半导体测试技术实践
半导体教学实验教案模板
一、实验名称：（例如：半导体PN结特性研究）二、实验目的：1. 理解半导体的基本特性。
2. 掌握PN结的形成原理和特性。
3. 学习使用半导体测试仪器进行实验操作。
4. 分析实验数据，加深对半导体物理知识的理解。
三、实验原理：（简要介绍实验涉及的物理原理和理论基础）四、实验仪器与材料：1. 半导体测试仪2. 信号发生器3. 示波器4. 测量电阻5. 测试架6. 硅二极管7. 氮化镓二极管（可选）8. 实验指导书五、实验步骤：1. 仪器准备：- 检查所有实验仪器是否正常工作。
- 连接好测试架，确保电路连接正确。
2. 实验测量：- 将硅二极管和氮化镓二极管（如有）分别接入测试仪。
- 调整信号发生器，输出不同频率和幅值的正弦波。
- 通过测试仪测量二极管的正向和反向电流，记录数据。
- 使用示波器观察二极管的伏安特性曲线。
3. 数据分析：- 分析不同电压和频率下二极管的电流变化。
- 比较硅二极管和氮化镓二极管的伏安特性差异。
4. 实验报告：- 撰写实验报告，包括实验目的、原理、步骤、结果和分析。
六、实验注意事项：1. 在操作过程中，注意安全，避免触电和烫伤。
2. 调整信号发生器时，注意避免输出过大的电压和电流。
3. 实验过程中，保持电路连接的稳定性。
4. 实验结束后，关闭所有仪器，整理实验台。
七、实验报告模板：1. 实验目的2. 实验原理3. 实验步骤4. 实验数据记录与分析- 不同电压下硅二极管的正向和反向电流- 不同电压下氮化镓二极管的正向和反向电流- 伏安特性曲线对比分析5. 实验结论6. 讨论与改进7. 实验心得八、教学评估：1. 实验操作规范性2. 数据记录与分析能力3. 实验报告质量4. 对半导体物理知识的理解程度九、教学反思：（教师对实验教学效果的反思和改进建议）---本模板可根据具体实验内容和要求进行调整和补充，以确保实验教学的有效性和学生学习的积极性。
半导体行业中的最佳实践与经验分享
半导体行业中的最佳实践与经验分享在快速发展的科技领域中，半导体行业一直扮演着关键角色。
半导体是电子设备中最为重要的组成部分之一，其性能和质量直接影响着整个电子产品的表现。
为了在竞争激烈的市场中保持竞争力，半导体企业需要积极采用最佳实践和经验分享，不断提高自身的技术和管理水平。
一、技术创新在半导体行业中，技术创新是企业取得成功的关键。
半导体企业需要持续地投资研发，寻求新的材料和工艺技术，以提高产品的性能和可靠性。
同时，半导体企业还应积极与其他行业进行合作，共享技术和资源。
技术创新的实施需要企业建立良好的研发体系，吸引和培养优秀的科研人才，并与高等院校、科研机构等建立紧密的合作关系。
二、质量管理半导体产品的质量是企业信誉和市场竞争力的体现。
半导体企业需建立科学的质量管理体系，确保产品符合国际标准和客户要求。
在生产过程中，企业应严格控制原材料的采购和进货质量，加强工艺参数的控制和产品测试环节的监管。
此外，半导体企业还应积极借鉴其他行业的质量管理经验，不断改进自身的质量管理体系，提高产品的一次性合格率和可靠性。
三、供应链管理半导体行业的供应链管理是企业成功的关键因素之一。
半导体企业需与供应商建立长期稳定的合作关系，共同制定完善的采购合同和供货协议。
企业应加强对供应商的管理和监督，确保供应商的产品质量和交付能力。
同时，企业还应掌握市场需求的信息，及时调整采购计划和库存水平，降低供应链的风险和成本。
四、人才培养半导体行业是一个高度专业化和技术密集的行业，人才的培养是企业可持续发展的关键。
半导体企业需建立健全的人才培养机制，重视员工的专业技能培训和职业发展规划。
企业还应积极吸引优秀的毕业生和在职人才，提供有竞争力的薪酬和福利待遇，搭建合理的晋升通道和培训平台，为员工提供广阔的发展空间。
五、市场拓展半导体行业具有广泛的应用领域，企业需要积极拓展市场，寻求新的业务机会。
企业可以通过参加国内外的专业展会和会议，与客户和合作伙伴建立更紧密的联系；可以投资建立研发中心和销售办事处，以更好地了解和满足客户的需求；还可加强与相关行业的合作，共同开发新产品和应用。
半导体实习报告4篇_工作报告
半导体实习报告4篇为期第三个月的实习结束了，我在这三个月的实习中学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，受益非浅。
现在我就对这个月的实习做一个工作小结。
实习是每一个大学毕业生必须拥有的一段经历，他使我们在实践中了解社会，让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，也打开了视野，长了见识，为我们以后进一步走向社会打下坚实的基础。
实习使我开拓了视野，实习是我们把学到的理论知识应用在实践中的一次尝试。
