电力电子技术填空题汇总
1．电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
3．将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源
逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5．同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流ＩL在数值大小上有I L＿=（2～4)____＿＿IＨ。６. 对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值下降。７.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是＿__静态均压_＿__＿措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___＿＿_三
角形和星形＿_二种方式。
９.抑制过电压的方法之一是用____储能元件__＿_吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
1０. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11．SPWM有两种调制方式：单极性和__＿双极性__＿调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和_＿有源___＿逆变器两大类。
１、普通晶闸管内部有两个PＮ结,,外部有三个电极，分别是阳极Ａ极阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态,正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—７的,其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管,50表示额定电流50A,7表示额定电压１00V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
６、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会减小。
７、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载, 电感性负载和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会减小，
解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。要求管子的额定电流值要大些。１0、单结晶体管的内部一共有一个ＰＮ结,外部一共有3个电极,它们分别是发射极Ｅ极、第一基极B1极和第二基极Ｂ２极。
１1、当单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就导通；低于谷点
电压时就截止。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电
压每个正半周内以相同的时刻被触发,才能得到稳定的直流电压。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。1４、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压
与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，
来实现移相控制。
１５、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个
硒堆或压敏电阻。
17、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。
7、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
8、晶闸管装置的容量愈大,则高次谐波愈大,对电网的影响愈大。
9、在装置容量大的场合,为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
１、某半导体器件的型号为KS５0—７的,其中KS表示该器件的名称为双向晶闸管,５0表示额定电流5０Ａ,7表示额定电压1００V 。
２、某半导体器件的型号为ＫN 100 ／50 —7，其中ＫＮ表示该器件的名称为逆导晶闸管10０表示晶闸管额定电流为100A ，50表示二极管额定电流为5０Ａ，７表示额定电压100Ｖ。
3、双向晶闸管的四种触发方式分别是Ⅰ+、Ⅰ－、Ⅲ+和Ⅲ-。实际工作时尽量避免使用Ⅲ+方式。
5、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
１、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；ＧTＲ的全称是大功率晶体管，图形符号为；Ｐ-MOSFＥT的全称是功率场效应管，图形符号为;IＧＢT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。
2、GTＯ的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
３、大功率晶体管简称GＴR ,通常指耗散功率1W以上的晶体管。
４、功率场效应管是一种性能优良的电子器件,缺点是电流不够大和耐压不够高。
１、整流是把交流电变换为直流电的过程;逆变是把直流电变换为交流电的过程。
2、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
3、逆变角β与控制角α之间的关系为α＝π－β。
４、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。
5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载,这称为逆变失败或逆变颠覆。
６、为了保证逆变器能正常工作,最小逆变角应为3０°～３5°。
7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态,分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。
８、将直流电源的恒定电压,通过电子器件的开关控制,变换为可调的直流电压的装置称为斩波器。
９、反并联可逆电路常用的工作方式为逻辑无环流，有环流以及错位无环流三种。在工业上得到广泛应用的是逻辑无环流方式。
10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高、容量不大的场合。
11、某半导体器件的型号为KＮ1０0 ／50—７,其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管10０表示晶闸管额定电流为1０0A ，50表示二极管额定电流、5０A ，７表示额定电压为100V 。
1５、变频电路从变频过程可分为交流—交流变频和交流—直流—交流变频两大类。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的 导通 和 关断 时间
比,即调节 脉冲宽度 来控制逆变电压的大小和频率。
1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有 定频调宽 式, 定宽调频
式和 调宽调频 式三种工作方式。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管 G ＴR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 M ＯS ＦE Ｔ ；绝缘栅
双极型晶体管 ＩG ＢＴ ;I ＧBT 是 MOS ＦET 和 G ＴR 的复合管。
２、晶闸管对触发脉冲的要求是 要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿要
陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗器。
４、在电流型逆变器中,输出电压波形为 正弦波 ，输出电流波形为 方波? 。
5、型号为KS1００－8的元件表示 双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为 80
０Ｖ 伏、额定有效电流为 1００A 。
6、1８0°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在 同一桥臂 上的上、下二个元件之
间进行；而120o 导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 不同桥臂上的元件之间进行
的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会 增加 、正反向漏电流会 下降 ；当温
度升高时,晶闸管的触发电流会 下降 、正反向漏电流会 增加 。
8、 在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 ?逆变电源 、 逆变桥 而
不流经 负载 的电流。环流可在电路中加 电抗器 来限制。为了减小环
流一般采控用控制角α 大于 β的工作方式。
９、常用的过电流保护措施有 快速熔断器 、 串进线电抗器、 接入直流快速开关 、
控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)
