• Cache是一种介于主存与CPU之间用于解 决CPU与主存间速度匹配问题的高速小 容量的存储器。 • Cache用于存放CPU立即要运行或刚使用 过的程序和数据。
2013-11-4
6
2．按存取方式分类
• (1) 随机存取存储器(RAM) • RAM存储器中任何单元的内容均可按其地址随机地 读取或写入，且存取时间与单元的物理位置无关。 • RAM主要用于组成主存。
主存储器的组成和基本操作
地 址 译 码 驱 动 电 路 存 储 阵 列 读 写 电 路 数 据 寄 存 器 数 据 总 线
时序控制电路 R/W
2013-11-4
MFC
图 4-1
主存储器的基本组成 18
计算机组成原理复习题（含答案）
计算机组成原理复习题（含答案）计算机组成原理复习题⼀、选择题：1.双字节⼀般指（C ）⼆进制数。
A．1位B．32位C．16位D．8位2.在主机中，能对指令进⾏译码的器件是（D ）。
A．存储器B．ALU C．运算器D．控制器3.若⼀个数的编码是10000000，它的真值是-127，则该编码是（D ）。
A．原码B．移码C．补码D．反码4.在I/O控制⽅式中，主要由程序实现的是（C ）。
A．PPU⽅式B．DMA⽅式C．中断⽅式D．通道⽅式5.在浮点数的表⽰范围中，（B ）在机器数中不出现，是隐含的。
A．阶码B．基数C．尾数D．符号6.指令系统采⽤不同的寻址⽅式的主要⽬的是（ D ）。
A．提⾼访问速度B．简化指令译码电路C．增加内存容量D．扩⼤寻址范围7.若标志寄存器Z=1 ，表明（C ）A．运算结果为负B．运算结果为1 C．运算结果为0 D．运算结果为正8.寄存器间接寻址⽅式中，操作数在（B ）中。
A．寄存器B．存储器C．堆栈D．CPU9．DMA接⼝（B ）。
A．可以⽤于主存与主存之间的数据交换 B．内有中断机制C．内有中断机制，可以处理异常情况 D．内⽆中断机制10.计算机主频的周期是指（A ）A．时钟周期B．指令周期C．⼯作周期D．存取周期11.运算器是由多种部件组成的，其核⼼部件是（D ）。
A．数据寄存器B．累加器C．多数转换器 D. 算术逻辑运算单元12.使CPU与I/O设备完全并⾏⼯作⽅式是（C ）⽅式。
A．程序直接传送B．中断C．通道D．程序查询13.某计算机字长32位，存储容量为64KB，若按照字节编址，它的寻址范围是（B ）A．8K B．16K C．32K D． 4K 14．⽬前我们所说的个⼈台式商⽤机属于( D )。
A．巨型机 B．中型机 C．⼩型机 D．微型机15．冯·诺依曼机⼯作⽅式的基本特点是( B )。
A．多指令流单数据流 B．按地址访问并顺序执⾏指令C．堆栈操作 D．存储器按内容选择地址16．CPU的组成中不包含( A )。
存储系统4并行存储器和多模块交叉
q=64b×4=256b 顺序存储器和交叉存储器连续读出4个字所需的时间
t2=mT=4×200ns=800ns=8×10-7s t1=T+(m-1)=200ns+150ns=350ns=35×10-7s
顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是： W2=q/t2=256b÷(8×10-7)s=320Mb/s W1=q/t1=256b÷(35×10-7)s=730Mb/s
个存储单元 顺序方式：
3.5 并行存储器
顺序方式 [例]M0－M3共四个模块，则每模
块8字。
顺序方式： M0：0—7
单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，为了演示发布的良好效果，请言简 意赅地阐述您的观点。您的内容已经简明扼要，字字珠玑，但信息却千丝万缕、 错综复杂，需要用更多的文字来表述；但请您尽可能提炼思想的精髓，否则容 易造成观者的阅读压力，适得其反。正如我们都希望改变世界，希望给别人带 去光明，但更多时候我们只需要播下一颗种子，自然有微风吹拂，雨露滋养。 恰如其分地表达观点，往往事半功倍。当您的内容到达这个限度时，或许已经 不纯粹作用于演示，极大可能运用于阅读领域；无论是传播观点、知识分享还 是汇报工作，内容的详尽固然重要，但请一定注意信息框架的清晰，这样才能 使内容层次分明，页面简洁易读。如果您的内容确实非常重要又难以精简，也 请使用分段处理，对内容进行简单的梳理和提炼，这样会使逻辑框架相对清晰。
3.5 并行存 储器
无论采用哪种判断方式，延迟端口的BUSY 标志都将置位而关闭此端口，而当允许存取 的端口完成操作时，延迟端口BUSY标志才 进行复位而打开此端口。
3.5 并行存储器
二、多模块交叉存储器
一个由若干个模块组成的主存储器是线性编址的。 这些地址在各模块中如何安排，有两种方式：
(完整word版)第四章存储器习题
