射频无源器件课件
Γ = 1, ρ = ∞, K = 0
可使用计算软件： 可使用计算软件
F:\cjq\u\Rf Tools\常用反射转换计算
1.08
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0.00
传输功率为 传输功率 :
1 P( z) = Re U( z) I ∗ ( z) 2
{
}
U ( z) 2 2 1 i ∗ = Re 1 − Γ ( z) + Γ ( z) − Γ ( z) 2 Z0
R=50*（3.16-1）/（3.16＋1）=26欧姆 R1=50* （2*3.16）/(3.162-1) ＝35欧姆
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Sep 2010
衰减器计算软件： 衰减器计算软件：
F:\cjq\u\rf tools2\衰减网络计算.
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回波损耗RL 0.00 0.92 0.94 3.10 4.44 6.02 7.96 10.46 13.98 20.00 20.92 21.94 23.10 24.44 26.02 27.96 30.46 33.98 40.00 ∞
驻波比SWR ∞ 19.00 9.00 5.67 4.00 3.00 2.33 1.86 1.50 1.22 1.20 1.17 1.15 1.13 1.11 1.06 1.04 1.02 1.00
Z in ( z ) =
U ( z) I ( z)
对给定的传输线和负载阻抗，线上各点的输入阻抗随至终端的距离l的不同而作周期(周期为)变化，且在一些特 殊点上，有如下简单阻抗关系：
Z in (l ) = Z L Z in (l ) = Z0 ZL
2
l=n
λ
2
(n = 0,1,2,L)
λ
4
l = ( 2n + 1)
通用射频无源电路设计
September 2010
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Sep 2010
馈 电 电 路
均 衡 器
滤 波 器
双 工 器
功 分 器
耦 合 器
衰 减 电 路
传 输 线
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Sep 2010
• • • • • • • •
目 录
1、耦合度 、
输入端“①”的输入功率P1 ，与耦合端的输出功率之比定义为耦合度c，如公式：
2、隔离度 、
输入端“①”的输入功率P1和隔离端“④”的输出功率P4之比定义为隔离度，记作I：
3、定向度 、
耦合端“③”的输出功率P3与隔离端“④”的输出功率P4之比定义为定向度，记作D：
4、输入驻波比 、 端口“②、 ③、 ④”都接匹配负载时的输入端口“①”的驻波比定义为输入驻波比，记作ρ： 5、工作带宽 、
三、T型衰减器的计算 T 与π型衰减器计算方法类似，设信号源的输出阻抗和负载阻抗均为R0，电压衰减倍数为 AT=Vin/Vout，R2=R3=R.最后的计算公式是： R=（AT－1）R0/（AT＋1） R1=2AT /（AT2-1）R0
例如：若输入输出阻抗为R0=50Ω，衰减为10dB的π型衰减器，计算如下： 20lgAT = 10dB 所以 AT 约等于 3.16
K=
U U
min max
=
I I
min max
=
1− Γ 1+ Γ
=
1
ρ
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传输线上反射波的大小，可用反射系数的模、驻波比 和行波系数三个参量来描述。
反射系数ρ 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10 0.09 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01
负载阻抗与终端反射系数的关系：
Z L = Z0
1+ Γ L 1− Γ L
驻波比和行波系数: 驻波比和行波系数: 电压（或电流）驻波比ρ定义为传输线上电压（或电流）的最大值与最小值之比，即
ρ=
U U
max min
=
I ILeabharlann max min当传输线上入射波与反射波同相迭加时，合成波出现最大值；而反相迭加时出现最小值 :
I r ( z) I i ( z)
=−
A2 − j 2 β z e = −Γ u ( z) A1
ΓL
A2 j (φ 2 −φ 1 ) A2 = = e = Γ L e jφ L A1 A1
