内存的指标 相关数据及计算
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#1 2.内存条的数据位
内存条的数据位数是指内存条“金手指”所同时联接的数据总线位数，例如常用的168和184线内存条的数据位宽度都是64位，而586和686级电脑CPU和内存之间交换数据的数据总线也是64位（不包括ECC校验位），因此电脑使用168或184线的DIMM内存条时可以只装一根，如果使用数据位只有32位的SIMM（72线）内存条时就必须同时安装两根才能使电脑正常工作。
“哦，原来内存是这样的呀。老鸟，买内存我自己去就行了，你就不用陪我了!再见。”小愚边说边跑了出去。“小愚就是这样性急。不过他还会回来的，因为他没带钱，哈哈!”老鸟呷了口茶，慢悠悠地说道。
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#1 5.产品标签
品牌内存条在产品上一般都贴有产品标签，上面的主要内容一般是内存条的容量和速度，有些产品标签上还有生产厂家（或电脑整机组装厂家）和产品代号等。例如金邦金条内存上标签上就分别印有条码、字符“红 64ME01227”等，另外部分品牌内存条上还可能贴有产品质检合格、安全认证等标签，这些都可以帮助用户识别产品质量和真伪。
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新手装备手册——内存篇
李肖峰
2000年 第45期
“64M内存降到290元啦!”小愚高兴得又蹦又叫。“小愚，你知道内存是怎么回事吗?”老鸟笑问。“这个……我也不太清楚。”哈哈，我们还是让小愚先学习一下吧。
#1 一、基本知识
#1 1.只读存储器（ROM）
ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，不能写入，而且即使机器掉电，数据也不会丢失。
内存的性能指标
( 1)CAS(Column Address Strobe) Latency ：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR －RAM 内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。
这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0 。
(2)Row－active delay (tRAS )：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1〜15,数值越大越慢。
(3)RAS —to —CAS delay (tRCD):从内存行地址转到列地址的延迟时间。
即从DDR－RAM 行地址选通脉冲(RAS,Row Address Strobe) 信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期,也是从1 〜15 可调节,越大越慢。
(4)Row —precharge delay (tRP):内存行地址选通脉冲信号预充电时间。
调节在刷新DDR—RAM 之前,行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期,从1〜7可调,越大越慢。
(5)物理Bank:内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行,内存总线的数据位宽等同于CPU 数据总线的位宽,这个位宽就称之为物理Bank (Physical Bank ,简称P-Bank )的位宽。
以目前主流的DDR 系统为例, CPU 与内存之间的接口位宽是64bit, 也就意味着CPU 在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit 的数据,那么这一个64bit 的数据集合就是一个内存条物理Bank。
(6)逻辑Bank :在芯片的内部，内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL,只要指定一个行(Row),再指定一个列(Column ),就可以准确地定位到某个CELL , 这就是内存芯片寻址的基本原理。
这个阵列我们就称为内存芯片的BANK ,也称之为逻辑BANK (Logical BANK )。