1０、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ- 四种 。
一、填空(３0分）
1、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 第一阳极T1, 第二阳极
T2 和 门极G ；双向晶闸管的的触发方式有 I ＋ 、 I － 、 III ＋ 、
II Ｉ .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 22Ｕ2 。三相半波
可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 6U ２ 。(电源相电压为Ｕ2）
３、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种，一是用 大于60o
小于１2０o的宽脉冲 触发;二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲
触发。
４、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 ２40o 度;实际移相才
能达 0o－180 o 度。
５、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 恒压频比控制、 转差劲频
率控制 、 矢量控制 、 直接转矩控制 。
6、软开关电路种类很多，大致可分成 零电压 电路、 零电流 电路两大类。
７、变流电路常用的换流方式有 器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四
种。
８、逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 、而不流经 负载 的电流,环
流可在电路中加 采用串联电抗器 来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置
串联供电、设置补偿电容。
10、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极，以 以电力晶
体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。
1、普通晶闸管内部有两个PN结。（×）
2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。 (×）
3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为５0A的普通晶闸管。()
4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。（×)
5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×）
6、晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。(√)
7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过10０V。（×)
8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（×）
９、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。(×）
10、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。（×)
1１、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√)
1２、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。（×)
1３、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×）１4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。 (×）
15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。 (√)
16、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。（×)
１7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。 (√)
18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。 (×)
2２、在电路中接入单结晶体管时，若把b１、b２接反了,就会烧坏管子。（×）
23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。 (√)
24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√）
25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√）
1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。(√）
2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。(×）
3、雷击过电压可以用ＲC吸收回路来抑制。 (×）
4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。 (×）
５、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。 (√)
6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。(×)
7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√）
8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。(×）
９、在电路中接入单结晶体管时,若把b1、ｂ２接反了,就会烧坏管子。（×）
10、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√)
１1、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√)
12、采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。 (√）
１3、正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。（×）
14、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。(√）
15、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）
16、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（×）
2、双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。 (√）
３、普通单向晶闸管不能进行交流调压。（×）
3、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。 (×）
４、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（√)
5、两只反并联的50Ａ的普通晶闸管可以用一只额定电流为1０0A的双向晶闸管来替代。(×）
1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。 (√)
2、工作温度升高，会导致GＴR的寿命减短。（√)
3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（√)
4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。(×）
５、电力晶体管的外部电极也是:集电极、基极和发射极。（√）
6、实际使用电力晶体管时,必须要有电压电流缓冲保护措施。（√)
7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（×）
8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。 (×）
９、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。(√)
１、把交流电变成直流电的过程称为逆变。 (×）
2、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明,其电路中发生的“逆变”称有源逆变。(×)
３、晶闸管变流可逆装置中出现的“环流”是一种有害的不经过电动机的电流，必须想办法减少或将它去掉。（√)
4、晶闸管变流装置会对电网电压波形产生畸变。 (√)
５、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（√)
6、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的(√)
7、电源总是向外输出功率的。 (×）
8、晶闸管可控整流电路就是变流电路。(×)
9、只要控制角α>90°,变流器就可以实现逆变。（×）
１0、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高的场合。（√)
