2章-常用半导体器件及应用题解
电子技术半导体器件2 内容及习题
电子技术网络授课半导体器件2内容及习题6.2 三极管学习要求：理解掌握三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数，会用万用表判断三极管的管型和管脚极性6.2.1 三极管的基本构造和符号6.2.2 三极管的工作状态1、三极管的工作电压和基本连接方式（观看视频）共射极接法E1为基极电源，又称偏置电源 Rb为基极电阻 VT三极管 Rc集电极电阻 E2集电极电源另外还有共基极和共集电极接法，如下图所示。
最常用的是共发射极接法。
三极管的基本作用是放大电信号。
三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
2、三极管的电流放大作用（观看视频）1）三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化，引起集电极电流 IC 较大变化。
2）交流电流放大系数β——表示三极管放大交流电流的能力ββ=ΔΔII CCΔΔII BB3）直流电流分配关系II EE=II CC+II BB（观看视频）4）直流电流放大系数ββ̄ —— 表示三极管放大直流电流的能力ββ̄=II CC II BB5）通常ββ=ββ̄，II CC=ββ̄II BB，所以可表示为II CC=ββII BB3、三极管的伏安特性（视频：三极管的输出特性）1)伏安特性的概念：2）输入特性曲线是指三极管集电极-发射极电压UU BBEE为某一定值时，输入回路中基极电流II BB和发射结偏压UU BBEE之间的关系曲线。
由于发射结正向偏置，所以等效成一个二极管，因此三极管的输入特性就是二极管的伏安特性。
当UU BBEE很小时，II BB =0，三极管截止，只有UU BBEE大于死区电压（硅管0.5V/锗管0.2V）时，三极管导通。
导通后UU BBEE几乎不变，硅管约0.7V，锗管约0.3V2)输出特性曲线是指三极管基极电流II BB为某一定值时，输出端集电极电流II CC与集电极-发射极间的电压UU CCEE的关系曲线，不同的II BB会得到不同的曲线，故三极管的输出特性曲线是一个曲线族（1）截止区：在II BB＝0这条曲线以下的区域。
(完整版)半导体及其应用练习题及答案
(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。
2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。
3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。
答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。
N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。
题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。
2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。
3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。
题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。
2. 简要描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。
3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。
模拟电子技术基础课后练习答案（国防科技大学出版社）第二章半导体器件习题答案（大题）
模拟电⼦技术基础课后练习答案（国防科技⼤学出版社）第⼆章半导体器件习题答案（⼤题）习题：⼀．填空题1. 半导体的导电能⼒与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利⽤PN结击穿时的特性可制成稳压⼆极管，利⽤发光材料可制成发光⼆级管，利⽤PN结的光敏性可制成光敏（光电）⼆级管。
3.在本征半导体中加⼊＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加⼊＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多⼦是_⾃由电⼦_______；P型半导体中的多⼦是___空⽳____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截⽌这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料⼆极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料⼆极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想⼆极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于⼀个___开关____。
7..晶体管的三个⼯作区分别为放⼤区、截⽌区和饱和区。
8.. 稳压⼆极管是利⽤PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管⼯作时有⾃由电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电，因此三极管⼜称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20µA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两⼤类，⽬前⼴泛应⽤的绝缘栅效应管是MOS管，按其⼯作⽅式分可分为耗尽型和增强型两⼤类，每⼀类中⼜分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电⼦器件⼿册，了解下列常⽤三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1⼆．选择题1.杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输⼊D、电压2.理想⼆极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是⼆极管⼯作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截⽌C.反向导通D.反向击穿4.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
