模拟电子技术综合练习题

一、选择

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的

类型是[ A ]

A.NPN型硅管

B.PNP型硅管

C.NPN型锗管

D.PNP型锗管 1.3V

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]

A.饱和

B.放大

C.截止

D.已损坏

3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，

则电流的大小将是[ C ]

A.I=2mA

B.I<2mA

C.I>2mA

D.不能确定

4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

5、二极管的主要特性是[ C ]

A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电特性

D.恒流特性

6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流I

CBO

将[ B ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]

A.电流放大系数β

B.最大整流电流I

F

C.集电极最大允许电流I

CM D.集电极最大允许耗散功率P

CM

8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]

A. 电子

B. 空穴

C.离子

D. 杂质

10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]

A.正向电阻小反向电阻大

B. 正向电阻大反向电阻小

C.正向电阻反向电阻都小

D. 正向电阻反向电阻都大

11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ]

A. 电子

B. 空穴

C.离子

D. 杂质

二、填空

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与本征激发有很大关系。

2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β增

大，反向饱和电流I

CBO 增大，正向结电压U

BE

变小。(a.变大，d.变

小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度；4、在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度；5、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度。4、二极管的最主要特性是单向导电性。5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电。6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

三、判断对错

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ⅹ）

2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ⅹ）

3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ⅹ）

4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ⅹ）

四、在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I

2

=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。2、此晶体管的电流放大系数 约为 40 。3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP或NPN）。①

②

五、 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示

1判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；

（a ）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B (b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B

2估算(b)图晶体管的β 和 α 值。

(a) β=40 α=40/41 (b) β=60 α=60/61

六、判断各下图中二极管导通状态，并标出o U 的值。各二极管导通电压=D U 0.7V 。

左图：D1 D3 D2导通D4截止 o U =2.1V 右图： D2导通D1截止 o U =-6V

七、 电路如下图所示，若U I =10V ，R=100Ω，稳压管D Z 的稳定电压U Z =6V ，允许电

流的变动范围是Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻R L 的可变范围。

解：满足两个条件：1、稳压的条件：R L 〉150Ω

2、电流条件满足：R L 〉171Ω 且R L <600Ω

综合：R L 〉171Ω 且R L <600Ω

八、 稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为

10mA~50mA ，限流电阻R=500Ω。试求：

（1） 当?1,200=Ω==U K R V

U L i 时， （2） 当?100,200=Ω==U R V U L i 时，

解：（1）Ω

==K R V U L i 1,20稳压管稳压，V U 50=（2）Ω==K R V U L i 100,20稳压管不稳压，工作在反向截止状态，V

U 3.30= 第二章 基本放大电路

1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ C ]

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

2、在基本共射放大电路中，负载电阻R L 减小时，输出电阻R O 将 [ C ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 [ B ]

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

4、在电路中我们可以利用实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。C

A 共射电路

B 共基电路

C 共集电路

D 共射-共基电路

5、 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ C ]

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

6、 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV 的正弦

电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ A ]

A. 饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真

7、以下电路中，可用作电压跟随器的是 [ D ]

A ．差分放大电路

B ．共基电路

C ．共射电路

D ．共集电路

8、 晶体三极管的关系式i C =f(u BE )|u CE 代表三极管的 [ B ]