半导体放电管检测及测试方法
半导体放电管检测及测试方法1(精)
半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据1.1 YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》1.2 YD/T694—2004《总配线架》1.3 GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件2.1 对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2 在标准大气条件下进行试验2.2.1 温度：15～35℃2.2.2 相对湿度：45％～47％2.2.3 大气压力：86～106Ｋpa所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃相对湿度：45％～47％大气压力：86～106Ｋpa在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3 按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法3.1 外形检查3.1.1 要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2 金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3 外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4 产品标志应清晰耐久3.1.5 包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用3.2 直流击穿电压测试3.2.1 用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1 半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
半导体器件测试原理和方法
通态伏安特性（ITM ~ VTM）
差异仅是通态峰值电流至额定通态平均电流值的4、5倍以上； 通常我们给出的是 Tjm下的，下面给出25℃和Tjm二条伏安特性。 我们知道元件的压降由三部分组成：
PN结压降 呈现负温度系数，体压降，接触压降呈 现正温度系数 当 Tj升高，I较小时， PN结压降起主要作用，∴高 温压降比常温小； I大时，体压降、接触压降起主导作用，高温压降 比常温大。 因此我们可以看到伏安特性随结温而变化，并 且总有一个交点。
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断态电压临界上升率 （电压上升法）
当S合上，恒流源就以一恒定直流向电容C充电，电容两端电压就以直 线上升，形成线性的dv/dt，改变充电电流和电容就改变dv/dt值，即 dvc/dt = I/C。二极管D和可调直流电源UD组成电压限幅电路，当电容 电压充至 > UD时，电容电压就通过D向UD放电，即保持电容电压不 变，增加dv/dt值至电压波形突然下降，未降前的dv/dt即为所测值。
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R1 ， R2……R6 为阻值可调的不锈钢水冷电阻，被试元件 DUT1……DUT6 用水 冷散热器。 当触点J1……J6闭合时，变压器B1，B2，B3原边接上三相380 V电源，∴付边 a0，b0，c0顺时针相位差120°轮流得电，当A0为正时DUT1导通，当a0为负时 DUT2导通，调R1，R2使各回路电流基本一致。检测壳温上升到某一温度时，断 开J1……J6，变压器B1……B3原边断电，付边电流为零。元件通水冷却，至壳温 降到某一温度时，J1……J6闭合，元件冷却水切断，元件开始通电升温。升温冷 却一次算一次循环，循环次数由循环计数器自动记录。
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高温阻断
项目4-半导体二极管的检测与识别
电子元器件检测与识别
半导体是制作晶体二极管、晶体三极管、 场效应管和集成电路的材料。 导电机理不同于其它物质的特点：掺杂性、热敏 性和光敏性 ①半导体的电阻率随着温度的升高而下降，即 温度升高，半导体的导电能力增强。 ②半导体的导电能力受掺入杂质的影响显著， 即在半导体材料中掺入微量杂质（特定的元素）， 电阻率下降，导电能力增强。 ③半导体的导电能力随着光照强度的增强而增 强。
项目实施方法与步骤
【项目实施目标】
（1）熟悉各种二极管的类型和形状。 （2）熟悉各种二极管的规格和用途。 （3）掌握用万用表检测二极管的方法。
电子元器件检测与识别
【项目实施器材】
（1）电子产品：功率放大器若干台，两人配备一台。 （2）各种类型、不同规格的新二极管若干。 （3）各种类型、不同规格的已经损坏的二极管若干（可到 电子产品维修部寻找）。 （4）每两个人配备指针式万用表和数字式万用表各一只。。
电子元器件检测与识别
几个名词
