简述籽晶生产流程及常见异常
等径过程常见异常及处理方法
一、晶体划弧：
⑴、故障现象 晶体划弧、摆动、扭曲 ⑵、原因分析 2.1、重锤左右摆动（软轴对中性差、阻尼套松动或损坏、外界震动影响、氩
气流量不均、炉体对中及水平偏差、钢丝绳有毛刺、提拉头动平衡失效） 2.2、上、下轴运行不平稳。 2.3、挥发物堵塞、排气不均（下保温筒排气口不畅、单晶炉抽气口排气不
匀）。 2.4、热系统（托杆与坩埚轴连接松动、热场温度变化大，加热器发热不均匀、
液面温度低拉速过快）
Байду номын сангаас
2.5、埚根及液口距异常，晶升、埚升精度异常。 2.6、籽晶异常： 籽晶与夹头配合偏差；籽晶自身存在加工缺陷。 应对措施： 1、上报相关领导。 2、授权后缓慢降低晶体转速，降低幅度为2～4转，非紧急状态可在参数中
进行修改，缓慢降低晶转，紧急状态下可手动直接降低晶转。 3、停炉报修。
⑶、解决办法 1、打埚升、晶升、埚转、晶转精度，调整上下轴水平及对中； 2、更换钢丝绳及阻尼套，并校正精度及水平； 3、分析氩气系统、有必要时调节氩气压力； 4、确认等径埚跟参数； 5、确认属籽晶问题时，更换新籽晶； 6、热场及热屏保温性差，更换新保温毡；
三、 等径后期液面结晶
（1）、原因分析 1、等经参数设置的温补不够。 2、等径后期未能提前压低拉速（手动升温力度不够）。 （2）、解决办法 若液面结晶，结晶片距晶体约30mm时，应使晶体与硅液脱离。 若等径过程发现结晶，应采取措施延缓结晶，如：降低上下轴转速、手动增加 加热功率。
四、 相机异常
（1）、原因分析 1、误触碰相机。 2、相机自身故障。 （2）、解决办法 1、切换至手动状态，防止相机错误捕捉直径信号导致拉速大幅度波动造成 断棱。 2、手动给定合适拉速继续拉制，调整相机光标捕捉直径信号，待调整完毕、 拉晶平稳（拉速平稳合适、直径合适）之后投入自动拉晶。
单晶硅 籽晶制造工艺流程
单晶硅籽晶制造工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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石墨籽晶夹头生产工艺流程
石墨籽晶夹头生产工艺流程1.确定石墨籽晶夹头的规格和型号。
(Determine the specifications and models of the graphite seed crystal clamp.)2.选择合适的石墨材料作为夹头制作的原料。
(Select suitable graphite materials as raw materials for clamp production.)3.对石墨材料进行清洗和处理，确保表面光滑和无杂质。
(Clean and process the graphite materials to ensure smooth and impurity-free surfaces.)4.制定夹头的设计图纸，包括尺寸、结构和加工工艺。
(Develop design drawings for the clamp, including dimensions, structure, and processing techniques.)5.利用数控机床进行精确加工，确保夹头尺寸和形状的准确度。
