芯片测试规范
芯片实验室操作规程
芯片实验室操作规程1. 引言芯片实验室是开展芯片设计和测试的重要场所。
为了确保实验室的安全和实验工作的顺利进行，制定一套操作规程是必要的。
本文档旨在规范芯片实验室人员的行为，保障实验室安全和实验工作的顺利进行。
2. 实验室准入2.1 实验室准入权限任何人员在进入芯片实验室之前，必须获得合适的准入权限。
只有获得准入权限的人员才能进入实验室进行工作。
实验室管理员负责管理准入权限，根据工作需要和人员背景，设置不同级别的准入权限。
准入权限的级别包括：•Level 0：禁止进入实验室。
•Level 1：仅允许进入实验室，但不能进行任何实验操作。
•Level 2：允许进入实验室并进行特定实验操作。
•Level 3：允许进入实验室并进行所有实验操作。
2.2 准入权限申请申请准入权限需要填写相应的申请表格，并提交给实验室管理员审批。
申请表格需要包括以下内容：•申请人基本信息：姓名、工作单位、联系方式等。
•申请准入权限级别：Level 1、Level 2或Level 3。
•申请准入权限理由：详细说明申请权限的原因和目的。
实验室管理员审批通过后，申请人将获得相应的准入权限。
2.3 实验室准入要求进入实验室前，必须履行以下要求：•佩戴实验室门禁卡：所有人员必须佩戴有效的实验室门禁卡，以便进出实验室。
•穿戴实验室服装：实验室工作时，必须穿戴实验室专用服装，包括实验服、实验鞋等。
避免穿戴过于宽松和带有金属的衣物和饰品，以免发生意外伤害。
•遵守实验室安全守则：在实验室内应保持良好的行为规范，不得吃东西、吸烟，禁止喧哗和随意移动实验设备。
•遵守实验室准入权限：只有获得准入权限的人员才能进入实验室，并按照相应权限进行实验操作。
3. 实验室设备和材料3.1 设备管理实验室设备的管理需要注意以下事项：•定期检查设备的工作状态和安全性能。
•使用设备前必须熟悉设备的正确操作方法和注意事项。
•离开实验室前，关闭设备电源并进行必要的清理工作。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。
该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。
本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。
该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。
这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。
在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。
以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。
但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上的一个元器件）作为最终应用。
因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。
产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。
本规范重点讲述芯片级可靠性要求。
本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体标准。
在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。
本规范还新增了封装可靠性测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。
海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保其性能和质量符合要求。
以下是通用芯片级可靠性测试要求的详细介绍。
2.通用芯片级可靠性测试要求2.1电路可靠性测试电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行评估的过程。
在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，Vcc不低于Vccmax。
开关电源芯片通用测试要求和步骤-antonychen
开关电源芯片通用测试要求和步骤By Antony Chen开关电源必须通过一系列的测试，使其符合所有功能规格、保护特性、安规（如UL、CSA、VDE、DEMKO、SEMKO，长城等之耐压、抗燃、漏电流、接地等安全规格）、电磁兼容（如FCC、CE等之传导与幅射干扰）、可靠性（如老化寿命测试）、及其他特定要求等。
测试开关电源是否通过设计指标，需要各种精密的电子设备去模拟电源在各种环境下实际工作中的性能。
一、理论上的DCDC测试指标清单1.描述输入电压影响输出电压的几个指标形式（line）1.1绝对稳压系数：K=△Uo/△Ui1.2相对稳压系数：S=△Uo/Uo / △Ui/Ui1.3电网调整率（也称线性调整率）：它表示输入电网电压由额定值变化+-10%时，稳压电源输出电压的相对变化量，有时也以绝对值表示。
line reg=△Uo/Uo*100%@ -10%<Ui<+10%1.4电压稳定度：负载电流保持为额定范围内的任何值，输入电压在规定的范围内变化所引起的输出电压相对变化△Uo/Uo(百分值)，称为稳压器的电压稳定度。
STB=△Uo/Uo*100%@ 0<I load<max2.负载对输出电压影响的几种指标形式（load）2.1负载调整率(也称电流调整率)在额定电网电压下，负载电流从零变化到最大时，输出电压的最大相对变化量，常用百分数表示，有时也用绝对变化量表示。
2.2输出电阻(也称等效内阻或内阻)在额定电网电压下，由于负载电流变化△IL 引起输出电压变化△Uo，则输出电阻为Ro=|△Uo/△IL|Ω3.纹波电压的几个指标形式（ripple）3.1最大纹波电压在额定输出电压和负载电流下，输出电压的纹波(包括噪声)的绝对值的大小，通常以峰峰值或有效值表示。
V ripple=V MAX-V MIN3.2纹波系数Y(%)在额定负载电流下，输出纹波电压的有效值Urms 与输出直流电压Uo 之比，即Y=Umrs/Uo x100%3.3纹波电压抑制比（PSRR：Power Supply Rejection Ratio）在规定的纹波频率(例如50HZ)下，输入电压中的纹波电压Ui~与输出电压中的纹波电压Uo~之比，即：纹波电压抑制比=Ui~/Uo~ 。
