电子技术基础期末复习资料

电子技术基础期末复习资料
电子技术基础期末复习资料

11级电子技术基础期末复习资料

一.概念填空:

1.电路由电源负载中间环节三部分组成。

2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。

3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压

与外电路所共同决定。

4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。

6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。

7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。

8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。

9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。

11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。

12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管

的阴(或负)极。

13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。

40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电

子 ,少数载流子是 空穴 。

14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ;三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。

15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,

电感电流i l (0+)= i l (0-) 。

16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___

截止状态_____。

38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。

18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。

=A ——

(B+C) +AB C ——

的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。

20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存

在) 。

21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

23 .对电路中任一节点,任一时刻流入该节点的电流之和 等于 流出该节点的电流之和。 24.动态电路初始储能为零,意味着电路中电感的 电流 为零,电容的 电压 为零。

25. 如图3所示, 各电流的参考方向已设定。 已知 I 1=10A, I 2=—2A, I 3=8A 。则I 1、 I 2、 I 3的实际方向分别为 a →b 、 b →c 、 b →d 。

26.一个逻辑函数全部最小项之和恒等于 1 。

27. 矩形脉冲波形的占空比q 是指 _____Tw/T________________ 。 28 .基尔霍夫电流定律表述为: 略 。

29.简化电路必须在等效的条件下进行,若两个网络端口的 伏安 特性完全相同,则此两个网络等效。

30.预置触发器为“1”态,应在R ___

D 、S ___

D 端加R ___

D = 1 和S ___

D = 0 电平信号。 31.电路的主要功能有两种,一是 传输电能 ;二是 传递信

息 。

32.单稳态触发器有一个 稳 态和一个 暂稳 态。 34.二极管最主要的特性是__单向导电性____ _______。

35.两输入异或逻辑的逻辑函数表达式为 B A B A y += 。

图3

36.根据逻辑功能的不同,触发器可以分成 RS 、 JK 、D、T 等几种逻辑功能的类型。

37.D触发器的特性方程是Q n+1 = D 。

22.已知,则使L为1的A、B、C取值组合为010,011, 100,110种。39.已知L=AB+AC,则使L为1的A、B、C取值组合为 110,111,101 三种。

41 .在室温附近,温度升高,杂质半导体中的少数载流子浓度明显增加。

42. PN结未加外部电压时,扩散电流等于漂移电流;加正向电压时扩散电流大于漂

移电流,其耗尽层变厚。

43. 工作在放大电路的三极管电流(电位)如图所示,请按要求内容就各管位于中间位置的管脚填空。

基发射极

44.组合逻辑电路的特点是:任意时刻的输出,与该时刻的输入有关,与电路原状态无关

45. 时序逻辑电路的特点是:任意时刻的输出,与该时刻的输入有关,与电路原状态也有关

46. 已知某放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V,其电压放大倍数等于1000 ,加上反馈后,达到上述同样输出时需加输入信号为10mV,所加的反馈为负反馈。

二、判断题(请在正确题后()内打√,不正确题后()打×;每小题1分,共10分)

1.恒压源的主要特征是:它的输出电压始终恒定,输出电流由外电路决定。(√)2.对于一个实际电压源,其内阻越小越接近恒压源。(√)

3.理想电压源在一定条件下可以转换成理想电流源。(×)4.三极管工作在放大状态时,发射结一定正偏,集电结不一定正偏。(×)5.组合逻辑电路任何时刻的输出不仅取决于当时的输入,而且与电路的原状态有关。(√)6.编码器和触发器都是属于时序逻辑电路。(×)7.十进制计数器可用四个触发器组成。(√)8.单稳态触发器有两个稳定状态。(×)9.逻辑函数只能用真值表和卡诺图表示。(×)10.稳压管是一个PN结,在一定条件下可以当二极管用。(√)11.三极管内有两个PN结,所以可以用两个二极管来代替一个三极管用。(×)12.对于实际电流源来说,其内阻越大越接近恒流源。(√)13.三极管有三个工作区,当它工作在饱和区时,相当于是一个闭合开关。(√)14.在电路化简时,凡有多个恒压源串联,其等效电压为多个恒压源的代数和。(√)15.时序逻辑电路任何时刻的输出不仅取决于当时的输入,而且与电路的原状态有关。(√)16.编码器、译码器以及数据选择器都是属于时序逻辑电路。(×)17.二进制计数器只可以记录二个数,这两个数分别是的0和1。(√)

