摩托罗拉Z3(原理图框图PCB)
开关电源实验报告
开关电源实验报告一开关电源原理如下图30W开关电源电路图所示，市电先经过由电容CX1和滤波电感LF1A组成的滤波电路后，再经过型号为KBP210的整流桥BD1和C1组成的整流电路，输出直流电。
直流电又经过由UC3842和2N60等元器件组成的高频逆变电路后，变成高频的交流电，经高频变压器输出为低电压的高频交流电。
高频交流经肖基特二极管SR1060后变为脉动的直流电，最后经滤波电容和滤波电感变为我们想要的直流电输出。
MOV2、MOV3：F1、F2、F3、FDG1组成的电路进行保护。
当加在压敏电阻两端的电压超过其工作电压时，其阻值降低，使高压能量消耗在压敏电阻上，若电流过大，F1、F2、F3会烧毁保护后级电路。
（2）输入滤波电路：C1、L1、C2、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。
当电源开启瞬间，要对C5充电，由于瞬间电流大，加RT1（热敏电阻）就能有效的防止浪涌电流。
因瞬时能量全消耗在RT1电阻上，一定时间后温度升高后RT1阻值减小（RT1是负温系数元件），这时它消耗的能量非常小，后级电路可正常工作。
（3）整流滤波电路：交流电压经BRG1整流后，经C5滤波后得到较为纯净的直流电压。
若C5容量变小，输出的交流纹波将增大。
1.2功率变换电路（1）MOS管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（MOS管），是利用半导体表面的电声效应进行工作的。
也称为表面场效应器件。
由于它的栅极处于不导电状态，所以输入电阻可以大大提高，最高可达105欧姆，MOS管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
（2）常见的原理图：（3）工作原理R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减少，EMI减少，不发生二次击穿。
在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流，这些元件组合一起，能很好地吸收尖峰电压和电流。
摩托罗拉L2 L6逻辑 蓝牙 接口电路方框图
Stereo Det. Headset Det.
U900 ATLAS UL
Logic
Bபைடு நூலகம்4
BATTFET BPFET
L / H/ L Q906 (M2) G
D Q904 (M3) S Battery to BPLUS Switch D S
H / H/ H
B+
(Main Source for Atlas)
BATT CONN.
Charger and Powersource Control Charger
(Bias) (from Mini USB Connector) (EXT Power)
BB-SPI_CLK BB_SPI_MOSI BB_SPI_MISO AUL CS AUL_INT
(from Keypad)
(from Atlas)
3
CLK_32KHZ
(from/ to Neptune Serial Audio for Ringtone and Voice Audio)
BB_SAP_RX BB_SAP_FS (framesync) BB_SAP_CLK(clock) BB_SAP_TX BB SAP CLK (Clock) BB SAP FS (Frame Sync.)
2
D1480 D1482 - D1485 D1487 - D1490 LED´s D1491
(from Neptune) (to Neptune) (to Neptune) (from Neptune) (from Atlas)
SIM
M1350
4 Connector 5 1 1.8 or 3V 3 SIM Card 2 6 GND
L16 REF REG
摩托罗拉Droid3全程拆解
摩托罗拉Droid3全程拆解MOTO近日发布了令人期待的Droid3。
为使更多发烧友们能更好了解这款机型，第一步1. Droid 2经历了几代升级和特别版之后，今天终于更新换代了！摩托罗拉第三代Droid的正式定名为Droid 3。
2. 距离第一代Droid推出市场已经有两年了，摩托罗拉对Droid 3进行了全面技术升级。
l Android 2.3操作系统l Dual-Core 1GHz处理器l 5行标准键盘l 8百万像素摄像头，1080p高清摄录l 4″ 960 x 540高清显示屏，Gorilla Glass玻璃技术第二步1. 摩托罗拉表示，Droid 3是“史上最薄的全键盘智能手机”。
与原版Droid相比，Droid 3确实较为小巧，但薄了多少却不明显。
2. 背面摄像头包括LED闪光灯和8倍变焦。
3. Droid 3支持micro USB和micro HDMI插口，支持1080p视频直接输出。
插口位于Droid 3的左侧，与摩托罗拉的Atrix异曲同工。
第三步1. 打开后盖，可以看到可更换电池。
2. 摩托罗拉表示，Droid 3待机时间为300小时，可连续通话9小时。
3. 我们怀疑，待机300小时也太无趣了。
电池为3.7V 1540毫安。
第四步1. 这款Droid有SIM卡。
Verizon 的网络协议CDMA不需要SIM卡。
2. 没有SIM卡严重影响到Verizon网络的全球使用。
包含了SIM卡意味着Droid 3可以全球通用。
第五步1. 与前代一样，Droid 3是由T5内梅花头螺钉固定。
2. 摩托罗拉喜欢将螺钉和插销藏在信息标签下面，需要揭掉才能看见，当然这些只是小意思，难不倒专业的我们了。
3. 将螺钉、夹子和贴纸都取下以后，我们看到了Droid 3内部全貌。
第六步1. 接下来，我们使用塑料片将摄像头带状电缆从主板上剥离。
2. Droid 3背面装有800万像素摄像头，可以进行30 fps、1080p录像。
X138四轴原理图BOM
