TSS半导体放电管PXXXXSA型号
MOS管型号表
07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
元器件封装命名规则 2020版
贴片芯片
REF 简称
TYPE 元件类型 插装排阻
电位器 插件无极性电容 插件有极性电容
插件电感
插装保险管 插件二极管 发光二极管 小晶体管/电压调
整器
插件晶体/晶振
插装滤波器 插件蜂鸣器 插装整流桥 直插光电耦合器
REF 简称
CAE封装命名 IC
CAE封装命名
REF 简称 SOP/QFP/QFN/BGA/P QFP/SQFP/SSOP/BGA /SOIC_8
DB DIM/SIM/DIN
CON
CON
4.测试点/孔位
CAE封装命名
REF 简称
TP TS H HOLE
电子器件封装命名规则
1.贴片分立元件
命名举例（命名间隔全部用下划线_) R0402,R0603,R0805,R1206 RN0603_x4,RN0805_x2
C0402,C0603,C0805,C1206, C1812 EC_SMD5X5.4mm
元件类型简称+管脚数+管脚间距+元件宽度 命名举例PTE6-100-300
引脚数为6、相邻脚间距为100 mil，宽度为300 mil 元件类型简称+管脚数+脚间距+管脚列间距
元件类型简称+外径+内径
元件类型简称+管脚总数+管脚排数+管脚类型+器件类型 元件类型简称+管脚数+每排管脚数×管脚排数+行间距+排间距+
CASE_A_3216 ，CASE_B_3528，CASE_C_6032 L0603
PL1206, PL_5x5mm，PL_SMD_6_5x6x2mm FB0603
BS0060M
一、简介浪拓电子BS0060MS半导体放电管（瞬态浪涌抑制器TSS），主要应用于视频信号口过压保护，XDSL二次侧保护，节电容小于50pF。
二、型号命名说明LT-BS 0060 M S(1) (2) (3) (4)(1) 浪拓电子BS半导体系列;(2) 产品系列：0060、等;(3) 封装形式：SMA ;(4) 浪涌承受能力：15A(10/1000μS)。
三、特性¾节电容小于50 pF，可满足视频信号接口等高速率传输线路的需要；¾可控硅结构，开启电压一致性明显优于气体放电管、压敏电阻；¾纳秒级的反应速度，使设备对雷电突波、瞬间过电压防护更加安全、可靠；¾无极性、双向浪涌保护、吸收特性良好；¾重复性优良，寿命长，不会疲劳失效。
¾符合IEC61000-4-2规格。
四、外型尺寸五、电气参数（@T=25℃,RH=45%-75%）封装型号 标识举例SMA B0060MSB006S0526标识说明(Notes): B 006 S 0526(1) (2) (3) (4)(1)浪拓半导体系列：LT Semiconductor Surge Protector ； (2)产品系列:0060等； (3)封装(Package ): SMA ；额定浪涌电流（10/1000μs ）：15A ；(4)产品的生产日期(Date) 如: 0526表示2005年第26周。
八、包装九、推荐应用方案BNC视频口防护方案:通过K21 相关测试，可达到差摸4KV，共模6KV，10/700US的防护等级。
三种类型的放电管性能比较
左右，在它未导通前，会有一个幅度较大的尖脉冲漏过去。
若要抑制这个尖脉冲，有以下几种方法：a、在放电管上并联电容器或压敏电阻；b、在放电管后串联电感或留一段长度适当的传输线，使尖脉冲衰减到较低的电平；c、采用两级保护电路，以放电管作为第一级，以TVS管或半导体过压保护器作为第二级，两级之间用电阻、电感或自恢复保险丝隔离。
2、陶瓷气体放电管击穿电压一致性较差，离散性较大，误差为±20%。
一般不作并联使用。
3、直流击穿电压（DC-Spark-over Voltage）的选择：直流击穿电压的最小值应大于被保护线路的最大工作电压的1.2倍以上。
4、脉冲击穿电压（Impulse Spark-over Voltage）的选择：脉冲击穿电压要考虑浪涌防护等级，例如采用10/700μs的波形试验电压4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通，起到保护作用。
单纯从线路保护来讲，脉冲击穿电压越低，线路保护效果越好。
实际上，选定了GDT的直流击穿电压，它的脉冲击穿电压也随之确定了。
5、冲击放电电流（通流量）的选择：要根据线路上可能出现的最大浪涌电流或需要防护的最大浪涌电流来选择。
6、续流问题：为了使放电管在冲击击穿后能正常熄弧，在有可能出现续流的地方（如有源电路中），可以在放电管上串联压敏电阻或自恢复保险丝等限制续流，使它小于放电管的维持电流。
二、玻璃气体放电管：SPG（Spark Gap Protectors），玻璃气体放电管，也称强效气体放电管。
1、反应速度快（与陶瓷气体放电管不同，不存在冲击击穿的滞后现象）。
SPG 内部由半导体硅集成，在动作时，当外加电压增大至超过惰性气体的绝缘强度后，由于半导体硅的不稳定性作用，会使两极间的放电发展更为迅速。
因此：玻璃气体放电管的反应速度比陶瓷气体放电管要快。
2、通流容量较陶瓷气体放电管小得多。
3、击穿电压尚未形成系列值。
4、击穿电压分散性较大，为±20%。
防护器件(GDT TSS TVS)
4、根据防护电路工作频率确定TVS管结电容: 根据防护电路的速率来确定能够加在线路上的最大对地电容，一般来讲对于线路
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TVS管器件特性：
瞬态抑制二极管的特点是作用时间短.电压幅度高.瞬态能 量大,瞬态电压叠加在电路的工作电压上会造成电路的” 过电压”而损坏。TVS是半导体硅材料制造的特殊二极管, 它与电路并联使用,电路正常时TVS处于关断状态呈现高阻 抗,当有浪涌冲击电压时能以nS量级的速度从高阻抗转变 为低阻抗吸收浪涌功率,使浪涌电压通过其自身到地,从而 保护电路不受侵害。
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GDT工作模式
陶瓷气体放电管——一种开关型元件
外加过电压
正常高阻态
进入辉光状态
电流增加
进入弧光状态
外加过电压消 失；电流降低
进入辉光状态
无持续电流
恢复高阻状态
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V-t曲线图
G 辉光放电区(Glow mode range） A/B 弧光放电区(Arc mode range)
半导体放电管简介及特性
半导体放电管是一种小型化、快反应速度和高可靠性的电力电子半导体器件，它具有 五层双端对称结构的设计。 相对于其他浪涌抑制器件，半导体放电管的优势在于： 1）、反应速度快<1nS，残压低； 2）、可靠性高，参数一致性好； 3）、使用寿命长，可长时间重复使用； 4）、结电容相对较低，可应用在高速传输设备上。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，也是一种电控型的半导体器件。