实习时把自己所学的理论知识用于实践，让理论知识更好的与实践相结合，在这结合的时候就是我们学以致用的时候，并且是我们扩展自己充实自己的时候。
实习期间，我利用此次难得的机会，努力工作，严格要求自己，遇到不懂的问题就虚心地向师傅们请教，搞清原理，找到方法，然后再总结经验，让自己能很快融入到工作中去，更好更快的完成任务。
同时我也利用其他时间参考一些书籍、搜索一些材料来完善自己对策划管理工作的认识，这也让我收获颇多，让我在应对工作方面更加得心应手。
矽格公司是在1997年经历千辛万苦独立出来自主经营的公司，已经有十三多年的发展历史，以成为集研制、生产、销售、技术培训于一体，拥有高精度电脑控制机械加工中心等全套加工设备的大型专1 / 8业包装设备制造厂。
目前主要生产驱动类集成ic与光电鼠标等，产品包括：自动和半自动轮转循环，机械有d/b与w/b，这些机械都是日本、美国高科技的技术。
具有高精度、高效率、先进的自动模切机、dbing机、wbing机等。
该半导体厂的组织机构设置很简练。
主要是总经理——副总经理——主管管理各个部门。
由于矽格公司的设备很先进，在生产线上不会像往常的工厂那样满布工人，主要是某三五个人负责工作流程。
这对我了解该工厂的生产流程提供了方便。
该厂生产的ic依据季节可以算得上的需求稳定，是属于定单供货型的生产。
由于产品的质量要求和技术含量要求都很高，因此，生产周期也比较长，单次产品需求的数量也不大。
同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。
半导体基础实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除半导体基础实验报告篇一：半导体物理实验报告电子科技大学半导体物理实验报告姓名：艾合麦提江学号：20XX033040008班级：固电四班实验一半导体电学特性测试测量半导体霍尔系数具有十分重要的意义。
根据霍尔系数的符号可以判断材料的导电类型；根据霍尔系数及其与温度的关系，可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可确定材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量．能够确定我流子的迁移约用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。
霍尔效应是半导体磁敏器件的物理基础。
1980年发现的量子霍尔效应对科技进步具有重大意义。
早期测量霍尔系数采用矩形薄片样品．以及“桥式”样品。
1958年范德堡提出对任意形状样品电阻率和霍尔系数的测量方法，这是一种有实际意义的重要方法，目前已被广泛采用。
本实验的目的使学生更深入地理解霍尔效应的原理，掌握霍尔系数、电导率和迁移率的测试方法，确定样品的导电类型。
一、实验原理如图，一矩形半导体薄片，当沿其x方向通有均匀电流I，沿Z方向加有均匀磁感应强度的磁场时，则在y方向上产生电势差。
这种想象叫霍尔效应。
所生电势差用Vh表示，成为霍尔电压，其相应的电场称为霍尔电场ey。
实验表明，在弱磁场下，ey同J（电流密度）和b成正比ey=RhJb（1）式中Rh为比例系数，称为霍尔系数。
在不同的温度范围，Rh有不同的表达式。
在本征电离完全可以忽略的杂质电离区，且主要只有一种载流子的情况，当不考虑载流子速度的统计分布时，对空穴浓度为p的p型样品Rh?1?0（2）pq式中q为电子电量。
对电子浓度为n的n型样品Rh??1?0nq（3）当考虑载流子速度的统计分布时，式（2）、（3）应分别修改为??h?1??h?1Rh??Rh???pqnq??p??n（4）式中μh为霍尔迁移率。
μ为电导迁移率。
对于简单能带结构??h?（5）h??h?p??nγh称为霍尔因子，其值与半导体内的散射机制有关，对晶格散射γh=3π/8=1.18;对电离杂质散射γh=315π/512=1.93,在一般粗略计算中,γh可近似取为1.在半导体中主要由一种载流子导电的情况下，电导率为?n?nq?n和?p?pq?p（6）由（4）式得到Rh?ph?p和Rh?nh?n（7）测得Rh和σ后，μh为已知，再由μ（n，T）实验曲线用逐步逼近法查得μ，即可由式（4）算得n或p。
半导体研发实验报告
一、实验目的1. 了解半导体材料的基本性质和制备方法；2. 掌握半导体器件的基本原理和制备技术；3. 提高半导体器件性能，优化制备工艺；4. 培养团队协作和创新能力。
二、实验原理半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电子特性。
