中科院苏州纳米所实习报告分解

一、实习目的了解专业理论知识，了解相关微纳加工技术，包括光刻、薄膜沉积、刻蚀、CMP及封装工艺将理论与工艺操作结合，熟悉超净间工作环境，了解元器件加工生产工序和生产设备，加强理论跟实践密切相结合，提升专业素质和专业技能。

二、实习单位及岗位介绍实习单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工公共平台实习岗位：工艺实习员岗位介绍：纳米加工平台是集微米、纳米加工和检测手段于一体，具有先进的、有特色的多功能的加工平台。

在纳米加工平台的工艺实习员在优秀的老师的指导下完成样品微米、纳米加工和检测，按照要求并做好记录，完成必要的报告文献。

三、实习安排四、实习内容及过程7.4全班同学在老师的带领下一起乘车抵达苏州，办理入住并熟悉周围环境。

7.5入所教育及超净间参观一，苏纳所简介经老师介绍及相关资料的查询我了解到苏纳所的概况：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（简称中科院苏州纳米所）由中国科学院与江苏省人民政府、苏州市人民政府和苏州工业园区共同出资创建，位于风景秀丽的苏州工业园区独墅湖科教创新区内。

根据中国科学院调整科技布局的规划，面向国际科技前沿、国家战略需求与未来产业发展，开展相关领域基础性、战略性、前瞻性研究。

建设公共技术平台，为我国现代制造业与高新技术产业发展不断提供新的知识与技术，发挥国家研究机构的骨干与引领作用。

当前主要的研究内容：信息领域，能源领域，环境领域，生命与医学领域。

老师同时也为我们介绍了苏纳所研究生招生，待遇，以及发展等情况。

二，纳米加工平台老师首先为我们介绍了微电子技术整体的发展：从1947年肖克利团队发明第一个锗晶体管到60年代后集成电路的出现及发展，一直到今天仍在蓬勃发展的超大规模集成电路，微电子技术在人类社会信息化的过程中起到了不可替代的巨大作用。

而在发展过程中它又衍生出许多的交叉学科，如微机电系统，生物芯片等，也都是具有广阔应用前景的技术。

纳米加工平台的定位及特色：国际先进水平，面向国内外开放的纳米科学研究和成果转化的公共技术平台。

加工精度最小为10nm。

纳米加工平台的加工能力：微纳米电子器件，光电子器件，微纳光机电系统，生物传感器及生物芯片，化合物半导体器件。

平台设备概况：主要包括镀膜，刻蚀，光刻，掺杂，封装等工艺的设备。

平台现阶段研究方向：宽带隙半导体材料与器件（主要包括功率器件，InP 光电器件以及微电子机械系统），新型信息功能材料及器件（自旋电子器件，可用于非易失性存储器，传感器，硬盘，自旋发光二极管，微波器件，自旋晶体管等），二维材料纳米器件。

三，超净间参观老师带领我们参观了超净间一楼及二楼的几个实验室，简单介绍了相关的一些仪器及注意事项，着重提到了清洗间，灰区，黄光室等。

7.6加工平台综合培训（超净间的使用，安全知识，常用小型设备介绍）一，超净间的使用（主要包括超净间使用指引，超净间进出步骤，超净间管理规定，设备预约四方面）超净间使用指引：老师解释了纳米加工平台用户培训的流程，介绍超净间每个楼层的具体布局。

每个实验室旁边都有一个灰区，用来存放相关的设备和器材，清洁度要求比超净间低，可以节约一定的能源，同时一些有毒有害物质也存放在里面，所以一般非工作人员禁止进入，非紧急情况禁止进入。

每一层都有两个安全门。

超净间进出步骤：穿一次性鞋套（不能将未穿鞋套的脚放置在鞋柜内或将穿鞋套的脚放置在鞋柜外）—指纹门禁（严禁一人按指纹多人进入）—一次更衣—二次更衣（口鼻完全遮住，头发不外露，手腕不外露）—风淋室，出来步骤相反，但二次更衣手套要最后一个脱掉。