18.JK触发器有两个稳定状态,这两种状态是不能转变的。(×)19.逻辑函数可以用真值表和卡诺图表示(√)20.稳压管是一个PN结,它工作在反向饱和区。(×)

21.本征半导体中的自由电子与空穴数目相等,因此二者的导电能力相同。(×)

22.三种基本放大电路中,输出电阻最小的是共基极电路。(×)

23.放大器低频段的频率响应,主要是受耦合电容和旁路电容的影响。(√)

24.引入负反馈使增益和稳定性下降了。(×)

25. 若放大电路的A0,则接入的反馈一定是正反馈。(×)

26.为使运放线性工作,应当在其外部引入深度负反馈。(√)

27.饱和失真、截止失真、交越失真和频率失真均属于非线性失真。(√)

三.计算填空题:

1.根据元件N的已知功率,求下列各电路图中的电压V。

(a)N产生功率=5W,V= 5/3V 。

(b)N产生功率=10W,V= —10/3V 。

2.求下列各电路中电压源或电流源的产生功率。

(a)P Is= 45W ; (b) P Vs= —4W ; 3.求下列各电路的电流。

(a)I s= — ; (b) I1= ;

(c) I= 2A

(c)

4.求下列各电路的电压。

(a)V s= 26V ; (b) V ab= —8V ;

5.求下列电路中各点的电位。

(a)V a= 10V ,V b= 4V , V c= 0 V .

(b) V a= —4V

四.分析计算题:

1.将下列电路等效成电流源;

(a)答案:(b)答案:

2.将下列电路等效成电压源;

(a)答案:(b)答案:

3.在图下中,各方框泛指元件。已知I1=3A,I2=2A, I3= -1A,V a= -10V,V b=8V,V c=3V。

(1)欲验证I1、I2数值是否正确,问电流表在图中应如何连接

并标明电流表极性。

(2)求U ab和U bd,若要测量这两个电压,问电压表如何连接

并标明电压表极性。

答案:

4。请计算下列电路图中i= 。i=

5.电路如图所示,t <0 时电路处于稳定,t = 0时开关由“1”扳向“2”,请用三要素法求电压u c(t) , 并画出其暂态过程曲线。

答案:

t

e

t

uc32

6

6

)(-

-

=

τ=3/2 S

6.1.求题图所示各电路的等效电阻R ab, 其中R1=R2=1 Ω,R3=R4=2Ω,R5=4Ω,G1=G2=1 S。

答案:

7.计算下图所示电路中通过电阻R的电流。其中R1=R2=R3=10Ω,I S=1A,U S=10V,R=5Ω

答案:I=4/3A

五、计算题放大电路如图2(a)所示,管子的特性曲线如图2(b)所示。

(1)作出直流负载线,确定Q点;

(2)作出交流负载线,确定最大不失真输出电压振幅U om;

(3)如果增大输入电压,将首先出现何种失真试指出一种通过调整电路参数消除该类失真的方法。(本题24分)

图2(a)图2(b)

数字电子技术部份

1.已知逻辑函数真值表如图1所示,请写出它们的逻辑函数表达式。

Y=A+B

Y=AB

Y=A

图1

2.已知逻辑符号如图2所示,请写出与它们对应的逻辑函数表达式。

图2

答案略

3.已知

4.请画出三变量卡诺图和四变量的卡诺图。

5.图3是用卡诺图表示的逻辑函数,请将其化简为最简“与或”式:

图3

6.已知三变量的真值表如图4所示,求其最小项之和的表达式。

.