在半导体材料中，电子和空穴的浓度较低，但通过掺杂、能带弯曲、复合等机制，可以实现对电子和空穴的调控，从而实现半导体器件的功能。
本实验主要研究半导体材料的制备和器件制备技术。
实验内容包括：1. 半导体材料的制备：通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法，制备高纯度、高均匀性的半导体薄膜；2. 半导体器件的制备：采用光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积等方法，制备半导体器件；3. 器件性能测试：通过半导体参数测试仪等设备，测试器件的电学、光学、热学等性能。
三、实验步骤1. 实验一：半导体材料制备（1）选择合适的半导体材料，如硅、锗等；（2）采用CVD或PVD等方法，制备高纯度、高均匀性的半导体薄膜；（3）对薄膜进行表征，如透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等。
2. 实验二：半导体器件制备（1）设计器件结构，如PN结、MOS器件等；（2）采用光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积等方法，制备半导体器件；（3）对器件进行表征，如扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）等。
3. 实验三：器件性能测试（1）使用半导体参数测试仪等设备，测试器件的电学、光学、热学等性能；（2）分析器件性能，优化制备工艺；（3）撰写实验报告，总结实验结果。
四、实验结果与分析1. 实验一：制备的半导体薄膜具有高纯度、高均匀性，薄膜厚度、掺杂浓度等参数满足器件制备要求。
2. 实验二：制备的半导体器件结构完整，表面光滑，器件性能满足设计要求。
3. 实验三：测试的器件性能良好，电学、光学、热学等参数均达到预期目标。
通过对器件性能的分析，发现以下问题：（1）器件制备过程中，存在一定程度的缺陷，如针孔、台阶等；（2）器件性能受制备工艺、材料等因素影响较大。
半导体材料_实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 熟悉半导体材料的性质，掌握半导体材料的制备方法。
2. 学习使用四探针法测量半导体材料的电阻率和薄层电阻。
3. 掌握半导体材料霍尔系数和电导率的测量方法。
4. 了解太阳能电池的工作原理，并进行性能测试。
二、实验原理1. 半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率，其电导率受温度、掺杂浓度等因素影响。
本实验所用的半导体材料为硅（Si）。
2. 四探针法：四探针法是一种测量半导体材料电阻率和薄层电阻的常用方法。
通过测量电流在半导体材料中流过时，电压的变化，可以得到材料的电阻率和薄层电阻。
3. 霍尔效应：霍尔效应是一种测量半导体材料霍尔系数和电导率的方法。
当半导体材料中存在磁场时，载流子在运动过程中会受到洛伦兹力的作用，导致载流子在垂直于电流和磁场的方向上产生横向电场，从而产生霍尔电压。
4. 太阳能电池：太阳能电池是一种将光能转化为电能的装置。
本实验所用的太阳能电池为硅太阳能电池，其工作原理是光生电子-空穴对在PN结处分离，产生电流。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：四探针测试仪、霍尔效应测试仪、太阳能电池测试仪、数字多用表、温度计等。
2. 实验材料：硅（Si）半导体材料、太阳能电池等。
四、实验步骤1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在四探针测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算电阻率和薄层电阻。
2. 霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在霍尔效应测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算霍尔系数和电导率。
3. 太阳能电池性能测试（1）将硅太阳能电池放置在太阳能电池测试仪上。
（2）按照仪器操作步骤进行测试，记录实验数据。
（3）计算太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数。
五、实验结果与分析1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻根据实验数据，计算得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻分别为：ρ =0.3Ω·m，Rt = 0.1Ω。