M2.M3 黑白线电机 7*20MM M1.M4 蓝红线电机 7*20MM M1.M4 螺旋桨 长度：56MM M2.M3 螺旋桨 长度：56MM BTA 锂电池 3.7V 600MA 25C 送 下载器 CH340G 送 杜邦线 长20CM 送 充电线 3.7V 充电线是USB插头，充电时使用自己的手机充电器，插上电池充电时 为充电状态，插头上的红色LED灯灭，充满LED自动亮，表示充满；如果 怀疑，拔下充电电池，LED灯自动亮起！ 实物板子上面的零件位没有焊接的不用类型 封装 名称 数量 四轴PCB板 1 NRF24L01 直插2.4G模块 DIP2*4 NRF24L01 1 U6 贴片IC LQFP32 STC15W4K48S4 1 U1 陀螺仪 QFN24 MPU6050 1 KG1 贴片拨动开关 7P-12608微动开关 MK12C02 1 C1 贴片电容 C0603 50V 2.2NF 1 C2 贴片电容 C0603 50V 0.01UF 1 BL8530U3 贴片IC SOT-89 1 501SM(E50G) U4 贴片IC SOT23-5 ME6219C 1 JP1 4P插针 下载用 4P插针 1 BTA 2P插针 电池用 2P插针 1 L4 贴片电感 CD43 47UH（470） 1 C16、C17、C18、C19 贴片胆电容 C3528 6V 220uF 4 R4、R5、R6、R7 贴片电阻 R0603 102（1K） 4 R8、R9、R10、R11、 贴片电阻 R0603 103（10K） 6 R12、R13 C3、C4、C5、C6、C7 50V 104 贴片电容 C0603 9 、C8、C9、C10、C15 （0.1UF） 红色、蓝色、 2 LED1、LED2 贴片LED LED0603 绿色、黄色 LED3、LED4 贴片LED LED0603 （随机发货） 2 Q1,Q2,Q3,Q4 D5，D16 贴片MOS管 贴片二极管 SOT23-BCE-GDS SOD123 SI2302DS （A2HSB） 1N5819 （S4） 720空心杯 720空心杯 A桨 B桨 4 2 2 2 2 2 1 1 3 1 注意 丝印
PCB变形的建模与仿真----
PCB变形的建模与仿真----印刷电路板在回焊过程中变形的建模与仿真摘要在SMT中，回焊是非常重要的工站。
在回焊过程中受到热冲击已成为印刷电路板(简称为PCB)组件生产过程中产生缺陷的主要原因之一。
PCB组件组成材料不同，热膨胀系数等热性能参数相差较大，容易产生翘曲变形等缺陷，造成元器件和PCB之间的电气和物理连接失败，导致整个PCB组件失效。
而由于传统的,经反复试验、反复调整来改进回焊工艺的方法既费时又耗费大量实验经费，不能适应当前电子产品更新速度快、竞争日益激烈的需求，在这一背景下，焊接工艺的建模与仿真、预测与控制研究引起了广泛的关注。
模拟仿真可以识别在回焊过程中的温度变化以及确定其对生产质量的影响;对回焊温度曲线的设定使设计者根据PCB热分布重新排布组件从而使产品设计达到最优化。
本文利用有限元法对PCB组件在回焊过程中的受热进行分析，建立瞬态温度场和应力场模型。
用ANSYS软件对PCB组件在回焊过程中由于受热产生的热机械反应进行了模拟和建模，得出了温度场以及应力场的分布。
由于PCB组件组成材料的热物理性能不同，以及经过不同的温区加热，模拟了不同时刻整个PCB组件的温度场分布。
建立了一个贴装了3个PLCC的4层PCB板物理简化模型，模拟了在三种约束条件下，该组件在回焊过程中受热冲击时，产生的热应力及热变形。
选取PCB上3个点，得到了在三种约束下面位移和离面位移的位移量，即在底面对角两点约束下面位移和离面位移的位移量最大;底面4顶点约束下面位移和离面位移的位移量其次;底面两对边约束下面位移和离面位移的位移量最小。
通过仿真可对回焊温度曲线进行优化，使得PCB 组件得到比较均匀的温度场分布，并调整对PCB的约束，使得变形最小化。
关键词:回焊;热应力;建模;温度场;仿真;,Modelling and simulating for PCB Deformedin refolw solderingAbstract of thesisReflow soldering is very important technics in SMT. Thermal impact to PCBA during reflow soldering is considered one of the main drivers for manufacturing defects. The materials making up a PCBA is various, and the thermal property of the materials is also different ,this may cause some defects for example wargpage. Excessive warpage in the PCB may result in gaps forming between the module leads and the molten solder on the solder pads, then the failure of electronically and physical connection lead to PCBA's defect. The traditional approach of experimentally analysing production defects would be costly and virtually impossible, and can't reach the demand of the producer for the fast renovation and the acute competition. An alternative to this approach is to derive computational and numerical models that encapsulate representations of the key process physics, so that effect analysis of the pertinent process variables may be examined. The application of the modelling and simulation to a sample PCBA has been carried out to explore how undue variations in the reflow temperature can be minimized by a number of different strategies. It has been shown that simple movements of components can have quite beneficial effects on the overall process thermal history of the PCB.The paper use