由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大, 所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK ,随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK 数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2 个逻辑BANK 的设计，（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以bit 为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。
内存指标参数
内存指标参数是评估计算机内存性能的一组参数。
它们包括：
1. 容量：内存的总大小，通常以GB（吉字节）或MB（兆字节）为单位。
2. 速度：内存访问数据的速度，以MHz（兆赫）为单位。
更高的速度意味着更快的数据访问。
3. 延迟：内存访问数据所需的时间，以纳秒（ns）为单位。
较低的延迟意味着更快的数据访问。
4. 刷新率：内存刷新其内容以防止数据丢失的频率，以Hz （赫兹）为单位。
5. 容量带宽：内存每单位时间可以传输的数据量，以GB/s （吉字节/秒）为单位。
6. 存储密度：内存中存储的数据量与物理尺寸的比例。
7. 功率消耗：内存运行所需的电力，以瓦特（W）为单位。
这些参数在评估和比较不同内存模块的性能和效率时很重要。
主存的技术指标
主存的技术指标1.引言1.1 概述主存是计算机硬件中的一种重要存储器件，用于临时存储正在执行的程序和数据。
主存的技术指标是评估主存性能和质量的指标，其中包括容量和访问速度等方面。
在计算机中，主存扮演着关键的角色，它具有读写速度快、容量大等特点，直接影响着计算机的运行效率和性能。
主存用于存储正在执行的程序集和对应的数据，因此其技术指标对于计算机的整体性能至关重要。
主存的容量是指主存器能够存储的程序和数据的总量。
容量的大小直接决定了计算机能够处理的数据量和程序的复杂性。
随着科技的进步，计算机的主存容量也不断提升，从最初的几十KB到如今的几十GB甚至几TB，容量的提升使得计算机能够同时处理更多的任务和更大规模的数据。
主存的访问速度是指从主存中读取数据或向主存写入数据时所需要的时间。
访问速度是衡量主存性能的关键指标之一。
随着计算机性能的提升，人们对主存的访问速度要求也越来越高。
为了提高访问速度，不断完善的主存技术被引入，例如高速缓存、页面置换等技术，以减少主存读写操作所需要的时间。
通过对主存的容量和访问速度等技术指标的研究与评估，可以更好地了解主存的性能和质量。
了解主存的技术指标有助于我们选择适合的主存配置，以满足不同需求的计算机应用。
同时，我们还可以通过对主存技术指标的研究，不断推动主存技术的发展和创新，提高计算机性能和效率。
综上所述，主存的技术指标包括容量和访问速度等方面。
容量决定了主存能够存储的数据量和程序的复杂性，而访问速度则影响了计算机的整体性能和效率。
对主存的技术指标的研究和评估有助于选择合适的主存配置，并推动主存技术的发展。
1.2 文章结构文章结构部分的内容应该介绍文章的整体结构和各个部分的主要内容。
在这篇文章中，包含了引言、正文和结论三个部分。
引言部分包括了概述、文章结构和目的三个小节。
在概述部分，可以简要介绍主存的概念和重要性，引起读者的兴趣。
在文章结构部分，需要说明文章的整体结构以及每个部分的主要内容，帮助读者了解文章的框架和逻辑。
选购内存
任务4 选购内存【知识目标】了解内存的分类；熟悉内存的主要性能指标；熟悉内存的物理结构；熟悉DDR2、DDR3的内存参数。
【技能目标】能够识别DDR2、DDR3的内存；能够根据需要选购合适的内存；能够安装双通道内存。
4.1任务描述内存是计算机的重要部件之一，它的运行也决定了计算机的稳定运行，其大小很大程度影响着正态计算机的工作性能。
如何选购合适的内存呢？4.2 相关基础知识内存是CPU与其他设备进行沟通的桥梁。
计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
内存也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
只要计算机在运行中，CPU 就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，运算完成后CPU再讲结果传送出来。
内存的运行决定了计算机的稳定运行。
内存由内存芯片、电路板、金手指等部分组成。
4.2.1 内存的分类内存泛指计算机系统中存放数据和指令的半导体存储单元，包括RAM（Random Access Memory,随机存取存储器）、ROM（Read Only Memory，制度存储器）和Cache（高速缓冲存储器）等。
