模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第5章

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《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案

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模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知u i = 10sinωt (V),试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。

1.3电路如图P1.3 所示,已知u i =5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u o 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值: I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V ,正向导通电压为 0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得 4 种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得 2 种:0.7V ;6V 。

模电第四版习题解答

模电第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

( √ )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解

精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。

(1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

( )(2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。

( )(3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。

( )(4)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。

( )解:(1)× (2)√ (3)× (4)√二、已知交流负反馈有四种组态:A .电压串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流串联负反馈D .电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内,只填入A 、B 、C 或D 。

(1)欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 ;(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入 ;(3)欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 ;(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入 。

解:(1)B (2)C (3)A (4)D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈;若引入了反馈,则判断是正反馈还是负反馈;若引入了交流负反馈,则判断是哪种组态的负反馈,并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T6.3解:图(a )所示电路中引入了电流串联负反馈。

反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。

图(b )所示电路中引入了电压并联负反馈。

反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图(c )所示电路中引入了电压串联负反馈。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

童诗白《模拟电子技术基础》(第版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(5-8章)【圣才出品】

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时间常数,从而降低下限频率。然而这种改善是很有限的,因此在信号频率很低的使用场合, 应考虑采用直接耦合方式。
(2)“带宽增益积”为中频放大倍数与通频带的乘积,即
晶体管选定后,增益带宽积近似常量。当 fH fL 时, fbw f H ,由此可知,fH r 的提高与|Ausm|的增大是相互矛盾的。改善高频特性的根本办法是选择 bb 和 Cob 均小的管
5.1 在图 5.1 所示电路中,已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。 填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。 (1)在空载情况下,下限频率的表达式 fL= 。当 Rb 减小时,fL 将 ;当带上负载 电阻后,fL 将 。 (2)在空载情况下,若 b-e 间等效电容为 C’π,则上限频率的表达式 fH= ;当 Rs 为零 时,fH 将 ;当 Rb 减小时,gm 将 ,C’π将 ,fH 将 。
子,同时尽量减小 C 所在回路的总等效电阻。 (3)场效应管的增益带宽积为
场效应选定后,增益带宽积近似常量。因此,改善高频特性的根本办法是选择 Cgb 小
的管子并减小 rg 的阻值。
四、多级放大电路的频率响应 1.多级放大电路频率特性的定性分析 设N级放大电路各级的电压放大倍数分别为Aul,Au2,…,AuN,则电路电压放大倍数:
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2.低通电路
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低通电路及其频率响应如图 5.2 所示。
图 5.2 低通电路及其频率响应
设输出电压Uo 与输入电压Ui
之比为
Au
,下限截止频率

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。

(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解:对于(a)来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。

采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英

模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英

模拟电子技术基础
放大电路的频率特性包括两部分: 幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度 固定,输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即 i ∣= ∣Vo /V∣= f ( ) ∣A
相位频率特性
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 ∠A ∠Vo ∠Vi f ( )
Ic gm jC bc 所以 I b 1/rbe j (C be C bc )
Ib
Rb
Ic I b Rc
RL VO
Rb >> rbe
固定偏流共射极放大电路
100Hz
1kHz 10kHz 100kHz 1MHz
79.62
7.962 0.796 0.08 0.008
f Xc1 Ib AV f <100Hz Xc1 与rbe = 863 不能短路 f 100Hz Xc1 <<rbe = 863 可以短路
当输入信号的频率等于上限频率或下限频率时,放大电路的 增益比通带增益下降3dB,或下降为通带增益的0.707倍,且 在通带相移的基础上产生-45°或+45°的相移.
3. 工程上常用折线化的近似波特图表示放大电路的频率响应。
模拟电子技术基础
5 放大电路的频率响应
5.1频率响应概述 5.2晶体管的高频等效模型
s s 1/ R2C2
AVL 1 1 ( fL / f ) 2
幅频响应
相频响应
H arctg ( fL / f )
输出超前输入
模拟电子技术基础
RC低通电路的幅频响应
RC高通电路的幅频响应
RC低通电路+ RC高通电路的幅频响应?

