《检测技术》半导体存储器及其应用
光电检测技术与应用-5半导体光电检测器件应用2
Φ
D1
D3
D5 A
K D2 D4 D6 RL I Φ U0
倍增极的结构形式：
a) 百叶窗式 b) 盒栅式
c) 直瓦片式
d) 圆瓦片式
二、光电倍增管 结构和工作原理：
阴极通常由逸出功较小的锑铯(se)或钠钾锑铯的薄膜组成. • 阴极接负高压； • 各倍增极的加速电压由直流高压电源经分压电阻分压供给；
一、光电管
（2）光电管的光谱特性 一般对于不同光电阴极材料的光电管，它们有不同的哄 限频率。因此他们可用于不同的光谱范围。而且，同一光电管 对于不同频率的光的灵敏度不同。
四、光电管
（3）光电管的光照特性
当光电管的阳极和阴极之间所加的
电压一定是，光通量与光电流之间的关 系称为光电管的光照特性。 曲线1表示氧铯阴极光电管的光照特 性，光电流与光通量成线性关系； 曲线2表示锑铯阴极的光电管光照特 性，它呈非线性关系。光照特性曲线的
I 1 I 0 L X A 2L
３ L L
I0
P型层电流I1、I2：
N型层电流I0：
I 1 I 0
L X A 2L
X A
I 2 I 1 L I 2 I 1
29
四、光电位置敏感器件（PSD）
• PSD分为一维PSD和二维PSD。
• 一维PSD可以测定光点的一维位置坐标；
二维PSD可测光点的平面位置坐标。
达林顿管常用于功率放大器和稳压电源中。
晶闸管： 是四层三端器件，是 PNPN四层半导体结构。
17
三、光电耦合器件
被 测 物 体 发 光 器 件 光 敏 器 件
+
C
E
槽式光电耦合传感器应用
槽式光电耦合传感器示意图
半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备与流程
半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备与流程半导体器件是现代电子技术中最基础和最重要的零部件之一、它在现代社会中的地位越来越重要，被广泛应用于电子设备、计算机、通信和能源等各个领域。
其制备方法和流程对于其性能和应用也有着决定性的影响。
本文将介绍半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备与流程。
一、半导体器件及其制备方法半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质。
半导体器件是利用半导体材料制造的器件，包括二极管、晶体管、场效应管、光电流传感器等。
半导体器件的制备方法可分为四个步骤：材料制备、器件制备、器件测试和封装。
其中材料制备和器件制备是制备半导体器件的最关键的两个步骤。
材料制备：半导体材料的制备是半导体器件制备的基础。
半导体材料的制备方法有两种：单晶生长和多晶生长。
单晶生长是指通过熔融法或热解法，将半导体材料的原料熔化后，使之形成单晶。
多晶生长则是指先将半导体材料的原料熔化后，然后将溶液注入到晶体生长室，在室内生长出多个晶体。
器件制备：器件制备是将制备好的半导体材料制作成器件的过程。
具体步骤包括薄膜制备、光刻和蚀刻、金属沉积和退火等步骤。
薄膜制备：薄膜制备是利用化学气相沉积、物理气相沉积、溅射等方法，在半导体材料表面上生长一层氧化物薄膜，形成工作电极。
光刻和蚀刻：光刻是将半导体材料表面上的氧化层刻写成所需的形状图案。
蚀刻是将光刻后的图案用化学腐蚀法刻在半导体材料表面上。
金属沉积和退火：金属沉积是在制造器件的过程中，将金属沉积在半导体材料上，通过电化学或物理汽相沉积完成。
金属沉积后，需要进行退火，使金属和半导体材料间形成较好的接触。
二、存储器及电子设备随着电子技术的不断发展，存储器和电子设备的重要性越来越突出，已经成为现代社会中不可或缺的一部分。
存储器是一种用于存储电子信息的电子器件，如DRAM、SRAM、FRAM、ROM等；而电子设备则是利用半导体器件制作的各种电子产品，如手机、电视、电脑等。
半导体存储技术
半导体存储技术标题：半导体存储技术的发展与应用摘要：半导体存储技术是一种用于存储数据的重要技术，它以半导体材料为基础，通过电荷的存储和读取实现数据的存储和检索。
本文将介绍半导体存储技术的发展历程、主要类型、优势特点以及在电子产品中的应用，并展望其未来的发展趋势。
一、引言半导体存储技术是以半导体器件作为储存介质的一种存储技术。
半导体存储器件具有体积小、速度快、功耗低、寿命长等特点，被广泛应用于计算机、移动设备、嵌入式系统、物联网设备等领域。
半导体存储技术的发展已经成为信息存储领域的重要组成部分，对现代科技和电子产业发展有着重要的推动作用。
二、半导体存储技术的发展历程半导体存储技术起源于20世纪60年代，随着集成电路技术的逐渐成熟，最早的半导体存储器件包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