在制造ROM的时候，信息（数据或者程序）就被存入并永久保存。
这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会消失。
ROM一般用于存放计算机的基本成簇和数据，如BIOS ROM。
其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。
RAM既可以从中读取数据，也可以写入数据。
当机器电源关闭时，存在于其中的数据就会丢失。
通常购买或升级的内存条就是用作计算机的内存。
内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽中，以减少RAM集成块占用的空间。
目前市场上常见的内存条有1GB/条、2GB/条、4GB/条。
高速缓冲存储器也是经常遇到的概念，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。
《微机系统与维护》作业带答案全)
作业 1一、填空题1 、（1946）年，美国宾夕法尼亚大学研制成功了世界上第一台电子计算机（ENIAC），标志着电子计算机时代的到来。
随着电子技术，特别是微电子技术的发展，依次出现了分别以（电子管）、（晶体管）、（集线电路）、（大规模）、和（超大规模集成电路）为主要元件的电子计算机。
2 、计算机系统通常由（硬件系统）和（软件系统）两个大部分组成。
3 、计算机软件系统分为（系统软件）和（应用软件）两大类。
4 、中央处理器简称 CPU ，它是计算机系统的核心，主要包括（运算器）和（控制器）两个部件。
5 、计算机的外设很多，主要分成三大类，其中，显示器、音箱属于（输出设备），键盘、鼠标、扫描仪属于（输入设备）。
6、 CPU 的主频 = （外频）× （倍频）。
7 、目前 CPU 的接口主要有（Socket）和（Slot）两大类。
8、 CPU采用的扩展指令集有Intel公司的（SSE）、（MMX）和AMD公司的（3DNOW）等几种。
9、编号为AMD-A0850APT3B的CPU的主频是（850 ）MHz、封装方式为( PGA )、工作电压为( 1.7)V、二级缓存容量是( 256 )KB、前端总线频率是( 200 )MHz。
10、按照CPU处理信息的字长，可以把它分为( 4 )、( 8 )、( 16 )、( 32 )以及( 64 )微处理器。
11、 USB2.0 的传输速度是 ( 480Mbps ) ，最多支持__6_ 个设备。
12 、目前市场上的 BIOS 芯片主要用 ( AMI BIOS ) 和 ( Award BIOS ) 两种。
13 、主板上集成的声卡一般都符合 ( AC’97 ) 规范。
14、主板外部接口是用来连接( 键盘) 、( 鼠标) 、(USB设备) 、( 串口 ) 、等外部设备的。
15 、主板的芯片组按照在主板上的排列位置的不同，通常分为（南桥）芯片和（北桥）芯片。
16、主板的安全主要体现三个方面：（电压）、（温度）、（防病毒）。
《计算机组装与维护》——第5章 认识和选购内存
图5-11 海盗船统治者32GB DDR4 4000 RGB内存，16GB×2双通道套装
5.4 内存的选购参考
选购指南4 内存质量与真伪分析
● 内存造假手段
由于内存加工制造的技术门槛较低，导致内存也成为造假售假的重灾区之一，而名气越 大的产品越容易遭到仿冒。DIY配件市场中比较常见的内存造假方式有以次充好、打磨、翻修 和改标签等，造假的手段可谓五花八门，若不留意就容易上当受骗。
内存最终能使用的工作频率也取决于主板芯片组的支持上限，内存只能工作在芯片组允 许的频率范围之内。
5.4 内存的选购参考
⑶ 工作电压
内存正常工作所需要的电压值叫做工作电压。每一种类型的内存均有其自身的电压规格，并 允许有微小的正负范围波动，一旦超出其电压规格极限值，就容易导致内存损坏。
DDR3内存的标准工作电压约为1.5V或更低数值，而DDR4内存的工作电压则降至1.2V左右。
5.4 内存的选购参考
⑴ 以次充好
在目前的内存造假行业中，以次充好的现象尤为严重。所谓次品，是指将一些存在故障或 已经损坏但仍然可以利用的内存条加以特殊处理，挑选出其中没有受损的颗粒，打磨之后再拼 凑着焊接到PCB电路板上，冒充高质量的内存产品出售。
计算机组装与维护
（第2版）
第5章 认识和选购内存
工作任务分析
本任务主要学习内存的物理结构、常见类型、主流品牌以及选购方法，引导学生学会辨识和 选择合适的内存产品，锻炼学生自主探究学习的能力，激发学生学习计算机硬件知识的兴趣， 同时也拓展学生的知识视野，培养良好的职业意识和职业素养。
课程教学目标
知识学习目标
5.4 内存的选购参考
