第5章 半导体器件器件制备技术-1
半导体器件的物理和制备技术
半导体器件的物理和制备技术半导体器件经常被用于我们周围的各种电子产品中，如手机、电脑、平板等等。
而半导体器件的制造工艺又是一个非常重要的领域。
本文将介绍半导体器件的基本物理和制备技术。
一、半导体器件的物理半导体器件中最基本的物理部分就是 PN 结，它是研究半导体器件的基础。
PN 结是由 N 型半导体和 P 型半导体组成的。
P 型半导体具有 F 型杂质（掺杂原子），N 型半导体具有 D 型杂质（掺杂原子）。
在 PN 结中，F 型杂质与 D 型杂质发生了扩散，形成了 N 区和 P 区。
PN 结是半导体器件中比较重要的一部分，它有很多性质。
最重要的是 PN 结具有单向导通性。
当一个 PN 结接通的时候（P极接正电压，N极接负电压），电子会从 N 区流到 P 区。
反之，如果一个 PN 结截止（P极接负电压，N极接正电压），电荷离子也不会通过 PN 结流动。
这就是 PN 结的单向导通性。
另外一个与物理有关的是 PN 结的载流子密度。
载流子密度是指在 PN 结中存在的自由电子和空穴的数量。
在 PN 结中，载流子密度决定了 PN 结的电性能，而 PN 结的电性能又决定了半导体器件的性能。
二、半导体器件的制备技术半导体器件的制备技术分为分子束外延法（Molecular Beam Epitaxy,简称MBE)和金属有机气相沉积法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD）。
MBE制备方法是在真空条件下，从反应室中的一端向另一端瞄准的单个分子束通过移动子束源传输。
材料组分定义的羽毛速度通过热蒸发或流的沉积法，以在衬底上增长晶体，控制时间或以原子吸附的密度的方法控制表面，以使材料以原子精度沉积。
MBE被广泛用于多层结构的开发，例如超晶格、量子阱和纳米线。
而MOCVD法，是指用化学方法使材料累积在衬底上的一种方法。
被广泛用于GaAs等III-V族族化合物半导体的生长，还用于生长Si、Ge、刚玉、氧化铝等半导体材料。
《半导体物理与器件》习题库
《半导体物理与器件》习题库目录《半导体物理与器件》习题库 (1)第1章思考题和习题 (2)第2章思考题和习题 (3)第3章思考题和习题 (6)第4章思考题和习题 (10)第5章半导体器件制备技术 (12)第6章Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂 (13)第1章思考题和习题1. 300K时硅的晶格常数a=5.43Å，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。
3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。
4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。
5. 证明本征半导体的本征费米能级E i位于禁带中央。
6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。
7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a）计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。
（b） 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置（分别从导带底和本征费米能级算起）。
9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置（分别从价带顶和本征费米能级算起）。
10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。
11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅，室温下计算：（a）光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子，是否为小注入？为什么？（b）附加光电导率△σ为多少？（c）画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。
半导体器件的制备与封装
半导体器件的制备与封装半导体器件的制备与封装是现代电子行业中至关重要的一环。
半导体器件作为电子产品的核心组件，其性能对电子产品的整体质量和功能起着决定性的作用。