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
FX2N-4AD缓冲存储器BFM
位为二进制数 11（十进制数 3)时，允许调节 1 号通道的增益相偏移量。
#23 #24 #25～#28 #29
#30 #31
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
G4 O4 G3 O3 G2 O2 G1 O1 偏移值，缺省值=0。 增益值，缺省值=5000。 保留。 BFM#29 为错误状态信息。当 b0＝1 时有错误；b1＝1 时存在偏置或增益错误；b2＝1 时存在电源故障；b3＝1 时存在硬件错误；b10＝1 时数字输出值超出范围 b11＝1 时平均值 滤波的周期数越出允许范围(1～4096)；以上各位为 0 时表示正常，其余各位没有定义。 BFM#30 存储 FX2N-4AD 模块的标识码(即 K2010)。可以用 FROM 指令读出。 禁用。
速消除不希望的增益和偏移值．BFM#20 的默认值为 0。
#21
BF M#21(b1,b0)为（1，0）时，增益和偏移的调整将被禁止，以防止操作者不正确地改动。
若需要改变增益和偏移值，(b1,b0)必须设置为（0，1），缺省值为（0，1）。
#22
增益和偏移调整。BFM#22 的低 8 位用于 1～4 号通道的偏移量和增益调节，例如最低两
#3
FX2N-4AD 通道 3
#4
FX2N-4AD 通道 4
#5
FX2N-4AD 通道 1 分别是通道 1～4 的转换数据的平均值。
#6
FX2N-4AD 通道 2
#7
FX2N-4AD 通道 3
#8
FX2N-4AD 通道 4
#9
FX2N-4AD 通道 1 分别是通道 1～4 的转换数据的当前值。
#10
FX2N-4AD 通道 2
#11 #12 #13～#14
什么是计算机存储器常见的计算机存储器有哪些
什么是计算机存储器常见的计算机存储器有哪些计算机存储器是一种用来存储数据和指令的设备，是计算机系统的一个重要组成部分。
计算机存储器一般分为主存储器和辅助存储器两种。
主存储器：主存储器是计算机中用来存储数据和指令的地方，也被称为内存。
主存储器是在计算机运行时被CPU直接访问的一种存储设备，主要用来存储当前正在执行的程序和数据。
主存储器的速度比较快，但容量有限。
主存储器的存取速度取决于存储介质的类型，常见的主存储器包括动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。
1. DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态随机存取存储器是一种常见的主存储器，使用电容和晶体管来存储数据。
DRAM需要不断地刷新存储的数据，因此速度比较慢，但成本低廉，容量大。
DRAM广泛应用于个人电脑和其他计算设备上。
2. SRAM（Static Random Access Memory）：静态随机存取存储器也是一种常见的主存储器，使用触发器来存储数据。
相比于DRAM，SRAM的读写速度更快，但成本更高，容量较小。
SRAM通常用于缓存和高性能计算机系统中。
辅助存储器：辅助存储器是计算机中用来存储数据和程序的一种永久性存储设备，主要是用来存储不常用的数据和程序。
辅助存储器通常比主存储器容量更大，但速度较慢。
1. 硬盘驱动器（Hard Disk Drive，HDD）：硬盘驱动器是一种机械存储设备，使用磁性记录技术来存储数据。
硬盘驱动器容量大，价格便宜，但读写速度较慢。
硬盘驱动器广泛用于个人电脑和服务器上。
2. 固态硬盘（Solid State Drive，SSD）：固态硬盘是一种电子存储设备，使用闪存芯片来存储数据。
固态硬盘读写速度快，耐用性强，但价格相对较高。
固态硬盘逐渐取代了传统的硬盘驱动器，成为计算机存储器的主要形式之一3.光盘和闪存盘（CD-ROM、DVD-ROM、USB闪存盘）：光盘和闪存盘是一种便携式存储设备，用来存储数据和程序。
计算机组成原理第4章主存储器(00001)资料讲解
CS
WE
DOUT
片选读时间 taCS
CPU必须在这段时 间内取走数据
片禁止到输出的传 输延迟tPLH CS→DOUT
15
1. 静态存储器（SRAM）（6）
(2) 开关特性
写周期时序 地址对写允许WE的保持时间 th Adr
地址对写允许WE的建立时间 tsu
Adr
Adr
CS
WE
最小写允许宽度tWWE
保持1，0 的双稳态 电路
存储单元
9
1. 静态存储器（SRAM）
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor) 场效应晶体管，或者称S管有三个极：源极S（Source）、漏极D（Drian）和栅极G（Gate）.