它的工作原理是通过外加的电场来改变电流的流动，从而实现放大、开关等功能。
在电子电路中，场效应管被广泛应用于信号放大、开关控制、振荡电路等方面。
常用的场效应管型号有很多，下面我们来介绍几种常见的场效应管及其用途和参数：1.2N7000型场效应管：2N7000是一款N沟道增强型场效应管，主要用于低功率开关电路和电压放大电路。
其最大漏极电流为200mA，最大漏-源耐压为60V，开关速度较快，适用于一般的低功率开关应用。
2.IRF840型场效应管：IRF840是一款N沟道增强型场效应管，主要用于功率放大和开关电路。
其最大漏极电流为8A，最大漏-源耐压为500V，具有较低的漏-源电阻，适用于高功率开关电路和功率放大电路。
3.2SK1058型场效应管：2SK1058是一款功率型场效应管，用于音频功率放大电路和开关控制电路。
其最大漏极电流为11A，最大漏-源耐压为200V，具有较低的漏-源电阻和较高的增益，适合于高保真音频放大器和功率放大器。
4.BS170型场效应管：BS170是一款低功耗型N沟道增强型场效应管，主要用于低压低功率开关电路和放大电路。
其最大漏极电流为0.5A，最大漏-源耐压为60V，具有低功耗和较小的体积，适合于便携式电子设备和低功率电路应用。
以上只是部分常见的场效应管型号和应用场景，不同场效应管的参数还包括漏-源电阻、温度特性、开关速度、最大功耗等。
在选择场效应管时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求来确定合适的型号和参数。
总结起来，场效应管是一种重要的电子器件，常用于信号放大、开关控制、功率放大等各种电路中。
不同型号的场效应管具有不同的参数，它们的应用范围和性能也有所差异，因此在使用场效应管时需要仔细选择合适的型号和参数，以满足具体的电路需求。
FOSAN富信电子 二级管 PESD1CAN-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PESD1CAN SOT-23ESD静电保护二极管▉Features特点Bidirectional ESD Protection双向静电保护▉Applications应用Portable electronics便携式电子产品Control&monitoring systems控制与监视系统Cellular handsets and accessories蜂窝手机及附件Servers,notebooks,and desktop PCs bus protection服务器、笔记本及台式机总线保护▉Device Marking产品打标▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位ESD(IEC61000-4-2contact discharge)@25℃接触放电V ESD+30KV ESD(IEC61000-4-2air discharge)@25℃空气放电V ESD+30KV Peak Pulse Current@25℃峰值脉冲电流I PP8A Peak Pulse Power@25℃峰值脉冲功率P PK450W Lead Temperature管脚温度T L260℃Lead Solder Time管脚焊接时间T L10S Operating Temperature工作温度T op-40~125℃Junction Temperature结温T J-55~150℃Storage Temperature储存温度T stg-55~150℃ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PESD1CAN ▉Electrical Characteristics电特性(T A=25℃unless otherwise noted如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic Parameters 特性参数Symbol符号Min最小值Typ典型值Max最大值Unit单位Condition条件Reverse Stand-off Voltage反向工作电压V RWM24VReverse Breakdown Voltage反向击穿电压V R(BR)26.528V I T=1mA Reverse Leakage Current反向漏电流I R1µA V RWM=24V Clamping Voltage钳位电压V C36V I PP=1A,tp=8/20µs Clamping Voltage钳位电压V C48V I PP=8A,tp=8/20µs Junction Capacitance结电容C J30pF V R=0V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PESD1CAN ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线■Typical Application典型应用ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PESD1CAN▉Dimension外形封裝尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
闸流二极管TSS它是半导体元件
5
ESD前期设计考虑
结构设计：如果有一个理想的壳体是密不
透风的，静电也就无从而入，静电测试时 不会产生火花当然没有问题。但实际的壳 体在合盖处常有缝隙，而且许多还有金属 的装饰片，所以一定要加以注意
•
尽量增加壳体的厚度，增加外壳到电路板之间的 距离，或者通过一些有效方法增加壳体气隙的距 离，这样可以避免或者大大减少ESD的能量强度3环境及测试标准
气候条件:
温度：15℃%—35℃% 湿度：30℃%—60℃% 大气压力：86kpa —106kpa
测试指标：
空气放电：±8K 接触放电：±4K
4
操作规程
开机将仪器电压调节到规定值±4K\ ±8KV 使手机处于充电通话状态 用测试标准对手机进行空气或接触放电并观察其 现象
2
目的：测量产品性能的准确标准 适用范围：对手机的静电耐受程度进行电压测试 设备及工夹具：NSG435静电放电模拟器、专用 工作台、放电刷、干净白纸等，空气湿度测试仪 器，空气除湿器 材料：手机、静电保护器件、导电泡棉、导电布、 高温胶带、铜箔 仪器保养：测试前后注意做好仪器的防护和保养 工作
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应对整改措施
目前在手机的静电靠扰测试(ESD)中经常出现问 题的地方有:
Receiver 麦克风MIC 键盘 喇叭Speaker 金属饰件 电池后盖 侧键及USB口 显示屏 中间缝隙，滑盖缝隙等
11
在对手机ESD出现问题的整改过程中，大致可采 用以下两种办法:
导:用导电布、导电泡棉或者铜箔，将静电引入GND。 堵:用类似绝缘胶带，堵住放电的路径，让静电放不出来。
半导体放电管