重庆大学 半导体测试技术-实验一
实验一高频光电导法测量硅中少子寿命一、实验目的与意义非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。
其测量方法主要有稳态法和瞬态法。
高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程，测得其寿命。
本实验通过采用高频光电导衰退法测量高阻硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，使学生学会用高频光电导测试仪和示波器测量半导体少子寿命。
二、实验原理半导体在一定温度下，处于热平衡状态。
半导体内部载流子的产生和复合速度相等。
电子和空穴的浓度一定，如果对半导体施加外界作用，如光、电等，平衡态受到破坏。
这时载流子的产生超过了复合，即产生了非平衡载流子。
当外界作用停止后，载流子的复合超过产生，非平衡少数载流子因复合而逐渐消失。
半导体又恢复平衡态。
载流子的寿命就是非平衡载流子从产生到复合经历的平均生存时间，以τ来表示。
下面我们讨论外界作用停止后载流子复合的一般规律。
当以恒定光源来照射一块均匀掺杂的n型半导体时，将在半导体内部均匀地产生非平衡载流子Δn和Δp。
设在t=0时刻停止光照，则非平衡载流子的减少-dΔp/dt应等于非平衡载流子的复合率Δp（t）/τ（1/τ为非平衡载流子的复合几率。
）即-dΔp/dt=Δp（t）/τ（1-1）在小注入条件下，τ为常量与Δp（t）无关，这样由初始条件：Δp（0）=（Δp）0可解得：Δp（t）=（Δp）0e-t/τ（1-2）由上式可以看出：1、非平衡载流子浓度在光照停止后以指数形式衰减，Δp（∝）=0,即非平衡载流子浓度随着时间的推移而逐渐消失。
2、当t=τ时，Δp（τ）=（Δp）0/e。
即寿命τ是非平衡载流子浓度减少到初始值的1/e倍所经过的时间。
因此，可通过实验的方法测出非平衡载流子对时间的指数衰减曲线，由此测得寿命值τ。
高频光电导衰减法测量原理如图1所示，样品两端以电容耦合的方式与高频振荡源的输出和检波器的输入端相连接。
其等效电路如图2所示。
半导体教学实验报告
一、实验目的1. 了解半导体材料的基本特性。
2. 学习半导体器件的基本原理和结构。
3. 掌握半导体器件的测试方法。
4. 培养学生的动手能力和实验技能。
二、实验原理半导体材料是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。
本实验主要研究半导体二极管和晶体管的特性。
1. 半导体二极管：二极管是一种具有单向导电特性的半导体器件。
其正向导通时，正向电压达到一定值后，电流迅速增大；反向截止时，反向电压增加，电流几乎为零。
2. 晶体管：晶体管是一种放大器件，具有电流放大作用。
本实验主要研究晶体管的电流放大特性。
三、实验仪器与材料1. 仪器：万用表、信号发生器、示波器、半导体二极管、晶体管（NPN和PNP 型）、电阻、电容等。
2. 材料：实验电路图、实验数据记录表等。
四、实验步骤1. 半导体二极管特性测试（1）搭建实验电路，如图1所示。
（2）使用万用表测量二极管的正向电压和反向电压。
（3）观察并记录二极管的正向导通和反向截止特性。
2. 晶体管放大特性测试（1）搭建实验电路，如图2所示。
（2）使用信号发生器产生一定频率和幅值的正弦波信号。
（3）使用示波器观察输入信号和输出信号的变化。
（4）调节电阻值，观察晶体管的电流放大特性。
五、实验数据与分析1. 半导体二极管特性测试（1）正向电压：Vf = 0.7V（2）反向电压：Vr = 20V（3）二极管导通和截止特性符合理论分析。
2. 晶体管放大特性测试（1）输入信号：频率f = 1kHz，幅值Vp-p = 1V（2）输出信号：频率f = 1kHz，幅值Vp-p = 10V（3）晶体管放大倍数：A = Vp-p_out / Vp-p_in = 10六、实验结论1. 本实验成功验证了半导体二极管和晶体管的基本特性和工作原理。
2. 通过实验，加深了对半导体器件的理解，提高了动手能力和实验技能。
七、实验反思1. 在实验过程中，需要注意实验仪器的使用方法和注意事项。
2. 在搭建实验电路时，要严格按照电路图进行，确保电路连接正确。
半导体实习报告
半导体实习报告一、实习背景与目的随着科技的飞速发展，半导体行业在全球范围内持续崛起，逐渐成为现代信息社会的基础。
作为一名电子工程专业的学生，我有幸在过去的六个月里在一家领先的半导体公司进行了实习。
这次实习的主要目的是了解半导体制造的全过程，熟悉关键工艺和设备，以及与工程师们一起参与解决生产中的实际问题。
