S8550 S8050
s8550三极管 (2)
s8550三极管1. 引言S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。
本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。
2. 基本特性S8550三极管的主要技术参数如下：•极性：PNP型•最大集电极电流（IC）：700mA•最大收集极-基极电压（VCBO）：40V•最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V•最大基极-发射极电压（VEBO）：5V•最大功率（P）：625mW•最大温度（TJ）：150℃3. 引脚说明S8550三极管的引脚如下所示：----B | | C| |E | |----•B：基极（Base）•C：集电极（Collector）•E：发射极（Emitter）4. 应用案例S8550三极管由于其小功率特性，适用于许多电子电路中，以下是一个简单的应用案例：使用S8550三极管实现亮度调节。
4.1 原理图----V1 | | C| |---- R1 ---- LEDE | |----4.2 说明•通过电阻R1限制电流，以实现LED的亮度调节。
•通过控制输入电压V1的大小，改变电流流过R1，进而改变LED的亮度。
4.3 注意事项•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电极-基极电压（VCBO）。
•根据实际要求选择合适的电阻值R1，以控制LED的亮度在合适范围内。
5. 结论S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，具有较高的集电极电流和较低的最大功率，适用于各种电子电路中。
在设计和应用中，需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接，方能发挥其最佳性能。
以上是关于S8550三极管的简要介绍及应用案例。
8050是什么管子？
8050是什么管子？三极管8050是一种NPN型三极管，它最常见的有S8050，SS8050、C8050、SC8050等。
其实这四种其特性基本都是一致的。
我们最常见的是S8050这种标识的三极管。
在一些电子电路中常会看到S8050与S8550（PNP型）配对使用，例如在OCL小功率功放电路中就可以用到这一对管子，例如下面的功率输出级电路中Q9和Q10就可以用到S8050和S8550两个三极管作为对称管轮流输出。
下面我们分别对这几个型号分别与朋友们聊聊。
S8050三极管的主要参数TO-92封装形式的三极管S8050主要参数S8050三极管有两种封装形式，其中有一种称为TO-92形式的，对于TO-92封装形式的S8050三极管，它的集电极Ic 电流为0.5A 。
集电极电压与基极电压Ucbo为40V 、集电极与发射极击穿电压（最大耐压）Uceo为25V 、集电极与发射极饱和电压Uce为0.6V、频率可达到150MHZ，这种三极管的耗散功率是0.625W。
三极管的管脚排列顺序:E、B、C。
这种三极管常用在小功率放大电路做放大管使用也可以作为在开关电路当中充当开关管使用。
像与此类似TO-92封装形式的NPN型三极管常用的还有9013、9014和9018等三极管，这些管子在小信号放大电路中是经常用到的。
SOT-32封装形式SOT-32封装形式是贴片形式的一种三极管，对于S8050三极管其贴片上的标识符号为“JY3”，它的集电极Ic 电流为0.3A 、它的耗散功率比直插式封装的小一些只有0.3W，其它参数基本相同。
这种贴片三极管是存放在盘带中，便于安装在贴片机上进行装贴，因为贴片安装是电子产品发展的一种趋势，其存放方式如下图表示。
对于SOT-23贴片三极管的基极B、发射极E、集电极C的三个引脚的排列顺序一般是固定的，其排列方式如下图所示的那样，最上面是集电极C，左下边是基极B、右下边是发射极E，我们若用手工焊接时一定要注意。
S8050三极管规格书 长电S8050参数
V
—— I
CEsat
C
100
Ta=100℃
30
Ta=25℃
10
1
3
10
30
100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
I —— V
500
C
BE
COMMON EMITTER
VCE=1V
100
β=10
500
30
10
Ta=100℃
3
1
Ta=25℃
0.3 0.1
0.2
1000
0.4
0.6
0.8
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S8050 TRANSI STOR (NPN)
V(BR)EBO
IE=100μA, IC=0
ICBO
V= CB=40 V , IE 0
ICEO IEBO HFE(1)
= VCB= 20V , I E 0 = VEB= 5V , IC 0 VCE= 1V, I C= 50mA
HFE(2) VCE(sat) VBE(sat)
fT
VCE= 1V, I C= 500mA
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency
9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法
s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
电磁炉三极管s8550和s8050好坏检测方法
电磁炉三极管s8550和s8050好坏检测方法
电磁炉中的三极管s8050和s8550是IGBT驱动电路中的元器件，两个三极管极性相反，组成推挽电路将驱动信号进行电压放大，以驱动IGBT工作。
下面我们来看这两个三极管的检测方法。
电磁炉驱动三极管的好坏检测方法
上面说过，两个三极管极性相反，8050是NPN型三极管，而8550则是PNP型三极管，下面以数字万用表为例，说明一下8050的检测方法，测量步骤如下。
一、将数字万用表拨到二级管档位，红表笔接8050的基极，（TO92封装的8050基极为中间脚），黑表笔依次接集电极和发射极并读取数值，显示读数大约在600～800mV之间，两次数值相差无几为正常，相差过大则视为损坏。
二、将红黑表笔分别接发射极和集电极，正反测量两次，无数值显示为正常，否则视为击穿损坏。
以上方法需要将三极管拆下测量，否则测量不准确，8550的测量步骤和上面一致，只要将红黑表笔对调一下即可，黑表笔接8550基极，红表笔依次接发射极和集电极。
提醒诸位：三极管作为半导体器件，有时候测量并不是那么准确，以上方法只能大致的判断一下三极管内部没有明显击穿，假如三极管的性能下降是测不出来的，所以最好的办法就是直接换掉。
S8050 J3Y SOT-23封装 0.5A 25V NPN功率管
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsS8050 TRANSISTOR (NPN)FEATURES z Complimentary to S8550 z Collector Current: I C =0.5AMARKING: J3YELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions M in T ypM axU nit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBOI C = 100μA, I E =040V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 25VEmitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA, I C =0 5V Collector cut-off current I CBO V CB =40 V ,I E =00.1 μA Collector cut-off current I CEO V CB =20V , I E =0 0.1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB = 5V , I C =00.1 μAh FE(1)V CE =1V, I C = 50mA 120400DC current gainh FE(2)V CE =1V, I C = 500mA50Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C =500 mA, I B = 50mA0.6 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat) I C =500 mA, I B = 50mA 1.2 V Transition frequencyf TV CE =6V, I C = 20mAf=30MHz150MHzSOT-23 2. EMITTER 3. COLLECTORCLASSIFICATION OF h FE (1)Rank L HJRange120-200 200-350 300-4001A,Jun,2014D,Oct,2014MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)Symbol ParameterValue Unit V CBO Collector-Base Voltage 40 V V CEO Collector-Emitter Voltage 25 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current500 mA P C Collector Power Dissipation300 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 417 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stgStorage Temperature-55～+150℃温馨提示：原装长电可用紫光灯辨别真伪！