高压合成含硼金刚石及电化学性能机理分析
高压环境制造金刚石实验报告

高压科学实验目的1.了解高压环境的特性2.了解金刚石的制作过程3.了解金刚石的特性实验器材六面顶压机,大液压机,控制台,小液压机,水罐,激光切割机,烘干机,电热恒温鼓风干燥箱,金刚石磨盘,蒸煮箱,真空行星式球磨机实验原理金刚石的特性:硬度极大,化学性质稳定,高导热率,高传热速度,介电常数小,载流子迁移率大,抗强酸强碱腐蚀等等运用大质量支撑原理,对顶砧的大面积端施加压力,由于,S远小于,因此施加压强可以获得远大于他的压强P。
使用六面顶压机,通过调整液压油的压力来对高压腔体施加压力。
将石墨与金属触媒混合,放在5.4GPa,和温度1400C的环境中即可开始转化为金刚石。
具体分为膜生长法和温度梯度法。
前者用于生成生长磨料级金刚石,而后者用于生成宝石级金刚石。
此为静态高温高压法。
此外还有动态超高压高温合成法,低压气相沉淀法。
膜生长法:使石墨饱和溶解于触媒溶液,施加高温高压环境。
借由同一环境下石墨和金刚石的溶解度不同,使溶液过饱和以膜的形式析出在金刚石核上,使之长大。
温度梯度法:在高温高压条件下,高温处碳源石墨转化为金刚石并溶于触媒中,在一定温度梯度驱动下扩散至低温处的晶体中开始生长。
在动态超高温高压合成金刚石的技术中,根据合成金刚石原料的不同可分为三种:1.冲击波法利用高速飞片撞击石墨靶板,使石墨在撞击过程中生成微米级的金刚石颗粒2.爆炸法将石墨与高能炸药混合,在炸药在爆轰的过程中压缩石墨使其变为金刚石3.爆轰产物法利用富养平衡炸药在爆轰时,没有被氧化的碳原子在爆轰瞬间的高温高压条件下经过狙击、晶化等一系列物理化学过程,形成纳米尺度的碳颗粒集团,用氧化剂除去非金刚石相,得到纳米金刚石。
化学气相沉淀法:用微波加热、放点等方法激活碳基气体(如甲烷),使之离解出碳原子和氢原子,碳原子在甲基和氢原子的作用下在固相基片如籽晶上沉积形成金刚石薄膜。
钻石的成核与生长原料研磨将原料放置进玛瑙研磨罐内研磨,石墨通过Fe-Ni合金触媒的混合可生成黄色金刚石,在此基础上加入铝元素或者钛元素可生成白色,加入N元素生成绿色,加入铝或钛的基础上再加入硼将生成蓝色的金刚石。
添加不同硼源时金刚石的高温高压合成

㊀第47卷第9期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报㊀㊀㊀㊀㊀㊀Vol.47㊀No.9㊀2018年9月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS㊀㊀㊀㊀㊀㊀Septemberꎬ2018添加不同硼源时金刚石的高温高压合成李㊀勇1ꎬ廖江河2ꎬ谭德斌1ꎬ宋谋胜1ꎬ罗开武1ꎬ肖政国1(1.铜仁学院物理与电子工程系ꎬ铜仁㊀554300ꎻ2.湖南科技大学物理与电子科学学院ꎬ湘潭㊀411201)摘要:在压力6.5GPa㊁温度1290~1350ħ实验条件下ꎬ研究了合成体系中分别添加单质硼㊁六角氮化硼(h ̄BN)时金刚石的合成ꎮ由于合成体系中添加剂的存在ꎬ导致所合成的金刚石颜色发生了明显的改变ꎮ傅里叶显微红外光谱(FTIR)测试表明ꎬ当合成体系中h ̄BN添加量较少时ꎬ所合成金刚石中含有替代式的氮杂质ꎬ且金刚石中有sp2杂化的硼 ̄氮㊁硼 ̄氮 ̄硼结构存在ꎮ当合成体系中h ̄BN添加量达到2wt%时ꎬ金刚石中的氮仅以硼 ̄氮 ̄硼的结构存在ꎮ此外ꎬ霍尔效应测试结果表明ꎬ硼掺杂金刚石具有p型半导体特性ꎬ而合成体系中添加h ̄BN所制备的金刚石表现为绝缘体ꎮ关键词:高温高压ꎻ金刚石ꎻ掺杂中图分类号:O781㊀㊀文献标识码:A㊀㊀文章编号:1000 ̄985X(2018)09 ̄1752 ̄05SynthesisofDiamondDopingwithDifferentBoronSourcesunderHighPressureandHighTemperatureLIYong1ꎬLIAOJiang ̄he2ꎬTANDe ̄bin1ꎬSONGMou ̄sheng1ꎬLUOKai ̄wu1ꎬXIAOZheng ̄guo1(1.DepartmentofPhysicsandElectricalEngineeringꎬTongrenUniversityꎬTongren554300ꎬChinaꎻ2.SchoolofPhysicsandElectronicsꎬHunanUniversityofScienceandTechnologyꎬXiangtan411201ꎬChina)㊀㊀基金项目:国家自然科学基金(11604246)ꎻ贵州省教育厅创新群体重大研究项目(KY字[2017]053)ꎻ吉林大学超硬材料国家重点实验室开放课题(201610)ꎻ贵州省科技厅基金项目([2018]1163)㊀㊀作者简介:李㊀勇(1981 ̄)ꎬ男ꎬ山东省人ꎬ博士ꎬ教授ꎮAbstract:Thesynthesisofdiamondwasrespectivelystudiedatpressureof6.5GPaandtemperaturerangingfrom1290ħto1350ħwithboronandh ̄BNadditivesbytemperaturegradientgrowthmethod.Thecolorofthesynthesizeddiamondchangedobviouslyꎬduetotheexistenceofadditivesinthesynthesissystem.FTIRmeasurementsshowthattheNimpuritylocatedindiamondintheformsofsubstitutionalNꎬsp2B ̄NandB ̄N ̄Bwhentheadditivecontentofh ̄BNwassmall.HoweverꎬNimpurityexistedinthediamondonlyintheformofB ̄N ̄Bstructurewhentheadditivecontentofh ̄BNreached2wt%.AdditionallyꎬHalleffectsresultsshowedthattheobtaineddiamondwithBadditiveexhibitedptypesemiconductor.Howeverꎬthesynthesizedcrystalwithh ̄BNadditivepresentedasaninsulator.Keywords:highpressureandhightemperatureꎻdiamondꎻdoping1㊀引㊀㊀言由于金刚石极其优异的性能ꎬ其在诸多领域有着重要的用途[1 ̄3]ꎮ对于P型金刚石半导体而言ꎬ硼是最具代表性的受主元素ꎮ由于硼原子比碳原子最外层少一个电子ꎬ每个碳原子在带隙中产生一个电子空穴ꎬ而价带中可以接受一个电子[4 ̄5]ꎮ高性能的金刚石n型半导体材料的制备是一个国际范围内尚未攻克的技术难题ꎬ这限制了金刚石大单晶在电子器件领域的应用ꎮ此前ꎬ为了获得金刚石n型半导体材料ꎬ人们实验及㊀第9期李㊀勇等:添加不同硼源时金刚石的高温高压合成1753理论研究了氮㊁硫㊁磷等作为施主元素来制备金刚石大单晶ꎬ然结果表明它们并非是良好的供体元素ꎬ其原因在于这些杂质元素在金刚石结构中不能在导带下产生一个较浅的能级状态[6 ̄7]ꎮ再者ꎬ由于金刚石在高温下容易与铁质材料发生化合反应而生成碳化铁ꎬ因此金刚石不能用于加工铁质材料ꎮ而使用h ̄BN作为原材料ꎬ经过高温高压处理之后所制备的立方氮化硼(C ̄BN)则具有较稳定的化学特性ꎬ且C ̄BN的硬度仅次于金刚石ꎬ故常用来加工铁质材料ꎮ甚至ꎬ具有纳米孪晶结构C ̄BN的硬度超过了金刚石[8 ̄9]ꎮ因此ꎬ合成兼备金刚石与C ̄BN优异特性的金刚石材料是非常有趣的ꎮ理论研究结果表明:当固态BCxN中碳的比例较高时ꎬ则BCxN材料具有较高的稳定性和较好的弹性模量[10]ꎬ因此ꎬ其被认为是一种极具应用潜力的超硬材料ꎮ一般而言ꎬ在金刚石极端的生长条件下难以直接观测杂质元素是以何种方式进入到金刚石当中的ꎬ这仍然需要进一步的研究ꎮ在本工作中ꎬ在高温高压条件下分别使用硼单质㊁h ̄BN作为添加剂成功合成了金刚石ꎬ使用FTIR研究了所制备金刚石的成键结构ꎮ基于FTIR测试结果ꎬ对金刚石中杂质元素的进入方式进行了探讨ꎮ此外ꎬ对掺硼㊁h ̄BN金刚石的电学性能进行了霍尔效应测试ꎮ2㊀实㊀㊀验金刚石结晶实验在国产六面顶高压设备上进行ꎬ实验合成组装块所使用的外围材料主要有优质叶蜡石㊁白云石㊁钢帽㊁工业盐㊁水玻璃㊁石墨片㊁铜片㊁二氧化锆及石墨加热体ꎬ而合成腔体内部所使用的原材料有作为金刚石碳源的高纯石墨㊁二氧化锆㊁氧化镁㊁直径约0.6mm的人工合成优质金刚石作为晶种㊁金属触媒合金Fe64Ni36ꎮ实验过程中所使用添加剂硼粉㊁h ̄BN粉末的添加比例为添加剂质量与触媒的质量百分比ꎮ实验合成温度使用铂铑热电偶进行标定ꎬ而合成压力则通过特殊物质(Bi㊁Ba和Tl)的高压相变点与高压设备的油压之间的对应关系进行定标ꎮ合成实验结束后ꎬ将经过高压处理的样品组装砸开并将包覆有金刚石样品的触媒溶于沸腾的稀硝酸中ꎬ直到金刚石晶体从触媒中脱落ꎮ然后ꎬ将脱落的金刚石晶体再置于王水中精煮2hꎬ以保证除尽附着在金刚石表面的石墨等杂质ꎮ最后ꎬ将经过酸处理的金刚石在无水乙醇中用超声波处理10minꎬ烘干待测试ꎮ3㊀结果与讨论金刚石合成实验在固定压力6.5GPa㊁温度1290~1350ħ的范围内进行ꎬ实验参数及所合成的金刚石光学照片如表1和图1所示ꎮ图1㊀Fe64Ni36 ̄C体系中所合成金刚石的光学照片(a)未添加杂质ꎬ(b)添加1.0wt%的硼ꎬ(c)添加1.0wt%h ̄BNꎬ(d)添加2.0wt%h ̄BNFig.1㊀OpticalmorphologyofthediamondcrystalssynthesizedfromFe64Ni36 ̄Csystem(a)diamondobtainedwithoutanyadditiveꎬ(b)obtainedwith1.0wt%Badditiveꎬ(c)obtainedwith1.0wt%h ̄BNadditiveꎬ(d)obtainedwith2.0wt%h ̄BNadditive从图1可以看到ꎬ所合成的金刚石样品(a)㊁(b)和(d)均表现为(100)晶面为主的六面体形貌ꎬ而它们所对应的(111)晶面相对不发达ꎬ这意味着在金刚石结晶的过程当中(111)晶面的生长速率相对较快ꎬ导致1754㊀人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第47卷了最终的晶体形貌中(111)晶面较小ꎮ另外ꎬ所合成的晶体(c)为六八面体形貌ꎮ晶体(a)呈现为典型的黄色ꎬ这是由于金刚石合成过程中合成腔体内难以避免的氮杂质进入到金刚石结构之中造成的ꎮ晶体(b)主体颜色仍然为黄色ꎬ但是在其内部有辐射状的杂质区出现ꎬ这是由于硼杂质在金刚石中的不均匀分布造成的ꎬ因为硼更容易沿金刚石的(111)晶面进入到金刚石结构之中ꎮ当合成体系中添加1.0wt%的h ̄BN时ꎬ所合成的金刚石(c)颜色较深ꎮ当合成体系中添加2.0wt%的h ̄BN时ꎬ所制备的晶体(d)的颜色近乎为黑色ꎮ另外ꎬ晶体(a)㊁(d)的生长速率分别为2.02mg/h㊁0.23mg/hꎬ由此可见合成体系中添加剂的存在会抑制金刚石的结晶速度ꎮ表1㊀Fe64Ni36触媒中金刚石大单晶合成实验参数Table1㊀Parametersofthesyntheticexperimentsofdiamondperformedat6.5GPaintheFe64Ni36 ̄CsystemSamplesBcontent/wt%h ̄BNcontent/wt%Temperature/ħTime/ha0012906b1.00129014c01.0135012d02.0134012图2㊀所合成金刚石的FTIR光谱(a)未添加杂质ꎬ(b)添加1.0wt%的硼ꎬ(c)添加1.0wt%h ̄BNꎬ(d)添加2.0wt%h ̄BNFig.2㊀FTIRspectraofthesyntheticdiamondcrystals(a)diamondobtainedwithoutanyadditiveꎬ(b)obtainedwith1.0wt%Badditiveꎬ(c)obtainedwith1.0wt%h ̄BNadditiveꎬ(d)obtainedwith2.0wt%h ̄BNadditive㊀㊀众所周知ꎬFTIR测试是一种有效㊁无损伤检测金刚石结构中杂质存在的技术ꎬ因此ꎬ采用FTIR对所制备的金刚石(图1中对应晶体)结构中的化学成键进行了详细的测试分析[4ꎬ11]ꎮ一般而言ꎬ金刚石中的氮杂质缺陷是以单原子替代形式存在ꎬ即C心ꎮ在图2中ꎬ可以从谱线(a)中看到C心氮的存在ꎬ其对应的红外吸收峰位于1130cm-1和1344cm-1处ꎮ在谱线(b)中除了有C心氮所对应的吸收峰之外ꎬ在1290cm-1处有一个较弱的峰出现ꎬ该峰是由于金刚石中的硼杂质引起的ꎮ而在谱线(c)中ꎬ除了含有C心氮对应的吸收峰1130cm-1和1344cm-1之外ꎬ还有A心氮原子对所对应的红外特征吸收峰1282cm-1ꎮ值得注意的是ꎬ该金第9期李㊀勇等:添加不同硼源时金刚石的高温高压合成1755㊀刚石谱线中还发现有746cm-1和1425cm-1特征峰[12 ̄13]ꎬ这两处吸收峰是由于金刚石样品中存在sp2杂化结构的B ̄N ̄B与B ̄N振动而引起的ꎮ但是ꎬ该晶体所对应的谱线中没有发现硼对应的1290cm-1峰ꎮ当合成体系中h ̄BN的添加比例达到2.0wt%时ꎬ谱线(d)中1130cm-1㊁1344cm-1㊁1282cm-1和1425cm-1吸收峰全部消失ꎬ而只有746cm-1处的吸收峰存在ꎬ且峰的吸收强度增加ꎬ该结果极其罕见ꎮ图3为晶体(d)所对应的Raman光谱测试ꎬ从图中可以看出该样品的特征峰位于1332.48cm-1处ꎬ这意味着所制备的样品为金刚石相ꎮ基于以上结果ꎬ我们推测:当合成体系中h ̄BN的添加比例添加较低时ꎬh ̄BN首先分解为硼和氮ꎬ这时合成体系中大量的氮杂质有可能形成一定数量的氮原子对ꎬ并以氮原子对的形式进入到金刚石结构中形成A心ꎻ而分解出来的硼与另外的部分氮杂质在进入到金刚石时ꎬ所形成的sp2杂化结构的B ̄N ̄B与B ̄N结构比C ̄B结构更加稳定ꎬ因此ꎬ在晶体(c)中未发现1290cm-1峰ꎻ当合成体系中h ̄BN的添加比例较高时ꎬB ̄N结构的形成很可能受到抑制ꎬ氮只以B ̄N ̄B的结构形式进入到金刚石中ꎮ图3㊀添加2.0wt%h ̄BN所合成金刚石的Raman光谱Fig.3㊀Ramanpeakofthesynthesizeddiamondwith2.0wt%h ̄BNadditive㊀㊀普通人工合成金刚石为绝缘体ꎬ为了研究使用不同硼源所合成金刚石大单晶的电学性质ꎬ我们对图1中所对应的样品(b)㊁(c)㊁(d)进行了霍尔效应测试ꎮ由于硼在晶体(b)中分布不均匀ꎬ故银浆焊接点置于富硼区域ꎬ测试结果表明晶体(b)为p型金刚石半导体ꎬ其电阻率为3.139ˑ107Ω cmꎬ相对应的霍尔迁移率及载流子浓度分别为3.326ˑ107cm2/V s㊁5.807ˑ107cm-3ꎮ然而ꎬ晶体(c)和(d)均表现为绝缘体ꎬ这可能时由于氮所提供的电子弥补了硼并形成B ̄N结构ꎮ另外ꎬ金刚石中所形成的B ̄N ̄B结构很有可能处于深能级ꎬ不能有效的作为供体或受体ꎮ㊀㊀此外ꎬ实验发现当晶体生长速度过快时ꎬ其顶部表面容易产生坑洞缺陷ꎬ而且坑洞缺陷具有与晶体结晶上表面垂直的螺旋状结构ꎬ如图4所示ꎮ由晶体生长原理ꎬ当结晶界面上存在与结晶界面垂直的螺旋位错时ꎬ将会形成生长台阶ꎬ台阶在生长界面上将沿着与其垂直的方向移动ꎮ倘若台阶的移动速度是均匀的ꎬ则越靠近位错线处的台阶绕位错中心线的角速度就越大ꎮ而在晶体生长的过程中所形成的螺旋线将会源源不断地提供生长台阶ꎮ在极坐标系中ꎬ螺旋位错所提供的生长台阶可以用阿基米德螺旋线近似表示ꎬ即r=2rcθꎬ其中rc为螺旋线的核心半径ꎮ图4㊀金刚石(100)表面缺陷Fig.4㊀Defectsoftheobtaineddiamond(100)surface4㊀结㊀㊀论在压力6.5GPa㊁1290~1350ħ温度范围内ꎬ在合成体系中分别添加硼㊁h ̄BN添加剂ꎬ采用温度梯度法合成了金刚石大单晶ꎮ合成体系中的添加剂导致金刚石的颜色发生了明显的改变ꎬ且会影响晶体的生长速1756㊀人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第47卷率ꎮ当晶体生长速率过快时ꎬ晶体(100)晶面上会出现螺旋位错ꎮ硼掺杂金刚石呈现为p型半导体特征ꎬ然而合成体系中添加h ̄BN所制备的金刚石样品表现为绝缘体ꎮ当合成体系中h ̄BN添加量达到2.0wt%时ꎬ所合成金刚石中的氮杂质仅以B ̄N ̄B结构存在ꎮ参考文献[1]ZengLYꎬPengHYꎬWangWBꎬetal.SynthesisandCharacterizationofDiamondMicrocrystalsandNanorodsofDepositedbyHotCathodeDirectCurrentPlasmaChemicalVaporDepositionMethod[J].J.Phys.Chem.Cꎬ2008ꎬ112:6160 ̄6164.[2]YanBMꎬJiaXPꎬSunSSꎬetal.TheGrowthMechanismofB/NCo ̄dopedDiamondsunderHighPressureandHighTemperature[J].Int.JournalofRefractoryMetalsandHardMaterialsꎬ2015ꎬ48:56 ̄60.[3]李㊀勇ꎬ李尚升ꎬ佘彦超ꎬ等.金刚石单晶高温高压合成中氮对硫的影响[J].人工晶体学报ꎬ2017ꎬ46(5):778 ̄781.[4]LiYꎬJiaXPꎬMaHAꎬetal.ElectricalPropertiesofDiamondSingleCrystalsCo ̄dopedwithHydrogenandBoron[J].Cryst.Eng.Comm.ꎬ2014ꎬ16(32):7547 ̄7551.[5]ZhangJQꎬMaHAꎬJiangYPꎬetal.EffectsoftheAdditiveBoronDiamondCrystalsSynthesizedintheSystemofFe ̄basedAlloyandCarbonatHPHT[J].DiamondRelat.Mater.ꎬ2007ꎬ16:283 ̄287.[6]SuzukiMꎬYoshidaHꎬSakumaNꎬetal.Electricalcharacterizationofphosphorus ̄dopedn ̄typehomoepitaxialdiamondlayersbySchottkybarrierdiodes[J].Appl.Phys.Lett.ꎬ2004ꎬ84:2349.[7]TroupisDKꎬGaudinOꎬMichaelDꎬetal.Ionimplantationofsulphurꎬboronandnitrogenindiamond:acharge ̄baseddeepleveltransientspectroscopicinvestigation[J].DiamondRelat.Mater.ꎬ2002ꎬ11:342 ̄346.[8]TianYJꎬXuBꎬYuDLꎬetal.UltrahardNanotwinnedCubicBoronNitride[J].Natureꎬ2013ꎬ493:385 ̄388.