二、实习经历在这半年的实习期间，我参与了半导体制造的多个环节。
我参与了新产品的导入项目。
通过这个项目，我深入了解了半导体产品的设计和制造流程，包括前期的研发和后期的封装测试。
在产品的设计阶段，我学习了如何使用专业软件进行电路设计和仿真，如何优化设计以降低功耗和提高性能。
接着，我参与了生产过程中的质量控制。
在这个环节中，我了解了如何通过统计过程控制（SPC）和其它质量工具来监控生产过程并确保产品质量。
我还参与了一些故障排除工作，通过与工程师们的合作，我学习到了如何分析和解决生产过程中的问题。
我还参观了公司的晶圆厂和封装测试车间。
在这里，我深入了解了半导体制造的各个环节，包括晶圆制造、薄膜沉积、光刻、刻蚀、封装和测试等。
这些环节的复杂性和对细节的度给我留下了深刻的印象。
三、实践学习与技能提升通过这次实习，我不仅了解了半导体制造的全过程，还在实践中学习了很多实用的技能。
我学会了使用专业的半导体设计软件进行电路设计和仿真。
我还学习了如何使用SPC工具进行质量控制和故障排除。
我还提高了自己的团队协作能力和解决问题的能力。
四、总结与展望这次实习让我深刻地了解了半导体制造的全过程，并让我有机会将理论知识应用到实际工作中。
我不仅学习了很多实用的技能，还提高了自己的团队协作能力和解决问题的能力。
这次实习的经历让我更加坚定地选择了半导体行业作为我的职业发展方向。
展望未来，我希望能够在半导体行业中继续深入学习和实践。
我将继续提高自己的专业技能，包括电路设计、制造工艺和质量控制等。
我将积极参与行业内的培训和研讨会，以保持对新技术和新趋势的了解。
电子技术实验--半导体器件的测试实验
半导体器件的测试实验实验组号__ __学号姓名实验日期成绩____ ___指导教师签名一、实验目的学会用万用表测试二极管、三极管的性能好坏，管脚排列。
二、实验器材1.万用表1只（指针式）。
2.二极管、三极管若干。
三、注意事项：1.选择合适的量程，使万用表指针落在万用表刻度盘中间的位置为佳。
2.测试电阻前应先调零。
3.测量时不要同时用手接触元件的两个引脚。
4.测量完毕时应将万用表的转换开关转向off位置或交流最高电压档。
5.不能用万用表测试工作中的元件电阻！四、实验内容1.半导体二极管的测试◆半导体二极管的测试要点：用指针式万用表测二极管的正反向电阻，当测得阻值较小的情况下，黑笔所接的极是二极管的正极。
（1）整流二极管的测试将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表1中。
（2将万用表置于R⨯10kΩ电阻档并调零，测量二极管的正、反向电阻，判断其极性和性能好坏，把测量结果填入表2中。
2.半导体三极管的测试◆半导体三极管的测试要点：将万用表置于R⨯100Ω或R⨯1kΩ电阻档并调零。
①首先判基极和管型•黑笔固定某一极，红笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，黑笔所接的极是基极，所测的晶体管是NPN管。
•红笔固定某一极，黑笔分别测另两极，当测得两个阻值均较小时，红笔所接的极是基极，所测的晶体管是PNP管。
②其次判集电极和发射极•对于NPN管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），黑笔接假设的集电极，红笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，黑笔所接的是集电极，另一电级是发射极•对于PNP管：用手捏住基极和假设的集电极（两极不能短接），红笔接假设的集电极，黑笔接假设的发射极，观察所测电阻的大小。
然后将刚才假设的集电极和发射极对调位置，再重测一次，当测得电阻值较小时，红笔所接的是集电极，另一电级是发射极。
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半导体测试技术实践总结报告一、实践目的半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。
学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。
同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。
另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。
二、实践安排（含时间、地点、内容等）实践地点：西安西谷微电子有限责任公司实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效三、实践过程和具体内容西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。