finite element analysis method analysis the thermal impact of PCBA during the reflow soldering ,and building the temperature and stress distribution model. The paper model and simulate the thermal warpage of PCBA during reflow soldering , get the temperature and stress distribution of PCBA. This paper simulate the temperature distribution of PCBA under the condition of the material making up PCBA is different ,and PCBA will go through different oven section, building a simple physical model of a 4-layer PCB with 3 PLCCs to simulate the thermal stress and warpage of PCBA under three constrained conditions, when the PCBA go through the oven sections. Compared the surface displacement and the Zaxis displacement of three points on the PCB under the three constrained condition to get the result of following. The thermal warpage happened under the constrained conditions of the two points on the cross were constrained is large than that happened under the constrained conditions of the four points were constrained . the constrained conditions of the two sides were Simulation warpage is constrained. Optimize and the temperature minimized by adjusting,the temperature figure is attainable through the distribution of PCBA is more uniform, also the constrained condition.KEYWORD: refolw soldering; thermal stress; modeling temperature field; Simulation;1目录摘要 (1)Abstract (1)目录 (2)第一章绪论 (3)1.课题背景意义.................................................................................................................32.国内外研究概况 (3)3.研究思路及方法 (4)第二章PCB组件概述 (5)2.1 PCB简介 (5)2.1.1 PCB的分类 (5)2.1.2 PCB的材料组成 (6)2.1.3 PCB的制造流程 (7)2.2 PCB组件 ....................................................................................................................... .82.3 小结 (8)第三章PCB理论分析与建模 (12)3.1温度场数学模型的建立 (12)3.1.1温度场概况 (12)3.1.2热传递的基本方式 (12)3.1.3初始条件和边界条件 (13)3.1.4温度场的泛函表达式 (15)3.2热应力的数学模型 (19)3.2.1 热应力概述 ........................................................................................................193.2.2 热弹性理论基本方程 (20)23.2.3 热应力的有限元方程.......................................................................................223.3 小结 (23)第四章PCB组件的建模与仿真 (24)4.1 建模以及仿真步骤 (24)4.2 仿真结果及分析 (4)24.3 小结 (4)4第五章:总结与展望 (4)5致谢 (46)参考文献 (4)7附录 (4)8第一章绪论1．课题背景及意义在SMT中，回焊是非常重要的工站。
LP12A规格书
图4. (1)上电 (2)正常工作 (3)自动重启 (4)电源关断时的典型波形
脉宽调制器 脉宽调制器通过驱动输出MOSFET来实现多模式控制，其占空比与流入控制脚超过芯片内部消 耗所需要的电流成反比（如图3）。反馈误差信号以过电流的形式， 由一个典型转折频率为 7 kHz的RC滤波电路进行滤波，以降低芯片电源电流中由MOSFET栅极驱动产生的开关噪音。 要优化电源效率，需要实施四个不同的控制模式。在最大负载条件下，调制器将在全频PWM 模式下进行工作，随着负载的增加，调制器将自动依次切换到变频PWM模式和低频PWM模式。 在轻负载条件下，控制方式将从PWM控制切换到多周期调制控制，调制器在多周期调制模式 下进行工作。虽然不同模式的工作方式有所不同，但为了实现模式间的平滑切换，图3中所
振荡器和开关频率 内部振荡器使内部电容在两个设定的电压值间线性充放电，以产生脉宽调制解调器所需的三 角波电压。在每个周期的起点，振荡器将脉宽调制解调器/电流限制的触发器电路置位。全 开关频率选择为66kHz。全频PWM模式下，66kHz开关频率大约在±2.5kHz的范围内以250Hz 的速率抖动。当系统进入固定漏极峰值电流的变频模式后，频率抖动将关闭。
图 2. 内部结构框图
引脚功能描述