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件
国家芯片测试标准文件通常由国家相关部门或标准化组织制定，旨在规范芯片测试的技术要求、方法和流程，以保证芯片质量和性能达到规定的标准。
以下是一些可能存在的国家芯片测试标准文件的例子：
1. 国家《芯片测试技术规范》：该标准文件详细规定了芯片测试的技术要求，包括测试流程、测试环境、测试设备、测试方法等。
2. 国家《芯片性能评估标准》：该标准文件规定了对芯片性能的评估指标和测试要求，包括功耗、性能、稳定性等方面的测试内容。
3. 国家《芯片可靠性测试标准》：该标准文件规定了芯片可靠性测试的方法和要求，包括可靠性测试的环境、测试样本、测试方法等。
4. 国家《芯片高温测试标准》：该标准文件规定了芯片在高温环境下的测试要求和方法，以验证芯片在高温环境下的性能和可靠性。
5. 国家《芯片封装测试标准》：该标准文件规定了芯片封装过程中的测试要求和方法，以验证芯片封装质量和性能。
需要注意的是，具体的国家芯片测试标准文件可能因国家、行
业和芯片类型等因素而有所不同，上述仅为一些可能的例子，具体标准文件应根据相关国家或地区的要求进行查询和参考。
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准
芯片焊接强度测试标准通常是指用于评估芯片封装焊接强度的一组规范和方法。
以下是一些常见的芯片焊接强度测试标准：
1.IPC/JEDEC Joint Electron Device Engineering Council(IPC/JEDEC)：IPC/JEDEC是一个由电子工业协会联合组成的组织，其发布的标准涵盖了电子元件的各个方面，包括芯片封装焊接强度测试标准。
IPC/JEDEC发布的焊接强度测试标准包括
J-STD-001F、J-STD-002A、J-STD-003等。
2.AEC-Q100：AEC-Q100是汽车电子委员会发布的一组可靠性测试标准，其中包括焊接强度测试标准。
AEC-Q100焊接强度测试标准主要针对汽车电子元件的封装焊接强度进行测试。
-STD-883K Method 1016：MIL-STD-883K Method 1016是美国国防部发布的一项测试标准，其中包括焊接强度测试方法。
MIL-STD-883K Method 1016焊接强度测试方法主要用于评估芯片封装焊接强度。
以上是一些常见的芯片焊接强度测试标准。
不同的标准可能会有不同的测试方法和要求，因此在进行芯片焊接强度测试时，需要根据具体的标准要求进行测试。
海思芯片TC 测试技术规范
海思TC(Temperature Cycling)测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-11-11历史版本记录适用范围:该测试用来检查芯片是否会因为热疲劳失效。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的TC(Temperature Cycling)测试需求。
简介：该测试是为了确定芯片在高低温交替变化下的机械应力承受能力。
这些机械应力可能导致芯片出现永久的电气或物理特性变化。
引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1. TC 测试流程失效分析功能、性能失效物理损伤注意：做TC 测试的芯片需经过PC(Preconditioning)预处理。
2. TC 测试条件2.1 温度温循的高低温条件如下表：实际的高低温须参照Datasheet 说明，一般在“建议运行条件(Recommended Operating Conditions)”会给出建议运行的环境温度范围。
例如进芯的ADP16F0X ：温循温度示意图：说明：Ts(min)为温循最低温度Ts(max)为温循最高温度cycle time为温循周期Ramp rate为温升率建议Cycle周期0.5h，即2 cycles/hour。
建议温升率(Ramp rate)不超过15℃/min。
Ts(min)和Ts(max)的持续时间不低于1min。
2.2 循环次数参考JESD47标准：推荐循环总次数为1000次，并且在200、500、700、1000次时复测。
3.TC测试装置高低温箱——温度范围、测试时间可控。
4.失效判据温循过程，出现机械形变、断裂等物理损伤。
ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
芯片来料检验规范
芯片来料检验规范XXX的质量体系文件中，文件编号为FHXD-QC/JY007，文件名称为芯片来料检验规范。
该文件由品管部起草并负责解释。
该文件的第11版第1页共10页，经过多次修改和更新。
其中，主要内容包括修改FHXD-QC/JY007A《芯片送检记录单》和XXX《芯片检验记录表》，以及修改质量要求和抽样计划内容。
同时，还修改了送检、检验及移交流程，并增加了流程图。
设备点检表探针台点检被去掉，ESD接地电阻需要确认有效期。
此外，IQC氮气柜异常晶圆存储的最长期限被定义为15天，并增加了氮气柜记录表格。
在修改中，还增加了5.4.4“GP”芯片检验要求内容。
在更新中，还增加了5.3和5.7.2、5.7.2.1、5.7.2.2.同时，修改了5.4，并增加了5.5.3.3.此外，还修改了单号，包括、、、、、、、、和.该文件的修改和更新由不同的部门负责，主要包括XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX、XXX等人。
XXX质量体系文件文件编号：XXX-QC/JY007第11版第2页共10页1.0目的：本规范的目的是对来料芯片进行检验，以确保芯片符合要求，防止不合格芯片进入生产线。
2.0适用范围：本公司采购的所有芯片以及OEM客户提供的芯片。
3.0使用工具：薄膜测厚仪、显微镜、影像测量仪、防静电手套、离子风扇。
4.0流程图：反馈送检员通知业务补文件芯片入库5.0检验程序：5.1工作环境要求：参照《FHXD-QC/GL008工艺环境要求及控制管理办法》。
芯片送检IQC确认送检基本信息是否有误IQC芯片接收记录IQC接收芯片、送检单检验是否合格晶圆是否紧急投产是否特采流通芯片退回客户/供应XXX进行晶圆分片IQC移交晶圆至产线XXX进行芯片交接记录XXX质量体系文件文件编号：XXX-QC/JY007 第11版第3页共10页5.2质量要求及抽样计划：检验项目芯片名称基本信息核对晶圆批号数量封装形式出厂检验报告目视检验影像测量仪检验目视检验每批见备注按照衬底颜色区分：金底为金，每批黄色，银底为白色，硅底为暗灰色，锡底为淡黄色。
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思芯片HTSL 测试技术规范
海思HTSL（高温贮存寿命）测试技术规范是由XXX制定的。
该测试旨在检查芯片在长期贮存条件下，高温和时间对器件的影响。
本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTSL测试需求。
该测试不需要上电存储条件，只需保持恒定的高温环境，以检查该条件下芯片的材料氧化、不同材料相互扩散导致的失效。
例如，Pad和Wire的金属间化合物的生长、某些存储类器件的数据保持状况。
HTSL测试标准参考文件有JESD22-103E和JESD47I，分别是HTSL测试标准和可靠性总体标准。
HTSL测试流程包括物理损伤、功能和性能失效以及失效分析。
测试条件包括温度和测试时间、样本量。
温度条件应参照Datasheet说明，一般在“最大绝对额定值（Absolute Maximum Ratings）”中给出最高存储温度。
例如，进芯的ADP32F335.
测试时间和样本量应参考JESD47标准，推荐使用
3Lots/25units，总时间为1000小时。
HTSL测试装置应包括高温存储箱，其温度范围和测试时间可控。
失效判据包括出现机械形变、断裂等物理损伤，以及ATE和功能筛片有功能失效、性能异常。
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测试规范
1.适用范围
1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生
产；.
2.目的
2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。
3.可靠性测试
6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验
（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）
6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那
么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1
2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，
FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；
3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，
故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行
MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；
8.高低温老化：环境（60度，-10度）
基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。
从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。
9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--
一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；
10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是
否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。
1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话
就需要SMT制程工艺规避空洞率；
2.功能测试；
3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；
4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大
货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选；
5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次
测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；
6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明
4.测试环境
◆温度：25±2℃
◆湿度：60%~70%；
◆大气压强：86kPa ~106kPa。
5.测试工具
◆可调电源（最好能显示对应输出电流）
◆可调电子负载
◆示波器
◆万用表
6.测试参数
表1 电源芯片测试参数
2）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
3）待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0；
4）则芯片结温=T0+ P0×θJC;
如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA：
1）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
2）记录测试现场对应环境温度，记为T0;
3）则芯片结温= T0+ P0×θJA
比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1>T3?
工作环境温度√借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求
存储环境温度√借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求
示波器
示波器探头
磁片电容
图2 电源纹波测试
图3 电源效率曲线
图4 输出功率曲线
——以下无正文。