L −2 β
传输线上任一点反射系数与终端反射系数的关系：
Γ ( z) = Γ L e − j 2 β z = Γ L e j (φ
[
]
为了简便起见，一般在电压波腹点(最大值点)或电压波节点(最小值点)处计算传输功率，即 :
2
1 P( z ) = U 2
max
I
min
1 U max = K 2 Z0
在不发生击穿情况下，传输线允许传输的最大功率称为传输线的功率容量
1 U br Pbr = K 2 Z0
2
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conductor Dielectric constant GND
2、同轴线：同轴电缆是指有两个同心导体，而导体和屏蔽层又共用同一轴心的电缆
同轴电缆可分为两种基本类型,基带同轴电缆和宽带同轴电缆。 目前基带常用的电缆,其屏蔽线是用铜做成的网状的,特征阻抗为50(如RG-8、RG-58等); 宽带同轴电缆常用的电缆的屏蔽层通常是用铝冲压成的,特征阻抗为75(如RG-59等)。
特性阻抗定义为传输线上入射波电压Ui (z)与入射波电流Ii (z)之比，或反射波电压Ur (z)与反射波电流Ir 特性阻抗 (z)之比的负值，即 ：
Z0 = U i ( z) I i ( z) =− U r ( z) I r ( z) = R0 + jωL0 G0 + jωC0
相速是指波的等相位面移动速度。 相速 入射波的相速为： dz ω
vp =
dt
=
β
对于微波传输线：
vp =
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Sep 2010
1 L0 C0
相波长定义为波在一个周期T内等相位面沿传输线移动的距离。即 ： 相波长
λ p = v pT =
vp f
=
ω β
f
=
2π
β
输入阻抗：传输线终端接负载阻抗ZL时，距离终端z处向负载方向看去的输入阻抗定义为该处的电压U (z)与电流 输入阻抗 I (z)之比，即：
输入阻抗与反射系数间的关系：
z)
= Γ L e jφ
I ( z)
I i ( z )[1 − Γ ( z )]
1 − Γ ( z)
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Sep 2010
Z in ( z ) =
U ( z)
=
U i ( z )[1 + Γ ( z )]
= Z0
1 + Γ ( z)
Sep 2010
衰减电路
衰减器原理,用途及设计 衰减器原理 用途及设计 主要用途： 主要用途： 1）调整电路中信号的大小； 2）改善阻抗匹配，若某些电路要求有一个比较稳定的负载阻抗时，则可在此电路与实际负载阻抗 之间插入一个衰减器，能够缓冲阻抗的变化。 通常，衰减器接于信号源和负载之间，衰减器是由电阻元件组成的四端网络，它的特性阻抗、衰 减都是与频率无关的常数，相移等于零。
反射系数距终端z处的反射波电压Ur(z)与入射波电压Ui(z)之比定义为该处的电压反射系数Γu(z)，即： 反射系数
A2 e − jβ z A Γ u ( z) = = = 2 e − j2β z U i ( z ) A1e − jβ z A1
电流反射系数：
U r ( z)
Γ i ( z) =
终端反射系数 ：
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Sep 2010
• 公司所用衰减电路大多为电阻衰减，这里主要介绍电阻衰减电路。 电阻衰减有两种主要电路形式：π型和T型 如下图所示：
一、电阻衰减器必须遵守以下原则： A．阻抗匹配，不然就会形成驻波或反射，影响测量准确度。对衰减器输入而言，输入阻抗要与信 号源的输出阻抗匹配；对衰减器输出而言，输出阻抗要与负载阻抗匹配。由于射频功率衰减器 一般不需要进行阻抗变换，所以，输入阻抗、输出阻抗、负载阻抗和信号源输出阻抗都相等。 B. 衰减量符合要求，电压衰减20lgAT=20lg(Vin/Vout) (dB) 或功率衰减10lgATP=10lg(Pin/Pout) (dB) 符合所要求的衰减值，因为功率P=V2/R ， 由于输入阻抗等于输出阻抗，所以， 10lgATP=10lg(Pin/Pout)=10lg(Vin2/Vout2)=20lg(Vin/Vout)=20lgAT，因此电压衰减的分贝 数（dB）与功率衰减的分贝数（dB）是一致的。根据衰减的分贝数（dB）可求出电压衰减的倍 数AT
例如：若输入输出阻抗为R0=50Ω，衰减为10dB的π型衰减器，计算如下： 20lgAT = 10dB 所以 AT 约等于 3.16