1、认识半导体及测试设备在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。
这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。
在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。
芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。
商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。
芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。
一些常用的封装形式如下表：DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料PGA： Pin Grid Array 管脚阵列BGA： Ball Grid Array 球栅阵列SOP： Small Outline Package 小型外壳TSOP： Thin Small Outline PackageTSSOP：Thin Shrink Small Outline Package (this one is really getting small!) SIP： Single Inline Package 单列直插SIMM： Single Inline Memory Modules (like the memory inside of a computer) QFP： Quad Flat Pack (quad indicates the package has pins on four sides) TQFP： Thin version of the QFPMQFP： Metric Quad Flat PackMCM： Multi Chip Modules (packages with more than 1 die (formerly called hybrids)1.1 自动测试设备随着集成电路复杂度的提高，其测试的复杂度也随之水涨船高，一些器件的测试成本甚至占到了芯片成本的大部分。
大规模集成电路会要求几百次的电压、电流和时序的测试，以及百万次的功能测试步骤以保证器件的完全正确。
要实现如此复杂的测试，靠手工是无法完成的，因此要用到自动测试设备（ATE，Automated Test Equipment）。
ATE是一种由高性能计算机控制的测试仪器的集合体，是由测试仪和计算机组合而成的测试系统，计算机通过运行测试程序的指令来控制测试硬件。
测试系统最基本的要求是可以快速且可靠地重复一致的测试结果，即速度、可靠性和稳定性。
为保持正确性和一致性，测试系统需要进行定期校验，用以保证信号源和测量单元的精度。
当一个测试系统用来验证一片晶圆上的某个独立的晶片的正确与否，需要用ProbeCard来实现测试系统和晶片之间物理的和电气的连接，而ProbeCard和测试系统内部的测试仪之间的连接则通过一种叫做“Load board”或“Performance board”的接口电路板来实现。
在CP测试中，Performance board和Probe card一起使用构成回路使电信号得以在测试系统和晶片之间传输。
当晶片封装出来后，它们还要经过FT测试，这种封装后的测试需要手工将一个个这些独立的电路放入负载板（Load board）上的插座（Socket）里，这叫手工测试（hand test）。
一种快速进行FT测试的方法是使用自动化的机械手（Handler），机械手上有一种接触装置实现封装引脚到负载板的连接，这可以在测试机和封装内的晶片之间提供完整的电路。
机械手可以快速的抓起待测的芯片放入测试点（插座），然后拿走测试过的芯片并根据测试pass/fail的结果放入事先定义好的相应的Bin区。
1.2 数字和模拟电路过去，在模拟和数字电路设计之间，有着显著的不同。
数字电路控制电子信号，表现为逻辑电平“0”和“1”，它们被分别定义成一种特殊的电压分量，所有有效的数字电路数据都用它们来表示，每一个“0”或“1”表示数据的一个比特（bit）位，任何数值都可以由按照一定顺序排列的“0”“1”比特位组成的二进制数据来表示，数值越大，需要的比特位越多。
每8个比特一组构成一个Byte，数字电路中的数据经常以Byte为单位进行处理。
不同于数字信号的“0”“1”界限分明（离散），模拟电路时连续的——在任何两个信号电平之间有着无穷的数值。
模拟电路可以使用电压或电流来表示数值，我们常见的也是最常用的模拟电路实例就是运算放大器，简称运放。