[9]HuangQꎬYuDLꎬXuBꎬetal.NanotwinnedDiamondwithUnprecedentedHardnessandStability[J].Natureꎬ2014ꎬ510:23 ̄23. [10]ZhangCꎬZhaoJꎬJiangX.StructuralStabilityꎬMechanicalandElectronicPropertiesofCubicBCxNCrystalswithinaRandomSolidSolutionModel[J].JournalofPhysics:CondensedMatterꎬ2009ꎬ21(40):405401.[11]TitusEꎬMisraDSꎬSikderAKꎬetal.QuantitativeanalysisofHydrogeninChemicalVaporDepositedDiamondFilms[J].DiamondRelat.Mater.ꎬ2005ꎬ14(3 ̄7):476 ̄481.[12]WadaYꎬYapYKꎬYoshimuraMꎬetal.ThecontrolofB ̄NandB ̄CbondsinBCNfilmssynthesizedusingpulsedlaserdeposition[J].DiamondRelat.Matter.ꎬ2000ꎬ9:620 ̄624.[13]LiuXBꎬJiaXPꎬZhaoMꎬetal.Synthesisandcharacterizationofnew"BCN"diamondunderhighpressureandhightemperatureconditions[J].CrystGrowthDes.ꎬ2011ꎬ11:1006 ̄1014.。
高温高压法合成金刚石的原理

高温高压法合成金刚石的原理高温高压法合成金刚石的原理引言金刚石是目前已知最坚硬的物质之一,具有极高的热导率、优异的化学稳定性和光学性能。
其在工业领域有着广泛的应用,如切割、磨削、钻石冶炼等。
早在20世纪50年代,科学家们就通过高温高压法成功地合成了金刚石,并对金刚石的合成原理进行了深入研究。
本文将详细介绍高温高压法合成金刚石的原理及其过程。
一、高温高压法合成金刚石的基本原理高温高压法合成金刚石是通过将高纯度的石墨置于高温高压环境中,在一定压力和温度条件下,使其发生相变转化为金刚石结构体。
其基本原理可以归纳为以下两个方面:1. 高压作用原理在高压下,石墨的层状结构发生变化,碳原子排列发生重组,形成更加紧密的结构,其中碳原子两两成对。
同时,高压还有利于碳原子间的共价键形成,促使石墨向金刚石的结构转变。
高压作用使得原有的石墨层结构中的芳香六元环断裂,重新构建出新的碳原子构型,形成金刚石的晶粒。
2. 高温作用原理高温下,由于碳与金属元素(如钴、铁等)有较好的相容性,这些金属元素在纯碳体系中具有催化作用,可以促进石墨向金刚石的相变。
此外,高温还可以提高反应速率,并减小金刚石晶核形成的能垒。
因此,高温作用在金刚石的合成过程中起到了至关重要的作用。
二、高温高压法合成金刚石的过程高温高压法合成金刚石的过程可以分为以下几个步骤:1. 制备金刚石晶体的种子层首先,需要在高温高压容器内的金刚石粉末层上制备金刚石晶体的种子层。
金刚石粉末的颗粒与金刚石晶种产生化学反应,形成金刚石表面晶体的结构。
种子层是金刚石晶体生长的起始核心,为后续金刚石的形成提供了必要的条件。
2. 加入高纯度石墨粉在高温高压容器中加入高纯度石墨粉末,使其与种子层接触。
石墨粉末需要达到足够高纯度,以保证金刚石晶体的纯度。
3. 施加高温高压施加高温高压条件,使得石墨发生相变,转化为金刚石晶体。
一般来说,需要施加高压数GPa(1 GPa=1亿帕)和高温约1500-2000摄氏度的条件。
超硬材料的制备及其性能研究

超硬材料的制备及其性能研究超硬材料,是指硬度大于10GPa的材料,包括莫氏硬度为12以上的金刚石和莫氏硬度为40以上的立方氮化硼(cBN),它们具有非常高的硬度、耐磨性和化学稳定性,广泛应用于磨料、切削、钻探和电子器件等领域。
本文将主要介绍超硬材料的制备方法和性能研究进展。
一、超硬材料的制备方法1. 金刚石的制备目前,主要的金刚石制备方法有高温高压法、化学气相沉积法和化学气相传递反应法。