(Utilize CNC machine tools for precision processing to ensure the accuracy of clamp dimensions and shapes.)6.对加工后的夹头进行表面处理，提高其耐磨性和耐腐蚀性。
(Surface treatment of the processed clamp to improve its wear resistance and corrosion resistance.)7.进行热处理，提高夹头的强度和硬度。
(Heat treatment to improve the strength and hardness of the clamp.)8.进行质量检验，确保夹头符合相关标准和要求。
多级缩径籽晶的加工方法及多级缩径籽晶与制作流程
图片简介:本技术提供一种多级缩径籽晶的加工方法，所述多级缩径籽晶包括一级缩径段和二级缩径段，所述一级缩径与所述二级缩径的斜角为第一斜角，步骤包括：S1、取一等径母籽晶并划线；S2、在所述母籽晶一端外接辅助部形成一工件，将所述工件两端卡固在磨床上，所述磨床砂轮的外径面一侧设有倾斜的圆台面，所述圆台面的大径与所述砂轮外径相同，所述圆台面的小径朝外设置；所述圆台面的角度为第二斜角，所述第一斜角与所述第二斜角相同；S3、在所述母籽晶上靠近所述辅助部一端开始加工，选含有表面活性剂的冷却液进行冷却，获得所述多级缩径籽晶。
采用本技术加工方法可保证多级缩径籽晶的加工精度及其表面稳定性，提高多级缩径籽晶的成品率。
技术要求1.一种多级缩径籽晶的加工方法，所述多级缩径籽晶依次包括头部、一级缩径段、中部、二级缩径段和尾部，所述一级缩径段与所述二级缩径段均为圆台柱面，其特征在于，所述一级缩径段与所述二级缩径段的倾斜角度相同，为第一倾斜角，所述加工方法步骤包括：S1、取一等径母籽晶，并在所述母籽晶的体柱面上划线；S2、在所述母籽晶一端外接一辅助部形成一工件，将所述工件两端固定在磨床上；所述磨床砂轮的外径面一侧设有倾斜的圆台面，另一侧为平圆面，所述圆台面的大径与所述砂轮外径相同，所述圆台面的小径朝外设置；所述圆台面的角度为第二倾斜角，所述第一倾斜角与所述第二倾斜角相同；S3、在所述母籽晶靠近所述辅助部的一端开始进行逐级缩径加工，在加工过程中选用含有表面活性剂的冷却液进行冷却，获得所述多级缩径籽晶。
2.根据权利要求1所述的一种多级缩径籽晶的加工方法，其特征在于，所述S1包括在所述母籽晶的体柱面上的任一端面开始，依次按照所述头部、所述一级缩径段、所述中部、所述二级缩径段和所述尾部的长度进行划线。
3.根据权利要求2所述的一种多级缩径籽晶的加工方法，其特征在于，所述S2具体步骤包括：S21、取一双侧端面平整的圆柱形辅助部，所述辅助部外径不大于所述头部外径。
一种合成针状β-Si3N4籽晶的简易方法
一种合成针状β-Si3N4籽晶的简易方法
杨杨
【期刊名称】《耐火与石灰》
【年(卷),期】2010(035)001
【摘要】曾使用中度低温热处理工艺借助于低体积分数的复合烧结剂(例如MgO 和CaO与Y2O3或Nd2O3合成)合成针状氮化硅β-Si3N4籽晶.人们已经研究了热处理循环工艺以及添加剂组分对冷等静压球团和一次密压粉末中α→β-Si3N4的相转变的影响.对于一次密压粉末在～0.1MPa氮气中于1 625℃温度下进行4h 的热处理,可以发生充分的相转变.使用简单的稀释HF在室温下浸渍,使用复合氧化物添加剂可以使籽晶从热处理材料中释放出来.得到的β-Si3N4籽晶显示出了小尺寸的分散,平均长度与直径之比约为4:1.