JKS’S TSS-1-CONTENTS Contents (2)High Reliability Experiment Lis t…………………………………………3-4SMA(DO-214AC)Series…………………………………………………5-9SMB(DO-214AA)Series…………………………………………………10-14TO-92Series…………………………………………………15-19 DO-41/15/27Series…………………………………………………20-25-2-High reliability Experiment List可靠性试验项目NO.ExperimentItemTimeor CycleExperimentConditionsReference1HighTemperatureReverse Bias96-180H①T A=125±5℃forO/J②T A=150±5℃for GPPBias=80%VR for allMIL-STD-750DMETHOD-10382Steady-stateOperation Life168-1000HRated average rectifiercurrentIO=IF(AV)@TA=25℃MIL-STD-750DMETHOD-10273HT Storage168-1000H TA=150±5℃MIL-STD-750D METHOD-10314IntermittentOperation Life1000CYCLE ON=5Min with rated IOMIL-STD-750DMETHOD-10365TemperatureCycling(air toair)10CYCLETH=150+3/-0℃10MinTL=-55+0/-3℃10MinTransfer time=5minMIL-STD-750DMETHOD-10516Thermal Shock10CYCLE 0℃/5MIN100℃/5MINMIL-STD-750DMETHOD-10567Soldering Heat10SEC260±5℃MIL-STD-750D METHOD-1031High reliability Experiment List可靠性试验项目-3-NO.ExperimentItemTimeor CycleExperimentConditionsReference8Lead pull10SEC 1Kg in axial leaddirectionMIL-STD-750DMETHOD-10369Lead Fatigue3TIMES 0.5Kg weight applied toeach lead bending are90±5℃MIL-STD-750DMETHOD-103610UnbiasedAutoclave Test4/8/16/24HT A=121±2℃P=29.7Psia/205KPaRH=100%11ForwordSurgeCurrent1PULSE8.3mS or10mS singlehalf sinewavesuperimposed on ratedloadMIL-STD-750DMETHOD-106612Solderability10SEC245±5℃ANSI/J-STD-B10 2-EJKS’S TSS SMA Series-4-Features◆Bi-directional crowbar transient voltage protection◆High surge capability◆High off-state impedance◆Low leakage current◆Low on-state voltage◆Short-circuit failure mode DO-214AC(SMA)Main ApplicationELA’s thyristor surge protector devices are designed to help protect sensitive telecommunication equipment from the hazards caused by lighning,power contact,and power induction.These devices enable equipment to comply with various regulatory requirements including GR1089,ITU K.20,K.21and K.45,IEC 60950,UL60950,and TIA-968-A(formerly known as FCC Part68).Typical application including:●Central office switching equipment.Analog and digital linecards(xDSL,T1/E1,ISDN……)●Customer Premises Equipment(CPE)such as phones,fax machines,modems,POSterminals,PBX systems and caller ID adjunct boxes.●Primary protection modules including Main Distribution Frames(MDF),buildingentrance equipment and station protection modules.●Access network equipment such as remote terminals,linerepeaters,multiplexers,cross-connects,WAN equipment,Network Interface Devices(NID).●Data lines and security systems.●CATV line amplifiers and power inserters.●Sprinkler systems.Electrcal Characteristics(Tamb=25℃)-5--6-General Notes:◆All measurements are made at an ambient temperature of 25℃.Ipp applies to -40℃through +85℃temperature range.◆Special voltage(VBO and VDRM)and holding current(IH)requirements are available up onrequest.