⑸ 海盗船内存
海盗船（Corsair）在国内又称美商海盗船（USCorsair），属于高档型的内存品牌，以设计、 制造高性能的超频内存闻名。海盗船内存产品做工精良，规格较高，稳定性和超频能力都很优秀， 但是价格也相对贵一些。
nmon内存使用公式
nmon内存使用公式nmon是一种常用的性能监控工具，可以帮助我们实时监测系统的各项性能指标。
其中，内存使用率是一个非常关键的指标，它反映了系统内存的利用情况。
本文将介绍nmon内存使用公式，并对公式中各个参数进行解释。
nmon内存使用公式如下：内存使用率= （MemTotal - MemFree - Buffers - Cached）/ MemTotal * 100其中，各个参数的含义如下：- MemTotal：表示系统总共的内存大小，单位为KB。
- MemFree：表示系统空闲的内存大小，单位为KB。
- Buffers：表示系统中缓冲使用的内存大小，单位为KB。
- Cached：表示系统中缓存使用的内存大小，单位为KB。
通过上述公式，我们可以得到系统的内存使用率。
内存使用率是一个百分比值，它反映了系统内存的利用情况。
当内存使用率接近100%时，表示系统内存已经全部被占用，可能会导致系统运行缓慢或出现内存不足的情况。
而当内存使用率较低时，表示系统内存还有很大的空闲容量，可以更好地支持系统运行。
在公式中，MemFree表示系统空闲的内存大小，它包括了系统当前未被使用的内存。
Buffers和Cached表示系统中缓冲和缓存使用的内存大小，它们用于存储文件系统的缓存数据。
这些缓存数据可以提高文件系统的读写性能，但在需要内存时会被释放，所以在计算内存使用率时需要将其考虑在内。
通过使用nmon工具，我们可以实时监测系统的内存使用率，并及时发现内存不足的情况。
在监测过程中，我们还可以观察其他相关的内存指标，如内存交换（Swap）的使用情况、内存缺页（Page Faults）的发生频率等。
这些指标可以帮助我们更全面地了解系统的内存状况，并及时采取相应的措施。
除了使用nmon工具外，我们还可以通过其他方式来监测系统的内存使用率。
例如，可以使用命令行工具如free或top来查看系统的内存使用情况。
这些工具可以给出类似的内存指标，并可以通过计算得到内存使用率。
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内存的指标、相关数据及计算 2001-11-4 硬件维修天地一、关于内存的指标1.tCKtCK 代表SDRAM 所能运行的最大频率，数字越小说明SDRAM 芯片所能运行的频率就越高。
对于一片普通的PC100 的SDRAM 内存条来说，其芯片上的标识-10 代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz 的外频下正常工作。
大多数内存标号的尾数表示的就是tCK 周期，像PC133 标准要求tCK 的数值不大于7.5ns 。
2.tACtAC 也就是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC100 规范要求在CL=3 时tAC 不大于6ns，而某些内存编号的位数则表示的是这个值。
目前大多数SDRAM 芯片的存取时间为5 、6 、7 、8 或10ns 。
这不同于系统时钟周期，它们二者之间是有着本质的区别，读者要对此有足够的认识。
3.CL(CAS Latency)CL(CAS Latency)为CAS(Column Address Strobe，列地址控制器)的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。
比如现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz 时)都能在CAS Latency =2 或3 的模式下运行，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是2 个时钟周期也可以是3 个时钟周期(当然在延迟时间为2 个时钟周期时，SDRAM 会有更高的效能)。
在SDRAM 的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM 的EEPROM(就是SPD)中，在开机时主板的BIOS 就会检查此项内容，并以CL=2 这一默认的模式运行。
对于PC 100 内存来说，要求当CL 的值为3 时，tCK 的数值要小于10ns 、tAC 要小于6ns 。
至于为什么要强调是CL=3 的时候呢，这是因为对于同一个内存条，当成设置成为不同CL 数值时，tCK 的值就可能不相同，这样内存所表现的性能与稳定性都不同。