随着半导体制造工艺的不断进步，存储器件的容量逐渐增大，速度提高，功耗降低，成本下降，存储器件种类也逐渐丰富，如闪存存储器、EEPROM、NAND Flash、NOR Flash等，各种类型的半导体存储技术在不同场景下得到广泛应用。
三、主要类型及工作原理1. 静态随机存取存储器(SRAM)：SRAM采用存储器元件的双稳态特性来存储信息，不需要刷新操作，速度快，但占用空间大，功耗较高，主要用于高速缓存等场景。
2. 动态随机存取存储器(DRAM)：DRAM使用电容来存储数据，需要不断刷新以保持数据，具有高集成度和低成本的优势，但速度较慢，主要用于主存储器。
3. 闪存存储器：闪存是一种非易失性存储器，采用浮栅结构存储数据，具有快速读取和擦除、低功耗、体积小等优点，广泛应用于移动设备和嵌入式系统。
4. EEPROM：EEPROM是一种电可擦除可编程只读存储器，具有擦写次数多、功耗低、寿命长等特点，适用于存储小容量数据。
5. NAND Flash和NOR Flash：NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存存储器类型，分别用于不同的应用场景，如NAND Flash适用于大容量数据存储，而NOR Flash适用于快速读取。
Flash Memory技术和应用综述
Flash Memory技术和应用综述余一娇1,2(1 华中师范大学语言学系，武汉，430079)(2 华中科技大学计算机学院 武汉 430074)E-mail: yjyu@摘要： Flash Memory是近十年来应用广泛的一种半导体存储器，它与硬盘、软盘等传统存储介质在原理和工艺方面有很大差异。
本文首先讨论Flash Memory存储卡的分类和区别、NAND模式和NOR模式Flash Memory的差异和性能比较，然后介绍Flash Memory在可移动存储器、消费电子和移动通信设备中的应用。
文中重点讨论了Flash Disk技术和应用，通过与硬盘性能对比，讨论Flash Disk在未来是否会取代硬盘成为最常见的存储设备。
关键词：Flash Memory, Flash Disk, 硬盘, 容量1. 前言自2000年底闪盘(优盘)被发明和应用以来，Flash Memory(该技术在国内常称为Flash)在我国出现的频率迅速增大。
然而作为闪盘中的存储主体Flash Memory其实早在1980年就被日本东芝公司申请专利。
在1984年的国际半导体学术会议上首次发表了关于Flash Memory的科研论文。
最近十年来日益普及的数字移动电话、数码相机、数字摄像机等都已广泛利用Flash Memory作为永久性存储器，只不过由于它封装在设备内部，只有开发商和设计人员直接接触、了解它而已。
随着优盘的普及，Flash Memory正在被越来越多的普通用户熟悉和关注。
二十多年的发展过程中，Flash Memory 技术经过了多次变革和发展。
但其变化的总体趋势一直都是：存储容量越来越大、数据读写速度越来越快、性能价格比越来越高。
本文是一篇综述性的论文，它致力于回顾Flash Memory技术的发展历程、介绍它最新的发展状态和应用领域。
作为手机、消费电子中几乎是唯一的永久性存储设备，文中对此进行了详细的介绍和分析。
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器是一种电子设备，用于存储计算机和其他电子设备中的数据。
它是一种非易失性存储器，意味着即使断电也可以保持存储的数据。
本文将对半导体存储器进行概述，包括其基本工作原理、不同类型的半导体存储器以及其在计算机和其他应用中的主要用途。
半导体存储器的基本工作原理是根据半导体上存储器细胞的电荷状态来存储和检索数据。
在半导体存储器中，每个存储器单元称为位（bit）。
位是最小的存储单元，由一个晶体管和一个电容器组成。
晶体管可用于控制电荷的读取和写入，而电容器可用于储存电荷，从而表示存储的数据。
RAM 是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中存储的数据将丢失。
然而，RAM 具有快速和随机访问数据的能力，适用于计算机内存。
RAM 可以分为静态RAM（Static RAM，SRAM）和动态RAM（Dynamic RAM，DRAM）两类。
SRAM使用了多个晶体管来构成每个存储单元，能够存储数据的时间更长，但相应地也需要更多的面积。
因此，SRAM内存更快但价格更昂贵，通常用于高速缓存和寄存器文件等需要快速访问的应用。
DRAM使用一个传输线和一个电容来存储一个位。
传输线用于读取和写入数据，电容用于存储电荷。
由于电容器电荷会逐渐泄漏，DRAM需要经常刷新来保持存储的数据，所以在功耗和速度上相对较差。