Ｓｘｉｎｅｎ品牌：Ｓ８０５０ 参考价：０．０１８101001000102550751001251501002003004000.00.40.81.2D C C U R RE N T G A I N hF ECOLLECTOR CURRENT I C(mA) 30300C O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V C E s a t (m V )COLLECTOR CURRENT I C (mA)50030103REVERSE VOLTAGE V (V)C A P A C I T A N C E C (p F )T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y f T (M H z )COLLECTOR CURRENT I C (mA)C O L L E C T O R P O W E RD I S S I P A T I O NP C (m W )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃P C —— T a5003C O L L E C T O R C U R R E N T I C (m A )BASE-EMMITER VOLTAGE V BE (V)B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E V B E s a t (V )COLLECTOR CURRENT I C (mA)C O L L E C T O R C U R R E N T I C (m A )COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CE (V)2A,Jun,2014D,Oct,2014Typical CharacteristicsSO T -23 Package Outline DimensionsSO T -23Suggested Pad Layout3A,Jun,2014D,Oct,2014 D,Oct,20144A,Jun,2014。
PNP-NPN区别及S8550-S8050参数
PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流（IB ）控制C T E 的电流（IC ） , E 极电位最低，且正常放大时通 常C 极电位最高，即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流（IB ）控制E T C 的电流（IC ）, E 极电位最高，且正常放大时通 常C 极电位最低，即 VC<VB<VENPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板 （直接或间接） PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间 接）。
这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。
NPN 基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP 基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发 射极短路。
NPN 和PNP 的区别： 1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn 。
黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择 pnp 。
3. 如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择 npn 。
4. 如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp 。
圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN 管，S8550是PNP 管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右一一e ;发射极；b 基级；c 集电极。
指针万用表核对：档位拨到 hfe 档位，8050插入到NPN 测试孔，8550插入到PNP 测试孔，万用表正确指示 hfe 值的，万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。
S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。
代换S8550_S8050三极管
8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法
三极管引脚图
当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：
(a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
s9014,s9013，s9015（pnp），s9012（pnp），s9018，s8050，s8550（pnp）系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
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代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
时间：2009-01-29 13:54:52 来源：资料室作者：地龙
8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全
图片一TO92封装图片二贴片封装
S8050 S8550
参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
集电极-发射极饱和电压 0.6V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
引脚排列为EBC或ECB838电子
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
8050S 8550S
参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压25V
集电极-发射极饱和电压 0.5V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
引脚排列为ECB
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350
关于C8050 C8550
参数：
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
关于8050SS 8550SS
参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种
关于SS8050 SS8550
参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
引脚排列多为EBC
UTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数：
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档
C：120-200 D：160-300 E：280-400
图一是这几种三极管的管脚排列图。
以上几种8050 8550一定要注意放大倍数及引脚排列。