半导体硅元素和锗元素的单个原子都是 4价元素，其原子结构为相对稳定的共价健 结构。所以在室温下有少数的价电子可以 从原子的热运动中获得能量，挣脱共价健 的束缚，成为带负电荷的自由电子；在原 来的位置上留下一个带正电荷的空位，这 个空位称为空穴。在本征半导体中自由电 子和空穴是成对出现的称为电子－空穴对。
电子元器件检测与识别
空穴
+4
+4
自由电子
+4
+4 束缚电子
电子元器件检测与识别
本征半导体的导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。
+4
+4
+4
+4
在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。
半导体光电二极管的实验测量
半导体光电二极管伏安特性的实验测定实验目的1．熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法2．了解音频信号光纤传输系统的结构及选配各主要部件的原则3．学习分析集成运放电路的基本方法4．训练音频信号光纤传输系统的调试技术实验仪器OE—A型光电二极管伏安特性测试仪，光纤传输系统（光纤绕盘、两端都为双通道的耳机插头线一根），电阻箱（2个），导线实验原理系统的组成图（1）给出了一个音频信号直接光强调制光纤传输系统的结构原理图，它主要包括由LED及其调制、驱动电路组成的光信号发送器、传输光纤和由光电转换、I—V变换及功放电路组成的光信号接收器三个部分。
光源器件LED的发光中心波长必须在传输光纤呈现低损耗的0.85μｍ、1.3μｍ或1.5μｍ附近，本实验采用中心波长0.85μｍ附近的GaAs半导体发光二极管作光源、峰值响应波长为0.8～0.9μｍ的硅光二极管（SPD）作光电检测元件。
为了避免或减少谐波失真，要求整个传输系统的频带宽度能够覆盖被传信号的频谱范围，对于语音信号，其频谱在300～3400Hz的范围内。
由于光导纤维对光信号具有很宽的频带，故在音频范围内，整个系统的频带宽度主要决定于发送端调制放大电路和接收端功放电路的幅频特性。
此电路的工作原理如下：音频信号经IC1放大电路传到LED调制电路。
W2调节发光管LED工作（偏置）电流，音频电流调制此工作电流，并经LED转换成音频调制的光信号，经光纤传至光电二极管SPD 再复原成原始音频电流信号，经由IC2构成的I—V变换电路转换成电压信号，最后通过功率放大电路输出声音功率信号，推动扬声器发出声音。
这样就完成了音频信号通过光纤的传输过程。
二、半导体发光二极管的驱动、调制电路本实验采用半导体发光二极管 LED作光源器件.音频信号光纤传输系统发送端LED的驱动和调制电路如图（2）示，以BG1为主构成的电路是LED的驱动电路，调节这一电路中的W2可使LED的偏置电流在0—20mA的范围内变化。
半导体二极管的识别与检测
半导体二极管的识别与检测半导体二极管的识别与检测一、实验目的1.熟悉半导体二极管的外形及引脚识别方法。
2.熟悉半导体二极管的类别、型号及主要性能参数。
3.学习万用表的使用，掌握万用表判别半导体二极管好坏的方法。
二、实验器材万用表一只，不同规格、类型的半导体二极管若干。
三、实验内容1.学习使用万用表。
2.熟悉各种半导体器件的外形。
3.半导体二极管的识别。
4.用万用表判别普通二极管极性及质量好坏。
四、实验步骤1.万用表使用方法及注意事项（1）机械零位调整：使用前应首先检查指针是否在零位，若不在零位，调整零位调整器，使指针调至零位。
（2）正确连接表笔：红表笔应插入标有“+”的插孔，黑表笔插入“-”的插孔。
测直流电流和直流电压时，红表笔连接被测电压、电流的正极，黑表笔接负极。
用欧姆挡“Ω”判断二极管的极性时，注意“+”插孔是接表内电池的负极，“-”插孔是接表内电池的正极。
（3）测量电压时，万用表应与被测电路并联；测量电流时，要把被测电路断开，将万用表串联接在被测电路中。
注意：测量电流时应估计被测电流的大小，选择正确的量程，MF500型的保险丝为0.3A～0.5A，被测电流不能超过此值。
某些万用表有10A的档位，可以用来测量较大电流。
（4）量程转换：应先断电，绝对不容许带电换量程；根据被测量放在正确的位置，切不可使用电流挡或欧姆挡测电压，否则会损坏万用表。
（5）合理选择量程挡：测量电压、电流时，应使表针偏转至满刻度的1/2或2/3以上；测量电阻时，应使表针偏转至中心刻度附近（电阻挡的设计是以中心刻度为标准的）。
测交流电压、电流时，注意被测量必须是正弦交流电压、电流，而被测信号的频率也不能超过说明书上的规定。
测10V以下的交流电压时，应该用10V专用刻度标识读数，它的刻度是不等距的。
（6）测电阻时，应先进行电表调零。
方法是将两表笔短路，调节“调零”旋钮使指针指在零点（注意欧姆的零刻度在表盘的右侧）。
如调不到零点，说明万用表内电池电压不足，需要更换新电池。
半导体发光二极管LED的测试方法
34技术应用T echnology and application半导体发光二极管（LED,light emitting diode ）是一种新型的发光体，具有电光转换效率高、体积小、寿命长、电压低，节能、环保等优点，是下一代理想的照明器件。
LED 光电测试是检验LED 光电性能的重要手段，相应的测试结果是评价和反映当前我国LED 产业发展水平的依据。
文章结合有关LED 测试方法的国家的相关标准，介绍了LED 光电性能测试的几个主要方面。