◆Off-state capacitance (C O )is measured at 1MHz with a 2V bias and is typical value.Electrical Parameters (Tamb=25℃)Part NumberVDRM IDRM VBO IBO VT IT `IH CO Min.Max.Max.Max.Max.Max.Min.Max.V uA V mA V A mA pF P0080TA 65258004 2.25050P0300TA 255408004 2.25070P0640TA 585778004 2.215050P0720TA 655888004 2.215050P0900TA 755988004 2.215045P1100TA 9051308004 2.215045P1300TA 12051608004 2.215045P1500TA 14051808004 2.215040P1800TA 17052208004 2.215040P2000TA 180******** 2.215040P2300TA 19052608004 2.215035P2600TA 22053008004 2.215035P3100TA 27553508004 2.215030P3500TA 32054008004 2.215030P3800TA 36054608004 2.215025P4200TA 400554080042.215025-7-SymbolParameterSymbolParameterV DRMStand-off voltage,is measured at IDRMI H Holding current I DRMLeakage current,is measured at VDRMI TON-state current V BO Breakover voltage,is measured at 100V/μsV TOn-state voltage I BOBreadover currentC OOff-state capacitance ismeasured in V DC =2V@1M HZSurge RatingsSeriesI PP2x10µs AmpsI PP 8x20µs Amps I PP 10x160µs Amps I PP 10x560µs Amps I PP10x1000µs Amps I TSM 60Hz Amps di/dt Amps/µs A15015090504520500Thermal ConsiderationsElectrical Characteristics CurvesPackage SMA(DO-214AC)Symbol Parameter Value Unit T J Operating Junction Temperature-40to +150℃T S Storage Temperature Range -40to +150℃R θJAJunction to Ambient on printedcircuit90℃/WFigure1V-I Characteristics Figure2tr x td Pulse Wave-formFigure3Normalized V S Change versus Figure4Normalized DC Holding Current Junction Temperature versus Case TemperatureProduct DimensionsB-8-Dime-nsionInches Millimeters M IN M AX M IN M AXA0.0980.114 2.50 2.90B0.1880.208 4.80 5.28C0.0550.062 1.40 1.60D0.1570.181 4.00 4.60E0.0300.0600.76 1.52F0.0780.096 2.00 2.44H0.0800.104 2.051 2.643 Summary of Packing OptionsPackage Type Description PackingQuantityIndustryStandardDO-214AC(SMA)Embossed CarrierReel Pack5000PCS EIA-481-D JKS’S TSS SMB Series-9-Features◆Bi-directional crowbar transient voltage protection◆High surge capability◆High off-state impedance◆Low leakage current◆Low on-state voltage◆Short-circuit failure mode DO-214AA(SMB)Main ApplicationELA’s thyristor surge protector devices are designed to help protect sensitive telecommunication equipment from the hazards caused by lighning,power contact,and power induction.These devices enable equipment to comply with various regulatory requirements including GR1089,ITU K.20,K.21and K.45,IEC 60950,UL60950,and TIA-968-A(formerly known as FCC Part68).Typical application including:●Central office switching equipment.Analog and digital linecards(xDSL,T1/E1,ISDN……)●Customer Premises Equipment(CPE)such as phones,fax machines,modems,POSterminals,PBX systems and caller ID adjunct boxes.●Primary protection modules including Main Distribution Frames(MDF),buildingentrance equipment and station protection modules.●Access network equipment such as remote terminals,linerepeaters,multiplexers,cross-connects,WAN equipment,Network Interface Devices(NID).●Data lines and security systems.●CATV line amplifiers and power inserters.●Sprinkler systems.Electrcal Characteristics(Tamb=25℃)-10--11-General Notes:◆All measurements are made at an ambient temperature of 25℃.Ipp applies to -40℃through +85℃temperature range.◆Special voltage(VBO and VDRM)and holding current(IH)requirements are available up onrequest.