R=50*（3.16+1）/（3.16-1）=96欧姆 R1=50*(3.162-1) /2*3.16＝71欧姆
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Sep 2010
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Sep 2010
•
二、传输线特征阻抗 传输线特征阻抗 传输线的特性参量主要包括：传播常数、特性阻抗、相速和相波长、输入阻抗、反射系数、驻波比(行波系 数)和传输功率等。
射频电路中无源器件特性
无源器件特性1.高频电阻低频电子学中最普通的电路元件就是电阻，它的作用是通过将一些电能装化成热能来达到电压降低的目的。
电阻的高频等效电路如图所示，其中两个电感L模拟电阻两端的引线的寄生电感，同时还必须根据实际引线的结构考虑电容效应；用电容C模拟电荷分离效应。
电阻等效电路表示法根据电阻的等效电路图，可以方便的计算出整个电阻的阻抗：下图描绘了电阻的阻抗绝对值与频率的关系，正像看到的那样，低频时电阻的阻抗是R，然而当频率升高并超过一定值时，寄生电容的影响成为主要的，它引起电阻阻抗的下降。
当频率继续升高时，由于引线电感的影响，总的阻抗上升，引线电感在很高的频率下代表一个开路线或无限大阻抗。
一个典型的1KΩ电阻阻抗绝对值与频率的关系2.高频电容片状电容在射频电路中的应用十分广泛，它可以用于滤波器调频、匹配网络、晶体管的偏置等很多电路中，因此很有必要了解它们的高频特性。
电容的高频等效电路如图所示，其中L为引线的寄生电感；描述引线导体损耗用一个串联的等效电阻R1；描述介质损耗用一个并联的电阻R2。
电容等效电路表示法同样可以得到一个典型的电容器的阻抗绝对值与频率的关系。
如下图所示，由于存在介质损耗和有限长的引线，电容显示出与电阻同样的谐振特性。
一个典型的1pF电容阻抗绝对值与频率的关系3.高频电感电感的应用相对于电阻和电容来说较少，它主要用于晶体管的偏置网络或滤波器中。
电感通常由导线在圆导体柱上绕制而成，因此电感除了考虑本身的感性特征，还需要考虑导线的电阻以及相邻线圈之间的分布电容。
电感的等效电路模型如下图所示，寄生旁路电容C 和串联电阻R分别由分布电容和电阻带来的综合效应。
高频电感的等效电路与电阻和电容相同，电感的高频特性同样与理想电感的预期特性不同，如下图所示：首先，当频率接近谐振点时，高频电感的阻抗迅速提高；第二，当频率继续提高时，寄生电容C的影响成为主要的，线圈阻抗逐渐降低。
电感阻抗绝对值与频率的关系总之，在高频电路中，导线连同基本的电阻、电容和电感这些基本的无源器件的性能明显与理想元件特征不同。
射频基础知识及其主要指标PPT课件
A＝e· 50 ＝E·λ/π
50
·
73 .13
73 .13
若以dBμv计，则有 A＝E＋20lgλ/π ＋20lg ＝E＋20lg λ/π －1.65（dB
50
7μ3v.）13
＝E＋20lgλ－11.6（dBμv）
对于其它接收天线，只需增加其相对于
半波偶极天线的增益Gr即可
即：A＝E＋20lgλ－11.6＋Gr
Comba Telecom Systems
为满足第三代（3G）蜂窝移动通信技术和业务发展的需求， 中国于2002年对3G系统使用的频谱作出了如下规划： ①第三代公众蜂窝移动通信系统的主要工作频段： 频分双工(FDD)方式：1920~1980 MHz / 2110~2170 MHz；
时分双工(TDD)方式：1880~1920MHz、2010~2025 MHz。
②第三代公众蜂窝移动通信系统的补充工作频段： 频分双工(FDD)方式：1755~1785 MHz / 1850~1880 MHz；
时分双工(TDD)方式：2300~2400MHz，与无线电定位业 务共用，均为主要业务。
Comba Telecom Systems
③IMT-2000的卫星移动通信系统工作频段：1980-2010 MHz / 2170-2200 MHz。
带宽或者提高载噪比来达到。
Comba Telecom Systems
电场强度、电压及功率电平的换算
电场强度是指长度为1m的天线所感应到的电压，以V/m,mV/m或μV/m计。对 半波耦合天线而言，其有效长度为λ/π，故其感应的电压为：
e＝E·λ/π（V） 式中，E为电场强度（V/m）, λ为波长（m） 由于半波偶极天线的阻抗是73.13Ω，而移动通信接收机的输入阻抗通常为 50Ω，在天线与接收机之间需有一个匹配网络，如图所示，此时，接收机的输 入电压A（开路电压）为：
13 无源元件的射频特性.