半导体二极管及其应用习题解答
第1章半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。
教学内容与教学要求如表1.1所示。
要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。
主要掌握半导体二极管在电路中的应用。
表1.1 第1章教学内容与要求律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N型半导体本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N型半导体，N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N型半导体呈电中性。
(2) P型半导体本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P型半导体。
P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
3. PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性： )1(T S -=U U e I I它伏安特性来描述二极管的伏安特性。
3. 温度对二极管伏安特性的影响温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，温度每升高1oC ，PN 结的正向压降约减小（2~2.5）mV 。
二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。
当温度每升高10 o C 左右时，反向饱和电流将加倍。
4. 半导体二极管的主要参数二极管的主要参数有：最大整流电流I F ；最高反向工作电压U R ；反向电流I R ；最高工作频率f M 等。
《常用半导体器件》课件
反向击穿电压：二极管在反向电压作用下， 能够承受的最大电压
开关速度：二极管从正向导通到反向截止 的时间
反向漏电流：二极管在反向电压作用下， 流过二极管的电流
噪声系数：二极管在信号传输过程中产生 的噪声大小
晶体管的特性参数与性能指标
输出电阻：ro，表示晶体管 输出端的电阻
频率特性：fT，表示晶体管 能够工作的最高频率
使用注意事项：在使用二极 管时，需要注意二极管的极 性，避免接反导致电路损坏
散热问题：在使用二极管时， 需要注意二极管的散热问题， 避免过热导致电路损坏
晶体管的选用与使用注意事项
晶体管类型：根据电路需求选择合适的晶体管类型，如NPN、PNP、 MOSFET等。
工作频率：选择工作频率满足电路需求的晶体管，避免频率过高导致晶 体管损坏。
06
半导体器件的选用与使 用注意事项
二极管的选用与使用注意事项
选用原则：根据电路要求选 择合适的二极管类型和参数
正向导通电压：选择二极 管时，需要考虑正向导通 电压与电路电压的匹配
反向耐压：选择二极管时， 需要考虑反向耐压与电路电 压的匹配
反向漏电流：选择二极管时， 需要考虑反向漏电流与电路 要求的匹配
稳定性： 指集成电 路在正常 工作状态 下的稳定 性能
集成电路 的封装形 式：包括 DIP、 QFP、 BGA等
集成电路 的应用领 域：包括 消费电子、 通信、汽 车电子等
场效应管的特性参数与性能指标
栅极电压：控制场效应管的导通和关断 漏极电流：场效应管的输出电流 输入阻抗：场效应管的输入阻抗高，可以减少信号损失 输出阻抗：场效应管的输出阻抗低，可以减少信号损失 开关速度：场效应管的开关速度快，可以减少信号损失 功耗：场效应管的功耗低，可以减少能源消耗
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体二极管及其应用习题解答
半导体二极管及其应用习题解答Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。
教学内容与教学要求如表所示。
要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。
主要掌握半导体二极管在电路中的应用。
表第1章教学内容与要求内容提要1.2.1半导体的基础知识1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。
本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N 型半导体，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N 型半导体呈电中性。
(2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P 型半导体。
P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P 型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN 结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
半导体器件复习题
半导体器件复习题一、半导体基础知识1、什么是半导体？半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。
其导电能力会随着温度、光照、掺入杂质等因素的变化而发生显著改变。
2、半导体中的载流子半导体中有两种主要的载流子：自由电子和空穴。
在本征半导体中，自由电子和空穴的数量相等。
3、本征半导体与杂质半导体本征半导体是指纯净的、没有杂质的半导体。
而杂质半导体则是通过掺入一定量的杂质元素来改变其导电性能。
杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体。
N 型半导体中多数载流子为自由电子，P 型半导体中多数载流子为空穴。