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解

《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解

精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。

(1)运算电路中一般均引入负反馈。

()(2)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。

()(3)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

()(4)各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。

()解:(1)√(2)×(3)√(4)×二、现有电路:A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90O,应选用。

(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用。

(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用。

(4)欲实现A u=-100的放大电路,应选用。

(5)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用。

(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压,应选用。

解:(1)C (2)F (3)E (4)A (5)C (6)D三、填空:(1)为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。

(2)已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。

(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路。

(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用滤波电路。

解:(1)带阻(2)带通(3)低通(4)有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数k 大于零。

试分别求解各电路的运算关系。

图T7.4解:图(a )所示电路为求和运算电路,图(b )所示电路为开方运算电路。

它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。

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第五章题解-8
& = A u
200 ⋅ jf f f f 1 + j 1 + j 4 1 + j 5 5 10 2.5 × 10
& = ? fL= ? fH = ? ( 1) A um
( 2) 画 出 波 特 图 。
& 、 fL、 fH。 解: ( 1) 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 , 求 出 A um
( 1) 在 空 载 情 况 下 , 下 限 频 率 的 表 达 式 fL= fL 将 ; 当 带 上 负 载 电 阻 后 , fL 将 。
'
。 当 Rs 减 小 时 ,
( 2 ) 在 空 载 情 况 下 , 若 b-e 间 等 效 电 容 为 Cπ , 式 fH = fH 将 。 解 :( 1) ; 当 Rs 为 零 时 , fH 将
则上限频率的表达 , Cπ 将
'
; 当 Rb 减 小 时 , gm 将

1 。①;①。 2 π ( Rs + Rb ∥ rbe ) C1
;①;①,①,③。
( 2)
1 2π [rb'e ∥ (rbb' + Rb ∥ Rs )]Cπ'
第五章题解-5
& 的表达式。 5.2 已 知 某 电 路 的 波 特 图 如 图 P5.2 所 示 , 试 写 出 A u
≈ 5.2kHz
第五章题解-7
5.6 已 知 某 电 路 电 压 放 大 倍 数
& = A u
− 10 jf f f (1 + j )(1 + j 5 ) 10 10
试求解:
& = ? fL= ? fH = ? ( 1) A um
( 2) 画 出 波 特 图 。
& 、 fL、 fH。 解: ( 1) 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 , 求 出 A um
5.11 在 图 P5.8 ( a ) 所 示 电 路 中 , 若 C e 突 然 开 路 , 则 中 频 电 压 放 大 倍 数
& 、 fH 和 fL 各 产 生 什 么 变 化 ( 是 增 大 、 减 小 、 还 是 基 本 不 变 ) ? 为 什 么 ? A usm & & & & 解: A usm 将 减 小 , 因 为 在 同 样 幅 值 的 U i 作 用 下 , I b 将 减 小 , I c 随 之 & 必然减小。 减小, U o
图 P5.3
解 :观 察 波 特 图 可 知 ,中 频 电 压 增 益 为 40dB ,即 中 频 放 大 倍 数 为 - 1 00 ;
& 的表达式 下 限 截 止 频 率 为 1 Hz 和 10 Hz , 上 限 截 止 频 率 为 250kHz 。 故 电 路 A u

第五章题解-6
& = A u
β0
2πrb'e (Cπ + Cμ)
β0
2 πrb'e f T
− Cμ ≈ 214pF
' = Cπ + (1 + g m Rc )Cμ ≈ 1602pF Cπ
( 3) 求 解 上 限 、 下 限 截 止 频 率 :
R = rb'e ∥ (rb'b + Rs ∥ Rb ) ≈ rb'e ∥ (rb'b + Rs ) ≈ 567Ω fH = fL = 1 ≈ 175kHz ' 2 πRCπ 1 ≈ 14Hz 2π(Rs + Ri )C
; ; ;
5.9
在 图 P5.8 ( a ) 所 示 电 路 中 , 若 β = 1 00 , r b e = 1k Ω , C 1 = C 2 = C e
= 100 μ F , 则 下 限 频 率 f L ≈ ? 解 :由 于 所 有 电 容 容 量 相 同 ,而 C e 所 在 回 路 等 效 电 阻 最 小 ,所 以 下 限 频 率 决 定 于 Ce 所 在 回 路 的 时 间 常 数 。
− 100 1 10 f (1 + )(1 + )(1 + j ) jf jf 2.5 × 105 + 10 f 2 f f (1 + jf )(1 + j )(1 + j ) 10 2.5 × 105