【总页数】5页(P39-43)
【作者】杨杨
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TQ174.758.12
【相关文献】
1.合成甲硫醇的一种简易方法 [J], 范正林
2.燃烧合成理论基础和合成SiC/Si3N4复相原料进展 [J], 陈松林;曾鲁举;曾大凡;袁林;王俊涛;魏翰;徐如林;李江涛
3.柱状籽晶合成宝石级金刚石形貌分析 [J], 黄国锋;尹辑文;冯铁程;凯丽;静婧
4.籽晶{100}面形状对高温高压合成金刚石大单晶的影响 [J], 王遥;马红安;杨志强;丁路遥;王战轲;贾晓鹏
5.添加籽晶对合成立方氮化硼单晶的影响 [J], 苏海通;许斌;蔡立超;吕美哲;张文因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
晶圆制造工艺流程及注意事项
晶圆制造工艺流程及注意事项嘿呀！今天咱们就来好好聊聊晶圆制造工艺流程及注意事项。
晶圆制造，这可是个超级复杂又超级重要的过程呢！首先，得来说说原材料的准备。
晶圆通常是由硅制成的，这硅呀，可不是随便什么硅都能行，得是纯度极高的硅。
哎呀呀，为了得到这种高纯度的硅，那可是要经过一系列复杂的提纯步骤。
接下来就是晶体生长阶段啦。
这就好像是在培育一颗超级珍贵的宝石！常见的方法有直拉法和区熔法。
直拉法呢，就是把硅原料放在坩埚里加热融化，然后用一根籽晶慢慢往上提拉，晶体就跟着长出来啦。
区熔法呢，则是通过局部加热来让硅晶体生长。
长好晶体之后，就得进行切片啦。
这就像是在切一块超级大的蛋糕，不过这“蛋糕”可金贵着呢！切片得切得又薄又均匀，不然会影响后续的工艺效果。
切好片之后，就是研磨和抛光。
哇！这个步骤可重要啦，得把晶圆表面弄得光滑如镜，一点瑕疵都不能有。
然后就到了光刻环节。
这可是晶圆制造的关键步骤之一呀！先在晶圆表面涂上一层光刻胶，然后用光刻机把设计好的电路图案投射上去。
这就像是在晶圆上画画，只不过这画的精度可高得吓人！光刻之后就是蚀刻啦。
把不需要的部分蚀刻掉，留下需要的电路图案。
这一步可得小心谨慎，要是一不小心刻多了或者刻少了，那可就前功尽弃啦！接下来是离子注入，给晶圆注入各种杂质，改变它的电学性能。
这就像是给晶圆“加料”，让它具备特定的功能。
再然后就是沉积薄膜，在晶圆表面沉积各种材料的薄膜，比如氧化硅、氮化硅等等。
在整个晶圆制造工艺流程中，有好多好多的注意事项呢！比如说，环境的洁净度那是至关重要的。
哎呀呀，一点点的灰尘或者杂质都可能导致晶圆报废。
还有温度、湿度的控制，设备的精度和稳定性，操作工人的技术和经验等等，都能影响到最终的产品质量。
另外，原材料的质量把控也不能马虎。
如果一开始硅原料的纯度就不够，后面再怎么努力也很难做出高质量的晶圆。
而且，每一个工艺步骤之间的衔接也得处理好。
稍有不慎，就可能出现问题。
总之，晶圆制造工艺流程复杂又精细，每一个环节都需要严格把控，每一个注意事项都得牢记在心，才能生产出高质量的晶圆呀！。
sic单晶生长中的籽晶制备工艺
sic单晶生长中的籽晶制备工艺哎呀，说起这个sic单晶生长，那可真是个技术活儿。
你想想，这玩意儿，sic单晶，那可是硬得跟钻石似的，但咱们得把它从一团乱糟糟的原料里头，给整成个完美的晶体。
这过程，就像咱们小时候玩泥巴，得捏出个形状来，但这个难度可就大多了。
首先，咱们得说说这个籽晶。
籽晶，听着挺高大上的，其实就是个小小的晶体，它的作用可不小，就像是咱们做蛋糕时候的酵母，能引导整个晶体生长的方向和形状。
这籽晶得选好，不然整个晶体长出来就歪瓜裂枣的，那可就麻烦了。
咱们制备籽晶，得从高纯度的sic粉末开始。
这粉末，得是特别特别细的那种，就跟面粉似的，但比面粉还要细。
然后，咱们得把这些粉末压成个小圆饼，这个圆饼，就是籽晶的雏形了。
接下来，就是把这小圆饼放到一个高温炉子里头。
这个炉子，得是特别设计的，温度得控制得特别精确，不然这籽晶就长不好。
咱们得让这炉子里头的温度慢慢升上去，让这小圆饼慢慢融化，但又不能全融化了，得留个核心，这个核心，就是籽晶。
这过程中，咱们得不停地观察，看看这籽晶长成啥样了。
这可得有耐心，因为这个过程可能得持续好几个小时，甚至好几天。
你得看着这籽晶一点点长大，就像看着孩子慢慢长大一样，心里那个激动啊。
等这籽晶长到差不多了，咱们就得把它拿出来，冷却，然后检查一下。
这籽晶，得是特别纯净的，不能有杂质，不然会影响整个晶体的质量。
这检查过程，就像是给籽晶做体检，得确保它健健康康的。
最后，这籽晶就算是准备好了。
接下来，就是用这籽晶去引导整个sic 单晶的生长。
这个过程，就像是用酵母发面，得让这籽晶在高温下慢慢引导出整个晶体。
总的来说，这sic单晶生长中的籽晶制备工艺，就像是个精细的手工活儿，得有耐心，得有技巧，还得有对完美的追求。
这过程，虽然复杂，但看着那完美的晶体一点点长出来，那成就感，真是没得说。
籽晶
籽晶一、概念：籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种。
用不同晶向的籽晶做晶种，会获得不同晶向的单晶。
二、籽晶的分类：1、按用途分：有CZ直拉单晶籽晶、区熔籽晶、蓝宝石籽晶、SiC籽晶。
（1）CZ直拉单晶籽晶：在直拉单晶中，需要一定晶向的晶种作为直拉单晶引晶，晶向主要有[100]、[110]、[111]三种。
半导体三种晶向都有，太阳能主要用[100]晶向的籽晶。
（2）区熔籽晶：区熔籽晶的型号有N型和P型，是籽晶中纯度和电阻率要求最高的，电阻率至少要求在300Ω.cm以上，少子寿命值一般都在几百甚至几千微秒以上，晶向类型分<111>和<110>两种，该类籽晶一般呈方形长条状。
（3）蓝宝石籽晶：蓝宝石具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性等特点，广泛应用在医疗、环保、化工、高真空测试、LED 等等领域。
然而，蓝宝石的制备及其品质一直是应用关注的核心问题，制备好品质的蓝宝石最关键要素之一就是晶种的选择。
晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着蓝宝石晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
做为蓝宝石长晶用的一种晶棒。
（4）SiC籽晶：作为SiC长晶用的一种晶种，其形状主要以薄片状为主2、按形状分：目前按形状分主要有片状籽晶、方籽晶、圆籽晶、锥籽晶、半锥籽晶。
（1）片状籽晶：该类籽晶目前主要是SiC籽晶。
（2）圆锥半锥方籽晶：前三种籽晶主要是CZ直拉单晶专用籽晶，方籽晶由于加工过程中容易产生机械应力、崩边损伤，已经逐步退出历史舞台，它们的用途都一样，主要是根据拉单晶的投料量，一般直径12.5mm的圆籽晶最多能拉制60KG的晶棒，直径17.5mm一般最多能拉制90KG的晶棒，90kg以上的一般采用锥籽晶、半锥籽晶和三节锥籽晶。
（如下图）注：带红点标识的为半锥籽晶、蓝点标识的为全锥籽晶、绿点标识的为圆籽晶、黄点的为方形籽晶（其中大的带槽口的为太阳能的方籽晶，小的为区熔级方籽晶）三、通过革新避免断晶众所周知，断晶是籽晶使用中最为头疼的事情，籽晶在拉晶中所占成本微乎其微，但是如果籽晶如果出现断晶问题，那么损失却是巨大的，包括硅料，石英坩埚，石墨三瓣埚，甚至热场，炉底板击穿等损失，少则几万，多则十几万，断晶现象固然有拉制过程中由于投料量过大、机械应力、回炉、拉速温度、籽晶剪断等操作细节控制不好的原因，籽晶的本身物理品质也是个不可忽视的因素，隐裂就是其中一个很关键的指标，使用带有隐裂的籽晶去拉制单晶，大大的增加了断晶的风险。
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简述籽晶生产流程及常见异常1、一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法[简介]：一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法，它涉及籽晶处理的装置与方法。
它是要解决现有的籽晶在SiC晶体生长过程中容易出现平面六方空洞缺陷的技术问题。
该装置包括炉体、石墨坩埚、石墨支架、感应线圈、真空泵、测温仪和鼓泡器；石墨坩埚上、下开口放在炉体的下法兰上；石墨支架放置在石墨坩埚内。
镀膜方法：将碳化硅籽晶片的Si面朝下放在石墨支架上，再覆盖石墨片；将炉体内抽真空后再充入氮气；升温使石墨坩埚的温度达到1200～1800℃；再通入四氯化钛和氢气进行反应，在碳化硅籽晶片的Si面上得到TiN薄膜。
本技术无需进行大的设备改造，仅对现有的长晶炉进行改进，即可批量的进行籽晶镀膜，可用于镀膜领域。
2、一种单晶硅生长炉用籽晶夹持器[简介]：本技术涉及硅制造设备技术领域，且提供了一种单晶硅生长炉用籽晶夹持器，包括钢丝绳。
该单晶硅生长炉用籽晶夹持器，通过将重锤分为内重锤与外重锤两部分，籽晶与滑孔、阶梯孔配合，籽晶的底部与阶梯孔的下端配合，在钢丝绳带动旋转时，内重锤与外重锤的转速不同，被外重锤支撑的籽晶，在外重锤的带动下旋转，当籽晶的同轴度与外重锤不配合时，籽晶的上端旋转晃动幅度大，即籽晶的上端在旋转过程中，可以推动锁紧板移动，并在弹簧作用下回位，锁紧板的移动能够将空气通过单向阀一压到滑套外端，推动滑套移动，使得气压不断增加，锁紧板对籽晶的旋转不断限位，直至将籽晶上部分夹紧，当温度传导过来后，夹紧力更大。
3、籽晶法生长单晶叶片工程化应用的籽晶制备工艺[简介]：本技术涉及籽晶法生长单晶叶片工程化应用的籽晶制备工艺，属于高温合金精密铸造技术领域。
所述方法包括以下步骤，包括S1，原材料的选取：采用单晶高温合金；S2，籽晶试棒的制备：S21,将步骤S1中的单晶高温合金使用选晶法得到大直径的单晶试棒，再使用单晶试棒切割制备得到目标取向籽晶；S22,将步骤S21中的目标取向籽晶与蜡模试棒组合在一起，通过定向凝固得到籽晶试棒；S23，将步骤S22中的籽晶试棒进行热处理，然后对其宏观腐蚀和单晶完整性检验得到籽晶试棒；S3，籽晶的切割制备。
有益效果：操作简单，制造方便；只需检测籽晶试棒取向两次；切割一次，且切割设备简单，精度高，极大提升切割效率，满足批量生产需要。
4、一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法[简介]：一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。
由于长籽晶放置在远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，在随载晶架底部托盘上表面正反转动的过程中，长籽晶的每个面都具有比较高的圆周运动线速度，而且长籽晶的运动范围很大，有利于长籽晶接触较大范围内的新鲜溶液，提高晶体生长初期的溶质供应能力。
本技术有利于改善长籽晶KDP类晶体生长初期长籽晶附近的流场状态，显著降低晶体生长初期白纹缺陷的产生几率，提高快速生长KDP类晶体的成功率和晶体元件的切割效率。
5、用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法[简介]：用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法，本技术目的是为了解决MPCVD单晶金刚石同质外延生长方法中含裂纹籽晶生长易碎裂问题。
生长方法：一、在正交偏振光下单晶金刚石籽晶裂纹影响区域呈现黑色；二、采用激光切割去除裂纹影响区域，形成矩形缺口；三、清洗籽晶；四、将清洗过的籽晶放置于管式炉中退火处理；五、将退火后的籽晶放置于MPCVD设备中，控制舱内气压、微波功率和籽晶温度，通入甲烷和氮气使单晶金刚石横向生长并填充矩形缺口；六、进行MPCVD单晶金刚石的垂直外延生长。
本技术能够对缺口侧面进行有效处理并促进横向生长，使得含裂纹籽晶也能够被用于高品质单晶生长，减少了籽晶的浪费并降低了生产成本。
6、一种提高碳化硅单晶生长籽晶托致密性的方法[简介]：本技术提出一种提高碳化硅单晶生长籽晶托致密性的方法，属于碳化硅单晶生长籽晶技术领域；具体步骤包括：在籽晶托表面反复涂刷有机物薄膜，直至籽晶托不再吸收有机物薄膜为止；将涂刷有机物薄膜后的籽晶托放入真空退火炉中进行高温碳化处理，之后将经过高温碳化处理的籽晶托粘结碳化硅籽晶；本技术在籽晶托表面通过涂刷高碳含量有机物薄膜制备焦连碳，可以有效提高籽晶托的致密性，减少籽晶背部升华，防止空洞、微管等缺陷的产生。