本文将深入探讨半导体器件制备与封装的过程和技术。
一、半导体器件的制备过程半导体器件的制备过程主要包括晶片生长、晶圆加工、电极沉积和薄膜制程等环节。
晶片生长是半导体器件制备的第一步，通过将半导体材料在高温环境下结晶生长，形成晶圆。
常用的晶片生长方法有蒸发法、液相外延法和气相外延法等。
晶圆加工是对晶片进行切割和研磨，使其达到特定尺寸和平整度的过程。
这一步是保证后续工艺步骤顺利进行的关键，对晶片的质量要求较高。
电极沉积是在晶片表面制作电极的过程，常用的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溅射沉积等。
这一步骤决定了电极与晶圆之间的连接质量和稳定性。
薄膜制程是在晶片表面制造氧化层、硅氮化层等薄膜材料，以保护晶片和提升其性能。
常用的薄膜制程方法有化学气相沉积、物理气相沉积和离子束沉积等。
二、半导体器件的封装技术封装是将制备好的半导体器件封装进外部保护壳体，以保护器件不受外界环境的影响，并提供连接和散热等功能。
常见的封装技术有无引线封装（COB）、塑封封装和金属封装等。
无引线封装是将裸露的晶圆直接粘贴在基板上，通过导线与基板进行连接，然后使用树脂进行保护。
这种封装方式具有体积小、重量轻和散热效果好等优点，在智能手机等小型电子设备中广泛应用。
塑封封装是将制备好的半导体器件用特殊塑料封装，以保护器件与外界环境之间的隔离。
该封装方式成本较低、可靠性较高，适用于大批量生产。
金属封装是在器件外部加装金属外壳，通过金属外壳来保护器件。
金属封装具有较好的散热性能和抗干扰性能，适用于高功率和高频率电子器件。
三、半导体器件制备与封装的关键技术半导体器件制备与封装的关键技术包括晶片生长技术、微纳加工技术和封装材料技术等。
晶片生长技术要求对材料的纯度和晶格结构进行精确控制，以获得优质的晶片。
半导体器件的制备工艺
半导体器件是现代电子技术中最重要的基础元件之一。
它们广泛应用于计算机、手机、电视等各种电子设备中，起着控制电流和信号的作用。
要制备出高性能的半导体器件，一个关键的步骤就是制备工艺。
制备工艺是指在半导体材料上应用一系列的加工方法来制造半导体器件的过程。
第一步是原料的准备。
半导体器件常使用的材料有硅、锗等，这些材料必须具备高纯度和特定的电学特性。
因此，在制备工艺中，我们需要使用特殊的原料，如高纯度的金属硅或气相沉积的硅薄膜，来作为制备半导体器件的基础材料。
第二步是制备基底。
通常，制备半导体器件的基底是硅片。
硅片必须具备较高的纯度，且表面光滑。
制备基底的方法有多种，最常见的方法是通过切片和抛光的方式来获得高质量的硅片。
第三步是沉积薄膜。
在半导体器件的制备中，我们需要在基底表面形成一层特定厚度的薄膜，以用于电子组件的连接和绝缘。
沉积薄膜的方法有物理气相沉积（PVD）、热氧化、化学气相沉积（CVD）等。
第四步是图案化。
半导体器件的电路都是有特定的图案构成的，因此，在制备工艺中，我们需要使用光刻技术来对薄膜进行图案化处理。
这个过程包括了光刻胶的涂覆、曝光和显影，最后得到所需的图案。
第五步是蚀刻。
蚀刻是指将薄膜中的一部分物质逐渐去掉的过程，以形成半导体器件。
蚀刻方法有干法蚀刻和湿法蚀刻两种。
干法蚀刻常用于金属薄膜的蚀刻，湿法蚀刻则常用于硅等材料的蚀刻。
第六步是离子注入和扩散。
离子注入是指将特定种类的离子注入到半导体材料中，以改变其电学特性。
而扩散则是将特定的杂质通过热处理送入半导体材料中，以改变材料的导电性。
最后一步是清洁和包封。
在半导体器件制备的过程中，不可避免地会产生一些杂质。
所以，在制备工艺的最后一步，我们需要对器件进行清洁处理，以确保器件的性能和稳定性。
然后，将器件进行封装，使其能够在实际应用中更好地保护和使用。
综上所述，半导体器件的制备工艺是一个复杂而关键的过程。
只有掌握了制备工艺，才能生产出高性能和稳定性的半导体器件。
半导体器件制造
半导体器件制造半导体器件是现代电子技术的基础，广泛应用于计算机、通讯、医疗、汽车等各个领域。
而半导体器件的制造过程则是一个复杂而精细的工程，需要经过多个步骤才能得到高质量的产品。
本文将介绍半导体器件制造的一般过程，并深入讨论关键步骤和技术。
一、晶圆制备半导体器件的制造从准备晶圆开始，晶圆是一个平坦的硅片，通常直径为12英寸（300毫米）。
首先，选择高纯度的硅单晶材料作为晶圆的基材，然后通过石墨电弧炉等方法进行熔炼和拉晶，将硅材料拉制成使用尺寸。
二、晶圆清洗晶圆经过初步制备后，需要进行清洗以去除表面的杂质和污染物。
清洗流程一般包括多个步骤，如溶剂洗、酸洗、去膜等。
