模电第四章答案
模拟电子电路第4章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。
随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。
当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。
电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。
4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其nk '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。
求下列情况下的漏极电流：（1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。
(1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。
()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ⎡⎤'=--⎢⎥⎣⎦=1.75mA(2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。
()2D n GS t 12W i k v V L'=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i =(4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区()2D n GS t 12W i k v V L'=-=4mA4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模电第四章标准答案
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电子技术 第四章 答案 査丽斌 习 题 1
习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。
解：'L o o L o R u u R R =∙+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。
解：ii s i s R u u R R =∙+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。
解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第4章
第四章 负反馈放大电路与基本运算电路4.1 反馈放大电路如图P4.1.1所示，已知开环电压增益1000=u A ，电压反馈系数02.0=u F ，输出电压为)( sin 5V t u O ω=试求输入电压i u 、反馈电压f u 和净输入电压id u 。
解：)(sin 51000sin 5mV t t A u u u O id ωω===)(sin 1.005.0sin 5V t t F u u u O f ωω=⨯== )(sin 105mV t u u u f id i ω=+=4.2 放大电路输入的正弦波电压有效值为20mV ，开环时正弦波输出电压有效值为10V ，试求引入反馈系数为0.01的电压串联负反馈后输出电压的有效值。
解：50002.010===i O u U U A3.83650001.050015001==⨯+=+=F A A A u u f V A U U f i O 67.13.8302.0=⨯==4.3 反馈放大电路如图P4.3所示，试指出各电路的反馈元件，并说明是交流反馈还是直流反馈？（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a ）反馈元件：2R 直流电压串联负反馈b ）反馈元件：2R 、C 直流电压串联负反馈c ）反馈元件：2R 、3R 交直流电压并联负反馈d）反馈元件：2R、2A直流电压串联负反馈交直流电压并联正反馈e）反馈元件：E R电流串联负反馈f）反馈元件：B R电压并联负反馈4.4 试分析图P4.4所示各电路中级间反馈是正反馈还是负反馈？若是负反馈，指出反馈类型（设图中所有电容对交流信号均可视为短路）解：a）3R级间交直流电流联并负反馈5R本级交直流电流串联负反馈R本级直流电流串联负反馈2b）2R本级电压串联负反馈4R本级电压并联负反馈R级间电压并联正反馈5c）4R级间电压串联负反馈5R本级电流串联负反馈d）2R、4R本级电压并联负反馈6R级间电流串联正反馈4.5 某负反馈放大电路，其闭环放大倍数为100，且当开环放大倍数变化10﹪时闭环放大倍数的变化不超过1﹪，试求开环放大倍数和反馈系数。
模电课后习题答案4,5,6,8习题
第四章局部习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V 〔BR 〕CEO =30V ，假设它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？假设工作电流I C =1mA ，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 。
4．3．3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。
图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200，故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：〔1〕电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；〔2〕电阻R b 、R e 的值；〔3〕输出电压的最大不失真幅度；〔4〕要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解:〔1〕由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V 。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
模电第四版习题答案