1１、逻辑控制无环流可逆电路的动态性能较差。（√）
12、逻辑控制无环流可逆电路在运行过程中存在有死区。（√）
13、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。 (×）
１4、采用晶体管的变流器,其成本比晶闸管变流器高。 (√)1、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（×)
2、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。 (√)
３、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（√)
４、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。 (×）
5、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×）
6、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√)
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。( √)
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。( ×)
4、逆变角太大会造成逆变失败。（×）
５、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√）
６、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ × ）
7、 有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。 ( × ）
8、 在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取Ｕ2。 ( × ）
9、 在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz 。 （ × ） 1０、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。? （ √ )
1、 半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。 （ √ )
2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统,供直流电动机四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。 （ × ）
3、晶闸管并联使用时,必须注意均压问题。 （ × ）
4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。 ( × ）
５、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。 ( √ )
６、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用 （ × ）
7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。 ( × ）
8、在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。 （ × ） ９、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为１50Hz 。 ( × ）
10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场
1.在型号为KP １0-12G 中,数字１2表示（C ）。
A.额定电压1２V
B.额定电流1２Ａ Ｃ.额定电压1200V D.额定电流１20０A
２．下列电路中,不可以实现有源逆变的有(B ）。? Ａ.三相半波可控整流电路 B.三相桥式半控整流电路? C.单相桥式可控整流电路 D ．单相全波可控整流电路外接续流二极管
3．整流变压器漏抗对电路的影响有（B )。
A.整流装置的功率因数降低
B.输出电压脉动减小
C.电流变化缓和
D.引起相间短路
４．功率晶体管ＧＴR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）
①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止
5．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B )
①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管
６.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（① ）
①减小至维持电流IH 以下 ②减小至擎住电流IL 以下
③减小至门极触发电流IG 以下 ④减小至5Ａ以下
７. 单相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为（② ）
①U2 ②22U ③222U ④26U
8. 单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的目的是（.④ ) ①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂
③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生
9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ｕd 的表达式是（ ．① ）
①Ｕd=- ２.3４U2ｃo ｓβ ②Ud ＝1．17U ２ｃos β
③Ud= 2.34U2cosβ④Ud=-0．9U2cosβ
10．若减小SPWＭ逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（③）
①减小三角波频率②减小三角波幅度
③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率
11. 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( D )
A.9０°
B.1２0°
C.15０° D．1８0°
12. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是( Ａ )
A．０°～９0°Ｂ．0°～1８０° C．90°～１８０°Ｄ．1８0°~3６０°
1３. 当晶闸管串联时，为实现动态均压,可在各个晶闸管两端并联（Ｄ）
A. R B． L Ｃ. C D. RC
1４.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( Ｂ) A.导通状态Ｂ.关断状态 C.饱和状态 D.不定
1５．三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A.交流相电压的过零点
B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
Ｃ.比三相不控整流电路的自然换相点超前3０°Ｄ.比三相不控整流电路的自然换相点滞后６0°
16．单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Ｒe能实现（Ａ)。
Ａ．移相?B.同步Ｃ．增大脉冲宽度D．增大脉冲幅值
17.在大电感负载三相全控桥中，当α=９0°时,整流电路的输出是（ B )
A.Ｕ2 Ｂ．0 C ．1．414Ｕ２ D.1.7３2U2
1８. 降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V,负载电压U0=12Ｖ,斩波周期T=４ms，则开通时间Ｔａb=( ③）①1ｍs ②２ms ③3ms ④4ms
1、晶闸管内部有（C ）ＰN结。A 一个, B 二个， C 三个， D 四个
2、单结晶体管内部有（A）个PＮ结。Ａ一个， B 二个, C 三个, D 四个
3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会（B)。
Ａ不变, Ｂ增大， C 减小。
4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1,
B 0.5，
C ０.4５，
D 0.9．
５、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1,
B 0.5，
C 0.4５，
D 0.9.
７、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入(B）。
Ａ三极管, B 续流二极管, C 保险丝。
8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于(C）负载。
A 电阻性,
B 电感性,
C 反电动势。
9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C)。
A 一样，
B 要硬一些，
C 要软一些。
１０、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（Ａ)负载。
Ａ大电流， B 高电压， C 电动机。
11、晶闸管在电路中的门极正向偏压(Ｂ）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变