超净间管理规定：听从平台工作人员的指导和指示，平台工作人员有权纠正违反加工平台规章制度人员的行为。

使用设备时，如存在任何疑问，应及早主动与平台工作人员沟通或咨询。

除在相关工作区域作业外，不能随意走动。

非紧急情况严禁进入灰区。

湿法腐蚀只能在清洗间进行。

光刻间（104和105）限制人数，无工艺者不能进入。

未经平台规定的培训并考核合格及预约人员不得擅自操作任何设备。

未经许可，严禁挪动任何设备、仪器和装置。

工艺之前必须进行网上预约。

未经许可，除待加工样品、光刻版外严禁带入任何物品。

在超净间内严禁吸烟、拍照、摄像、饮食、接打手机。

必须保持工作环境整洁有序。

在非紧急状况下，严禁使用应急设备和设施（灭火器、消防栓、灭火毯、六氟灵、逃生门、洗眼器、淋浴器、急救包、排烟口开放装置）。

设备预约：使用设备必须先在平台网站进行预约。

预约时间注意点：工作时间（上午9:00-12:00，下午13:30-18:00）可以随时预约（仅限可以自己操作设备的用户）。

中午12:00-13:30，需提前1小时以上预约,下午18:00以后的工艺需在下午17:00前预约。

周末时间需在周五下午16:00前预约。

二，安全知识（安全意识，水电气安全，消防安全，逃生路线，化学品安全）安全意识：树立正确的安全意识是事故防范及处理的基础。

水电气安全：水电气安全问题立刻报告平台工作人员。

消防安全：碱金属，三酸（硫酸，硝酸，盐酸），轻于水的易燃液体不能用水扑救。

常见的灭火器有干粉灭火器（有腐蚀性，不适用于昂贵的仪器），二氧化碳灭火器（一般摆放在设备旁边，一拔二压）。

消防栓中水管与水带的阀门不同。

无机和有机清洗间均有防火棉。

逃生路线：每个楼层都有两个逃生门，一楼A逃生门外开，B逃生门内开。

化学品安全：1.清洗间（有机清洗间和无机清洗间）使用流程：①.预约并阅读化学品安全技术说明书（MSDS）。

②.额外的器皿和特殊化学品如要带入需向平台管理员申请。

③.填写《加工平台清洗台使用记录表》相关操作内容并记录开始时间。

④ .防护用品准备和穿戴（所有无机化药和有机中的三氯乙烯、四氯化碳、氯苯均需要穿戴完整防护，其余有机化药需要佩戴防护眼镜和手套）。

手部防护：防护橡胶手套。

眼部防护：防护眼镜。

面部防护：防护面罩。

身体防护：围裙、护袖。

⑤ .化学品操作：混合溶液时密度大的注入密度小的，稀释时加溶液于水，不可颠倒。

不可将氢氟酸放置在石英和玻璃器皿中。

要节约使用化药。

⑥ .操作结束后要清洗台面及橡胶手套，废液按要求处理。

⑦ .脱下防护用品，与穿戴顺序相反。

⑧ . 填写《加工平台清洗台使用记录表》相关操作内容并记录结束时间。

2.废液的回收和存放：处理无机废液时，要注意选择好相应的废液桶，倒废液之前加入5倍以上的去离子水稀释（浓硫酸除外），其中废液稀释的水包括原溶液以上的去离子水稀释（浓硫酸除外），其中废液稀释的水包括原溶液中的水。

废浓硫酸桶中存放废液有：（1）废浓硫酸占总体积大于50％以上的废液。

（2）废纯浓硫酸。

两者废液都不需要稀释，直接倒入废浓硫酸桶。

两者废液都不需要稀释，直接倒入废浓硫酸桶。

如果废液中浓硫酸总体积比小于50％，则需要加5倍以上去离子水稀释（废浓硫酸加入水）倒入废酸桶。

有机无机分开，酸碱分开的原则。

浓酸和稀酸分开的原则。

HF和BOE一起回收和存放。

稀碱单独回收和存放。

丙酮、乙醇、异丙醇有机溶剂一起回收和存放。

按照每个桶贴上标签或标识，倾倒和回收化学废液。

桶盖不要拧紧。

3.化学品知识：化学品入侵途径分吸入，食入和皮肤接触。

皮肤接触：立即脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗至少15分钟，就医。

眼睛接触：立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟，就医。

吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处，保持呼吸道通畅，如呼吸困难，给输氧，如呼吸停止，立即进行人工呼吸，就医。