◆Off-state capacitance (C O )is measured at 1MHz with a 2V bias and is typical value.Electrical Parameters (Tamb=25℃)PartNumberVDRMIDRM VBO IBO VT IT `IH CO Min.Max.Max.Max.Max.Max.Min.Max.V uA V mA V A mA pFA B C P0080S_65258004 2.2505075100P0300S_255408004 2.2507075100P0640S_585778004 2.21505065100P0720S_655888004 2.21505065100P0900S_755988004 2.2150456090P1100S_9051308004 2.2150456090P1300S_12051608004 2.2150456090P1500S_14051808004 2.2150406085P1800S_17052208004 2.2150406085P2000S_180******** 2.2150406085P2300S_19052608004 2.2150355580P2600S_22053008004 2.2150355080P3100S_27553508004 2.2150304565P3500S_32054008004 2.2150304065P3800S_36054608004 2.2150254045P4200S_400554080042.2150254045-12-SymbolParameterSymbolParameterV DRM Stand-off voltage,is measured at IDRMI DRMLeakage current,is measured atVDRM I H Holding currentI T ON-state current V BO Breakover voltage,is measured at 100V/μs C OOff-state capacitance ismeasured in VDC=2V@1MHZI BOBreadover currentV TOn-state voltageSurge RatingsSeries I PP2x10µs Amps I PP 8x20µs Amps I PP 10x160µs Amps I PP 10x560µs Amps I PP10x1000µs Amps I TSM 60Hz Amps di/dt Amps/µs A 15015090504520500B 2502502502008030500C50040020015010050500Thermal ConsiderationsElectrical Characteristics CurvesPackage SMB(DO-214AA)Symbol Parameter Value Unit T J Operating Junction Temperature -40to +150℃T S Storage TemperatureRange -40to +150℃R θJAJunction to Ambient on printed circuit90℃/WFigure1V-I Characteristics Figure2tr x td Pulse Wave-formFigure3Normalized V S Change versus Figure4Normalized DC Holding Current Junction Temperature versus Case TemperatureProduct Dimensions-13--14-Dime-n sion Inches Millimeters M IN M AX M IN M AX A 0.1340.155 3.40 3.94B 0.2050.22 5.21 5.59C 0.0750.083 1.90 2.11D 0.1660.185 4.22 4.70E 0.0360.0560.91 1.42F 0.0730.087 1.85 2.2G 0.0020.0080.050.20H 0.0770.094 1.95 2.40J 0.0430.053 1.09 1.35K 0.0080.0140.200.35L0.0390.0490.991.24Summary of Packing OptionsPackage Type DescriptionPacking QuantityIndustry StandardDO-214AA(SMB)Embossed CarrierReel Pack3000PCSEIA-481-DJKS’S TSS TO-92SeriesAC DB H KEJFLG.079(2.0).079(2.0)0.110(2.8)Features◆Bi-directional crowbar transient voltage protection◆High surge capability◆High off-state impedance◆Low leakage current◆Low on-state voltage◆Short-circuit failure mode TO-92Main ApplicationELA’s thyristor surge protector devices are designed to help protect sensitive telecommunication equipment from the hazards caused by lighning,power contact,and power induction.These devices enable equipment to comply with various regulatory requirements including GR1089,ITU K.20,K.21and K.45,IEC 60950,UL60950,and TIA-968-A(formerly known as FCC Part68).Typical application including:●Central office switching equipment.Analog and digital linecards(xDSL,T1/E1,ISDN……)●Customer Premises Equipment(CPE)such as phones,fax machines,modems,POSterminals,PBX systems and caller ID adjunct boxes.●Primary protection modules including Main Distribution Frames(MDF),buildingentrance equipment and station protection modules.