然而，DRAM的密度更高，价格更低，通常用于计算机的主存储器。
ROM是一种只能读取的存储器，用于存储程序和数据，无法修改。
ROM是非易失性存储器，意味着断电后其中存储的数据不会丢失。
几种常见的ROM包括PROM、EPROM和EEPROM。
PROM（Programmable Read Only Memory）是一种在制造时没有写入数据的 ROM，可以通过电气操作编程或擦除。
EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一种可以擦除和重新编程的 ROM，需要 UV 紫外线擦除器来擦除数据。
半导体存储器及其应用
存储器构造框图
存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器 如：1K容量存储器，有10根地址线。 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。
双向译码 X、Y方向 各为32根译码输出线 和驱动器， 总共需要64根译码线 和64个驱动器。
静态RAM Intel 2114 Intel 2114 容量 1k×4位
PROM：可编程ROM
顾客可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入
写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改
写。
１、熔丝型ＰＲＯＭ旳构成：
由镍铬熔丝等构成 ２、熔丝型ＰＲＯＭ旳编程写入
出厂时，全部位均为“０”
编程写入：用过电流将要写
“１” 旳位旳熔丝熔断。
３、“读”工作原理 字线被选中，有(无)熔丝旳位
程序存储器旳工作方式-2716(见P110)
EPROM2716 工作方式真值表
/CE /OE VPP D0~D7 方式
0 0 +5V 输出
读
× 1 +5V 高阻 未选中
1 × +5V 高阻
维持
正脉 冲1
+25V
输入
编程
0 0 +25V 输出 编程校验
0 1 +25V 高阻 编程禁止
注：VPP为编程脉冲，可觉得 +5V,+12.5v,+21V,+25V等
第五章 半导体存储器及其应用
5-1 半导体存储器旳分类 5-2 随机存取存储器RAM 5-3 只读存储器ROM 5-4 CPU与存储器旳连接 5-5 MCS-51存储器旳扩展
5.1 半导体存储器旳分类
ห้องสมุดไป่ตู้ 1. 随机存取存储器RAM (Random Access Memory)
光电检测技术和实际应用半导体光电检测器件实际应用
光
向N区，光生空穴被留在P区。 I N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。P N
光电检测技术和实际应用半导体光光电池的工作原理示意图
电检测器件实际应用
1.2. 光电池的特性参数 (1)光照特性：
光电检测技术和实际应用半导体光 电检测器件实际应用
2 光敏电阻特性参数
2.5. 温度特性
光敏电阻受温度影响较大： 当温度升高时，它的暗电阻会
下降。 温度变化对光谱特性有很大影响：
光谱温度特性曲线的峰值随着 温度上升向波长短的方向移动。
为了提高精度、为了能接受远 红外光而采取降温措施。
光电检测技术和实际应用半导体光 电检测器件实际应用
采用光敏电阻控制的路灯自动控制电路
光电检测技术和实际应用半导体光 电检测器件实际应用
3 光敏电阻的应用
晚上光线很暗，CdS 光敏电阻阻值很大，流过J的电流很小，使 继电器J不动作，路灯接通电源点亮。
早上，天渐渐变亮，即照度逐渐增大，CdS光敏电阻受光照 后，阻值变小，流过J的电流逐渐增大，当照度达到一定值时， 流过继电器的电流足以使J动作，使其闭合，其常闭触点断开， 路灯熄灭。
Isc /mA
Uoc/V
0.5
开路电压
0.4
0.3
0.3
短路电流 0.2
0.1
0.1
01 2 3 4 5 L/klx
(b) 硒光电池
当照度为2000lx时趋向饱和
光电检测技术和实际应用半导体光 电检测器件实际应用
1.2. 光电池的特性参数
光电池在不同照度下，其内阻也不同。
I/mA
光电检测技术在半导体工业中的应用
光电检测技术在半导体工业中的应用随着半导体工业的不断发展，光电检测技术在其中扮演着重要的角色。
光电检测技术是将光电转换器与检测仪器相结合，实现对物质品质、形态、颜色等多个方面的检测技术。
在半导体工业中，光电检测技术应用广泛，可以用于半导体芯片的制作、测试和封装等多个环节。
本文将从光电检测技术的优点、应用案例等方面来探讨光电检测技术在半导体工业中的应用。
一、光电检测技术的优点光电检测技术拥有以下几个优点：1、非接触性检测：由于光电检测技术采用光电转换器，不会直接接触到被测材料，因此可以非常方便地检测不同形态、不同尺寸、不同材质的物体。