１2、晶闸管两端并联一个ＲC电路的作用是(Ｃ)。
A 分流,
B 降压，
C 过电压保护,
D 过电流保护。
13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（Ｃ)。
A 分流，Ｂ降压, C 过电压保护, D 过电流保护。
1４、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止(C)对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，Ｂ交流侧操作过电压， C 交流侧浪涌。
１5、晶闸管变流装置的功率因数比较(Ｂ）。A 高, B 低, C 好。
1６、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中,当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时,变流器输出电流是(B)的。A 连续， B 断续, C 不变。
18、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的(C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
２0、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了(A）晶闸管。
Ａ一只，Ｂ二只，Ｃ三只, Ｄ四只。
1、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数(B)。
A 三相的大，Ｂ单相的大，C一样大。
2、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入（B)。
A 三极管,
B 续流二极管，
C 保险丝。
３、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于(Ｃ）负载。
A 电阻性，
B 电感性,
C 反电动势。
４、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较,其机械特性(Ｃ）。
A 一样,
B 要硬一些，
C 要软一些。
5、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于(A）负载。
A 大电流, Ｂ高电压， C 电动机。
6、晶闸管在电路中的门极正向偏压(Ｂ）愈好。Ａ愈大， B 愈小, C 不变
7、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是(C )。
A 分流,
B 降压,
C 过电压保护，
D 过电流保护。
8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(C )。
A 分流,
B 降压, Ｃ过电压保护, Ｄ过电流保护。
９、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止(C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压,
B 交流侧操作过电压,
C 交流侧浪涌。
1０、晶闸管变流装置的功率因数比较(Ｂ）。A 高, Ｂ低, C 好。１1、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中,当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时,变流器输出电流是（B)的。A 连续, B 断续， C 不变。
1２、脉冲变压器传递的是(C )电压。A 直流， B 正弦波， C 脉冲波。
13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C)来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（Ａ)晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
15、三相全控桥整流装置中一共用了(B)晶闸管。
A 三只,
B 六只,
C 九只。
1６、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C)电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个, Ｄ四个。
１7、若可控整流电路的功率大于4ｋＷ，宜采用(C ）整流电路。
A 单相半波可控
B 单相全波可控
C 三相可控
１8、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数(B)。
A 三相的大,
B 单相的大, C一样大。
1、双向晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(Ａ)来表示的。
A 有效值
B 最大值
C 平均值
2、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有（C)电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
3、双向晶闸管的四种触发方式中,灵敏度最低的是（Ｃ）。
A、Ⅰ＋，
B、Ⅰ-,
C、Ⅲ+，
D、Ⅲ-。
1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ )。
GＴR B、MOSFＥT C、、IGBＴ
2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是( )。
A、ＧＴR Ｂ、MOSFＥT Ｃ、IGBT
3、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是( )。
A、GＴR
B、MOSFET
C、、IＧBT
4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（ )。
A、GTＯＢ、GＴR C、ＩGＢT。
5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是( )、最慢的是( ）。
A、ＧＴO
B、ＧTＲ
C、MOSFET
6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。（A ）
A、GＴR
B、 MＯSFET Ｃ、、IGBT。
7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（)。
A、KP50-7
B、３DD１5C
C、ZP100－１0
1、下列不可以实现逆变的电路是(）式晶闸管电路。
A 单相全波,
B 三相半控桥， C三相全控桥
2、变流器必须工作在α(）区域,才能进行逆变。
A >90°,
B >0°，
C ＜90°,
D ＝0°。
３、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于()。
A 5°，
B 15°，
C 2０°，
D 3０°。
４、串联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
5、并联谐振式逆变器属于( ）逆变器。
A 电压型Ｂ电流型Ｃ电阻型
1、串联谐振式逆变器属于( )逆变器。
Ａ电压型Ｂ电流型Ｃ电阻型
2、并联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、18０°，
B、６０°, c、3６0°，Ｄ、120°
2、α为Ｃ度时，三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度，B，60度, C,30度， D，１２0度，
3、晶闸管触发电路中，若改变Ｂ的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
Ａ、同步电压, Ｂ、控制电压， C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为 A 。
Ａ、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 A 。
Ａ、30ｏ-35o, Ｂ、10o－１5o，C、0ｏ-１0o, D、0o。
１、α为Ｂ度时，三相桥式全控整流电路,带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
Ａ、0度。Ｂ、60度。C、3０度。Ｄ、１20度。
2、晶闸管触发电路中,若使控制电压UC=0，改变 C 的大小,使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制范围,实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压, Ｂ、控制电压, C、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路,
D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为74５V，反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为( A D）
A、700V Ｂ、７50V C、800Ｖ D、850Ｖ
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A、９0°
B、１20°
C、１５０°
D、18０°
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
数字电子技术课后题答案..