关于总延迟时间一般用这个公式计算:总延迟时间=系统时钟周期×CL+存取时间(tAC)，比如某PC100 内存的存取时间为6ns，我们设定CL 模式数为2(即CAS atency=2)，则总延迟时间=10ns ×2+6ns=26ns 。
二、关于内存的校验这里很多人都有一种迷惑，因为在我们现在的电脑当中，很少有系统采用校验功能，这使得许多人认为校验功能不重要，其实这是一个误区。
其实这都是因为厂商为了降低价格而造成的后果。
因为非奇偶校验完全没有容错。
被人使用的惟一原因是其成本最低，和奇偶校验和ECC 技术相比，是一个不需要增加额外的存储器。
由于带奇偶校验的数据字节为9 位，而无奇偶校验的字节只需8 位，也就意味着奇偶校验的存储器的成本要比非奇偶校验的存储器成本高12.5%。
在一开始，PC 机一般都带有校验功能。
但是随着市场竞争越来越激烈，有些大厂商为了降低价格，增强产品的竞争力，在机器中使用了没有校验功能的内存条。
而他们并没有让广大用户知道，低价的电脑中并不带有校验功能。
既然业界的领导人物都这样做，使得其他厂商都开始生产该类产品。
由于没有人愿意公布这个信息，使得这个风气逐渐在电脑业界开始蔓延。
以至于作为业界领袖的Intel 公司推出了一款不带校验功能的430FX 芯片组。
而这款芯片组居然成为当年最流行的芯片组。
所以从430FX 芯片组以后，除了430HX 芯片组以外，所有的Intel 芯片组都不支持校验功能。
不过随着电脑主频的速度越来越快，系统出错的几率越来越大，所以在Pentium Pro 和Pentium Ⅱ以后的芯片组中，都开始支持校验功能，而且越来越多的人也认识到这类存储器的重要性，尤其是那些打算购买服务器的用户，对这个功能更加关注。
下面简单介绍一下两种校验方法，一个是奇偶校验，另一个是ECC 校验。
1.奇偶校验一个工业标准的PC 机里，存储器应该有9 片存储芯片，每一片处理一位数据，其中8 位表示一个字符，加上一个称为奇偶位的附加位。
奇偶位使存储器控制电路在其他8 位表示标签，这样可以对系统中每个字节的完整性作内置的交叉检查。
如果检测到一个错误，计算机会提示用户系统出现故障。
如果系统在Windows 这样的图形操作系统下运行，一个奇偶校验错误通常由系统自己处理为锁定系统。
当重新启动时，BIOS 检测错误并给出相应的错误信息。
奇偶校验有两个基本优点：● 奇偶校验可以防止基于不正确数据所作错误计算的结果。
● 奇偶校验可以准确定位错误的来源，有助于问题的解决，改善了系统的可服务性。
2.ECCECC 是新型PC100 内存中普遍提到的一种技术名词，它是内存校验的一种。
所谓ECC 也就是英文“Error C hecking and Correcting ”(错误检查和纠正)的简称。
ECC 与传统的奇偶校验(Parity)类似，然而奇偶校验只能检测到错误所在，并不能进行纠正，ECC 却可以纠正绝大多数错误。
ECC 在简单奇偶错误检测的基础上前进了很多。
ECC 不仅缉拿良策一个错误，而且能够纠正一位的错误，这意味着系统能在不中断和不破坏数据的情况下继续运行。
在大多数PC 上实现的ECC 只能检测而不能纠正两位错误。
因为在存储器中，大约有98%的错误是一位变化，伴随在存储器中最常见的ECC类型是一个访问数据字里检测和纠正一位错。
这类ECC 就是所谓的SED-DED(单位纠错，双位检错)。
一般在4(32 位，如386 系列)位字节系统中，32 位外还需要附加7 位校验位，此时ECC 显然要比无奇偶校验和带奇偶校验的代价要高。
但在8 字节(64 位，如Pentium 系列)系统中，64 位以外需要附加8 个校验位，这与奇偶校验的成本相同。
所以如果芯片组支持ECC 功能，可以为电脑选购代奇偶校验的能内存条。
三、内存的编号我们经常可能碰到以下问题:手上有一个内存，却不知道它的容量大小，64MB 还是128MB？或者不知道它的工作频率是多少，PC100 还是PC133?碰到这样的情况，上机测试是最好的方法，但有时条件可能不允许，那么此时我们应该怎么办呢？其实很简单，内存的信息都在内存本身上印刷着。
尽管内存颗粒生产厂家、生产日期、封装形式以及在颗粒上印刷的文字不一样，但是我们可以从内存的编号上得到我们想要的信息。
在内存芯片的标识中，通常包括以下几个内容:厂商名称、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，其中还可能有电压、容量系数和一些厂商的特殊标识在里面。
如以“HYB39S64800AF-8 ”为例，其中最前面的“HYB ”代表的是芯片生产厂商的标志，表示该颗粒为Siemens(西门子)生产的。