管脚 1
5,6,7,8 3 4 2
符号 S D C NC M
管脚定义描述 功率管的源极 功率管的漏极 控制反馈引脚 空脚，不连接 多功能引脚
控制（C）引脚： 误差放大器及反馈电流的输入脚，用于占空比控制。与内部并联调整器相连接，提供正常工 作时的内部偏置电流。也用作电源旁路和自动重启动／补偿电容的连接点。 漏极(D)引脚: 高压功率MOSFET漏极引脚。通过内部的开关高压电流源提供启动偏置电流。 源极(S)引脚： 这个引脚是功率MOSFET的源极连接点，用于高压功率的回路。它也是控制反馈脚的参考地。 空脚(NC)引脚： 该脚为空脚，与芯片内部无连接，外部应用无需连接。 多功能(M)引脚: 是过压(OV)、欠压(UV)、降低DCMAX的线电压前馈、输出过压保护(OVP)、外部流限调节、远 程开／关和器件重置的输入引脚。多功能引脚组合了电压监测及外部流限引脚功能。但其中 某些功能不能同时实现。连接至源极则禁用此引脚的所有功能实现简单的三端模式工作。
EM3 V2.2开发板原理图(修正版)
J12 8 7 6 5 4 3 2 1 JR1 JR2 JR3 JR4 JR5 JR6 JR7 JR8 GND LE 2 3 4 5 6 7 8 9 1 11
P10
LED1 b c dp f e
LED2 b c dp GND 1 2 3 4
CX8
VCC
J1602
COM a GND JR8 JR7 JR6 JR5 5 6 7 8 RP22 103 4 3 2 1 GND Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 19 18 17 16 15 14 13 12 20 10 4 3 2 1 4 3 2 1 VCC GND RP20 101 5 6 7 8 5 6 7 8 f e g b f c dp e
DS1302
32.768 A1 VCC U0 1 VCC2 VCC1 2 X1 SCLK 3 X2 I/O 4 GND CE DS1302
GND 74HC595 U5 OE RCLK SRCLR SRCLK SER
P36 VCC QA QB QC QD QE QF QG QH QH' 16 15 1 2 3 4 5 6 7 9 P16 VCC P595_B 1 2 3 4 5 6 7 8
c e
NTC1 AD1 502 1 2 AIN1 R68 103 R69 104
GR1 1 2 AIN2 1 DI 2 T-CS 3 CLK 4
VCC R1 4.7K
U3 ET2046 12 11 10 9 AIN3 AIN2 GND
GND
C
VCC X+ Y+ X-
R2 16K R0 GND 330R +5V RQ0 B
9
VCC a f e g d b c dp
摩托罗拉Z3手机初级维修手册
REV O
2
Level 1 and 2 Service Manual
使用者........................................................................................................................ 4 约定............................................................................................................................ 4 保修服务政策................................................................................................................ 4 OOB 政策.....................................................................................................................4 产品支持.................................................................................................................... 5 用户支持.................................................................................................................... 5 更换元件........................................................................................................................ 5 配件和售后部门............................................................................................................ 5 规格................................................................................................................................ 6 产品概述........................................................................................................................ 7 特性................................................................................................................................ 7 语音拨号及记录功能.................................................................................................... 