器
控制电路
0 … 31
读/写电路 Y地址译码
CS WE DIN H ×× LLL LLH L H×
DOUT H H H DOUT
操作方式
未选 写“0” 写“1”
读
WE CS
A5 … A9
14
1. 静态存储器（SRAM）（5）
(2) 开关特性
读周期时序
Adr
地址对片选的建立时间 tsu Adr→CS
27
4.6 非易失性半导体存储器（4）
3．可擦可编程序的只读存储器（EPROM） 为了能修改ROM中的内容，出现了EPROM。其原理：
VPP(+12V)
控制栅 浮置栅
5～7V
源n+
漏n+
P型基片
28
4.6 非易失性半导体存储器（5）
3．可擦可编程序的只读存储器（EPROM） 存储1，0的原理：
计算机组成原理——主存储器4
主存储器
4.1 主存储器的全机中心地位 主存与CPU 主存与I/O设备 主存与多处理机
存储器分类
1. 按存储介质分类
(1) 半导体存储器 (2) 磁表面存储器 (3) 磁芯存储器 (4) 光盘存储器 TTL 、MOS 磁头、 磁头、载磁体 硬磁材料、 硬磁材料、环状元件 激光、 激光、磁光材料
4.6
非易失型半导体存储器（ROM） 非易失型半导体存储器（ROM）
存储器名 ROM PROM EPROM 功能 只读不能写 一次性写入 可多次写入、读出 存储原理 以元件有无表 示0、1 以熔丝接通、 断开表示0、1 写:以漏源极间 有无导电沟道 存储0、1 擦:紫外线使浮 置栅电荷泄漏 写：同EPROM 擦：电擦除 写：同EPROM 擦：电一次性 整体或分区擦 除（幻灯） 存储单元元件 二极管或晶体 管 熔丝 幻灯上所示的 管子
3. 按在计算机中的作用分类
RAM 静态 RAM 动态 RAM MROM PROM EPROM EEPROM
主存储器
ROM
存 储 器
Flash Memory
高速缓冲存储器（ 高速缓冲存储器（Cache） ） 辅助存储器 磁盘 磁带 光盘
二、存储器的层次结构
1. 存储器三个主要特性的关系
／ 速度 容量 价格 位 CPU 寄存器 存 主存 CPU 机 主 快 小 高
举例 画出用16K*8位的芯片组成64K*8 16K*8位的芯片组成64K*8位存储器的连接图 画出用16K*8位的芯片组成64K*8位存储器的连接图
A15 A14 A13 A0 WE
译 码 器
CS R/W
CS R/W
CS R/W
CS R/W D0-D7
字扩展的几点结论
商品名称：Seagate NAS 2-4张硬盘存储器，产品规格详细说明书
NAS 2-bay Seagate NAS 4-bayDual Gigabit Network interfaceFailover and link aggregation2 x 10/100/1000 Base-TXHot swappable HDD traysSupport of 2.5- and 3.5-inch HDDDiskless: Supported HDDs, see Hard Drive Compatibility ListPreconfigured model built with Seagate 3.5-inch NAS HDD drivesAMERICAS Seagate Technology LLC 10200 South De Anza Boulevard, Cupertino, California 95014, United States, 408-658-1000 ASIA/PACIFIC Seagate Singapore International Headquarters Pte. Ltd. 7000 Ang Mo Kio Avenue 5, Singapore 569877, 65-6485-3888 EUROPE, MIDDLE EAST AND AFRICASeagate Technology SAS 16–18, rue du Dôme, 92100 Boulogne-Billancourt, France, 33 1-4186 10 00© 2014 Seagate Technology LLC. All rights reserved. Printed in USA. Seagate, Seagate Technology and the Wave logo are registered trademarks of Seagate Technology LLC in the United States and/or other countries. Sdrive and SimplyRAID are either trademarks or registered trademarks of Seagate Technology LLC or one of its affiliated companies in the United States and/or other countries. All other trademarks or registered trademarks are the property of their respective owners. When referring to drive capacity, one gigabyte, or GB, equals one billion bytes and one terabyte, or TB, equals one trillion bytes. Your computer’s