二、PN 结1、 PN 结的形成当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，在交界面处会形成一个特殊的区域，即 PN 结。
这是由于扩散运动和漂移运动达到动态平衡的结果。
2、 PN 结的单向导电性PN 结正偏时，电流容易通过；PN 结反偏时，电流难以通过。
这就是 PN 结的单向导电性，是半导体器件工作的重要基础。
3、 PN 结的电容效应PN 结存在势垒电容和扩散电容。
势垒电容是由于空间电荷区的宽度随外加电压变化而产生的；扩散电容则是由扩散区内电荷的积累和释放引起的。
三、二极管1、二极管的结构和类型二极管由一个 PN 结加上电极和封装构成。
常见的二极管类型有普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
2、二极管的伏安特性二极管的电流与电压之间的关系称为伏安特性。
其正向特性曲线存在一个开启电压，反向特性在一定的反向电压范围内电流很小，当反向电压超过一定值时会发生反向击穿。
3、二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流等。
四、三极管1、三极管的结构和类型三极管有 NPN 型和 PNP 型两种。
它由三个掺杂区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
2、三极管的电流放大作用三极管的基极电流微小的变化能引起集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。
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第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。
2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
3. 二极管的主要特性是。
4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。
5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。
6. 晶体管(BJT)是一种控制器件；场效应管是一种控制器件。
7. 晶体管按结构分有和两种类型。
8. 晶体管按材料分有和两种类型。
9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的不同。
10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结、集电结。
11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是、、。
12. 晶体管放大电路有三种组态、、。
13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻。
14．三极管的交流等效输入电阻随变化。
15．共集电极放大电路的输入电阻很，输出电阻很。
16．射极跟随器的三个主要特点是、、。
17．放大器的静态工作点由它的决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。
18．图解法适合于，而等效电路法则适合于。
19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和u i的波形的相位关系为；当为共集电极电路时，则u o和u i的相位关系为。
20. 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为失真，原因是Q 点(太高或太低)。
如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是。
21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于型，由半导体材料制成。
22．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将U CEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。
(1) R b增加时，U CEQ将。
(2) R c减小时，U CEQ将。
(3) R c增加时，U CEQ将。
(4) R s增加时，U CEQ将。
(5) β增加时(换管子)，U CEQ将。
题图P2.123．为了使结型场效应管正常工作，栅源间PN结必须加电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻。
24．由于晶体三极管，所以将它称为双极型器件，由于场效应管，所以将其称为单极型器件。
25．对于耗尽型MOS管，U GS可以为。
对于增强型N沟道MOS管，U GS 只能为，并且只有当U GS时，才能形有i d。
26．场效应管与三极管相比较，其输入电阻、噪声、温度稳定性、放大能力。
27. 场效应管放大器常用偏置电路一般有和两种类型。
28. 低频跨导g m反映了场效应管对控制能力，其单位为。
解：（1）热敏、光敏、掺杂特性。
（2）五价、三价。
（3）单向导电性。
（4）0.5、0.7、0.1、0.2。
（5）1-2.5。
（6）电流型、电压型。
（7）NPN、PNP。
（8）锗、硅。
（9）极性和方向。
（10）正偏、反偏。
（11）截止区、放大区、饱和区。
（12）共射极、共基极、共集电极。
（13）小。
（14）静态工作点。
（15）高（大）、低（小）。
（16）输入与输出同相、电压放大倍数约等于1、输入电阻大且输出电阻小。
（17）直流通路、交流通路。
（18）分析各点的电流、电压波形和非线性失真情况，一般用于大信号放大电路；适宜于求解动态参数，一般用于小信号放大器分析。
（19）反相、相同。
（20）饱和、太高；截止、太低；输入信号过大。
（21）NPN、硅。
（22）增加、增加、减小、不变、减小。
（23）反偏、高。
（24）通过空穴和自由电子两种载流子参与导电，只靠一种载流子（多子）参与导电。
（25）为正为负或者为零；为正；> U GS(th)。
（26）高、低、好、弱。
（27）自给式、分压式。
（28）U GS 、I D 、西门子（ms ）。
2.2 选择题1．二极管加正向电压时，其正向电流是由( )。