半导体发光二极管LED 的测试方法沈光地 北京光电子技术实验室主任半导体发光二极管（L E D）已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、车载光源、大屏幕显示、背光源等场合，白光L E D技术也不断地发展，L E D在照明领域的应用越来越广泛。
过去，对于L E D的测试没有较全面的国家标准和行业标准，在生产实践中只能以相对参数为依据，不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大，导致国内L E D 产业的发展受到很大影响。
结合国内外关于L E D测试方法的各种标准，基于L E D各个应用领域的实际需求，本文从电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等方面进行了介绍。
LED 的发光原理1955年，美国无线电公司（R a d i o Corpor of America Rubin Braunstein）发现了砷化鎵G a A s与及其他半导体合金的红外线放射作用。
而 1962年美国通用电气公司（GE Nick Holonyak Jr）则开发出可见光的L E D。
不过，L E D真正的起飞是 1990 年代白光 LED出现后，才开始渐渐被重视，而应用面越来越广。
L E D具备二极管的特性，是一种可以将电能转化为光能的电子零件，也就是具备一正极一负极，L E D最特别的地方在于只有从正极通电才是会发光，故一般给予直流电时，L E D会稳定地发光，但如果接上交流电，L E D会呈现闪烁的型态，闪亮的频率依据输入交流电的频率而定。
电子技术项目化教程-半导体管测试
二极管的好坏 判别,可用如 下方法：
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。但若正向电阻太 大或反相电阻太小，表明二极管的检波与整流效率不高。 若正向电阻无穷大 （表针不动），说明二极管内部断路； 若反相电阻接近零，表明二极管已击穿。内部断开或击穿 的二极管均不能使用。 值得注意的是：数字式万用表的电阻档不宜检查二极管。 为什么？ 因为数字式万用表电阻档所提供的测试电流太小，而二极 管属于非线性元件，正、反向电阻与测试的电流有很大关 系，因此测出来的电阻与正常值相差很大，难以判定。
指针式万用表
注意事项：
红表笔是(表内)负极，黑表笔是(表内)正极。 在 R 1 k 挡进行测量。 测量时手不要接触引脚。
1k
1k
CE B
CE B
数字万用表
1. 可直接用电阻挡的 的好坏。
挡，分别测量判断两个结
2. 插入三极管挡(hFE)，测量 值或判断管型及管脚。
注意事项：
• 红表笔是(表内电源)正极； 黑表笔是(表内电源)负极。
• NPN 和 PNP 管分别按 EBC 排列插入不同的孔。
• 需要准确测 根据电路工作要求选择高、低频管。 2. 根据电路工作要求选择 PCM、 ICM 、 U(BR)CEO，
应保证：
PC > PCm
ICM > ＩCm
U(BR)CEO > VCC
2、硅整流二极管（2CZ52B-H）（2CZ53C-K）
3.硅稳压二极管（2CW52-57，2DW230）
三二：极二极管管的的选用选知用识：技巧：
• 点接触型二极管由于接触面点小，不能通过大电流， 故只适合用于小电流整流，又因为接触点小，所以极间
半导体式检测仪使用方法
半导体式检测仪使用方法全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：半导体式检测仪使用方法在现代科技的发展和应用中，半导体式检测仪起着举足轻重的作用。
它能够帮助我们准确、高效地检测各种材料的性能、结构和组分，为科学研究、医学诊断、环境监测等领域提供重要支持。
对于初次使用半导体式检测仪的人来说，可能会觉得操作复杂，不知从何入手。
下面将介绍一下关于半导体式检测仪的使用方法，希望对大家有所帮助。
一、准备工作在使用半导体式检测仪之前，首先需要对仪器本身进行一些准备工作。
确认仪器的电源已经连接，并处于正常工作状态。
然后，检查仪器的探头是否安装牢固，探头外部是否有损坏，以及连接线是否完好。
打开仪器的开关，等待仪器进行自检，确保一切正常后再进行操作。
二、调整参数在使用半导体式检测仪时，需要根据实际需要调整一些参数，以确保检测结果的准确性和可靠性。
首先是选择合适的检测模式，根据被测物质的性质和检测目的选择合适的检测模式。
其次是设置检测范围和灵敏度，根据被测物质的浓度和要求，选择合适的检测范围和灵敏度。
最后是校准仪器，根据需要对仪器进行校准，确保检测结果的准确性。
三、实施检测在调整参数完成后，就可以进行实际的检测工作了。
将仪器的探头对准被测物质，确保探头和被测物质的接触良好。
然后，按下检测按钮，开始进行检测。
在检测过程中，注意观察仪器的显示，根据显示结果进行分析和判断。
注意检测过程中可能出现的异常情况，如高温、湿度等，及时处理。
四、分析结果在检测完成后，需要对检测结果进行分析和判断。
首先是对检测数据进行处理，根据需求对数据进行整理和分析。
然后是对检测结果进行解读，根据实际情况进行判断，并做出相应的处理和决策。