8 WAP1.1 无线应用协议...................................................................................................8 SIM 卡应用工具包 –II 类.........................................................................................8 来电显示........................................................................................................................ 8 其他特性........................................................................................................................ 9 拆卸.............................................................................................................................. 10 拆卸及更换电池门和电池...................................................................................... 10 更换 T-flash 卡......................................................................................................11 更换 SIM 卡..............................................................................................................11 拆装后盖.................................................................................................................. 12 拆卸小板.................................................................................................................. 13 拆卸主板.................................................................................................................. 13 拆卸键盘.................................................................................................................. 15 拆卸前壳.................................................................................................................. 16 拆卸滑盖组件.......................................................................................................... 16 拆卸显示组件.......................................................................................................... 18 SIM 卡.......................................................................................................................19 识别.......................................................................................................................... 19 机械顺序号 (MSN)..................................................................................................19 国际移动站设备标识 (IMEI)................................................................................19 故障排除...................................................................................................................... 21 分解图.......................................................................................................................... 25
电气工程及其自动化专业毕业论文完整版-单相交直交逆变电源设计
说明：1.本报告必须由承担毕业设计(论文)课题任务的学生在接到“毕业设计(论文)任务书”、正式开始做毕业设计(论文)的第2周或第3周末之前独立撰写完成，并交指导教师审阅。
2.每个毕业设计(论文)课题撰写本报告一份，作为指导教师、教研室主任审查学生能否承担该毕业设计(论文)课题任务的依据，并接受学校的抽查。
中文摘要电源是各种电子设备的核心，它有如人体的心脏，是所有电类设备的动力。
20世纪90年代以来，随着电力电子技术飞速地发展，不断涌现出新型电力电子器件，高智商化IC和新电路拓扑，创造出十年前意想不到的许多新型稳压电源。
现代高频开关稳压电源作为电源的一个分支，由于它具有功率小，效率高，体积小，重量轻，稳压范围宽，可靠安全等一系列特点，现在正越来越受到青睐和推崇。