7、一种纳米复合钇钡铜氧超导块材生长过程中阻止顶部籽晶移动的方法[简介]：本技术提供了一种纳米复合钇钡铜氧超导块材生长过程中阻止顶部籽晶移动的方法。
通过在模具的垫片上粘贴一小块粗糙塑料圆片，压块后可得到带有顶部圆坑的固相块，而且圆坑具有粗糙的底面，可有效阻止其内薄膜籽晶的移动。
该操作非常简单，但能有效解决薄膜籽晶在热处理过程中移动的问题，降低了实验的不可控性，提高了稳定性和成品率。
本技术可推广到Nd、Sm、Gd等其他系列超导块材的制备工艺中，也可推广到传统熔化生长方法中。
8、一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法[简介]：本技术涉及一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，将装有CdS籽晶的籽晶架、5～20g CdS粉和石英封帽从石英管的B端依次装入石英管内，进行抽真空、充高纯氩气、封结处理，然后将石英管装入双温区退火炉中进行加热，随着石英管内温度升高到设定温度，CdS粉挥发出的CdS气氛充满整个石英管腔内，再加上氩气的保护，CdS籽晶表面挥发量极少，同时CdS籽晶处于低温区，CdS气氛会在CdS籽晶表面的微裂纹处进行凝结生长，逐步将裂纹填充，实现CdS籽晶表面的微裂纹修复，有效降低了CdS籽晶片的位错密度。
9、一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法[简介]：本技术公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华，AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面；多晶隔离片升华消失后，AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面；在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后，在SiC籽晶上的AlN层覆盖，SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域，使得SiC侧向升华分解，SiC籽晶层逐步消失，由此得到无SiC的AlN籽晶。
采用本技术方法可制得单晶率高、杂质含量低的无裂纹的AlN籽晶。
10、利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法[简介]：本技术提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。
11、一种籽晶杆抖动检测装置的检测方法及晶体生长方法12、一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置13、DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法14、一种利用ALD生长籽晶层的高结晶AlN薄膜配方技术15、一种籽晶上置改进型热交换法生长高温氧化物晶体装置及方法16、一种无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶的方法17、一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法18、一种籽晶杆抖动检测装置的检测方法及晶体生长方法19、籽晶偏角导模法生长（100）晶面β相氧化镓单晶的方法20、一种籽晶诱导、自助熔剂生长CdTe晶体的方法21、一种用于泡生法生长蓝宝石单晶的异形籽晶结构及其生长方法22、籽晶生长的工艺方法23、一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法24、一种生长金刚石厚膜的籽晶及其配方技术与应用25、一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法26、一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法27、单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶28、一种非粘接籽晶式钽坩埚及生长晶体的方法29、一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构30、用于晶体生长的籽晶提升和旋转系统31、固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法32、半导体级单晶硅生长炉籽晶旋转提拉装置33、非粘接籽晶氮化铝晶体生长装置与氮化铝晶体配方技术34、一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其配方技术35、一种便于籽晶移植的籽晶生长装置36、一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法37、一种无籽晶碳化硅晶体生长的方法38、一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶39、碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法和装置及形成的碳化硅籽晶40、用于AlN单晶生长的复合籽晶及其配方技术41、一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置42、一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺43、一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法44、一种CVD单晶