图1.3.9 二端陶瓷元件的等效电路
图1.3.10 二端陶瓷元件等效阻抗的频率特性
3．三端陶瓷元件 三端陶瓷元件的结构与符号如图1.3.11所示，由两片 陶瓷片A和B用导电胶粘合起来，由粘合面引出的端子 作为公共端，而由另两面引出的端子分别作为输入端 和输出端， 输入信号u加在A片上，它将电能转换成机械能，并产 生机械振动。机械振动通过粘合面传到B片上，又将机 械能转换成电能，输出给外接负载RL。同样，当信号 频率与陶瓷片固有的机械振动频率相等时，形成共振。 共振状态可形成强的电流，提供最大的电流到外部电 路。在共振的条件下，输出和输入信号间可能是同相 位，也可能有180°的相位差，与A、B陶瓷片的粘合 面有关。
石英晶体谐振器的等效电路如图1.3.7（a）所示，石英 晶体谐振器的符号如图1.3.7（b）所示。 图中，Lq为动态电感（等效电感）；Cq为动态电容；rq 为动态电阻；C0为晶片与金属极板构成的静态电容。
图1.3.7 石பைடு நூலகம்晶体谐振器的等效电路和符号
石英晶体谐振器的等效电感Lq非常大，而Cq和rq都非常 小，所以石英晶体谐振器具有非常高的Q值，其Q值为
1 j C0 1 j C0
Lq (1 1/ 2 Lq Cq )
Cq C0 Lq 1 1/ Lq Cq C0 2 s2 p 1 2 1 2
（1.3.5）
图1.3.8 石英晶体谐振器的阻抗特性
1.3.5 压电陶瓷元件的射频特性
采用压电陶瓷材料（如铁钛酸铅）构成的压电陶瓷元 件有压电陶瓷谐振器、压电陶瓷滤波器等。它们在射 频电路的振荡槽路、选频网络、滤波等电路中应用， 具有频率稳定性好，选频特性尖锐和调试简单等优点。 通常将压电陶瓷材料做成片状，在其两面涂以银层， 作为电极，构成压电陶瓷元件。 1．压电陶瓷元件的压电效应 压电陶瓷材料具有压电效应，即能将机械的作用力转 换成电效应，也能将电的作用转换成机械效应。
射频电路的无源元件及其等效电路
Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010电阻器的射频等效电路不仅呈现出单纯的电阻 R ，还具有两端引线的引线电感L 以及模拟电荷分离效应的电容C a 和跨接两端引线之间的电容C bApr. 18. 2010From SEIEE SJTU金属膜电阻器的阻抗绝对值与频率之间的关系在低频时，电阻器的阻抗是R ，随着频率的升高，寄生电容的影响成为引起电阻阻抗下降的主要因素；随着频率的进一步升高，引线电感的作用就越加明显，电阻阻抗上升；在频率很高时，引线电感就成为一个无限大的阻抗，甚至开路。
Apr. 18. 2010电阻器的阻抗首先是随着频率的升高而增加；但到某Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010，总的旁路电在200MHz Apr. 18. 2010电容器的射频等效电路C ：电容数值；Rs ：串联电阻；Rp ：绝缘电阻；：引线和平板的电感；其中电阻都会形成热损耗，用Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010From SEIEE SJTU理想的阻抗随着工作频率的升高而近似线性地减小。
而实际阻抗，随着频率的升高，其引线电感变得越来越重要；电容器的特性随着频率的升高而改变。
在谐振频率Fr ，引线电感与实际电容形成串联谐振，使得总的电抗趋向于0Ω；之后，在高于Fr 的些政频率之上，电容器的行为呈现为电感性而不再是电容性。
Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010From SEIEE SJTU•能量损耗计算公式：()2610555cm /W tan .f E E r 2δε−×=Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Cs ：分布电容L ：电感Apr. 18. 2010理想和实际电感器的阻抗与频率特性随着频率的升高，电感器的电抗（XL ＝ωL ）也增加，在电感器的并联谐振频率Fr 处达到峰值；经过谐振频率Fr Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010集成螺旋电感器使用同心圆耦合线的近似处理及实用等效模型Apr. 18. 2010电容可用理想电容Cs 、电感Ls 和电阻Rs 的串联电路来等效；电感可用理想电感Lp 、电容Cp 和电阻Rp 的并联电路来等效；电阻可用理想电容Rp 、电容Cp 或电感Lp 的并联电路来等效。
无源器件技术交流与设计PPT课件
2001年12月22日 联通新时空CDMA网络建成。
2001年12月31日 中国移动通信关闭TACS模拟移动电话 网，停止经营模拟移动电话业务。
8
2002年4月8日 联通新时空CDMA网络正式运行。 2002年5月 中国移动、中国联通实现短信互通互发。 2002年5月17日 中国移动通信GPRS业务正式投入商用。 2003年1月28日 上海联通率先开通CDMA1X网络，标志 着中国联通的CDMA移动通信全面进入了真正的2.5G。
无源器件和射频基础知识 技术交流
1
整体概述
概况一
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概况二
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概况三
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2
第一讲 移动通信发展及概述 第二讲 无源器件 第三讲 室内覆盖系统案例
3
第一讲 移动通信概述
15
三、移动通信网络专业名词
基站（BS）
基站又称无线基地站/基地站。是一套为无 线小区（通常是一个全向或三个扇形小区）服 务的设备。基站在呼叫处理过程中处于主导地 位，呼叫处理过程包括三个主要内容：
1、在控制信道中对移动台的控制，提供系 统参数常用信息；
2、对移动台入网(主叫与被叫)提供支持； 3、在话音信道中对移动台加以控制。
16
直放站
同频双向放大的中继站，又称同频中继 器，传输方式是透明传输。功能是接收和转 发基站与移动台之间的信号。
蜂窝
用正六边形无线小区（又称蜂窝小区） 邻接构成的整个通信面状服务区的形状很象 蜂窝，故形象地称为蜂窝状网（Cellular System）,也称为蜂窝移动通信网。
第五章 无源光器件优秀课件
nancy
2．光波分复用器
（2
①
复用器的光学特性可以用给定的输入端口 的插入损耗—波长关系曲线表示。
②
解复用的光学特性，可以用输入端到N个输
出端的各信道的波长—插入损耗关系曲线 来表达
2021/3/20
nancy
2．光波分复用器
图3-46 复用器插入损耗—波长关系曲线
2021/3/20
nancy
2021/3/20
nancy
1．光波分复用系统的结构与工作原理
图3-44 单纤双向结构WDM传输系统
2021/3/20
nancy
2．光波分复用器
（1 器件的各端口可以作为输入端口，也可以
作为输出端口。
2021/3/20
nancy
2．光波分复用器
图3-45 WDM光传输原理图
2021/3/20
2021/3/20
nancy
连接器和接头
光连接器的功能是将两根光纤连接起来 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活
动)连接的器件， 主要用于光纤线路与光 发射机输出或光接收机输入之间，或光 纤线路与其他光无源器件之间的连接。
影响光连接器的插入损耗的因素 : 被连接的两根光纤是否匹配 安装的精度
1．光定向耦合器的结构
光定向耦合器按其结构不同可分为棱镜式 和光纤式两类。
2021/3/20
nancy
1．光定向耦合器的结构
图3-35 棱镜式和光纤式定向耦合器
2021/3/20
nancy
2．光纤式定向耦合器的参数
（1）隔离度A。
A 1 、4 10
lg
P4 P1
（2）插入损耗L。
L 10 lg P 2 P 3