这些步骤可以确保晶圆表面的纯净度和光洁度达到制造要求。
三、光刻光刻是制造半导体器件中的关键步骤之一，通过光刻技术可以在晶圆表面形成所需的微细结构。
首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，然后使用掩膜和紫外光刻机将光刻胶暴露于紫外光下，形成所需的图案。
随后，通过显影和清洗等工艺步骤，去除多余的光刻胶，形成希望得到的微细结构。
四、离子注入和扩散离子注入和扩散是控制半导体器件电性能的重要工艺步骤。
通过离子注入，将所需的杂质或离子注入晶圆表面，形成导电或绝缘区域。
而通过扩散，则是在高温下使杂质或离子在晶圆内部扩散，改变晶圆的导电性能。
这些步骤的精确控制和调整对于器件性能至关重要。
五、薄膜沉积薄膜沉积是形成半导体器件的关键步骤之一，通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆表面沉积一层薄膜材料，用于形成电极、介电层或其他需要的结构。
沉积薄膜的材料种类繁多，如二氧化硅、聚酰亚胺、金属等，其选择和优化可以有效改善器件的性能。
六、金属线路的制作金属线路的制作是连接和布线半导体器件的重要步骤。
通过光刻和薄膜沉积等技术，在晶圆表面形成金属线路的图案，用于实现电子元器件之间的连接。
这些金属线路通常使用铝、铜或其他导电性能良好的材料制作，而且需要考虑线宽、线距、电阻率等因素。
第5章 半导体器件器件制备技术-1
砷化镓相关的Ⅲ-Ⅴ族化合物的MBE系统示意图
5.2 硅的热氧化
5.2.1 SiO2的结构、性质与作用
SiO2的结构和物理性质 二氧化硅从结构上可分为结晶型和非结晶型二氧化硅两种
SiO2网络结构示意图 （a）SiO2的基本结构单元 （b）结晶型SiO2 （c）无定型SiO2
SiO2的化学性质 室温下二氧化硅只与氢氟酸反应 SiO2+6HF→H2（SiF6）+2H2O SiO2的作用
柴可拉斯基式拉晶仪的简示图
5.1.2 晶体外延生长技术
外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技 术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原 子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一 层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构 的单晶层，由于这个新的单晶层是在原来衬底晶面向 外延伸的结果，所以称其为外延生长，这个新生长的 单晶层叫外延层。最常见的外延生长技术为化学气相 淀积（CVD）和分子束外延生长（MBE）。
外延生长的基本原理
氢还原四氯化硅外延生长原理示意图
硅的CVD外延 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上 淀积一层薄膜材料的过程。
APCVD反应器的结构示意图
LPCVD反应器的结构示意图
平板型PECVD反应器的结构示意图
分子束外延 分子束外延（MBE）是在超高真空条件下一个或多个热 原子或热分子束蒸发到衬底表面上形成外延层的方法 。
5.6.2 金属膜的溅射
各种溅射系统示意图 （a）标准溅射 （b）长程溅射 （c）具有 准直器的溅射
5.4 半导体中的杂质掺杂
ห้องสมุดไป่ตู้
杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内，以达到 改变半导体电学特性，形成PN结、电阻、欧姆接触等 各种结构之目的。扩散和离子注入是半导体掺杂的两 种主要方式。
半导体器件的结构和制备工艺流程
半导体器件的结构和制备工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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制造半导体器件的方法
制造半导体器件的方法半导体器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
它们在计算机、通信、医疗、能源、交通等领域发挥着关键作用。
制造半导体器件的过程是复杂而精细的，需要多个步骤和特定的工艺来实现。
本文将介绍制造半导体器件的一般方法。
1. 半导体材料选择半导体器件使用的材料通常是硅(Si)或者砷化镓(GaAs)等半导体材料。
选择合适的材料是制造半导体器件的第一步。
材料的选择要考虑到其物理特性、可获得性、成本以及应用需求等因素。