食入：腐蚀性：用水漱口，不可催吐。

就医。

非腐蚀性：饮足量温水，催吐。

就医。

小量泄漏：用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。

接触氢氟酸或BOE（氢氟酸和氟化铵），应在一分钟内用六氟灵冲洗，之后流水冲洗至少15分钟后就医。

（一楼的在有机清洗间新液药品柜的柜顶，二楼的在无机清洗间）三，常用小型设备介绍快速退火炉（用于快速热处理，原理为高功率卤钨灯和红外辐射加热）。

台阶仪（用于台阶高度和表面粗糙度的检测，原理为探针在样品表面划过的高度由探针后面的传感器所记录）。

膜厚仪（用于测量薄膜厚度，原理为薄膜表面或界面的反射光与基底的反射光相干涉，通过计算拟合得到薄膜的厚度）。

光学轮廓仪（用于测量台阶高度、表面粗糙度、三维形貌，原理为薄膜表面的反射光与参考面的反射光相干涉，通过计算得到薄膜表面的高精度轮廓）。

数码显微镜（用于常规显微观察，原理为CCD成像）。

莱卡金相显微镜（用于常规显微观察，原理为CCD成像）。

7.7清洗间考核我们有五个人被安排在一楼有机清洗间进行考核，老师抽查了两名同学的操作情况，我们在旁观察，操作过程中并没有出现过多的疏漏，但是在使用溶液时对量把握地不够好，并且最后清理台面不够干净。

7.8综合培训考试主要考查了综合培训中提到的平台预约，清洗间的使用，安全问题，超净间使用规范等项目。

7.11综合理论培训（光刻工艺，刻蚀及CMP，薄膜沉积技术，封装工艺）一，光刻工艺光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。

光刻工艺的主要流程为清洗—表面处理—涂胶—前烘—对准、曝光—后烘—显影—坚膜—检查。

光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化，分为正性光刻胶（曝光后软化变得可溶）和负性光刻胶（曝光后硬化变得不可溶解）。

常用的曝光设备：步进重复式曝光系统，接触、接近式曝光系统，电子束、离子束曝光系统。

分辨率增强技术：离轴照明技术，相移掩模技术，邻近效应修正技术，多重曝光技术，抗反射层技术。

二，刻蚀技术刻蚀工艺基础：用物理的、化学的或者同时使用物理和化学方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。

两类蚀刻方法：湿法蚀刻（湿法化学过程，各向同性），干法蚀刻（等离子刻蚀，通常为各向异性）。

干法蚀刻效果较为优异。

干法蚀刻的不同类型：反应离子刻蚀，等离子刻蚀，ICP刻蚀。

掩膜选取原则：刻蚀选择比，去除方便，高温工艺需要避免互融及共晶，是否需要通过掩膜对刻蚀结果进行控制。

刻蚀工艺中主要工艺参数：温度，功率，压力，其他（气体流量，反应物材料，反应腔室洁净度，掩膜材料）。

三，薄膜沉积技术薄膜分类：金属薄膜（电极、互连：Al、Ti、TiN、W、Cu等），半导体薄膜（有源层、电极、互连：单晶硅等），绝缘体薄膜（介质层、隔离层。

钝化层：二氧化硅等）。

薄膜特性：好的厚度均匀性，高的纯度及密度，好的台阶覆盖能力，填充高深比孔隙的能力，具有理想配比并可控制，具有比较低的应力，电学性质佳，衬底材料和薄膜附着性好。

物理气相沉积（PVD）：是指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到衬底表面上的过程，应用于金属薄膜和介质薄膜的沉积。

化学气相沉积（CVD）：反应物扩散过边界层到达衬底表面，衬底表面吸附反应物，化学反应沉积形成薄膜。