& = A u
5.4 已 知 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5.4 所 示 , 试 问 : ( 1) 该 电 路 的 耦 合 方 式 ; ( 2) 该 电 路 由 几 级 放 大 电 路 组 成 ; ( 3 )当 f = 10 4 Hz 时 ,附 加 相 移 为 多 少 ? 当 f = 10 5 时 ,附 加 相 移 又 约 为 多 少? 解 :( 1) 因 为 下 限 截 止 频 率 为 0, 所以电路为直接耦合电路; ( 2) 因 为 在 高 频 段 幅 频 特 性 为 - 60dB/ 十 倍 频 , 所 以 电 路 为 三 级 放 大 电 路 ; ( 3 ) 当 f = 10 4 Hz 时 , φ ' = - 135 o ; 当 f = 10 5 Hz 时 , φ ' ≈ - 270 o 。
R = Re ∥ fL ≈
rbe + Rs ∥ Rb rbe + Rs ≈ ≈ 20Ω 1+ β 1+ β
1 ≈ 80Hz 2π RC e
第五章题解-10
5.10 在 图 P5.8 ( b ) 所 示 电 路 中 , 若 要 求 C 1 与 C 2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 相 等 , 且 已 知 r b e =1k Ω ,则 C 1 : C 2 = ? 若 C 1 与 C 2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 均 为 25ms , 则 C1、 C2 各 为 多 少 ? 下 限 频 率 fL≈ ? 解: ( 1) 求 解 C1:C2 因为 C1( Rs+ Ri) = C2( Rc+ RL)
图 P5.4
& 的表达式,并近似估 5.5 若 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5.4 所 示 , 试 写 出 A u
算 该 电 路 的 上 限 频 率 fH。
& 的表达式和上限频率分别为 解: A u & = A u
± 10 3 f (1 + j 4 ) 3 10
fH ≈
' fH
1.1 3
第五章题解-1
二 、 电 路 如 图 T5.2 所 示 。 已 知 : V C C = 1 2 V ; 晶 体 管 的 C μ = 4pF , f T = 50MHz , rbb ' = 1 00 Ω , β 0 = 8 0 。 试 求 解 :
& ; ( 1) 中 频 电 压 放 大 倍 数 A usm
rbe = rbb' + rb'e ≈ 1.27kΩ Ri = rbe ∥ Rb ≈ 1.27kΩ gm = I EQ UT ≈ 69.2mA/V
& = A usm
r Ri ⋅ b'e (− g m Rc ) ≈ −178 Rs + Ri rbe
( 2 ) 估 算 Cπ :
第五章题解-2
'
fT ≈ Cπ ≈
说明:该放大电路的中Байду номын сангаас放大倍数可能为“+” ,也可能为“-” 。
第五章题解-4


5.1 在 图 P5.1 所 示 电 路 中 , 已 知 晶 体 管 的 rbb ' 、 C μ 、 C π , R i ≈ r b e 。 填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、 ③减小。
图 P5.1
( 2) 电 路 的 下 限 频 率 fL≈
& = dB, A um
k Hz. 。

Hz , 上 限 频 率 f H ≈
& = ( 3) 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 A u
图 T5.3
解: ( 1 ) 60 ( 2 ) 10 ( 3) 10
10 4
± 103 ± 100 jf 或 10 f f f f f (1 + )(1 + j 4 )(1 + j 5 ) (1 + j )(1 + j 4 )(1 + j 5 ) jf 10 10 10 10 10
图 P5.2
解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
& ≈ A u
− 32 (1 + f 10 )(1 + j 5 ) jf 10
& ≈ 或A u
− 3.2jf f f (1 + j )(1 + j 5 ) 10 10
& 的表达式。 5.3 已 知 某 共 射 放 大 电 路 的 波 特 图 如 图 P5.3 所 示 , 试 写 出 A u
将电阻值代入上式,求出 C1 : C2=5 : 1。 ( 2) 求 解 C1、 C2 的 容 量 和 下 限 频 率
C1 = C2 =
τ
Rs + Ri
≈ 12.5μF ≈ 2.5μF
τ
Rc + R L
1 ≈ 6.4Hz 2πτ f L ≈ 1.1 2 f L1 ≈ 10Hz f L1 = f L2 =
图 P5.8
( 1) 低 频 特 性 最 差 即 下 限 频 率 最 高 的 电 路 是 ( 2) 低 频 特 性 最 好 即 下 限 频 率 最 低 的 电 路 是 ( 3) 高 频 特 性 最 差 即 上 限 频 率 最 低 的 电 路 是 解: ( 1) ( a) ( 2) ( c) ( 3) ( c)
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