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章本文档是《大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如》第四章的答案总结。
本章主要讲述了模拟电路中的电源和放大器，其中包括电源电路、晶体管放大电路、运放放大器等内容。
通过学习本章，我们可以了解电源的概念和分类、晶体管的基本工作原理、放大器的基本设计与分析方法等。
以下是第四章的答案总结。
4.1 选择题1. 以下哪个不属于电源电路的分类？A. 线性电源B. 开关电源C. 斩波电源D. 数字电源正确答案：D2. 以下关于线性电源的说法正确的是？A. 输入电源和输出电源之间电压差不大B. 可以实现电压变换和电流放大C. 效率高，稳定性好D. 频率范围广正确答案：B3. 晶体管的三个电极分别为：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、集电极、放射极C. 发射极、基极、集电极D. 集电极、发射极、基极正确答案：A4. 以下哪个不是晶体管的工作区间？A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 前向偏置区正确答案：D5. 非饱和区的晶体管具有什么特性？A. 基极电流小，集电极电流接近最大值B. 基极电流大，集电极电流较小C. 基极电流接近最大值，集电极电流接近零D. 基极电流接近零，集电极电流接近最大值正确答案：D4.2 简答题1. 线性电源和开关电源有什么区别？线性电源是通过调整输入电源和输出电源之间的电压差来实现电压变换和电流放大的。
它的优点是稳定性好，频率范围广，但效率较低。
开关电源则是通过开关管的断续开关来实现电平变换，从而实现电压变换和电流放大。
它的优点是效率高，但稳定性较差，且频率范围比较窄。
2. 请简要说明晶体管的工作原理。
晶体管的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
当给晶体管的基极-发射极之间施加正向电压时，使得基区变薄，电子从发射极流入基区，同时形成电子空穴对。
随着电子的注入，电子空穴对逐渐扩散到基区，最终达到发射区。
当注入的电子空穴对到达集电极，集电极就有大量电子空穴对的注入，形成集电流。
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第四章习题解答4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a）P-EMOSFET，开启电压V GSM2V（b）P-DMOSFET，夹断电压V Gsoff （或统称为开启电压V GS Q 2V（c）P-EMOSFET，开启电压V Gsth 4V（d）N-DMOSFET，夹断电压V GS Off （或也称为开启电压V GS Q4V4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。
设漏极电流i D的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出i D的实际方向是流进还是流出？答：（a）P-JFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（b）N-DMOSFET，i°的实际方向为从漏极流进。
（c）P-DMOSFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（d）N-EMOSFET, i D的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的卩n C ox=100y A/V2，V GS（th）=0.8V, W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a）V GS=5V，V DS=1V ; （b）V GS=2V，V DS=1.2V ;（c）V GS=5V，V DS=0.2V; （d）V GS=V DS=5V。
解：已知N-EMOSFET 的n C ox 100 A/V2, V GSth 0.8V W L 10（a）当V GS 5V,V DS 1V 时，MOSFET 处于非饱和状态V°s V GS V GS thI D /2V GS V Gsth V DS V2DS今0.1mA V2 102 5 0.8 1 12 3.7mA（b）当V GS2V,V DS 1.2V 时，J S V GS th 1-2V V DS，MOSFET 处于临界饱和I D i n C ox ¥V GS V GS th 弓0.1叫 2 10 2 0.8 20.72mA（c）当V GS5V,V DS0.2V 时，% V GS th 4.2V V DS，MOSFET 处于I D ； nC oxWL 2V GSV GS th J SV DS4 0.1mA V 2 1025 0.80.2 0.220.82mA(d )当 V GSV DS5V 时,V DSV GSV GS th,MOSFET 处于饱和状态1nC oxWV GS V GS th20.1mA v 2 105 0.8 2 8.82mA4-4 N 沟道 EMOSFET 的 V GS(th)=1V ，卩 n C ox (W/L ) =0.05mA/V 2，V GS =3V 。
求 解：（1）当 V DS 1V 时,由于V GSV GS th3V 1V 2V即 V DS V GSV GS th,N-EMOSFET 工作于非饱和区C n ox辛 2V GS V GS th V DS V DS ? 0.05叫 22 3 11 12（2）当V DS 4V 时，由于V °SV GSV Gs （th ），N-EMOSFET 工作于饱和区 I D I n C °x¥ V GSV GS th2 2舟 0.05mA v 2 3 10.1mA4-5 EMOSFET 的 V A =50V , 多少？每种情况下，当 求EMOSFET 工作在1mA 和10mA 时的输出电阻为V DS 变化10% （即△ V DS /V DS =10%）时，漏极电流变化（4 I D /I D ）为多少?解：（1）当I D 1mA，V A 50V 时V AI?50V1mA50K当 I D 10mA ， V A 50V 时 r V A5ov ro ID 10mA5K非饱和状态V DS 分别为1V 和4V 时的I D 。