为帮助理解模拟和数字电路数值的基本差别，我们可以拿时钟来比方。
“模拟”时钟上的指针连续地移动，因此所有的任一时间值可以被观察者直接读出，但是所得数值的准确度或者说精度取决于观察者认知的程度。
而在“数字”时钟上，只有最小增量以上的值才能被显示，而比最小增量小的值则无法显示。
如果有更高的精度需求，则需要增加数据位，每个新增的数据位表示最小的时间增量。
有的电路里既有数字部分也有模拟部分，如AD转换器（ADC）将模拟信号转换成数字信号，DA转换器（DAC）则相反，我们称之为“混合信号电路”（Mixed Signal Devices）。
另一种描述这种混合电路的方法则基于数字部分和模拟部分占到电路的多少：数字部分占大部分而模拟部分所占比例较少归于数字电路，反之则归于模拟电路。
1.3 测试系统的种类一般认为测试系统都是通用的，其实大部分测试系统的设计都是面向专门类型的集成电路，这些专门的电路包括：存储器、数字电路、模拟电路和混合信号电路；每种类型下还可以细分成更多种类，我们这里只考虑这四种类型。
a 存储器件类我们一般认为存储器是数字的，而且很多DC测试参数对于存储类和非存储类的数字器件是通用的，虽然如此，存储器的测试还是用到了一些独特的功能测试过程。
带内存的自动测试系统使用一种算法模式生成器（APG，algorithmic pattern generator）去生成功能测试模型，使得从硬件上生成复杂的功能测试序列成为可能，这样我们就不用把它们当作测试向量来保存。
存储器测试的一些典型模型包括：棋盘法、反棋盘法、走0、走1、蝶形法，等等……APG在器件的每次测试时生成测试模型，而不带内存的测试系统将预先生成的模型保存到向量存储区，然后每次测试时从中取出数据。
存储器测试通常需要很长的测试时间去运行所要求的测试模型，为了减少测试成本，测试仪通常同时并行测试多颗器件。
b 模拟或线形器件类模拟器件测试需要精确地生成与测量电信号，经常会要求生成和测量微伏级的电压和纳安级的电流。
相比于数字电路，模拟电路对很小的信号波动都很敏感，DC测试参数的要求也和数字电路不一样，需要更专业的测试仪器设备，通常会按照客户的选择在设计中使用特殊的测试仪器甚至机架。
模拟器件需要测试的一些参数或特性包括：增益、输入偏移量的电压和电流、线性度、通用模式、供电、动态响应、频率响应、建立时间、过冲、谐波失真、信噪比、响应时间、窜扰、邻近通道干扰、精度和噪声。
c 混合信号器件类混合信号器件包括数字电路和模拟电路，因此需要测试系统包含这两部分的测试仪器或结构。
混合信号测试系统发展为两个系列：大部分数字电路测试结构、少量模拟测试结构的系列，被设计成用于测试以数字电路为主的混合信号器件，它能有效地进行DC参数测试和功能测试，但是仅支持少量的模拟测试；大部分模拟电路测试结构、少量数字测试结构的系列，相反，能够精确地测试模拟参数而在功能测试上稍逊风骚。
d 数字电路器件类仅含有数字逻辑的电路器件可使用数字电路测试系统来完成测试，这些测试系统之间在价格、性能、尺寸、可选项上有着明显的不同。
低端的测试机被用来测试低价格或者低性能的低端产品，通常是些管脚少、复杂度低的器件；一般运行于低于20MHz的时钟频率，且只能存储少量的测试向量；用于小规模（SSI）或中规模（MSI）集成电路的测试。
高端的测试机则是速度非常快（时钟频率高）、测试通道非常多的测试系统；时钟频率通常会达到400MHz，并能提供1024个测试通道；拥有高精度的时钟源和百万bit位的向量存储器。
它们被用于验证新的超大规模（VLSI）集成电路，但是昂贵的成本阻碍了他们用于生产测试。
而半导体测试工业普遍使用的是中高端的测试设备，它们拥有较好的性价比，在对测试成本非常敏感的半导体测试行业，这无疑是非常重要的。
这类测试设备多运行在50-100MHz，提供256个测试通道，通常带有一些可选的配置。
为了控制测试成本，谨慎地选择能满足器件测试需求的测试设备是非常重要的，选择功能相对于我们器件的测试要求过于强大的测试系统会使得我们的测试成本居高不下，而相反的选择会造成测试覆盖率不够；找到设备功能和成本之间的平衡是测试成本控制本质的要求。
1.4 测试负载板(LoadBoard)测试负载板是一种连接测试设备的测试头和被测器件物理和电路接口，被固定在针测台（Probe）、机械手（Handler）或者其他测试硬件上，其上的布线连接测试机台内部信号测试卡的探针和被测器件的管脚。
在CP测试中，负载板连接ProbeCard；在手工测试中，我们将Socket固定在负载板上；而在FT的生产测试中，我们将其连接到Handler. 因为测试机在物理和电气上需要与多种类型的设备连接、锁定，因而Loadboard的类型和款式也是多种多样。