2. 半导体晶体生长半导体器件的制造通常从生长单晶开始。
常用的生长方法包括气相淀积、液相外延和分子束外延等。
这些方法可以在高温下使半导体材料从气相或液相中沉积出单晶膜，以提供制造器件的基础。
3. 半导体材料加工在生长完毕后，需要对半导体材料进行一系列的加工步骤，以制备出具有所需电子特性的器件。
这些加工步骤包括光刻、腐蚀、沉积、扩散、离子注入等。
其中，光刻是一种通过光照和化学腐蚀来定义器件结构形状的方法，腐蚀用于去除不需要的材料，沉积用于填充材料，扩散和离子注入用于控制材料中杂质的浓度和位置。
4. 金属电极制备半导体器件通常需要与金属电极连接，以实现电子的输入和输出。
制备金属电极的过程包括金属薄膜的沉积、光刻和腐蚀等步骤。
金属电极的选择要考虑到其电导性、稳定性和可焊接性等因素。
5. 封装和测试在制造完器件后，还需要对其进行封装和测试。
封装是将器件放置在适当的封装材料中，以保护其免受外界环境的影响。
测试是对器件进行电性能测试，以确保其符合设计要求。
封装和测试的流程通常涉及焊接、线缆连接、测试仪器和测试程序等。
总结：制造半导体器件是一项复杂而精细的工艺。
从半导体材料选择到最终的封装和测试，需要经历多个步骤和特定的工艺。
在每个步骤中，都需要严格控制工艺参数和质量要求，以确保制造出高性能、可靠的半导体器件。
随着技术的不断发展和创新，制造半导体器件的方法也在不断演进，以满足不断增长的应用需求。
半导体器件的制备
半导体器件的制备随着现代工业的发展和技术的不断更新，半导体器件已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
无论是电脑、手机、平板，还是汽车、医疗设备等，都离不开半导体器件的应用。
半导体器件的制备是极为重要的一步，它直接决定着半导体器件的质量和性能。
下面，我们将来一起了解半导体器件的制备。
一、半导体器件的概述半导体器件是一种电子器件，它的基本结构是由半导体材料制成。
半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一种材料，常见的有硅、锗等。
半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管等等，它们的功能和特定性能均各不相同。
半导体器件的制备需要经过多个工艺步骤，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、沉积等等。
每个步骤都要经过严格的质量控制，以保证半导体器件的质量和性能。
二、半导体晶圆的制备半导体晶圆是半导体器件的基础，它由单个半导体材料制成的薄片。
晶圆制备是整个半导体器件制备的第一步，它对半导体器件的质量和性能有着至关重要的影响。
晶圆制备通常采用Czochralski法，这是一种通过晶体的液相生长来制备晶圆的方法。
首先，半导体材料（如硅单晶）被熔融在高温炉中，然后，通过向炉中注入精细控制的晶体生长溶液，如金刚砂（SiC）和高纯度石英（SiO2），使晶体在熔池中生长。
在晶体生长过程中，从熔池中提取出晶体，先后经过光亮炉、磨机、择片机等多个工艺流程，最终制成半导体晶圆。
三、光刻光刻是半导体器件制备中的重要步骤之一。
它是一种通过光学系统控制，使光去掉半导体晶圆表面特定位置的光刻胶，以成形器件结构的方法。
光刻的工艺流程包括清洗晶圆、涂覆光刻胶、依据器件图案对光刻胶进行曝光、显影等几个程序。
与液态胶不同，光刻胶呈液态沿晶圆表面平均涂布，经过烘干程序，让它干化并把光再移除。
技术人员用特殊的工具，经由光遮蔽板让光反射，将图案杂降至金属网或光刻胶上，数据就被刻在了光刻胶或晶圆层上。
四、蚀刻蚀刻是一种通过化学反应去除半导体晶圆表面的方法，以形成器件结构的方法。
半导体器件的制备技术
半导体器件的制备技术半导体器件被广泛使用于计算机、通信和消费电子产品等领域中。
其制备技术也是半导体行业发展的重要支撑之一。
本文将对半导体器件的制备技术进行介绍。
1. 半导体材料的制备半导体器件的制备首先要准备半导体材料，常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。
硅及其掺杂材料是最常用的半导体材料。
硅晶圆主要来源于石英砂，经过加热还原、氯化和汽相生长等步骤制备而成。
这些步骤中掺杂的加入和高温生长都是较容易引入杂质的环节，因此需要严格控制成分并进行各种物理和化学处理来保证材料的高纯度。
2. 半导体器件的制备半导体器件的制备分为前工艺和后工艺两个部分。
前工艺包括清洗、沉积、光刻和正胶刻蚀等步骤，可分为准备晶圆、制作掩模、沉积物质和光刻制备四个主要流程。