0.75mA由于roV DS晋V DS1 D'D I市'D1D VDS V V DS V DS10% V DS10%V DS 10% v 50 VDS0.2%V DS (对扌二种情1 Dro I DV A -V AID1 DA当V DS 变化10%时，即10%V DS VDS况都一样）I DpC ox 半 2V GS V GSth V DS V DS0.08mA V 225 1.512(b ) 当V D 1.5V 时，此时V GDCV 1.5V1.5VV GS thDSV GS V G S th ，P-EMOSFET 处于饱和状态1 D g DS V DS V A V DS 1 D°.2%VDS 1D晋 0.2%V DS4-6 一个增强型 PMOSFE 的卩 p C ox (W/L ) =80 卩 A/V 2，V GS (th 尸一1.5V ，入 0.02V -1,栅极接地，源极接+5V ，求下列情况下的漏极电流(a) V D =+4V ; (b) V D =+1.5V ;(c) V D =0V ;(d)V D = —5V ;解：根据题意V GSV G V S 0 5V5V V GS th1.5V，P-EMOSFET 导通C Wp C ox ~T80 A V 2 0.08mA V 2,0.02V1(a ) 当 V D 4V 时, 由于此时V GD V GV D 0V 4V4VV GS thP-EMOSFET 处于非饱和状态0.24mAP-EMOSFET 处于临界饱和状态22I D I p C ox 罟 V GS V GSth 1V DS 舟 0.08叫 25 1.5 1 0.02 ( 3.5)0.49mA 1.07 0.5243 mA(C )当 V D 0V 时，V DS 5V ，V GS V GSM 5V 1.5V 3.5V即V DS V GS V GS th ，P-EMOSFET 处于饱和状态I D i p C ox WL V GS V GS th 1V DS 舟 0.08叭25 1.5 1 0.02 50.49mA 1.1 0.539 mA(d) 当 V D 5V 时，V DS 10V ，V GS V GS ^) 3.5V(a )当 V D 0.1v时，V DS V D V S0.1V V V GS VGS th(b )当 V DI D ~2 nC ox(c ) 当V D 3V 时，V DS V D V 3VV GS V GS thN-DMOSFET 工作于临界饱和状态, 2 2 nC ox 早 V GS V GSth 吵 2mA 3V由于忽略沟道长度调制效应，则4-8 解: (d )当 V D 5v 时，V DS V V S 5V> V GS VGS thN-DMOSFET 工作于饱和区，由于忽略沟道长度调制效应，则I D I n C ox V GS V GS th9mA设计题4-8图所示电路，使漏极电流 卩 n C ox =20y A/V 2，W/L=40。
2舟 2mAv 23Vl D =1mA ,V D =0V ，MOSFET 的 V (=2V ，由于 I D 1mA, V D 0V,V G 0V ,V GS th 2V则R DV DD V D5V 0V~~ 1mA 5K22I D 4 P C OX ^V GS V Gsth 1V DS20.08mA v 25 1.5 10.02 100.49mA 1.2 0.588mA4-7 已知耗尽型 NMOSFET 的卩 n C ox (W/L ) =2mA/V 2, V cs (th )=- 3V ，其栅极和源极接地，求它的工作区域和漏极电流(忽略沟道长度调制效应) 。
(a) V D =0.1V ；(b) V D =1V ；(c) V D =3V ；(d) V D =5V ；解：根据题意 V G V S 0，则 V GS 0，V GS V GS th0 3V 3VN-DMOSFET 工作于非饱和区(或三极管区)I D 2nC ox T 2V GS V GS th V DS V DS ?22叭22 3 0.1 0.120.59mA1V 时，V DS V D V S 1V V V GS V GS thN-DMOSFET 工作于非饱和区W2V GS V Gsth V DS V DS 2 1 2"务2 3 1 125mA9mA又由于V DS > V GS V GS th ，MOSFET 处于饱和工作区则 I D ； n Cox T VGSV GS th代入数据得: 1mA 舟 0.02mAV 2240 V GS 2V GS 21mA 0.4说厂V 22.5因为V GS 2又V GS 得R S 得V GS、、2.51.581.58V1.58 0.42V V V GS th 不符合题意，舍去2 1.58 3.58V V G V S V S 3.58V 则 V S 3.58VV S V SS I D1.42K 4-9题4-9图所示电路，已知 卩 n C ox (W/L ) =200 uA V 2, V GS (th )=2V ， V A = 20V 。
求漏极电压。
解：已知n C oxW 200 AV 2 0.2mA V 2，V GS th 2V ， V A 20V(a )由于V GS 2V ，MOSFET 导通, 假设MOSFET 工作于饱和1 D丄 C WV2 n ox LGSV GS th0.1 1.5 I D10I D 1.5 I D1 D 150.1364mAV D10V I D R D7.27V由于 V D 7.27V V GS V GS(b ) 由于V GS 3VV GS th区。
则1 1 CWD 2 n ox LV GS V GS区，则1® > V GS thV DS 舟 0.2mA V212 1 10 20I D 0th，说明MOSFET 确实工作在饱和区，假设成立。
2V ，MOSFET 导通，假设MOSFET 工作于饱和th21 V DS110.2mA V 212 1 坯 20 20I D 01OI D2 I D 即11I D 2I D0.1818mAV D 20V I D R D 20V 0.1818mA 20K 16.36V由于V DS 16.36V > V GS V GS th，说明MOSFET确实工作在饱和区，假设成立。
(c)由于V GS 4V V GS^) 2V , MOSFET导通。
假设MOSFET工作于饱和区。
则I D 2 n C ox(¥)(V GS V Gsth)21 V DS2 0.2"。
22 1 ^ 20 20I D 00.4 2 I D10I D8 4I D即14I D8I D 14 0.5714mAV D 20V I D R D 20V 0.5714mA 20K 8.57V由于V DS 8.57V J V GS th ,说明MOSFEE确实工作在饱和区，假设成立。