现代高频开关稳压电源技术涉及的内容是极其广泛和复杂的，它横跨了三个学科:一是微电子精细加工的智能化专用集成电路控制芯片系统;二是正在快速更新的高性能功率半导体MOSFET和IGBT等电力电子器件;三是要合理利用，绕制各种电感器件和变压器所用的磁性材料等几大类。
现代开关稳压电源已广泛用于基础直流电源，交流电源，各种工业电源，计算机电源，UPS不间断电源，医疗和照明电源，雷达高压电源，音响和视频电源等。
本文设计的单相脉宽调制逆变电源属于交流电源(AC-DC-AC逆变)，采用电压反馈控制，通过中断功率通量和调节占空比的方法来改变驱动电压脉冲宽度来调整和稳定输出电压。
其主电路构成采用的是Boost电路和全桥电路的组合。
控制电路采用了2片集成脉宽调制电路芯片，一片用来产生PWM波，另一片与正弦函数发生芯片做适当的连接来产生SPWM波，集成芯片比分立元器件控制电路具有更简单，更可靠的特点和易于调试的优点。
本文详细的分析了该逆变电源的工作过程，并推导了重要公式。
最后对该逆变电源进行了计算机仿真和样机实验，验证了其可行性和有效性。
关键词：逆变器;正弦脉宽调制;场效应管AbstractPower supply is core and drive of electric equipments. With the flying development of power electronics technology, It has come forth continually that is IC of high intelligence, new type electronic device and topology since 1990's. As aresult, A lot of new type steady-voltage power supply has been created that is indescribable ten years ago. High-frequency switching power supply is a branch of power supply. It possesses many advantages such as low-power, high-frequency, small- volume, light-weight, wide-range of steady voltage, credibility and security. It has been received and upheld by the people. It involves a great deal content that is extensive and intricate. It bestrides subject of three aspects. The first is IC control chip system of micro-electronics; The second is electronic devices of high-performance power semiconductor such as MOSFET and IGBT. The third is various devices of inductance and magnetic materials of transformer how to be utilized and rolled rationally.Steady voltage power supply of modern switching has been applied in the following aspects widely. They are DC power supply, AC power supply, industry power supply, computer power supply, UPS power supply, power supply of medical treatment and lighting, high voltage power supply of radar, power supply of sound and video frequency and so on. Single-phase Sinusoidal Pulse Width Modulation Inverter Power Supply in this paper belongs to AC power supply (AC-DC-AC convert). Control mode adopts feedback of voltage control. The methods of intermitting power flux and changing duty-cycle can change pulse width of drive voltage that adjust and rectify output voltage ultimately. The main circuit is made up of compounding of Boost and the full-bridge circuit. The control circuit adopts two chips of integrated pulse width modulation. One produces PWM waveform. The other connects chip of producing sinusoidal signal properly, which brings SPWM waveform. Integrated chip is more simple, reliable and laboratorial than discrete component.The operation of inverter power supply is thoroughly analyzed and some important formulas are deduced. Finally, the principle of operation are illustrated and verified on emulation and experimental results.Key words: inverter; Sinusoidal Pulse Width Modulation,MOSFET目录第1章概述 (1)1.1现代电源发展概况 (1)1.1.1 交流稳压电源 (1)1.1.2 UPS及交流净化电源 (2)1.1.3 