金刚石籽晶和生长层的分离方法45、一种基于籽晶替换方案的导膜法蓝宝石晶体生长炉46、一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架47、一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法48、一种用于单晶硅生长炉的籽晶夹持提拉装置49、一种碳化硅籽晶加工用的生长装置50、一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移的方法及生长方法51、一种多次籽晶可替换的导膜法蓝宝石晶体生长炉52、KDP类晶体长籽晶单锥生长方法53、晶体生长用籽晶下置式装置54、一种籽晶生长装置55、一种异质高熔点弧形籽晶生长稀土离子掺杂晶体的模具及生长方法56、一种携带备用籽晶的蓝宝石晶体生长炉及其引晶方法57、一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法58、用于氮化铝单晶生长的复合籽晶及其配方技术59、单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法60、籽晶保护装置及单晶生长方法61、一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法62、一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及其制造方法63、一种无需粘结籽晶的碳化硅单晶生长装置64、一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法65、一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法66、一种类单晶籽晶及类单晶生长方法67、氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置及固定方法68、一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法69、KDP类晶体长籽晶限制生长方法70、一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法71、一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法72、一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法73、用于水平梯度冷凝单晶生长的籽晶的缩颈装置及缩颈方法74、一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法75、一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法76、一种晶体生长用易装配低成本籽晶夹头77、一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法78、一种可在线更换籽晶的泡生法蓝宝石晶体生长炉79、一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法80、一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法81、一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法82、一种液相生长碳化硅籽晶轴装置83、籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法84、助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法85、高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法86、一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法87、一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法88、一种N型单晶硅生长用籽晶的配方技术89、一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法90、利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法91、一种籽晶的铺设方法及铸锭单晶生长方法92、一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法93、一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法94、一种PVT法生长AlN单晶用复合籽晶托的配方技术95、下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置96、一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的配方技术97、一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法98、提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法99、一种用于大尺寸LBO晶体生长方法100、一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托101、泡生法用单晶炉及其籽晶保护结构以及晶体生长控制方法102、一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法103、一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法104、一种用于AlN晶体生长的籽晶105、一种用于泡生法生长蓝宝石晶体的安装籽晶的夹具106、一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品107、一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法108、一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法109、一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法110、一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法111、一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶及其应用112、双螺旋籽晶杆设备及使用该设备的晶体生长炉113、一种新型蓝宝石晶体生长炉籽晶腔室114、晶体生长炉的水冷籽晶杆热交换装置115、一种晶体生长炉中籽晶与坩埚对中的调试方法及装置116、避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法117、顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法118、一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法119、一种蓝宝石晶体生长炉籽晶结种装置120、一种新型蓝宝石晶体生长炉籽晶伺服机构121、采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法122、一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置123、多籽晶非对称(110)/(110)取向诱导生长REBCO高温超导块体的方法124、氢化物气相外延生长GaN单晶用的HPO腐蚀籽晶及其配方技术125、一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法126、双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置127、一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法128、基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材配方技术129、一种生长高质量BBO晶体的中部籽晶法130、一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法131、用于无定形或微晶MgO隧道势垒的铁磁性优先晶粒生长促进籽晶层132、一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法133、一种R2CaB10O19单晶的定向籽晶生长方法134、使用熔液法的单晶生长用籽晶轴135、一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法136、碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法137、顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法138、一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术139、45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法140、一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托141、坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置142、一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法143、一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法144、晶体生长籽晶固定装置145、稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法146、稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法147、用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合148、籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法149、利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法150、具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料151、直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其使用方法152、晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法153、用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法154、一种用于直拉法生长单晶硅的硅籽晶夹持器155、一种Yb3;Nd3+:REA3(BO3)4激光晶体的生长方法156、用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶157、一种尿素长棒籽晶的生长方法158、熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶。