模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第五章
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术基础(第四版)第五章 童诗白主编
Fundamentals of Analog Electronics
华成英、童诗白 主编
—多媒体教学课件
华北科技学院 电子信息工程学院
主讲人：林亭生
第5章 放大电路的频率响应
重点：
1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管（场效应管）的高频等效模型
（混合模型）。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。
小结
（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ ，即决定了fL和fH。
（2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB，且产生+450或-450相移。
（3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型
20lg Au / dB
对数幅频特性：
0
0.1 fH fH 10 fH
f
3dB
20
20dB/十倍频
40
对数相频特性：
在高频段， 0
低通电路产生
45º
0~ 90°的滞后
相移。
90º
0.1 fH fH 10 fH
f
5.71º
45º/十倍频
5.71º
图 5.1.3(b) 低通电路的波特图
二、简化的混合模型 通常情况下，rce远大于c--e间所接的负载电
阻，而rb/c也远大于Cμ 的容抗，因而可认为rce和 rb/c开路。
Cμ 跨接在输入与输出回路之间，电路分析变得相当复杂。 常将Cμ 等效在输入回路和输出回路，称为单向化。单向 化靠等效变换实现。
因极型为总图负C（π载C＞）电＞。阻CRu/／/ Ｌ，，且C一u//般中情的况电下流。可C忽u// 略的不容计抗远，大得于简集化电模
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、（1）√（2）×（4）×（5）√二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5VUO6≈－2V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）IDZ=(UI−UZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术（第四版）童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
tttt1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路中的反馈)
第5章放大电路中的反馈5.1 复习笔记本章主要讲述了反馈的基本概念、负反馈放大电路的方块图、负反馈对电路性能的影响以及放大电路的稳定性等问题，阐明了反馈的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算、负反馈放大电路的稳定性判断方法和自激振荡的消除方法等。
通过本章的学习，读者应能做到会判，即能正确判断电路中是否引入反馈及反馈的性质；会算，即理解负反馈放大倍数A•的物理意义，并能够在深度负反馈条件下估算其值；会用，即掌握负反馈四种组态对电路f的影响，并能根据实际要求为放大电路选择组态类型；会判振、消振，即掌握自激振荡产生原因，并能根据环路增益波特图判断稳定性，同时了解消除自激振荡的方式。
一、反馈的基本概念及判断方法1．反馈的基本概念（见表5-1-1）表5-1-1 反馈的基本概念2．反馈的判断方法（见表5-1-2）表5-1-2 反馈的判断方法二、负反馈放大电路的方框图及四种基本组态1．负反馈放大电路的方框图任何反馈放大电路均可用图5-1-1所示方框图描述。
图5-1-1 负反馈放大电路方框图基本放大电路放大倍数A•、反馈系数F•和反馈放大电路的放大倍数A•f表达式为：其中，A•F•称为环路放大倍数。
2．负反馈中四种基本组态的比较反馈的组态不同，X•i、X•f、X•i′、X•o的量纲也就不同，因而A•、F•、A•f的物理意义也不同，四种反馈组态电路的方框图、它们的A•、F•、A•f及其量纲见表5-1-3。
表5-1-3 四种反馈组态电路三、放大电路在深度负反馈条件下的放大倍数1．深度负反馈的实质（见表5-1-4）表5-1-4 深度负反馈的实质2．深度负反馈条件下的近似计算若求出四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•，则A•f≈1/F•，可求出电压放大倍数。
表5-1-3所示方框图中并联负反馈电路所加信号源为U s，且其内阻为R s，总负载电阻为R L′，则四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•和电压放大倍数如表5-1-5所示。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
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第5章 放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是( A )。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( B )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。
A.耦合电容和旁路电容的存在 C.半导体管的非线性特性B.半导体管极间电容和分布电容的存在 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的( B )。
A. 0.5倍；B. 0.7 倍；C. 0.9 倍 即增益下降( A )。
A. 3dBB. 4dB;C. 5dB(4)对于单管共射放大电路，当f =f L 时，U o 与U i 相位关系是( C )。
A . + 45o B. −90o C. −135o当f =f H 时，U o 与U i 相位关系是( C )。
A . − 45o B. −135o C. −225o二、电路如图T5.2 所示。
已知：V CC =12V ；晶体管的C μ=4pF ，f T =50MHz , '100bb r =Ω，β0＝80 。
试求解：(1)中频电压放大倍数usm A &；(2) 'C π；(3)L f 和Hf ；(4)画出波特图。
图T5.2 解图T5.2解：(1)静态及动态的分析估算：22.6CC BEQBQ bV U I A R μ-=≈; (1) 1.8EQ BQ I I mA β=+≈3CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; '26(1) 1.17b e EQmVr k I β=+⋅≈Ω '26(1)1.27be bb EQmVr r k I β=++≈Ω; // 1.27i be b R r R k =≈Ω 69.2/EQ m TI g mA V U =≈; '()178i b e usmm c i s beR rA g R R R r =⋅-≈-+&(2)估算'C π 0'2()T b b f r C C πμβπ≈+； 0'2142b e TC C pF r f πμβπ≈-≈；'(1)1602m c C C g R C pF ππμ=++≈ (3)求解上限、下限截止频率：''''//(//)//()567b e b b s b b e b b s R r r R R r r R =+≈+≈Ω。
'11752H f kHz RC ππ=≈； 1142()L s i f Hz R R Cπ=≈+。
(4)在中频段的增益：20lg 45usmA dB ≈&。
频率特性曲线如解图T5.2 所示。
三、已知某放大电路的波特图如图T5.3 所示，填空：(l) 电路的中频电压增益20lg umA =&( 60 )dB ,um A =&( 103 )。
(2)电路的下限频率L f ≈( 10 )Hz ，上限频率H f ≈( 10 ) kHz 。
(3) 电路的电压放大倍数的表达式( 345451010010(1)(1)(1)(1)(1)(1)1010101010u jf A f f f f fj j j j j jf ±±==++++++& )。
图T5.3说明：该放大电路的中频放大倍数可能为“+” ，也可能为“−”。
习题5.1 在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r 、C μ、C π，i be R r ≈。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入① 增大、② 基本不变、③ 减小。
(1)在空载情况下，下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时，L f 将( ① )；当带上负载电阻后，L f 将( ② )。
(2)在空载情况下，若b-e 间等效电容为'C π，则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ )；当R S 为零时，H f 将( ① )；当R b 减小时, g m将( ① ), 'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2 已知某电路的波特图如图P5.2 所示，试写出uA &的表达式。
解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++&5.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3 所示，试写出uA &的表达式。
图P5.3 图P5.4解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路uA &的表达式为：25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯&5.4 已知某电路的幅频特性如图P5.4 所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由几级放大电路组成；(3)当f =104H Z 时，附加相移为多少？当f =105H Z 时，附加相移又约为多少？（4）该电路的上限频率H f 为多少？解：(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为−60dB ／十倍频，所以电路为三级放大电路；(3)当f =104Hz 时，'453135φ=-⨯=-；当f =105Hz 时，'903270ooφ=-⨯=-。
（4）该电路的33410(1)10uA f j ±=+&；上限频率为' 5.2H f kHz ≈≈ 5.5已知某电路电压放大倍数：510(1)(1)1010ujfA f f j j -=++&试求解：(1)um A =&? L f ≈？ Hf ≈？ (2)画出波特图。
解：(1)变换电压放大倍数的表达式，求出um A &、L f 和Hf 。
∵551001010(1)(1)(1)(1)10101010ufjjfA f f f f j j j j -⋅-==++++& ∴100um A =-&； 10Lf Hz =； 510H f Hz =。
(2)波特图如解图P5.5所示。
解图P5.5 解图P5.65.6已知两级共射放大电路的电压放大倍数45200(1)(1)(1)510 2.510ujfA f f f j j j =+++⨯&(1)um A =&? L f ≈？ Hf ≈？ (2)画出波特图。
解：(1) 变换电压放大倍数的表达式，求出um A &、L f 和Hf 。
34545102005(1)(1)(1)(1)(1)(1)510 2.510510 2.510ufjjfA f f f f f f j j j j j j ⋅==++++++⨯⨯& ∴310um A =&； 5Lf Hz =； 410H f Hz ≈。
(2)波特图如解图P5.6 所示。
5.7 电路如图P5.7所示。
已知：晶体管的β、'bb r 、C μ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流I EQ 均相等。
定性分析各电路，将结论填入空内。
(a) (b)(c) (d)图P5.7(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是( a )。
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是( c )。
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是( c )。
5.8在图P5.7(b)所示电路中，若要求C 1与C 2所在回路的时间常数相等，且已知r be = l k Ω，则12:C C =？若C 1与C 2所在回路的时间常数均为25ms , 则C 1、C 2各为多少？下限频率L f =?解：(1)求解12:C C因为 12()()s i c L C R R C R R ⋅+=⋅+将电阻值代入上式，求出：12:5:1C C = 。
(2)求解C 1、C 2的容量和下限频率112.5s iC F R R τμ=≈+ ； 2 2.5c LC F R R τμ=≈+121 6.42L L f f Hz πτ==≈； 11.1210L L f Hz ≈≈5.9在图P5.7 (a)所示电路中，若C e 突然开路，则中频电压放大倍数usm A &、H f 和Lf 各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？为什么？解：usm A &将减小。
因为在同样幅值的i U &作用下，b I &将减小，c I &随之减小，oU &必然减小。
L f 减小。
因为少了一个影响低频特性的电容。
H f 增大。
因为'C π会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然'C π所在回路的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故H f 增大。
5.10电路如图P5.10所示， 已知5gs gd C C pF ==,5m g mS =,1210s C C C F μ===。
试求H f 、L f 各约为多少，并写出usA &的表达式。
图P5.10 解：H f 、L f 和usA &的表达式分析如下： ''()12.4i usmm L m L i sR A g R g R R R =-≈-≈-+&1162L s sf Hz R C π=≈''(1)72gs gs m L gd C C g R C pF =++≈ ''111.12(//)2H g s gs s gsf MHz R R C R C ππ=≈≈ 612.416(1)(1)16 1.110usfjA f f j j -⋅≈++⨯&5.11在图5.4.7(a)所示电路中，已知2g R M =Ω，10d L R R k ==Ω，10C F μ=；场效应管的4gs gd C C pF == , 4m g mS =。
试画出电路的波特图，并标出有关数据。
解：'20,20lg 26um m L umA g R A dB =-≈-≈&& ''(1)88gs gs m L gd C C g R C pF =++≈10.7962()L d L f Hz R R C π≈≈+'19042H g gsf Hz R C π≈≈ 其波特图参考解图P5.5 。