最后是将检测结果记录下来，保存在合适的地方，方便日后查阅和对比。
五、维护保养在使用半导体式检测仪过程中，需要注意对仪器的维护保养工作。
首先是定期清洁仪器，保持仪器的清洁和干燥。
其次是定期校准仪器，确保仪器的稳定性和准确性。
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半导体放电管检测要求及测试方法
1 本要求遵循的依据
1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》
1.2YD/T694—1999《总配线架》
1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》
2 测试前准备及测试环境条件
2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2在标准大气条件下进行试验
2.2.1温度：15～35℃
2.2.2相对湿度：45％～75％
2.2.3大气压力：86～106Ｋpa
所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：
温度：25±5℃
相对湿度：45％～75％
大气压力：86～106Ｋpa
在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法
3.1外形检查
3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4产品标志应清晰耐久
3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用
3.2直流击穿电压测试
3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
3.2.3试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。
试验电路如图1、图2所示。
图 1 电压上升速率的范围
a) 电压上升速率为100KV/S
注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。
图 2 最高限制电压测试电路
3.2.4
大值，用发生器提供100 KV／S的斜角波电压，回路电流通过监测1KΩ电阻上的压降来确定。
图 3 不动作电压测试电路
3.2.5
数据区间：U＋3S≤260，U－3S≥99.7%。
3.3绝缘电阻或漏电流测试
用绝缘电阻测试仪对已经上几项试验并合格的试样测试其两极间的绝缘电阻，与测试无关的端子应悬浮放置，测试时按表３规定的直流测试电压，正负极性各测试一次，绝缘电阻的值应在稳定之后或加电压1min后读取，测试结果应达到国标一等品的要求：极间绝缘电阻值应≥1000MΩ。
表 3 绝缘电阻或漏电流
注：复测是指破坏性试验后进行的测试。
3.4极间电容测试
极间电容应在半导体管的任意两个端子之间测试，所有与测试无关的端子应连接到测试设备的接地端子上。
测试频率应为１MHZ，测试电压应为0.5V（有效值），半导体管任意两个极之间的电容量应小于200pF。
3.5冲击恢复时间测试
试验电路如图4所示。
试验使用的冲击电流发生器短路电流波形应为10/100μS或10/700μS，峰值为25A，开路电压应不低于1KV，冲击电流极性应和直流电源相同，正负极性交替试验各进行2次，试验间隔时间为20s，样品应在30ms内恢复到高阻状态。
PS1—恒定电压源 R2—模拟回路电阻的可选电阻器E1—隔离放电间隙或等效装置 R3—直流限流电阻
C1—模拟应用条件的可选电容器 D1—隔离二极管
R1—冲击限流电阻或波形形成网络
图 4 冲击恢复时间试验电路
3.6电流变化率效应测试
试验电路如图5所示。
半导体管上施加的冲击电流变化率（di/dt）最大值应落在25A/μs～30A/μs的范围内，正负极性各试验一次，间隔时间应不
小于30s，半导体管上的电压应不大于400V，试验后复测绝缘电阻或漏电流应符合表3的要求。
PS—1KV直流电源，满载情况下，负载波纹和输出调整应不大于3.0% R1—50KΩ充电限流电阻 C—1.0μF充电电容器（非电解）
S—放电启动开关 R2—放电限流电阻（20Ω）
L—放电回路总电感，约20μH至20μH
注：为了得到25至30A/μS的电流上升速率，放电回路电感可能需要调整，在进行试验前先用短路线替代样品进行调整。
图 5 电流变化率试验电路
3.7 耐电流能力测试
试验电路如图6、图7所示。
半导体管的冲击电流和工频电流承受能力应根据表4所列的试验项目、电流等级、试验次数和间隔时间进行试验。
冲击电流试验的开路电压峰值应不低于1KV，试验应按正负极性交替进行。
工频电流实验电流应由有效值为40V的工频电源和限流电阻组成，调整限流电阻使其短路电流分别符合表4的短路电流等级。
表4耐电流能力
注：冲击电流的试验次数为正负极性试验的总次数。
3.8失效模式测试
向半导体管施加短路电流波形为8/20μs、峰值为10A的冲击电流，正负极性各冲击一次，间隔时间1min，试验后半导体管的失效模式应呈短路或低阻状态。
4 合格质量水平AQL及逐批检查计数抽样示例表
批量N：10000只以下按２.３条款执行，10000只以上按下表执行。