工业电源的发展 (2)1.1.4 直流开关电源 (2)1.1.5 软开关——PWM功率变换器 (3)1.1.6 分布电源技术的发展 (4)1.1.7 功率因数校正技术 (4)第2章 PWM的工作原理 (5)2.1 PWM的基本原理 (5)2.2 PWM型逆变电路的控制方式 (8)2.2.1 异步调制 (8)2.2.2 同步调制 (9)2.3 SPWM波形的生成方法 (9)第3章逆变电源组成及主电路的设计 (10)3.1 系统组成 (10)3.2 主电路组成及工作原理 (11)3.3 主电路设计 (11)3.3.1 共模抑制环节 (11)3.3.2 工频变压器设计 (13)3.3.3 限流电路设计 (14)3.3.4 Boost变换器设计 (15)3.3.5 桥式逆变器基本原理 (20)3.4 主电路图 (21)第4章逆变电路的控制电路设计 (22)4.1 辅助电源设计 (22)4.2 控制电路框图 (23)4.3 SG3524和ICL8038芯片介绍 (24)4.3.1 SG3524芯片 (24)4.3.2 ICL8038芯片 (25)4.4 控制电路设计 (27)4.4.1 利用SG3524生成SPWM波形 (27)4.4.2 驱动电路设计 (28)4.4.2.1 驱动电路工作原理 (28)4.4.2.2 驱动电路参数原理图 (29)4.4.3 过流保护电路 (30)4.4.4 反馈调压电路 (30)4.4.4.1 反馈调压电路工作原理 (30)4.4.4.2 反馈调压电路主电路图 (31)4.5 控制电路图 (32)第5章结论与展望 (33)致谢 (34)参考文献 (36)第1章概述1.1 现代电源发展概况现代电源技术是综合应用了电力电子、电子与电磁技术、自动控制及微处理器技术的一种多学科技术。
各种手机电路分析bkdo
当手机加电时， 电池电压通过输入电路送至电源 模块(N100)的F1、 G1、 G3、 G5、 A4、 H6、 D2等脚 ， 经其内部电路转换后， 从N100的E4脚输出3 V左右 的触发电压， 使触发端保持高电平。 当按下电源开关 键(ON／OFF)， 给电源模块(N100)的触发端输入一低 电平触发信号时， 电源模块(N100)开始工作， 并分别 从下列各脚输出相应的电压给手机各电路供电：
(8) 从N100的D4脚输出VREF(1.5 V)电压， 给射频 处理模块(N505)、 多模转换器(N250)等供电。
(9) 从N100的B4脚输出VCORE(2.0 V)电压， 给中 央处理器(D200)等供电。
(10) 从N100的H7脚输出VCP(5.0 V)电压， 给稳压 模块(N600)等供电。
图3-15 摩托罗拉V60型手机接收一本振电路原理图
发射TXVCO U350的第3脚VT为内部压控振荡器的 控制脚， 该脚电压越高， 第6脚产生的TX_OUT的频 率也相应越高， 反之越低。 当由于温度或其它原因导 致TX_OUT变化时， V60通过R353把该改变反应给 U201内部。 首先经过分频， 然后与已经经过基校准的 基准频率26 MHz进行鉴相， 把鉴相后误差的结果由 U201的B1脚输出来(即CP_TX)， 再对TXVC第3脚进行 调整， 进而调整了TXVCO U350的输出射频信号， 使 之符合基站的要求。 其电路原理如图3-16所示。
3.1 诺基亚8210/8850型手机电路分析
诺基亚8210/8850型手机是由芬兰诺基亚公司推出 的两款双频手机， 这两款双频手机电路结构基本一样 ， 而外观变化较大， 其外形如图3-1、 3-2所示。 这两 款双频手机的特点是采用了内置天线和电池， 逻辑部 分多处采用软封装IC。
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BB_SPI_CLK BB_SPI_MOSI BB_SPI_MISO AUL_CS AUL_INT
GA_INT STANDBY_1_5V
CLK 13 MHz
OWB
Neptune Atlas USB/ RS232 Communication
Neptune Atlas Communication
One Wire data from Battery
Neptune Atlas USB/ RS232 Communication
G2 D1 E3 G3
DRI (Data TX) MS
(TX/RX Enable)
LPF
DC Correct
Digital Radio Receiver RX CP
4 6
Low Band
900MHz
MDI (Data RX) MISOB (readback) (only used in Engineering debug mode - not for Service) MCLK BT_CLK BT_CLK_EN 1 Y100 2 3 26MHz RF_DATA RF_CLK RF_CS VCO_REG VM_REG VBUCK RF_REG IO_REG REF_1p2
Inverter
HS INT 4
Hall Effect
1
Open/ U1600 (FlipDetect)Close
U1401
5
2
6
PERIPH_IO_REG BLUE_WAKEB
BB_SAP_CLK (clock) BB_SAP_FS (framesync) BB_SAP_RX BB_SAP_TX
USB_VPIN USB_XRXD_RTS USB_VPOUT_TXD USB_VMIN_RXD USB_TXENB USB_SE0
4
RA60
2
TX_LB
26
1
2
3
GSM850/ GSM900 OUT
Power and Antenna Control
1 2 3 4
U50 - RAPTOR
1900 MHZ
10
16
15
9 13 8 17
BP 5,6
NEPTUNE LTE2
1800 MHz
REG_BYP_CORE 3 M18 H1 A11, U16, ..... E2 V5, R16, .... K2 K3 J4 L1 R1 M1
LNA
N10
G1
PA Control
GPIO
STANDBYB
W10 U9 GPIO T8 A4 26 MHz Oscillator Clock Generator
MCU ARM7 52 MHz
Interface
RX / TX In / Out - Put controler
3
High Band 1800MHz
(Clock ) (from Atlas ) (from / to JDaughter Board Connector
VRAMP (PA Power Control)
