芯片测试规范
海思芯片HTOL老化测试技术规范
HTOL测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：历史版本记录适用范围:该测试它以电压、温度拉偏方式，加速的方式模拟芯片的运行状况，用于芯片寿命和长期上电运行的可靠性评估。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTOL老化测试需求。
简介：HTOL(High Temperature Operating Life)测试是芯片电路可靠性的一项关键性的基础测试，它用应力加速的方式模拟芯片的长期运行，以此评估芯片寿命和长期上电运行的可靠性，通常称为老化测试。
本规范介绍DFT和EVB两种模式的HTOL测试方法，HTOL可靠性测试工程师需要依据实际情况选择合适的模式完成HTOL测试。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. 测试流程1.1 HTOL测试概要HTOL主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性，需要项目SE、封装工程师、可靠性工程师、硬件工程师、FT测试工程师共同参与，主要工作包括：HTOL向量、HTOL测试方案、HTOL环境调试、HTOL测试流程执行、测试结果分析、失效定位等。
HTOL可以用两种方式进行测试：DFT测试模式和EVB测试模式。
1.2 DFT和EVB模式对比DFT(Design For Testability)测试模式：集成度较高的IC一般有DFT设计，其HTOL模式一般在DFT测试模式下进行，以扫描链、内建BIST、内部环回、JTAG，实现内部逻辑的翻转、读写、自测试和IO的翻转等，其数字逻辑、memory、IP、IO的以串行方式运行。
EVB(Evaluation Board)功能模式：即正常应用模式，HTOL也可以在该模式下更符合实际应用场景，该模式下芯片各模块一般按照真实的应用场景并行运行。
芯片实验室操作规程
芯片实验室操作规程1. 引言芯片实验室是开展芯片设计和测试的重要场所。
为了确保实验室的安全和实验工作的顺利进行，制定一套操作规程是必要的。
本文档旨在规范芯片实验室人员的行为，保障实验室安全和实验工作的顺利进行。
2. 实验室准入2.1 实验室准入权限任何人员在进入芯片实验室之前，必须获得合适的准入权限。
只有获得准入权限的人员才能进入实验室进行工作。
实验室管理员负责管理准入权限，根据工作需要和人员背景，设置不同级别的准入权限。
准入权限的级别包括：•Level 0：禁止进入实验室。
•Level 1：仅允许进入实验室，但不能进行任何实验操作。
•Level 2：允许进入实验室并进行特定实验操作。
•Level 3：允许进入实验室并进行所有实验操作。
2.2 准入权限申请申请准入权限需要填写相应的申请表格，并提交给实验室管理员审批。
申请表格需要包括以下内容：•申请人基本信息：姓名、工作单位、联系方式等。
•申请准入权限级别：Level 1、Level 2或Level 3。
•申请准入权限理由：详细说明申请权限的原因和目的。
实验室管理员审批通过后，申请人将获得相应的准入权限。
2.3 实验室准入要求进入实验室前，必须履行以下要求：•佩戴实验室门禁卡：所有人员必须佩戴有效的实验室门禁卡，以便进出实验室。
•穿戴实验室服装：实验室工作时，必须穿戴实验室专用服装，包括实验服、实验鞋等。
避免穿戴过于宽松和带有金属的衣物和饰品，以免发生意外伤害。
•遵守实验室安全守则：在实验室内应保持良好的行为规范，不得吃东西、吸烟，禁止喧哗和随意移动实验设备。
•遵守实验室准入权限：只有获得准入权限的人员才能进入实验室，并按照相应权限进行实验操作。
3. 实验室设备和材料3.1 设备管理实验室设备的管理需要注意以下事项：•定期检查设备的工作状态和安全性能。
•使用设备前必须熟悉设备的正确操作方法和注意事项。
•离开实验室前，关闭设备电源并进行必要的清理工作。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。
该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。
以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上的一个元器件）作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。
产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体标准。
在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
本规范还新增了封装可靠性测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保其性能和质量符合要求。
以下是通用芯片级可靠性测试要求的详细介绍。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1电路可靠性测试电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行评估的过程。
在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，Vcc不低于Vccmax。
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件通常由国家相关部门或标准化组织制定，旨在规范芯片测试的技术要求、方法和流程，以保证芯片质量和性能达到规定的标准。
以下是一些可能存在的国家芯片测试标准文件的例子：
1. 国家《芯片测试技术规范》：该标准文件详细规定了芯片测试的技术要求，包括测试流程、测试环境、测试设备、测试方法等。
2. 国家《芯片性能评估标准》：该标准文件规定了对芯片性能的评估指标和测试要求，包括功耗、性能、稳定性等方面的测试内容。