《无源器件介绍》课件
温度特性
总结词
描述无源器件在不同温度下的性能稳 定性。
详细描述
无源器件的温度特性是指其在不同温 度下的性能稳定性。由于温度变化可 能引起无源器件的性能漂移，因此了 解其温度特性有助于保证电路的稳定 性和可靠性。
环境特性
总结词
描述无源器件在不同环境条件下的性能表现和可靠性。
详细描述
无源器件的环境特性是指其在不同环境条件下的性能表现和可靠性。例如，某些无源器件可能对湿度、压力、机 械振动等环境因素敏感，需要在特定环境下使用或采取保护措施。
03
柔性化
柔性无源器件成为研究热点，可穿戴、可折叠和可伸缩 的电子产品需求增长，为无源器件带来新的应用场景。
市场发展趋势
5G和物联网推动
随着5G通信和物联网技术的快速 发展，无源器件市场将迎来新的 增长点，尤其在射频和微波领域
。
汽车电子需求增长
汽车智能化和电动化趋势带动汽车 电子市场增长，无源器件在汽车电 子领域的应用将进一步扩大。
厚膜工艺
厚膜工艺是一种将材料通过印刷 、烧结等工艺形成无源器件的技
术。
厚膜工艺具有工艺简单、成本低 、可靠性高等优点，广泛应用于厚膜工艺的制造过程包括印刷、 烧结、涂层等步骤，其中印刷和
烧结是关键工艺。
微组装工艺
微组装工艺是一种将多个小型化无源 器件组装在一起形成复杂电路的技术 。
新工艺的探索
3D打印技术
利用3D打印技术可以制造出结构更为复杂、功能更为多样的 无源器件，提高器件的性能和集成度。
纳米压印技术
纳米压印技术可以实现高精度、大面积的图案化，为制造高 性能无源器件提供了新的途径。
新应用领域的拓展
物联网
随着物联网技术的发展，无源器件的应用领域不断拓展，涉及传感器、无线通信和能量 收集等多个方面。
射频传输中的无源器件
3DB电桥3db电桥也叫同频合路器，它能够沿传输线路某一确定方向上对传输功率连续取样，能将一个输入信号分为两个互为等幅且具有90°相位差的信号。
主要用于多信号合路，提高输出信号的利用率，广泛应用室内覆盖系统中对基站信号的合路，在这种场所运用效果很好。
二：3DB电桥用处：3DB桥插损是3.2，隔离度也是25，驻波一般。
但是有两个输出口，比如输入两个30输出就是两个27。
3dB电桥的输出口也可随意定，两进一出，一进两出，两进两出，其实都可以，多的一个口接上足够功率的负载就行了。
不接负载的其实也就是出厂就断接了,跟另接负载没什么两样的效果。
但是，对于驻波比要求高的时候只能用3dB。
另外，还要考虑器件的承受功率。
3DB电桥之电桥平衡简述：3DB电桥——电桥平衡就是说最后在中间连的那根导线中没有电流通过 3DB电桥条件是四个电阻的阻值交叉相乘相等的时候就平衡了。
1、电桥平衡：如图是一种特殊结构的电路──直流单臂电桥，R1、R2、R3和R4叫电桥的臂，检流计G接于CD之间称为“桥”。
一般情况下R1、R3两端的电压不相等，即C、D两点间的电势不等，G中有电流通过。
改变R1、R3的大小，可以使UAC=UAD，这时G中无电流通过。
当G中无电流时叫做“电桥平衡”。
2、电桥不平衡：R1,R4看成并联的，R2,R3也看成并联的两者之间是串联R1,R4电阻12/5欧姆R2,R3电阻8/5欧姆，电流I=4/（12/5+8/5）=1AR1,R4上的电压是12/5，R2,R3上的电压是8/5R1的电流是2/5A，R2的电流是3/5A，R1的电流是4/5A，R1的电流是1/5AG上的电流等于 R1上的电流I1减去R2上的电流I2Ig=I1-I2=2/5-3/5=-1/5所以G上的电流是1/5AR1的电流应该是2/5，R2的电流应该是4/5，R3的电流应该是1/5，R4的电流应该是3/5Ig=I1-I2=2/5-4/5=-2/5G上的电流是2/5A 三.3DB电桥平衡条件：利用电桥测量电阻的过程，就是调节R1、R2、R3使电桥达到平衡条件的过程，而平衡与否由电流计来判断。
射频电路基础知识PPT课件
Γz=(Zi-Z0)/(Zi+Z0) ▪ 驻波比(VSWR):传输线上波腹点电压振幅与波节点电压振幅之比
为电压驻波比,或称为驻波系数ρ.