(Transmitt Enable)
850 MHz
U6
L1 Timer
DSP UltraLite 104 MHz
DSP Memory
SIM
MQSPI
F3.... V12 W12 F2.... W13 T11 V11 B14 T10 G8
UART2 One BaseBand Wire Serial Audio Universal Bus Port Interface Asynchron. BT (rx) (tx) C14 Rx /Tx V13 E3 U11 A12 B13 B15 N13 D16 W11 D13 B12 T7 D19 N17 V16 U13 W5 Timer Interface BLUE_HOST_WAKEB
(from/ to U301 BT, J1300 Neptune - BT - Neptune Communication and Wakeup)
BT_RESET_B
(from J U5000)
(to Atlas ) STANDBY
Key-Matrix 0-9,*,# Navigation, Smart, Volume Camera
BB-SPI_CLK BB_SPI_MOSI BB_SPI_MISO AUL CS AUL_INT
C7
Charger
(from J600)
PERIPH REG
B6
BB_SAP_CLK(clock) BB_SAP_TX BB_SAP_RX(tx) BB_SAP_TX(rx) BB_SAP_CLK
USB_VPIN USB_XRXD_RTS USB_VPOUT_TXD USB_VMIN_RXD USB_TXENB USB_SE0
Interface
(Transmitt Enable)
VDETECT
TX_START RESETB
TX_EN
VSIM_EN
(to Atlas)
Shared Memory 1Mbit RAM
Quard Saw Filter and Matching 1
High Band 1900MHz
FL100
GSM / EDGE Tranceiver IC
PERIPH_IO_REG BP BLUE_RX BLUE_TX BLUE_CTSB BLUE_RTSB
B3...... H6 E5 E4 E8 E7 C8 C6 C4 E3 D7 E2 F6
(from/ to Neptune Serial Audio for Ringtone and Voice Audio)
U800
DSP Peripherals accelerator, encryption Timer, Interupts Power
900 MHz
IO_REG (VCC + 2.775V) PERIPH_IO_REG (VCC + 2.775V) REF_REG (VCC + 1,575V) VBUCK (VCC + 1,875V) VSIM (from Atlas ) SIM DIO (Data In /OUT) SIM RST (Reset ) SIM CLK SIM_PD
MQSPI Display
÷2
Synthesizer RX / TX Clock
90°
F3 J1 J3 K4 K5 D2 F1 E1
LCD_OEB LCD_RS LCD_CS ATI_DQ (0 - 7) LCD_WEB
(LCD Control to U5000 )
÷2
TX VCO
TX CP
Serial Interface
RESETB WDOG (Watchdog) CLK 32KHZ RESET OUT ATI_RESETB_2_7V
Revision Overview Rev. 1.0: Initial Block Diagram updated EL Circuit to U3000
Servive, Engineering & Optimization LEVEL 3 AL Block Diagram Z3
LPF Amplitude Modulation
Transmit Modulator
LPF
ADC Voltage Reg.
C10 J5, J8 H2 B4 C1 C5
(VCC’s from Atlas)
UART / USB Keypad Interface Interface A17 C15 D15 B16 C16 A16
3 10
8
EL_LAMP_VP
Bluetooth
Bluetooth
(from Atlas)
(on PCB) Strip Line Antenna
BT_ANT
EL_LAMP_VM
25
FL301
(from/ to U301 BT, Neptune - BT - Neptune Communication and Wakeup)
RX MID CHANNELS 850: CH190 -- 881,6 GSM: CH 62 -- 947,4 MHz EGSM: CH 37 -- 942,4Mhz DCS: CH 700 -- 1842,8MHz PCS: CH 661 -- 1960MHz
18,31
Internal Antenna
(13 MHz)
2
(from/ to Neptune Serial Audio for Ringtone and Voice Audio)
FL1501 FL1502
EMI & ESD
U801
Level Shift 4
BLUE_RX BLUE_TX BLUE_RTSB BLUE_CTSB
KBC0-2 KBR0-7
K1 G8 D6 F3 C2
U700 FLASH
RESET OUT (from Neptune) VBUCK (from Atlas)
Low Band 850MHz
LNA
÷4
90°
F4 F5,D5 J2,H1,H8 E4... C6 E5 G7 16 MB SRam 64 MB Flash
RX VCO
Switch
U807
2 IO_REG
(Enable)
PA Power Control selection via VRAMP, TX_HB and TX_LB 1. IPC: Input Power Control mode - for EDGE mode (PA gain is fixed and PA input power varies) 2.BCM: Bias Control mode - for GMSK mode (PA gain varies according to power step and fixed input PA power) LB_HB US_EURO TX_ANT_SW_EN IPC_BCM