operating system may use a different standard of measurement and report a lower capacity. In addition, some of the listed capacity is used for formatting and other functions, and thus will not be available for data storage. The export or re-export of hardware or software containing encryption may be regulated by the U.S. Department of Commerce, Bureau of Industry and Security (for more information, visit ), and controlled for import and use outside of the U.S. Seagate reserves the right to change, without notice, product offerings or specifications. SC551.2-1407US, July 2014。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
FFFFH
DROM控制的 数据存储空间
第2章 TMS320C储空间用来存放要执行的指令和执行中 所需的系数表。 ’C5402共有20条地址线，可寻址1M字的外部
程序存储器。它的内部ROM和DARAM可通过软件
映射到程序空间。当存储单元映射到程序空间时，
48K
32K 16K 6K 0
48K
32K 16K 6K 0
2K
2K 0 8K 24K
16K
16K 0 8K 24K
4K
4K 4K 16K 0
16K
16K 0 8K 56K
16K
16K 0 64K 64K
0
0 0 32K 168K
2013年7月11日
DSP原理及应用
4
第2章 TMS320C54x的硬件结构
存储器映像 005FH 存储器映像寄存器 寄存器 0060H 005FH 暂存寄存器 007FH 0060H 暂存器 0080H SPRAM 内部DARAM 007FH 0080H (16K×16位) 内部DARAM 3FFFH 3FFFH 4000H (16K×16位字） 4000H 外部存储器 外部存储器 EFFFH EFFFH F000H F000H DROM=0 外部ROM DROM=1 内部ROM DROM=1 内部ROM FEFFH DROM=0 外部存储器 FEFFH FF00H FF00H DROM=0 外部存储器 DROM=1 保留 DROM=0 外部存储器 DROM=1 保留
’C5402共有20条外部程序地址总线，可寻址程
TMS320VC5402扩展程序存储空间结构图
序存储空间为1M。整个程序存储空间分成16页，每页
第0页 共计64K字。
0 0000H
1 0000H
第1页 低32K字 （片外）
64K字 第1页 高32K字 （片外）
F 0000H
… … …
F 7FFFH F 8000H
2013年7月11日 DSP原理及应用 8
第2章 TMS320C54x的硬件结构
1．程序存储空间的配置
● OVLY控制位用来决定程序存储空间是否使 用内部RAM。
当OVLY= 0时，程序存储空间不使用内部RAM。 0000H~3FFFH全部定义为外部程序存储空间， 此时内部RAM只作为数据存储器使用。 当OVLY= 1时，程序存储空间使用内部RAM。 内部RAM同时被映射到程序存储空间和数据存储空间。 0000H~007FH保留，程序无法占用； 0080H~3FFFH定义为内部DARAM。
2013年7月11日
0000H 0000H
保留 内部DARAM 内部SARAM 中断矢量表
OVLY=1 保留保 留 OVLY=1 保留 OVLY=0 外部存储器 OVLY=1 保留 007FH OVLY=0 外部存储器 OVLY=0 外部存储器
007FH 0080H 0080H 3FFFH 4000H 4000H
’C5402有20条外部程序地址总线，其程序
空间只能扩展到1M。
2013年7月11日
DSP原理及应用
12
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2．程序存储空间的分页扩展 分页扩展技术的特点： ① 有20或23条外部程序地址线，可寻址1M或8M存 储空间； ② 有1个额外的存储器映像寄存器—程序计数器扩展 寄存器XPC；
地址
0000H 007FH 0080H 3FFFH 4000H EFFFH F000H 内部ROM FEFFH FF00H 保留 FF7FH FF80H FFFFH 中断矢量表 (内部存储器) MP/MC=0 微计算机模式 ±£ Áô FF7FH FF80H FFFFH
程序存储空间
OVLY=1 保留 (0页) OVLY=0 外部存储器 OVLY=1 内部DARAM OVLY=0 外部存储器 外部存储器
第15页 低32K字 （片外）
64K字 第15页 高32K字 （片外）
64K字
1 7FFFH 1 8000H
… … …
F FFFFH
0 FFFFH
1 FFFFH
XPC = 0
2013年7月11日
XPC = 1
DSP原理及应用
XPC = 15