(A)多数载流子扩散形成 (B)多数载流子漂移形成 (C)少数载流子漂移形成 (D)少数载流子扩散形成2．PN 结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压时，( )。
(A)其反向电流增大 (B)其反向电流减小 (C)其反向电流基本不变 (D)其正向电流增大 3．稳压二极管是利用PN 结的( )。
(A)单向导电性 (B)反偏截止特性 (C)电容特性 (D)反向击穿特性4．变容二极管在电路中使用时，其PN 结应( )。
(A)正偏 (B)反偏答：1、A 2、C 3、D 4、B2.3 写出题图P2.2所示各电路的输出电压值。
(设二极管均为理想二极管) 解：（a ）3V （b ）0V （c ）-3V （d ）3V 。
2.4 重复题2.3，设二极管均为恒压降模型，且导通电压U on =0.7V 。
（a ） (b) (c) (d)题图P2.2解：（a ）2.3V （b ）0V （c ）-2.3V （d ）3V 。
2.5. 题图P2.3中的二极管均为理想二极管，试判断其中二极管的工作状态(是导通还是截止)，并求出U O 。
(a)(b)(c)解：（a ）导通、-5V （b ）D 1与D 2均截止、-6V （c ）D 2导通、D 1截止、5V 。
2.6 电路如题图P2.4所示，已知u i =5sinωt(V),，试画出u o 的波形，并标出幅值，分别使用二极管理想模型和恒压降模型(U D =0.7V)。
题图P 2.3(a)(b)解：5V-5Vi u o5V-5Vi u2.7 电路如题图P2.5(a)所示，u i 如图(b)所示，试画出u o 波形。
−(b)(a)解：因为输入电压高，应采用理想模型，输出波形如右图。
u2.8 电路如题图P2.6所示，分别用理想二极管和恒压降模型(U D =0.7V)计算以下几种情况的U O 值。
⑴ A=0V ；B=0V ⑵ A=0V ；B=5V ⑶ A=5V ；B=5V ⑷ A=1V ；B=2V题图P2.5BAO2解：A 、用理想模型（1）0V （2）0（3）5V （4）1VB 、用恒压降模型（1）0.7V （2）0.7V （3）5V （4）1.7V 。
2.9 电路如题图P2.7所示，要求负载R L 电压U L 保持在12V ，负载电流可在10~40mA 范围内变化。
已知稳压二极管U Z =12V 、I Zmin =5mA 、I Zmax =50mA ，试确定R 取值范围。
解：U R =U I -U L ≈4V 。
在负载电流最小时，流过D Z 电流为最大，此时应I RL ≤60mA ；在负载电流最大时，流过D Z 电流为最小，此时应I RL ≥45mA ；所以440.060.045R ≤≤，即66.6788.89R Ω≤≤Ω。
2.10 发光二极管驱动电路如题图P2.8所示，已知发光二极管的正向导通压降U F =1.6V ，工作电流为5~10mA 。
为使发光二极管正常工作，试确定限流电阻R 的取值范围。
解：二极管工作电流I D =F 5U R -，故F F550.010.005U U R --≤≤，即340680R Ω≤≤Ω。
2.11 试画出使用共阴极七段数码管显示字符“5”的电路连接图。
答：电路如右，R 为限流电阻。
2.12 已知放大电路中一只N 沟道增强型MOS 场效应管三个极①、②、③的电位分别为3V 、6V 、9V ，场效应管工作在恒流区。
试说明①、②、③与g 、s 、d 的对应关系。
解：①为s 、②为g 、③为d 。
题图P2.6题图P2.7 题图 P2.82.13一个结型场效应管的转移特性曲线如题图P2.9所示。
⑴ 试判断它是什么沟道的场效应管？ ⑵ U GS(off)、I DSS 各为多少？ 答：（1）为N 沟道。
（2）U GS(off)=-0.5V 、I DSS =4mA2.14 已知场效应管的输出特性曲线如题图P2.10所示，试画出该管在恒流区U DS =6V 的转移特性曲线。
DS解：其转移特性曲线如下图0.62.15 判断题（1） 下面给出几组三极管处于放大状态的各管脚的电位，试判断晶体管的类型及材料⑴ 2.6V ，2V ，5V ⑵ －5V ，－5.7V ，－10V ⑶ 2.5V ，2.3V ，8V ⑷ 1V ，0.3V ，10V ⑸ 8V ，7.3V ，3V解：放大状态下NPN 管E 、B 、C 之间的电位关系是V C >V B >V E ，且BE U ≈0.7V 是硅管、BE U ≈0.2V 是锗管； PNP 管E 、B 、C 之间的电位关系是V E >V B > V C ，且BE U ≈0.7V 是硅管、BE U ≈0.2V 是锗管。
故（1）分别为B 、E 、C ，且为NPN 硅管。
（2）分别为E 、B 、C ，且为PNP 硅管。
（3）分别为B 、E 、C ，且为NPN 锗管。
（4）分别为B 、E 、C ，且为NPN 硅管。
（5）分别为E 、B 、C ，且为PNP 硅管。
（2） 判断题图P2.11所示电路中的晶体管，分别处于什么工作状态或是否已损坏？题图 P2.9 题图P2.102V0V解：第一只为放大状态。
满足发射结正偏、集电结反偏。
第二只为截止状态。
因为发射结零偏置。
第三只为饱和状态。
因为发射结和集电结均正偏。
第四只为截止状态。
因为发射结反偏。
第五只为损坏。
因BE U =2V>>0.7V 。
（3） 判断题图P2.12所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明原因并改正电路(设电容对交流视为短路)。
CCoCCo+u oCCoCC(d))(b)解：（a ）不能放大，缺少基极正偏电阻，改正如下图（a ）。
（b ）也不能放大，输入信号被V BB 吸收而不能加到发射结上，改正如下图（b ）。
（c ）不能放大，缺少集电极回路电阻，改正如下图（c ）。
（d ）不能放大，缺少基极偏置电流，改正如下图（d ）。
题图P2.11 题图P2.12CC oCCo+u oCCoCC(d))(b)（4） 在题图P2.13所示电路中，用直流电压表测出U CE ≈0，有可能是因为（ ）；若U CE ≈12V ，有可能是因为（ ）。
① R b 开路 ② R c 开路 ③ R b 短路 ④ R c 短路 ⑤ β过大 ⑥ β过小 答：②、①或④（5） 题图P2.14所示为放大电路的直流通路，晶体管均为硅管，判断各晶体管工作在哪个区(放大区、截止区、饱和区)。
20K 100K Ω51K 12V12V(a)(b)题图P2.13 题图P2.14解：（a ）该放大晶体管中CC BQ B BQ E 0.7(1)V I R I R β=+++，故BQ I ≈55uA 。