2、高精准度：光电检测技术可以通过调整检测仪器的灵敏度，来获取更高的精准度。
同时，光电检测技术也可以通过数据的精准分析，来精确地判断被测物体的品质、形态等属性。
3、高效率：光电检测技术可以通过自动化控制技术，实现对大批量物体的快速检测。
相比之下，人工检测的速度很慢，且易出现误差。
二、光电检测技术在半导体工业中的应用案例1、半导体芯片制作在半导体芯片制作时，需要对芯片的品质、尺寸、材料等多个方面进行检测。
通过光电检测技术，可以精准地检测芯片表面的缺陷、形变等情况。
例如，可以利用光学显微镜检测芯片表面是否有铜染色、金属界面等问题。
同时，还可以借助光电检测技术对半导体芯片的表面粗糙度、反光性等属性进行检测。
2、半导体芯片测试半导体芯片测试是保证芯片品质的必要环节，它可以检测芯片是否满足规格指标。
在半导体芯片测试中，光电检测技术被广泛应用。
例如，可以利用光电检测技术检测芯片的激光照射、散热等性能。
同时，光电检测技术还可以检测芯片表面的痕迹、缺陷等问题，这对于保证芯片的品质非常重要。
3、半导体芯片封装半导体芯片封装是将芯片放入塑料封装中，以保护芯片且方便使用。
在半导体芯片封装过程中，光电检测技术也被广泛应用。
例如，光电检测技术可以检测封装的密封性、耐热性、耐寒性等属性，以确保芯片具有更长的使用寿命和更好的品质。
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1记录仪 2随机读写存储器RAM 随机读写存储器RAM 3只读存储器ROM 只读存储器ROM 4存储器的连接
笔式记录仪
• 将被测信号和分析结果记录、存储 将被测信号和分析结果记录、 起来，供以后分析、处理、调用， 起来，供以后分析、处理、调用， 是测试工作的重要部分。 是测试工作的重要部分。对那些消 耗大量人力、 耗大量人力、物力的试验和那些难 以预知过程的探索性实验， 以预知过程的探索性实验，客观记 录下被测量的变化过程， 录下被测量的变化过程，显得更为 必要和宝贵。 必要和宝贵。
可动线圈笔式记录仪
可动线圈笔式记录仪
• 可动线圈笔式记录仪的结构原理： 可动线圈笔式记录仪的结构原理： 主要由磁电式检流计、记录笔、 主要由磁电式检流计、记录笔、 记录纸及其传动机构、 记录纸及其传动机构、专用放大 器等几部分组成。 器等几部分组成。其核心部分是 检流计，故又称检流计式笔录仪。 检流计，故又称检流计式笔录仪。
R/W CE Ⅲ A0～12 ～
0000～1011 1111=A000H～ Ⅱ：1010 0000 0000 0000～1011 1111 1111 1111=A000H～BFFFH 1010 Ⅲ：0110 0000 0000 0000～0111 1111 1111 1111=6000H～7FFFH 0110 0000～0111 1111=6000H～
笔式记录仪
• 记录仪器可分为模拟式和数字式两 大类 • 模拟式有笔式记录仪、模拟磁带机、 模拟式有笔式记录仪、模拟磁带机、 电子示波器； 电子示波器； • 数字式有数字存储示波器、数字磁 数字式有数字存储示波器、 带机和无纸记录仪等 • 计算机辅助测试中，显示器、磁盘、 计算机辅助测试中，显示器、磁盘、 打印机均具有记录显示功能。 打印机均具有记录显示功能。
5-2 只读存储器（ROM） 只读存储器（ROM） 3.EPROM：可擦除PROM 3.EPROM：可擦除PROM EPROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后， 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单 元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。 元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。 PN结表面形成浮动栅 用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除， 用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便 可再次改写。 可再次改写。 4.EEPROM：可电擦除PROM 4.EEPROM：可电擦除PROM EEPROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息， 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又 能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。 能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间 RAM 的优点 较长。 较长。