Y CD C)A(B (4)Y )B C A B A (Y (3))C B A C)(B (A Y (2)BC

B A (1)Y 求对应的++=+=++++=+=

图4

7. 用卡诺图化简下列各式:

8.写出图5所示各逻辑电路的逻辑函数表达式,并化简与或式。

图5

9.组合逻辑电路如图6所示,请写出它的逻辑功能表达式。

图6

答案略

10.已知74LS161引脚分布如图7所示, 试用复位法将其构成十进制计数器和十二进制计数器,

()()().

,111,2,3,9,100,13,14,15D)C,B,(4)F(A,;

47,8,9,13,10,1,2,5,6,D)C,B,(3)F(A,);C B (A D C)B (A D)C B D(CD B (2)A C;B A D A B A D C AB CD B (1)A ∑∑∑+==+++++++++d m m

要求画出计数状态示意图,画出电路接线图。 答案略

11.试用数据选择器74LS151实现逻辑函数Y=AB+BC+AC 。

答案:由于函数Y 中含有变量A 、B 、C , 函数Y 的最小项表达式为

其连线图:

12

(1)脉冲幅度U m 是指:脉冲电压的最大变化幅度;

(2)脉冲宽度t w 是指:从脉冲前沿至脉冲后沿的时间间隔; (3)上升时间t r 是指:脉冲前沿从上升到所需要的时间;

ABC C AB C B A BC A )

B AC(B )A BC(A )

C AB(C AC

BC AB Y +++=+++++=++=

(4)下降时间t f 是指:脉冲后沿从下降到所需要的时间;

13.脉冲波形占空比的定义式为 t w/T 。

14.试用译码器74LS138实现逻辑函数:

答案: 将逻辑函数变为最小项标准式:

由于变量数为3个(A 、B 、C ),因而选用3线-8线译码器,其输出表达式为

将Y 和Y ′比较后得到:

画出相应的连线图

7

653176531ABC C AB C B A BC A C B A )B )(B A C(A C AB C B A C

C AB C B A Y m m m m m m m m m m ????=++++=++++=++++=++=C

C AB C B A Y ++=7

6543210Y Y Y Y Y Y Y Y Y '=7

6531Y Y Y Y Y Z =

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

第一章 电子技术基础

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体? 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压(电流)、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性:在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素,则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性:温度升高,将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性:对半导体施加光线照射时,光照越强,导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体:不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子:本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子,但由于其载流子数量太少,且受温度影响太明显,因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体:在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷,称为N型半导体。其多数载流子为电子,少数载流子为空穴,主要靠 自由电子导电。 P型半导体:在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼,称为P型半导体。其多数载流子 为空穴,少数载流子为电子,主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点? 答:(1)半导体的导电能力较弱 (2)金属靠自由电子导电,半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性?答:三个特性 3、什么是P型半导体?什么是N型半导体? 答:主要靠空穴导电的是P型半导体,主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的?为什么?

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 (一)构成(一)实验一四、二极管的检测 (二)符号(二)实验二 (三)分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法,以前学的是外表上面的,本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 (一)结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体,在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构,即PN结, PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线,并将其封装在密封的壳体中,即构成半导体二极管,如图。接在P区的引线称为阳极(正极)用a表示,接在N区的引线称为阴 极或负极,用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 (二)符号

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

数字电子技术基础 第一章练习题及参考答案

第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1.以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2.以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3.一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.1 B.2 C.4 D. 16 4.十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5.在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是。 A.(256)10 B.(127)10 C.(FF)16 D.(255)10 6.与十进制数(53.5)10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7.矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8.与八进制数(47.3)8等值的数为: A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10.与模拟电路相比,数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题(正确打√,错误的打×) 1. 方波的占空比为0.5。() 2. 8421码1001比0001大。() 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。() 4.格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。() 5.八进制数(18)8比十进制数(18)10小。() 6.当传送十进制数5时,在8421奇校验码的校验位上值应为1。()

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

数字电子技术基础第三版第一章答案

第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点: 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码(BCD码) 在这种编码中,用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合,即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码,每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1,称有权码。 余3码是由8421BCD码加3(0011)得来,是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同,因而其可靠性较高,广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想,是逻辑运算的重要工具,也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则,利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图,它们各具特点又相互关联,可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点: 1.给定逻辑函数,将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数,要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则,熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时,一定要注意卡诺图的循环邻接的特点,画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外,还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中,往往给出逻辑命题,如何正确分析命题,设计出逻辑电路呢?通常的步骤如下:

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一.选择和填空 1.纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体,掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是 电子 。 2.在本征半导体中,空穴浓度 C 电子浓度;在N 型半导体中,空穴浓度 B 电子浓度;在P 型半导体中,空穴浓度 A 电子浓度。 (A .大于,B .小于,C .等于) 3. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 (A .温度,B .掺杂工艺,C .杂质浓度) 4. 当PN 结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。 (A .大于,B .小于,C .等于,D .变宽,E .变窄,F 不变 ) 5.二极管实际就是一个PN 结,PN 结具有 单向导电性 ,即处于正向偏置时,处于 导通 状态;反向偏置时,处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。 (A .0.1~0.3V ,B .0.6~0.8V ,C .小于A μ1,D .大于A μ1) 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管的死区电压为 0.5 伏,反向击穿电

压为 160 伏,反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。(大于、小于、等于) 图选择题7 8.PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ;稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二.判断题(正确的在括号画√,错误的画×) 1.N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 ( × ) 2.在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 ( √ ) 3.P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。 ( × ) 4.PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 ( √ ) 5.由于PN 结交界面两边存在电位差,所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。( × ) 6.PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性,又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 ( × ) 7.稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态(√ ),它不允许工作在正向导通状态(×)。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

电工与电子技术基础第一章习题答案

第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab=IR=5×10=50V,电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab=-IR=-5×10=-50V,电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab=IR=-5×10=-50V,电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab=-IR=-(-5)×10=50V,电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2=-I1=-1A。 (2) I2=0,所以此时U CD=0,但V A和V B不一定相等,所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题,三个电流中必有一个或两个的数值为负,即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB=U1+U2=-2V,各点的电位高低为V C>V B>V A。 (b) 图U AB=U1-U2=-10V,各点的电位高低为V B>V C>V A。 (c) 图U AB=8-12-4×(-1)=0,各点的电位高低为V D>V B(V A=V B)>V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时,电位V C=0;若将其滑动触点C右移,则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时,V B=V C=0,I=0。 当S断开时,I= 12 33 +=2mA,V B=V C=2×3=6V。 (b) 当S闭合时,I=-6 3 =-2A,V B=- 3 21 + ×2=-2V。 当S断开时,I=0,V B=6- 3 21 + ×2=4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时,表示该元件吸收功率,为负载;当其电压与电流的实际方向相反时,表示该元件发出功率,为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定,即将其先视为“负载模型”,如图1-2(a)所示,元件功率P=UI。设U=10V(电压实际方向与其正方向一致),I=2A(电流实际方向与其正方向一致),U、I实际方向一致,P=UI=10×2=20W>0(P值为正),可判断A元件吸收功率,为负载。设U=10V(电压实际方向与其正方向一致),I=-2A(电流实际方向与其正方向相反),U、I实际方向相反,P=UI=10×(-2)=-20W<0(P值为负),可判断A元件发出功率,为电源。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

(完整word版)电子技术基础数字部分第五版康光华主编第一章习题答案

第一章习题答案 1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比 012 (ms)图题1.1.4 解: 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10% 1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数,要求误差不大于2-4: (1)43 (2)127 (3)254.25 (4)2.718 解: 1. 转换为二进制数: (1)将十进制数43转换为二进制数,采用“短除法”,其过程如下: 2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b 20高位 低位 从高位到低位写出二进制数,可得(43)D =(101011)B (2)将十进制数127转换为二进制数,除可用“短除法”外,还可用“拆分比较法”较为简单: 因为27=128,因此(127)D =128-1=27-1=(1000 0000)B -1=(111 1111)B (3)将十进制数254.25转换为二进制数, 整数部分(254)D =256-2=28-2=(1 0000 0000)B -2=(1111 1110)B 小数部分(0.25)D =(0.01)B (254.25)D =(1111 1110.01)B (4)将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分(2)D =(10)B 小数部分(0.718)D =(0.1011)B 演算过程如下:

相关文档
最新文档