●Access network equipment such as remote terminals,linerepeaters,multiplexers,cross-connects,WAN equipment,Network Interface Devices(NID).●Data lines and security systems.●CATV line amplifiers and power inserters.●Sprinkler systems.Electrcal Characteristics(Tamb=25℃)-15--16-General Notes:◆All measurements are made at an ambient temperature of 25℃.Ipp applies to -40℃through +85℃temperature range.◆Special voltage(VBO and VDRM)and holding current(IH)requirements are available up onrequest.◆Off-state capacitance (C O )is measured at 1MHz with a 2V bias and is typical value.Electrical Parameters (Tamb=25℃)PartNumberVDRMIDRM VBO IBO VT IT `IH CO Min.Max.Max.Max.Max.Max.Min.Max.V uA V mA V A mA pFA B C P0080E_65258004 2.2505075100P0300E_255408004 2.2507075100P0640E_585778004 2.21505065100P0720E_655888004 2.21505065100P0900E_755988004 2.2150456090P1100E_9051308004 2.2150456090P1300E_12051608004 2.2150456090P1500E_14051808004 2.2150406085P1800E_17052208004 2.2150406085P2000E_180******** 2.2150406085P2300E_19052608004 2.2150355580P2600E_22053008004 2.2150355080P3100E_27553508004 2.2150304565P3500E_32054008004 2.2150304065P3800E_36054608004 2.2150254045P4200E_400554080042.2150254045-17-SymbolParameterSymbolParameterV DRM Stand-off voltage,is measured at IDRMI DRMLeakage current,is measured atVDRM I H Holding currentI T ON-state current V BO Breakover voltage,is measured at 100V/μs C OOff-state capacitance ismeasured in VDC=2V@1MHZI BOBreadover currentV TOn-state voltageSurge RatingsSeries I PP2x10µs Amps I PP 8x20µs Amps I PP 10x160µs Amps I PP 10x560µs Amps I PP10x1000µs Amps I TSM 60Hz Amps di/dt Amps/µs A 15015090504520500B 2502502502008030500C50040020015010050500Thermal ConsiderationsElectrical Characteristics CurvesPackage SMB(DO-214AA)Symbol Parameter Value Unit T J Operating Junction Temperature -40to +150℃T S Storage TemperatureRange -40to +150℃R θJAJunction to Ambient on printed circuit90℃/WFigure1V-I Characteristics Figure2tr x td Pulse Wave-formFigure3Normalized V S Change versus Figure4Normalized DC Holding Current Junction Temperature versus Case TemperatureProduct Dimensions-18--19-Summary of Packing OptionsPackage Type DescriptionPacking QuantityIndustry StandardDO-214AA(SMB)Buck Pack2000PCSN/AJKS’S TSS DO-41/15/27SeriesDime-n sion Inches Millimeters M IN M AX M IN M AX A 0.1760.1964.47 4.98B 0.512.7D 0.0950.105 2.41 2.67E 0.15 3.81F 0.0460.054 1.16 1.37G 0.1350.145 3.43 3.68H 0.0880.096 2.23 2.44J 0.1760.186 4.47 4.73K 0.0880.096 2.23 2.44L 0.0130.0190.330.48M 0.0130.0170.330.43N0.06 1.52Features◆Bi-directional crowbar transient voltage protection◆High surge capability◆High off-state impedance◆Low leakage current◆Low on-state voltage◆Short-circuit failure mode DO-41/15/27Main ApplicationELA’s thyristor surge protector devices are designed to help protect sensitive telecommunication equipment from the hazards caused by lighning,power contact,and power induction.These devices enable equipment to comply with various regulatory requirements including GR1089,ITU K.20,K.21and K.45,IEC 60950,UL60950,and TIA-968-A(formerly known as FCC Part68).Typical application including:●Central office switching equipment.Analog and digital linecards(xDSL,T1/E1,ISDN……)●Customer Premises Equipment(CPE)such as phones,fax machines,modems,POSterminals,PBX systems and caller ID adjunct boxes.