2K× 位存储器系统。 例1用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。 2K×
当地址、片选和读写信号有效，可并行存取8位信息 当地址、片选和读写信号有效，可并行存取 位信息
例2用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 2K× 位存储器芯片组成2K×6位存储器系统。 2K 位存储器系统
D0～7 ～ R/W Ⅰ CE A0～12 ～
D0～7 ～ R/W CE Ⅱ A0～12 ～
D0～7 ～
0～ ABi 15141312 111098 7 6 5 4 3 2 1 0～15141312 111098 7 6 5 4 3 2 1 0 1100 0000～1101 1111=C000H～ Ⅰ：1100 0000 0000 0000～1101 1111 1111 1111=C000H～DFFFH
2．译码片选法 地址译码器： 3-8 地址译码器：74LS138
2．译码片选法 分别连接三片存储器的片选端CE Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 各片存储器芯片分配 地址： 地址： Ⅰ：0000H～1FFFH 0000H～ Ⅱ：2000H～3FFFH 2000H～ Ⅲ：4000H～5FFFH 4000H～
D0～7 ～
D8～15 ～
D0～7 ～ R/W CE A0～10 ～ R/W CE A0～10 ～ R/W CE A0～10 ～ D0～7 ～
地址、片选和读写引线并联后引出， 地址、片选和读写引线并联后引出，数据线并列引出
二.扩充存储器容量
位存储器芯片组成4K× 位存储器系统 位存储器系统。 例用1K×4位存储器芯片组成 ×8位存储器系统。 × 位存储器芯片组成
DB0～n AB0～N ABN+1 R/ W 微型机 D0 ～n A0 ～N CS R/ W 存储器
5-3-1
存储器芯片的扩充
用多片存储器芯片组成微型计算机系统所要求的 存储器系统。 存储器系统。 要求扩充后的存储器系统引出线符合微型计算机 机的总线结构要求。 机的总线结构要求。 一.扩充存储器位数 扩充存储器位数 位存储器系统。 例1用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。 例2用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 2K× 位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 2K 位存储器系统
容量的存储器。 例三片8KB的存储器芯片组成 24KB 容量的存储器。 三片8KB的存储器芯片组成 8KB
D0～7 ～
设CE1、CE2、CE3 R/W 分别连接微型机 CE1 的高位地址总线 A 0～12 ～ AB13、AB14、AB15 确定各存储器 芯片的地址空间： 芯片的地址空间：
CE2 CE3
可动线圈笔式记录仪
• 当被记录的电流信号输入检流计 的线圈时， 的线圈时，在磁场力的作用下线 圈产生偏转， 圈产生偏转，游丝弹簧即产生于 转角成正比的弹性回复力矩， 转角成正比的弹性回复力矩，与 电磁力矩向平衡。 电磁力矩向平衡。
可动线圈笔式记录仪
• 线圈偏转角度与输入电流的幅值 成正比， 成正比，在线圈轴上安装的记录 笔就在记录纸上摆动。 笔就在记录纸上摆动。随着记录 纸的匀速运动， 纸的匀速运动，笔就在纸上描绘 出的曲线反映了被记录的电信号 的变化过程。 的变化过程。
5-1-1
静态RAM 6116、 静态RAM Intel 6116、6264
工作方式 读 写 禁止
CS 0 0 1
OE 0 1 ×
WE 1 0 ×
Di D OUT D IN Z
5-2 只读存储器（ROM） 只读存储器（ROM） 工作时，ROM中的信息只能读出， 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入 中的信息只能读出 (固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 固化信息) 失电后可保持信息不丢失。 1.掩膜ROM：不可改写ROM 1.掩膜ROM：不可改写ROM 掩膜ROM 由生产芯片的厂家固化信息。 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜 工艺写入信息，用户只可读。 工艺写入信息，用户只可读。 2.PROM 可编程ROM PROM： 2.PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连， 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当 加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 不可再次改写。 不可再次改写。