39S 代表厂商的内部标识(一般为三位，但也可能为二位);64 是指64Mbit 的容量(注意是bit，而不是Byte);其后面不同厂家标法不太一样。
对于Siemens 来说，-8 表示其工作频率为8ns，就是可以工作在125MHz 。
具体的厂商代号如下:HY(Hyundai，现代电子)、GM(LG-Semicon)、LH(SHARP)、KM 或M(SAMSUNG 三星)、M5M(Hitsubishi)、MB(Fujitsu)、MCM(Motorola)、MN(Matsushita)、MSM(OKI)、MT(Micron)、TC 或TD(Toshiba 东芝)、TI(TMS 德州仪器)、HM(Hitachi 日立)、TM(STI)、uPD(NEC)、NN(NPNX)、BM (IBM)。
但请注意，由于没有统一的工业标准，不同厂家内存颗粒定义可能不太一样。
比如有些厂家可能会在标识里面定义了内存的位数。
如对“GM72V161621CT10K ”内存，我们可以从编号判断该内存颗粒为LG 生产，单颗容量为16Mbit(2Mbyte)的内存，而其后的16 表示每块小芯片的位数是16 位，对于现在64 位的总线系统来说，至少需要4 片这样的芯片才能构成可用的内存条。
这时候这条由4 片小芯片构成的内存条容量是16Mbit/8 ×4=8MB，它就是8MB 一条的内存。
如果内存条上有8 片这样的芯片，当然就是16MB 的内存(该方法也可用来计算显卡芯片上总线的带宽)。
在“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。
该数值的具体需要看具体的厂家的规定。
如LGS 的-10K，表明其工作频率可为10ns，也就是说可以在100MHz 下运行。
另外对于PC100 内存产品，其编号一般表示为:PCX-ABC-DEF 的形式，X 代表工作频率，66MHz 或100MHz 等;A 代表最小的CAS Latency 数，一般为2 或3;B 代表最小的tRCD(RAS 相对CAS 的延时时间，时钟数一般是2;C 代表最小RAS 预充电时间)，时钟数一般是2;D 代表最大tAC，Access time from CLK 时间，多为6ns 、7ns 等数值;E 代表SPD 的版本号V1.2;F 是一个保留值为0 。
下面我们对常见的内存颗粒进行具体介绍:1.LGS编号通常为:GM72V ab cd e 1 f g T hiab:容量(Mbit)cd:数据位宽(位)e:内存条包括的Bank 数f:内核的版本号(越往后越新，可为空白)g:若是“L ”就是低功耗，普通型为空白hi:速度现在LG 的内存后缀有T-S 和T-H 两种，前者代表PC100 的颗粒，后者代表PC133 的颗粒，分别用来取代原有的-7J(K)和-75 。
2.现代电子(Hyundai)编号通常为:HY5a b cde fg h 0 i j kl-mn5a:芯片类型，57 为SDRAM，5D 为DDRb:电压，V 为3.3v，U 为2.5v，空白为5vcde:容量(Mbit)和刷新速度(k Ref.)fg:数据位宽(位)h:内存条包括的Bank 数，1 、2 、3 分别为2 、4 、8 个Bank0:接口界面，0:LVTTL;1:SSTL(3);2:SSTL_2;3:Mixed Interface;i:内核的版本号(可为空白)j:若是“L ”就是低功耗，普通型则为空白kl:封装形式的编号m:速度n:通常P 比S 的好一些编注：现代的内存事业部已经被LG 所并购，但是在市场上和一些用户手中还有部分现代的内存，所以在本书中仍然列出现代内存的资料，以作参考。
3.三星电子(Samsung)编号通常为:KM4 ab S cd 0 e f gT-hab:数据位宽(位)abcd=容量(Mbit)e:内存条包括的Bank 数，1 、2 、3 分别为2 、4 、8 个Bankf:内存接口，0=LVTTL 、1=SSTLg:内存版本，空白=第1 代、A=第2 代、B=第3 代T:封装类型，T =TSOP Ⅱ (400mil)h:电源供应，G=自动刷新、F=低电压自动刷新4.NEC编号通常为:D45 ab c d eG5-Afg h-ijkab:容量(Mbit)c:数据位宽(位)d:内存条包括的Bank 数，3 、4 都表示4 个e:内存接口，1=LVTTL5.西门子(Siemens)编号通常为:HYB39S ab cd 0 e T f -gab:容量(Mbit)cd:数据位宽(位)e:内核的版本号(越后越新，可为空白)f:若是“L ”就是低功耗，普通型则为空白6.Micron其编号通常为:MT48 ab cd M ef Ag TG-hi j 。