●Primary protection modules including Main Distribution Frames(MDF),buildingentrance equipment and station protection modules.●Access network equipment such as remote terminals,linerepeaters,multiplexers,cross-connects,WAN equipment,Network Interface Devices(NID).●Data lines and security systems.●CATV line amplifiers and power inserters.●Sprinkler systems.Electrcal Characteristics(Tamb=25℃)-20--21-General Notes:◆All measurements are made at an ambient temperature of 25℃.Ipp applies to -40℃through +85℃temperature range.◆Special voltage(VBO and VDRM)and holding current(IH)requirements are available up onrequest.◆Off-state capacitance (C O )is measured at 1MHz with a 2V bias and is typical value.Electrical Parameters (Tamb=25℃)PartNumberVDRMIDRM VBO IBO VT IT `IH CO Min.Max.Max.Max.Max.Max.Min.Max.V uA V mA V A mA pFA B C P0080L_65258004 2.2505075100P0300L_255408004 2.2507075100P0640L_585778004 2.21505065100P0720L_655888004 2.21505065100P0900L_755988004 2.2150456090P1100L_9051308004 2.2150456090P1300L_12051608004 2.2150456090P1500L_14051808004 2.2150406085P1800L_17052208004 2.2150406085P2000L_180******** 2.2150406085P2300L_19052608004 2.2150355580P2600L_22053008004 2.2150355080P3100L_27553508004 2.2150304565P3500L_32054008004 2.2150304065P3800L_36054608004 2.2150254045P4200L_400554080042.2150254045-22-SymbolParameterSymbolParameterV DRM Stand-off voltage,is measured at IDRMI DRMLeakage current,is measured atVDRM I H Holding currentI T ON-state currentV BO Breakover voltage,is measured at 100V/μs C OOff-state capacitance ismeasuredin VDC=2V@1MHZI BOBreadover currentV TOn-state voltageSurge RatingsSeries I PP2x10µs Amps I PP 8x20µs Amps I PP 10x160µs Amps I PP 10x560µs Amps I PP10x1000µs Amps I TSM 60Hz Amps di/dt Amps/µs A 15015090504520500B 2502502502008030500C50040020015010050500Thermal ConsiderationsElectrical Characteristics CurvesPackage DO-41/15/27Symbol Parameter Value Unit T J Operating Junction Temperature -40to +150℃T S Storage TemperatureRange -40to +150℃R θJAJunction to Ambient on printed circuit70℃/WFigure1V-I Characteristics Figure2tr x td Pulse Wave-formFigure3Normalized V S Change versus Figure4Normalized DC Holding Current Junction Temperature versus Case TemperatureProduct Dimensions-23--24-DO-41DimensionInchesMillimetersNOTEMINMAX MIN MAX A 0.1660.205 4.10 5.20B 0.0800.107 2.00 2.70ΦC 0.0280.0340.700.90ΦD1.00025.40DO-15DimensionInches MillimetersNOTEMINMAXMINMAXA 0.2300.300 5.807.60B 0.1040.140 2.60 3.60ΦC 0.0260.0340.700.90ΦD1.00025.40Product DimensionsCBDDA-25-DO-27DimensionInchesMillimetersNOTEMINMAX MINMAX A 0.3709.50B 0.250 6.40ΦC 0.0480.0521.20 1.30ΦD1.00025.40Summary of Packing OptionsPackage Type DescriptionPacking Quantity Industry StandardDO-41/15/27Tape and ReelPackDO-41DO-15DO-27N/A 5000PCS4000PCS1200PCSCBDDA。