5-2-1
EPROM 2716
5-2-2 EEPROM 2816
5-3 存储器的连接
存储器与微型机三总线的连接： 存储器与微型机三总线的连接： 1．数据线D0～n 数据线D 连接数据总线DB 连接数据总线DB0～n 2．地址线A0～N 地址线A 连接地址总线低位AB0～N。 连接地址总线低位AB 3.片选线CS 3.片选线CS 片选线 连接地址总线高位AB 连接地址总线高位ABN+1。 4．读写线OE、WE(R/W) 读写线OE、 OE 连接读写控制线RD、WR。 连接读写控制线RD、WR。 RD
二．存储器结构框图 存储器内部为双向地址译码， 存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器 如：1K容量存储器，有10根地址线。 1K容量存储器， 10根地址线。 容量存储器 根地址线 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。 1024根译码输出线和驱动器 双向译码 X、Y方向 各为32 32根译码输出线 各为32根译码输出线 和驱动器， 和驱动器， 总共需要64根译码 总共需要64根译码 64 线和64个驱动器。 64个驱动器 线和64个驱动器。
自动平衡笔式记录仪： 自动平衡笔式记录仪：说明
自动平衡笔式记录仪： 自动平衡笔式记录仪：说明
• 磁带记录仪 见多媒体课件
一．半导体存储器的分类
5-1 随机读写存储器
存储器中的信息可读可写，但失电后会丢失信息。 存储器中的信息可读可写，但失电后会丢失信息。 1.双极型： TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。 1.双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。 双极型 电路组成基本存储单元 2.MOS型 2.MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功 CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、 电路组成基本存储单元 耗低。 耗低。 SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信 SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器， RAM 息可长期保存。 息可长期保存。 DRAM动态RAM：使用电容作存储元件，需要刷新电路。 DRAM动态RAM：使用电容作存储元件，需要刷新电路。 动态RAM 集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。 集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。
y = R sin θ
自动平衡式记录仪 • 自动平衡式记录仪是一种精 度比较高的笔式记录仪， 度比较高的笔式记录仪，它 采用闭环零位平衡系统实现 信号的记录。 信号的记录。
自动平衡笔式记录仪
自动平衡笔式记录仪： 自动平衡笔式记录仪：说明
Ur
自动平衡笔式记录仪： 自动平衡笔式记录仪：说明
自动平衡笔式记录仪： 自动平衡笔式记录仪：说明
二.扩充存储器容量
地址线、数据线和读写控制线均并联。 地址线、数据线和读写控制线均并联。 为保证并联数据线上没有信号冲突， 为保证并联数据线上没有信号冲突，必须用片选信号 区别不同芯片的地址空间。 区别不同芯片的地址空间。 片选方法： 片选方法： 1.线选法 1.线选法 微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。 微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。 2．译码片选法 微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。 微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。 多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。 多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。