3. 国家《芯片可靠性测试标准》：该标准文件规定了芯片可靠性测试的方法和要求，包括可靠性测试的环境、测试样本、测试方法等。
4. 国家《芯片高温测试标准》：该标准文件规定了芯片在高温环境下的测试要求和方法，以验证芯片在高温环境下的性能和可靠性。
5. 国家《芯片封装测试标准》：该标准文件规定了芯片封装过程中的测试要求和方法，以验证芯片封装质量和性能。
需要注意的是，具体的国家芯片测试标准文件可能因国家、行
业和芯片类型等因素而有所不同，上述仅为一些可能的例子，具体标准文件应根据相关国家或地区的要求进行查询和参考。
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准通常是指用于评估芯片封装焊接强度的一组规范和方法。
以下是一些常见的芯片焊接强度测试标准：
1.IPC/JEDEC Joint Electron Device Engineering Council(IPC/JEDEC)：IPC/JEDEC是一个由电子工业协会联合组成的组织，其发布的标准涵盖了电子元件的各个方面，包括芯片封装焊接强度测试标准。
IPC/JEDEC发布的焊接强度测试标准包括
J-STD-001F、J-STD-002A、J-STD-003等。
2.AEC-Q100：AEC-Q100是汽车电子委员会发布的一组可靠性测试标准，其中包括焊接强度测试标准。
AEC-Q100焊接强度测试标准主要针对汽车电子元件的封装焊接强度进行测试。
-STD-883K Method 1016：MIL-STD-883K Method 1016是美国国防部发布的一项测试标准，其中包括焊接强度测试方法。
MIL-STD-883K Method 1016焊接强度测试方法主要用于评估芯片封装焊接强度。
以上是一些常见的芯片焊接强度测试标准。
不同的标准可能会有不同的测试方法和要求，因此在进行芯片焊接强度测试时，需要根据具体的标准要求进行测试。
发光芯片检验规范1
文件名称﹕进料检验规范(发光芯片) 文件编号QWS-L-01 版本 A 制定部门品管部页数1/5抽样计划[A] 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。
[B]10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。
[C]每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。
[D]每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。
项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CR MA MI1包装时效性失效依厂商提供之保证储存期不可有超出期限之现象目视 A 包装脏污不整洁包装外不可有明显灰尘、脏污、包装摆放应整齐美观、包装上应注明有堆码标志目视 A2 外观电极表面失金电极表面镀金层不能缺失. 平台、塞尺目视B正金残留以上现象不能接受。
显微镜40*目视B电极变色任何可见的电极发青发紫现象显微镜40*目视B文件名称﹕进料检验规范(发光芯片) 文件编号QWS-L-01 版本 A 制定部门品管部页数21/5抽样计划[A] 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。
[B]10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。
[C]每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。
[D]每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。
项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CR MA MI2 外观电极变形电极最大方向的直径为最小的1.25倍且一张Wafer有0.5%此现象目视 A蚀刻不良电极蚀刻过头,外观上粗糙不平且肮脏根据样品或图片)目视 A金属层剥皮残留任何可见的金属层剥皮残留于电极上目视 A文件名称﹕进料检验规范(发光芯片) 文件编号QWS-L-01 版本 A 制定部门品管部页数3/5抽样计划[A] 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。
芯片剪切力测试标准-概述说明以及解释
芯片剪切力测试标准-概述说明以及解释1.引言概述部分的内容应当对芯片剪切力测试标准的背景和重要性进行简要介绍。
以下是一个可能的概述：1.1 概述芯片剪切力测试是一项在芯片生产和应用领域中广泛使用的测试方法。
它主要用于评估芯片与其封装材料之间的粘合强度，并且对于确保芯片在使用过程中具有足够的机械强度和可靠性至关重要。
随着集成电路逐渐变得更小、更复杂，以及在各行业中的广泛应用，对芯片剪切力测试标准的需求也日益增加。
因为芯片的粘合质量直接关系到电子设备的可靠性和性能稳定性，因此准确、可靠的测试标准对于保证芯片质量和产品可靠性具有重要意义。
本文将围绕芯片剪切力测试标准展开讨论，探索当前已经存在的标准及其局限性，并提出一种基于实践经验和数学建模相结合的全面、科学的测试标准。
我们将从以下几个方面对芯片剪切力测试进行详细研究：测试方法、样本准备、测试设备、数据分析等。
通过建立一套科学、完善的芯片剪切力测试标准，我们可以为芯片生产商和使用者提供一个统一的测试依据，有效地评估芯片的粘合强度和可靠性，进一步提高芯片质量和产品的竞争力。
通过本文的研究，我们希望为芯片剪切力测试标准的制定和实施提供一些有益的指导，推动芯片行业的发展和技术进步。
1.2 文章结构文章结构是指整篇文章的组织框架和内容安排。
通过合理的结构，能够使读者更好地理解文章的逻辑关系和内容脉络，提升文章的可读性和条理性。
本文将按照以下结构进行叙述:2.正文2.1 第一个子章节2.1.1 要点12.1.2 要点22.2 第二个子章节2.2.1 要点12.2.2 要点2文章正文部分是对芯片剪切力测试标准进行详细介绍和探讨的主要内容。