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2.5 ’C54x的存储空间结构 ’C54x共有192K字的存储空间，分成3个相互独 立可选择的存储空间： 程序存储空间：用来存放要执行的指令和指令执 64K字（16位）的程序存储空间； 行中所需要的系数表(数学用表)； 64K字（16位）的数据存储空间； 数据存储空间：用来存放执行指令所需要的数据； 64K字（16位）的I/O空间。 I/O存储空间：用来提供与外部存储器映射的接 口，可以作为外部数据存储空间使用。
2013年7月11日 DSP原理及应用 2
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2.5 ’C54x的存储空间结构
片内存储器的优点：
● 不需要插入等待状态； ● 与外部存储器相比，成本低； ● 比外部存储器功耗小。
2013年7月11日
DSP原理及应用
3
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2.5 ’C54x的存储空间结构
OVLY=1 内部DARAM OVLY=1 内部DARAM OVLY=0 外部存储器 OVLY=1 内部DARAM 3FFFH OVLY=0 外部存储器 OVLY=0 外部存储器 OVLY=1 内部SARAM OVLY=0 外部存储器 外部存储器 外部存储器 中断矢量表 中断矢量表 (外部存储器)
外部存储器 中断矢量表
10
2013年7月11日
DSP原理及应用
第2章 TMS320C54x的硬件结构 微处理器模式： MP/ MC=1
地址 程序存储空间
OVLY=1： 0000H~007FH 0080H~3FFFH 4000H~FF7FH FF80H~FFFFH OVLY=0：
0000H~FF7FH FF80H~FFFFH
地址
0000H 007FH 0080H 3FFFH 4000H
程序存储空间
OVLY=1 保留 (0页) OVLY=0 外部存储器 OVLY=1 内部DARAM OVLY=0 外部存储器 外部存储器 Ƭ ÄÚROM 外部存储器
地址 地址
0000H 0000H
数据存储空间
中断矢量表 (外部存储器)
MP/MC=1 微处理器模式
Page0 64K
Page1 64K
Page2 64K
…
Page127 64K
… 7F FFFFH
00 FFFFH
01 FFFFH
02 FFFFH
XPC=0
2013年7月11日
XPC=1
DSP原理及应用
XPC=2
XPC=127
14
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2．程序存储空间的分页扩展 当OVLY=1时，片内RAM允许映射到程序空间， 程序存储器的每一页都由两部分组成：32K字的公共 块和32K字的专用块。 公共块可由所有页共享； 专用块只能按指定的页号寻址。 当MP/MC=0时，片内ROM只能允许安排在第0 页的程序空间，不能映射到其它页。
2013年7月11日 DSP原理及应用 9
第2章 TMS320C54x的硬件结构 微计算机模式： MP/ MC=0
0000H~007FH
0080H~3FFFH
地址
程序存储空间
保留
内部DARAM 外部存储器
OVLY=1
4000H~EFFFH
F000H~FEFFH
FF00H~FF7FH FF80H~FFFFH 0000H~EFFFH
DSP原理及应用
FF7FH FF7FH FF7FH FF80H FF80H FFFFH FFFFH FFFFH
11
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2．程序存储空间的分页扩展
在’C54x系列芯片中，有些芯片采用分页扩
展的方法，使程序存储空间可扩展到1M~8M。
如：’C5409和’C5416可扩展到8M。
2.5.1 存储空间结构
’C54x所有内部和外部程序存储器及内部 和外部数据存储器分别统一编址。 内部RAM总是映射到数据存储空间，但 也可映射到程序存储空间。 ROM可以灵活地映射到程序存储空间， 同时也可以部分地映射到数据存储空间。
2013年7月11日
DSP原理及应用
5
第2章 TMS320C54x的硬件结构 TMS320VC5402存储器配置结构
2013年7月11日 DSP原理及应用 1
第2章 TMS320C54x的硬件结构
2.5 ’C54x的存储空间结构
所有’C54x芯片都含有片内RAM和ROM。
SARAM —— 单寻址RAM 片内RAM DARAM —— 双寻址RAM DARAM：由存储器内的一些分块组成。 片内ROM：主要存放固化程序和系数表。一般 DARAM和SARAM既可以被映射到数据存储空 每个DARAM块在单周期内能被访问2次。 构成程序存储空间，也可以部分地映射在数据存储 间用来存储数据，也可以映射到程序空间用来存储 SARAM：由存储器分块组成。 空间。 程序代码。 每个SARAM块在单周期内只能被访问1次。
00 FFFFH 01 FFFFH
Page1 32K
02 FFFFH
Page1 32K
…
7F FFFFH
Page127 32K
XPC=0
2013年7月11日
XPC=1
XPC=2
XPC=127
16
DSP原理及应用
第2章 TMS320C54x的硬件结构 扩展程序存储器的页号由XPC寄存器设定，XPC映射到数 2．程序存储空间的分页扩展 据存储器的001EH单元。硬件复位时，XPC被置0。