ρ =|U|MAX/|U|MIN=(1+ |Γz|)/(1-| Γz|)
A=10x(log10(B/1mW)=10x(log10B)+30
(其中A为对数功率,B为线性功率)
1. 线性功率为1W时, 对数功率为30dBm 2. 线性功率为1uW时,对数功率为-30dBm
▪ dBm为绝对功率,dB用来计算相对功率,主要用来计算
功率的改变量,如增益和损耗的单位.
2.4 不连续端口的功率分布(a)
落后,其抗干扰能力较弱,点用带宽较多,但系统较为简单,主要用 于较早开发的系统中,如:电视(当前制式),音频广播(收音机),第一 代的手机通信系统等.
2. 数字RF通信系统,由于其有较多优点,已经广泛使用于多种通信
系统中,如Wireless LAN,GSM手机,蓝牙系统,卫星通信系统等.
1.4 射频电路应用和分类(d)
噪声系数(Noise Figure):放大器输出信号的信噪比(信号与噪声的比值)与输入信号信噪比的差值.
5 RF功率放大器(b)
1dB压缩点:由于放大器本身特性和工作环境,随着功率放大器输入功率增加到一定范围,放大器增益开始减小,当增益减小1dB时,此时的输
入功率称为1dB压缩点.
2.1 射频(RF)电路的定义
可让多个使用者同时复用一个频段.
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3. RF功率定义和计算 衰减器另一重要的参数为输入信号功率,由于RF信号功率绝大多数都会转化为热功率,因此较大功率的衰减器都会有散热片,并且功率越
无源射频微波元件..
第5章 微波元件
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一 阻抗调配器 阻抗调配器常用来匹配传输线特性 阻抗和负载(或信号源)阻抗不等的情况。 阻抗调配器可分分支调配器和螺钉调配 器 , 前者可调的电抗元件是用改变分支线 的长度来实现的 , 常用于平行双线和同轴 线传输系统中 ; 后者可调电抗元件是可调 螺钉,常用于波导中。
第5章 微波元件
第5章 微波元件
第5章 微波元件
图 5―3―6
第5章 微波元件
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二 终接元件 常用的终接元件有匹配负载和短路 器两种。匹配负载和短路器都属于一端 口的网络,但它们的功能绝然不同,匹配负 载是将所有的电磁能量全部吸收而无反 射 (ρ=1,Γ=0); 而短路负载是将所有的电磁 能量全部反射回去 , 一点能量也不吸收 (ρ=∞,Γ=1)下面分别讨论之。
第5章 微波元件
第5章 微波元件
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(3) 当信号自①和②端口同相输入 时,则③端口有最大输出,此时,③端口对称 面处在电场驻波腹点。 • (4) 当信息自①和②端口反相输入 时,③端口输出最小,此时,③端口对称面处 在电场驻波节点。当①和②端口等幅反 相输入时,则③端口输出为零。 • H―T 接头与 E―T 接头情况不同 , 主 波导宽壁电流被分支分流, 因此 H―T 接头 的 H 臂相当于并接在传输线中的电抗 , 同 样调节H臂中的短路活塞的位置就可改变 并接电抗的大小。如图5―2―10所示。
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(一) 分支阻抗调配器 分支阻抗调配器按分支的多少可分 单支节双支节及多支节调配器。单支节 调配器的工作原理在第二章的 2―6 节已 讨论过,这里不再复述。 • 2―6 节曾指出 , 单支节调配器的最 大优点是结构简单。但它是通过调节支 节线的插入位置和支节线的长度来实现 匹配的,在同轴线中支节的长度,可应用短 路活塞很易改变 , 但分支线插入位置很难 改变 , 因此单支节调配器的应用受到一定 的限制。