实训二晶体三极管的输入输出特性测试

（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。 iB f(VBE) VCE10V
（2）求出导通电压Von。
（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻 ： rbe
VBE I B
VCE C
iB
设置功耗电阻为250Ω～1k Ω
ΔIB
o
v ΔVBE
VON
BE
四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应
（4）测量 I C
、 IC
。
I B V百度文库E 5V
I B VCE 5V
设VCE =5V，适当选择和记录IBQ
ebc
1008：NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
I B VCE 5V
iC
△IC IC
△IB
IB 10A IB 8A
IB 4A
IB 2A
VCE =5V
vCE
2．晶体管输入特性的测量
预习情况检查
1. 半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
二、实验原理
1.共射输入特性曲线
以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关
iB0iB1iB2iB3
半 导 体 特 性 图 示 仪
操 集电 作 极电 面源
板
测试台
Y轴
X轴
阶梯电 源
三、实验内容
1．晶体管输出特性的测量
（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。
（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。
（3）测量反向击穿电压 BVCEO（基极开路，功耗电阻取5 kΩ）
坐标。
五、实验器材
系。
iBf(vB E)|vC EC
工程上近似为一
iB
条输入特性曲线
IB1
VCE=1V
IB2
VCE=10V
o
v v ON BE
vBE
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函 数关系曲线。
iCf(vCE)IB常 数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路