： 第1单元能力训练检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共20分） 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 . 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 ！ 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对） 3、每个最小项都是各变量相“与”构成的，即n个变量的最小项含有n个因子。（对）
数字电子技术基础习题及答案 (2)
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种； 12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
电力电子技术试题填空
电力电子技术试题填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 . 率场效应晶体管 ________________ ;绝缘栅双极型晶体管 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ____________ O 3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 5、 型号为KS100-8的元件表示 ___________ 有效电流为 安。 __________ 波，输出电流波形为 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 __________________________ 上的上、下二个元件 之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 ________________ 上的元件之 间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 __________________ 、正反向漏电流会 升高时，晶闸管的触发电流会 _______________ 、正反向漏电流会 _____________ 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _____________________ 而不流经 __________________ 的电流。环流可在电路中加 来限制。为了减 小环流一般采用控制角a 9、常用的过电流保护措施有 B 的工作方式。 O （写出四种即 可） 10、 双向晶闸管的触发方式有 四种。 11、 双向晶闸管的触发方式有: 1+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T 2接 电压；门极 G 接 电压， T2接 电压。 I-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 川+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压，门极G 接 电压，T2接 电压。 川-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 换流。 12、 由晶闸管构成的逆变器换流方式有 _________________ 换流和 13、 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 _____ 逆变器与______________ 逆变器两大类。 ;可关断晶闸管_ ______ ; IGBT 是 ;功
电力电子技术-模拟试题2-试卷
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
成贤数字电路实验习题答案
数字电路习题答案(第一、二次实验) 2009-12-18 09:10 实验一： 1. 在示波器处于“内触发”、“常态”扫描方式时，若改变电压灵敏度（V/div）,特别是降低它，则可能会使信号波形消失。问若是“外触发”，是否也会影响信号波形的显示呢？ 解：这道题主要从以下几种情况来分析： A．示波器是“内触发”，而误打到“外触发”的情况下，如果是“自动”扫描方式，示波器有波形显示，但是不会稳定；如果是“常态”扫描方式，示波器没有波形显示； B．示波器确实是“外触发”，则要求外触发信号与被测信号的频率和相位都相关，这时波形才有可能稳定。 C．示波器在“外触发”工作时，若改变电压灵敏度，会影响波形的显示。当扫描方式为“常态”时，如果降低它，可能会使波形消失，原因是降低了电压灵敏度的同时也降低了触发信号的电平，当触发电平降低到一定的程度，就不足以使触发器工作，触发器不工作，扫描发生器也就不能工作产生扫描电压，波形就消失了。 2. 实验内容3中，如何用示波器观察CH1+CH2的波形？ 解：要观察CH1+CH2的波形，只要使示波器的显示方式处于“叠加”，同时保证CH1和CH2的电压灵敏度保持一致就可以了。 3. 简述用示波器测量TTL高、低电平的步骤。 解：将函数发生器输出TTL波形（f=1kHz）接到示波器一个通道上；示波器扫描方式打“AUTO”；电压灵敏度选择旋钮和时基因数选择旋钮处于适当的位置（比如1V/div和0.2ms/div）；微调旋钮都处于“校准”位置；把输入耦合方式打到“GND”，确定零电平线的位置，再打到“DC”，读出高低电平值。 4. 对于方波和三角波，交流毫伏表的指示值是否它们的有效值？如何根据交流毫伏表的指示值求得方波或三角波的有效值？
电力电子技术期末考试试题及答案最新版本
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
编辑版 word
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
电力电子技术期末考试试题及答案修订稿
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术模拟卷答案
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
电力电子技术(填空题)
第2章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。 5、电力二极管的工作特性概括为单向导通。 6.电力二极管的主要类型有普通、快速恢复、肖特基。 7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM小于Ubo。 11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的阴极和门极并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为击穿。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、
电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO ,GTR, MOSFET, IGBT；属于单极型电力电子器件的有MOSFET，属于双极型器件的有GTO, GTR ,电力二极管,晶闸管，属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是GTR，工作频率最高的是MOSFET，属于电压驱动的是MOSFET,IGBT，属于电流驱动的是GTO,GTR。 第3章整流电路 1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，两者波形相同，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°。 2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q =180°; 当控制角a小于不导电角d 时，晶闸管的导通角q=180°。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全控桥的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于√2U2，晶闸管控制角α的最大移相范围是0°~150，使负载电流连续的条件为α≤30°(U2为相电压有效值)。 7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°，当它带阻感负载时，a的移相范围为0°~90°。
数字电子技术课后题答案
第1单元能力训练检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共20分） 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的 权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换 的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对）
【电力电子技术期末考试】必考填空题整理
填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变 电源、逆变桥 而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、 接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ＋ Ⅲ- 四种 。 11、双向晶闸管的触发方式有： I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。 I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。 Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电 压,门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。 Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲） 换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200 表示表示 200A ，9表示 900V 。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用 于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。 16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流 有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 ()V 220225.1倍- ；晶闸管的额定电流可选 为 ()A 57.115 25.1倍- 。