前工艺的目的是在硅片上形成掩模和胶层，来控制后续的加工过程。
后工艺包括离子注入、扩散/热压缩、氧化、金属化和退火等步骤，也可以称为器件制作流程。
3. 制备失败的影响半导体制备的过程中，如果有任何制备过程的失败，都会在器件制作的最终成品上留下影响，损失更换晶圆的成本和时间。
工艺失败的原因主要有制备杂质、压力/温度的控制不当、设计和技术缺陷等。
为了避免这种情况的出现，制造过程要严格控制，以确保材料和器件的高质量。
4. 制备技术的发展随着技术的发展，半导体器件的开发和制造创新不断推动。
对于制备技术，需要在求质量稳定和求时效快速之间取得平衡。
其中，纳米科学和工程技术的出现为半导体器件的制备带来了很多新的可能性和最新技术，比如金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)和多晶硅太阳能电池等。
同时，半导体器件制造也面临着逐渐增加的成本和日益严密的环保法规等压力。
因此，在制备技术方面，将继续探索新的、更加环保和经济的方法，以保持半导体器件行业的稳定和发展。
总之，半导体器件的制备技术是半导体行业不可或缺的一部分。
通过本文介绍，可了解到半导体器件的制备涉及硅和掺杂材料的制备、砷化镓和其他化合物半导体材料的制备、前工艺和后工艺等步骤。
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SiO2生长过程示意图
5.2.3 SiO2的制备方法
干氧氧化 干氧氧化是指在1000℃以上的高温下，直接通入氧气 进行氧化的方法。 水汽氧化 水汽氧化指的是在高温下，硅片与高温水蒸气发生反 应生成SiO2的方法。 湿氧氧化 湿氧氧化一般是指氧化携带95℃左右的水气与硅片一 起发生反应生成SiO2的方法。 冷水自然滴法氧化 与上述常规湿氧氧化的唯一不同的地方是，是氧气携 带着室温下的冷水一起进入石英管道。
5.2.2硅热氧化形成SiO2的机理
对硅半导体器件而言，大部分的SiO2层都是用热氧化 方法生长的，常用的热氧化方法有三种：干氧、湿氧 和水汽氧化。Si在氧气或水汽的环境下，进行热氧化 的化学反应式为： Si（固体）+O2（气体）→SiO2（固体） Si（固体）+2H2O（气体）→SiO2（固体）+2H2（气 体）
微电子学基础理论
第五章 半导体器件制备技术
信息工程学院 姜梅
1
5.1 晶体生长和外延
5.1.1 晶体基本生长技术
Si的制备过程一般为: SiC（固体）+ SiO2（固体）→Si（固体）+SiO（气体） +CO（气体） Si（固体）+3HCl（气体）→SiHCl3（气体）+H2（气体） SiHCl3（气体）+H2（气体）→Si（固体）+3HCl（气体）
柴可拉斯基式拉晶仪的简示图
5.1.2 晶体外延生长技术
外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技 术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原 子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一 层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构 的单晶层，由于这个新的单晶层是在原来衬底晶面向 外延伸的结果，所以称其为外延生长，这个新生长的 单晶层叫外延层。最常见的外延生长技术为化学气相 淀积（CVD）和分子束外延生长（MBE）。
5.4.2 离子注入原理与系统
离子注入机系统 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬 底的过程，该过程是靠离子注入机来完成，离子注 入机主要包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦、 扫描器和靶室等。
离子注入机基本结构及工作原理示意图
2．离子注入原理
离子注入到无定型靶中的高斯分布
退火 由于离子注入所造成的损伤区及畸变团，使迁移率和 寿命等参数受到严重影响，而且大部分注入的离子并 不是以替位的形式位于晶格上，为了激活注入到衬底 中的杂质离子，使不在晶格位置上的离子运动到晶格 位置，以便具有电活性，产生自由载流子起到杂质的 作用，并消除半导体衬底中的损伤，必须要在适当的 温度与时间下，对离子注入的硅片进行退火。
5.6.2 金属膜的溅射
各种溅射系统示意图 （a）标准溅射 （b）长程溅射 （c）具有 准直器的溅射
5.4 半导体中的杂质掺杂
杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内，以达到 改变半导体电学特性，形成PN结、电阻、欧姆接触等 各种结构之目的。扩散和离子注入是半导体掺杂的两 种主要方式。
扩散与离子注入方法掺杂示意图（a）扩散 （b）离子注入
5.4.1 杂质扩散机理与方法
1．扩散机理 2．两种表面源的扩散分布 （1） 恒定表面源扩散 （2） 限定源扩散 3．恒定表面源扩散方法 （1） 固态源扩散 （2） 液态源扩散 4．扩散结果的测量 （1） 薄层电阻的测量 （2） 结深的估算和测量 （3） 扩散分布测量
5.5.3 多晶硅的化学气相淀积
一般利用低压反应炉（LPCVD）在600～650℃范围 内分解硅烷淀积多晶硅，其化学方程式为
SiH4 600 CSi 2H2
5.6 金属薄膜的物理气相淀积技术
5.6.1 金属膜的蒸发
蒸发所用的各种装置示意图 （a）电阻加热器 （b）射频感应加热器 （c）电子束蒸发
干湿干方法氧化炉装置示意图
氢氧合成氧化 该方法是指在常压下，将高纯氢气和氧气通入氧化炉内， 使之在一定温度下燃烧生成水，水在高温下汽化，然后水 汽与硅反应生成SiO2。
冷水自然滴法氧化装置示意图
5.2.4 SiO2质量的宏观检验
为了确认SiO2的质量，可采用宏观方法进行检验。其 一，检查SiO2层的表面状态，其二是用比色法判定其
砷化镓相关的Ⅲ-Ⅴ族化合物的MBE系统示意图
5.2 硅的热氧化
5.2.1 SiO2的结构、性质与作用
SiO2的结构和物理性质 二氧化硅从结构上可分为结晶型和非结晶型二氧化硅两种
SiO2网络结构示意图 （a）SiO2的基本结构单元 （b）结晶型SiO2 （c）无定型SiO2
SiO2的化学性质 室温下二氧化硅只与氢氟酸反应 SiO2+6HF→H2（SiF6）+2H2O SiO2的作用
外延生长的基本原理
氢还原四氯化硅外延生长原理示意图
硅的CVD外延 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上 淀积一层薄膜材料的过程。
APCVD反应器的结构示意图
LPCVD反应器的结构示意图
平板型PECVD反应器的结构示意图
分子束外延 分子束外延（MBE）是在超高真空条件下一个或多个热 原子或热分子束蒸发到衬底表面上形成外延层的方法 。
光刻工艺流程示意图
5.3.2 新一代图形曝光技术
甚远紫外线曝光
甚远紫外线曝光系统装置简图
X射线曝光（XRL）
X射线曝光原理简图
电子束曝光 电子束曝光是利用聚焦后的电子束在感光膜上准确地 扫描出图案的方法。
离子束曝光
5.3.3 刻蚀技术
湿法化学腐蚀 湿法腐蚀是指利用液态化学试剂或溶液通过化学反应 进行刻蚀的方法。 干法刻蚀 干法刻蚀是指利用低压放电产生的等离子体中的离子 或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团 等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达 到刻蚀的目的。
5.5 介质薄膜化学气相淀积技术
5.5.1 二氧化硅的化学气相淀积
根据反应温度的不同，分别有几种不同的CVD方法制 备氧化层。 1．低温CVD氧化层 2．中等温度CVD氧化层 3．高温CVD氧化层
5.5.2 氮化硅的化学气相淀积
氮化硅的性质与作用 Si3N4的结构可以分成无定型和结晶型两种 Si3N4在器件中的作用：其一用于器件的钝化；其二在 大规模集成电路中经常采用多层布线技术，而Si3N4能 在多层布线中起到很好的介质隔离作用。其三由于 Si3N4的氧化速率很慢，可以作为局域氧化的掩蔽阻挡 层 氮化硅的化学气相淀积方法 Si3N4薄膜可以利用中等温度的LPCVD或低温PECVD方 法淀积。
厚度。 SiO2层的宏观缺陷是指眼睛可以直接看得到的 缺陷：如氧化层厚度是否均匀、表面有无斑点、氧化 层是否存有针孔等
5.3 光刻与刻蚀技术
5.3.1 光刻过程简介
光刻所需要的三要素为：光刻胶、掩膜版和光刻机。常规 的光刻过程主要包括：涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、 腐蚀和去胶。首先将光刻胶利用高速旋转的方法涂敷在硅 片上，然后前烘使其牢固地附着在硅片上成为一层固态薄 膜。利用光刻机曝光之后，再采用特定的溶剂进行显影， 使其部分区域的光刻胶被溶解掉，这样便将掩膜版上的图 形转移到光刻胶上，然后再经过后烘以及刻蚀、离子注入 等工序，将光刻胶的图形转移到硅片上，最后再去胶就完 成了整个光刻过程。