半导体物理知识点总结 (2)

半导体物理知识点总结

一、基本公式

1、 定律名称和公式，4)(T T M σ=,b T m =λ。

2、 光量子假设，爱因斯坦方程W mv h +=2

2

1ν，逸出功。 3、m v

h p h ==

λ，不确定关系：,x x x p h p m υ??≥?=?。 4、)0()πsin(2)(a x a

x n a x n ≤≤=

ψ，)0()n π(sin 2)(22

a x a

x

a x ≤≤=

ψ。

5、n ，l ，m l ，m s 四个量子数，当n 确定时，)1,........(

1,0-=n l ，当l 确定时l m l ±±±=.,.........2,1,0，而m s 只有两个值，分别是21+

和2

1-。 6、)()(max min k E k E E v c g -=，

)(k 222*

值导带底==k c n dk k E d m ，值

价带顶k 222*

)

(==k v n dk k E d m

7、 ])

(e x p [00T

k E E N n F c c --=，])

(exp[00T

k E E N p F v v -= ]exp[02

00T

k E N N n p n g v c i -

==。

8、n n qn σμ=，p p qp σμ=,n p qn qp σμμ=+，1

σρ=

。

9、爱因斯坦关系式

q T

k u D n n 0=和q

T k u D p p 0=，扩散长度公式n n n D L τ=，p p p D L τ=。 10、p 型，小注入情况下（τ为恒量），非平衡少数载流子复合的微分方程：τ

n

dt n d ?=?-

，对τn dt n d ?=?-积分得ττt

t

n

n e n n t n n dt n n d -???=??-=???-=????000

)ln(0。

二、基本概念和理论知识点

1、氢原子可见光谱（巴尔末系），玻尔氢原子理论假设（三点假设）。

2、实物粒子德布罗意波的统计观点（概率波）及实验验证（电子衍射试验）。

3、泡利不相容原理和能量最小原理（多电子原子中电子排布的基本原则）。

4、单晶Si和Ge的晶格结构（晶格类型和价键特点），GaAs的晶格结构（晶格类型和价键特点）。

5、金属、半导体和绝缘体的不同（禁带宽度和导带电子填充程度）。

6、半导体有效质量的特点（正负，大小与内外层电子的关系）。

7、半导体中载流子种类（电子和空穴，空穴重点）。

8、半导体中杂质存在形式（替位式和间隙式）。

9、半导体中施主杂质和受主杂质，重点浅杂质能级。

10、本征半导体的费米能级的推导过程（普适公式和电中性条件）。

11、非简并半导体，导电机制（以杂质电离为主还是以本征激发为主）的五个温区。

12、半导体的主要散射机构（电离杂质中心散射和晶格振动散射）。

13、扩散流密度S，扩散电流密度J，二者关系（概念）。

14、pn结的动态平衡过程（平衡pn结的建立过程）（几点重要内容）。

15、pn结的三种击穿机理。

16、理想MIS结构的模型，MIS结构的五种表面电场效应。

17、半导体的两种本征吸收模式（直接跃迁和间接跃迁，参与粒子）。

18、半导体的光吸收，光电导和光生伏特效应（基本概念）。

三：图片理解

（1）

（2）

（3）