由于该主题具有一定的复杂性，为了使读者能够系统、全面地了解该标准的相关要点，本文将采取分章节的形式进行阐述。
首先，在第一个子章节中，我们将重点介绍芯片剪切力测试标准的第一个要点。
通过详细的讲解和实例分析，读者能够对该要点有一个清晰的认识和理解。
电源芯片测试规范
电源芯片测试规范1. 适用范围此处的“电源芯片”主要指基于PCB 板焊接的电源芯片，包括DC/DC 、LDO 电源芯片等，也包括小功率DC/DC 电源模块；非PCB 焊接的大功率DC/DC 、AC/DC 电源模块不在此列。
2. 测试原理框图测试原理框图如图1所示。
LOAD待测电源芯片（DC/DC 或LDO ）示波器负载探头正端探头负端磁片电容Ceramic Capacitor输入电源图1 电源芯片测试原理框图3. 测试环境◆ 温度：25±2℃ ◆ 湿度：60%~70%；◆ 大气压强：86kPa ~106kPa 。
4. 测试工具◆ 可调电源（最好能显示对应输出电流） ◆ 可调电子负载 ◆ 示波器 ◆ 万用表5. 测试参数待测参数 必测项 选测项 测试方法简要说明输入电压范围√1） 调节电子负载，保证电源芯片满载工作； 2） 调节可调电源输出为下限值VIN_MIN ，记录此时对应输出电压，记为V13）调节可调电源输出为下限值VIN_MAX，记录此时输出电压，记为V24）电源芯片额定输出为V05）分别计算{|V1-V0|/V0}×100％，{|V2-V0|/V0}×100％，判断此时的输出是否满足精度要求输出精度√记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值，进行计算纹波及噪声√如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子，将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。
开关频率√测试纹波的同时，记录相应的纹波频率，即为开关频率电压调整率√1）设置可调电子负载，使电源满载输出；2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；5〕按下式计算：电压调整率={(U- U0)/U0}×100％式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；负载调整率√1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；4）负载调整率按以下公式计算：负载调整率={(U- U0)/U0}×100％式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；电源效率√电源效率随负载大小变化，如图3所示。
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测试规范
1.适用范围
1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；.
2.目的
2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。
3.可靠性测试
? 6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）
? 6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）
? PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1
??? ? 2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH 要求比较严格，一般需要做10个循环以上；
???? ? 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；
8.高低温老化：环境（60度，-10度）
?? ? 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。
?? ? 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。
9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面
恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；
10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序
的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。
1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT
制程工艺规避空洞率；
2.功能测试；
3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；
4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点
最好提供工具给到阿杜随线筛选；
5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成，
如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；
6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明
4.测试环境
◆温度：25±2℃
◆湿度：60%~70%；
◆大气压强：86kPa ~106kPa。
5.测试工具
◆可调电源（最好能显示对应输出电流）
◆可调电子负载
◆示波器
◆万用表
6.测试参数
表1 电源芯片测试参数
图2 电源纹波测试
图3 电源效率曲线
图4 输出功率曲线
——以下无正文。