高温高压法是制备天然金刚石的方法,通常使用钴或镍作为催化剂,将高纯度碳质原料和金属催化剂放在高温高压容器内,在高温高压条件下,碳原子会在催化剂的作用下聚合形成金刚石。
化学气相沉积法是一种将金刚石沉积在基片上的方法,通常使用烷烃或气体饱和蒸汽作为碳源,金属盐溶液作为催化剂,将混合气体送入高温高压反应器,在基片表面沉积金刚石。
化学气相传递反应法是一种新型的金刚石制备方法,该方法主要是利用金属盐的氧化还原反应,在高温高压条件下,从金属盐和气相中直接合成纳米金刚石。
2. 立方氮化硼的制备立方氮化硼的制备方法主要有高压高温法、高能球磨法、热压法等。
高压高温法是首选制备cBN晶体的方法,该方法需使用类似于金刚石的高温高压合成条件,但相应的工艺比金刚石复杂得多,通常采用硼酸钠和氨气为原料。
高能球磨法是一种新型的立方氮化硼制备方法,以金属氮化物粉末和高纯度氨气作为原料,在高能球磨机中进行反应。
热压法是将cBN晶体颗粒和金属粉末混合均匀后,放入高温高压装置(例如为SHP-1/30热压机),利用高温高压进行成型。
二、超硬材料的性能研究超硬材料具有非常优异的物化性能,广泛应用于切削加工、探矿、电子器件等领域。
下面将分别介绍金刚石和立方氮化硼的性能研究进展。
1. 金刚石的性能研究金刚石具有非常高的硬度、热稳定性和化学稳定性,是理论上耐磨性最高的材料之一。
近年来,通过改进高温高压合成技术和提高金刚石晶体质量,研究人员已经能够合成大尺寸高质量金刚石晶体。
硼掺杂金刚石半导体的高温导电率

硼掺杂金刚石半导体的高温导电率
硼掺杂金刚石因其卓越的物理化学性质,如高热导率、高击穿场强、化学稳定性好以及优异的半导体性能,在高温环境中具有潜在的优势。
硼原子掺杂进金刚石晶格后,可以转变金刚石为P型半导体,这是因为硼原子取代金刚石晶格中的碳原子时,会贡献一个空穴作为载流子,从而增加了金刚石的导电性。
关于硼掺杂金刚石在高温下的导电率,通常情况下,其导电性在一定的温度范围内随着温度的上升而增加。
然而,对于所有半导体来说,温度过高时,载流子(在这种情况下是空穴)的数量会因为热激发而增多,但同时载流子的平均自由程也会因晶格振动加剧而缩短,这两个效应共同决定了半导体电阻率随温度的变化趋势。
理论上,当温度足够高以至于接近或超过半导体的本征温度时,导电性会达到一个峰值,之后随着温度的继续上升,由于热激发产生的非平衡载流子会超出掺杂水平,导致载流子复合增强,电阻率反而会增大。
硼对人造金刚石表面结构及性能的影响

硼对人造金刚石表面结构及性能的影响徐 岩,周金海,荣春玲,李亚选(郑州华晶金刚石股份有限公司,河南 郑州 450000)摘 要:硼对金刚石晶体性能有明显影响。
文章结合以往的文献资料,重点介绍了硼对金刚石表面结构及性能的影响,希望为相关人员提供一定的借鉴。
关键词:硼;人造金刚石;表面结构;性能;影响中图分类号:O649 文献标志码:A 文章编号:1672-3872(2019)16-0241-01——————————————作者简介: 徐岩(1988—),男,河南郑州人,工程师,研究方向:人造金刚石。
1 含硼金刚石的合成方法现在,多数含硼金刚石单晶都是在具有超高温高压的铰链六侧超压缩机上使用掺杂硼的石墨或掺杂硼的催化剂合成的。
在这中间,硼掺杂催化剂的制备方法:粉末冶金法和触媒片渗硼法。
详细的实验操作方法:在碳源方面,以片状的含硼镍锰合金为触媒、含硼石墨为主,经轴向交替分层为叶蜡石后在高压容器中合成。
一些学者使用碳化硼(b4c)作为碳源,以合成腔合成的ni70mn25co5和fe55ni2lco 合金作为催化剂,就会得到含硼量大于1wt%的高含硼黑色金刚石。
由于被b 和c 分隔的碳原子数量很少,因此金刚石的生长速度缓慢,并且金刚石中铁磁杂质含量极低。
使用含硼T641的石墨做为渗硼剂,原料则使用不含硼的含氮人造金刚石,在超高压高温条件下通过将ni70mn25co5硼的石墨夹层复合阳离子为碳源,高温高压合成含硼金刚石的工艺方法。
CICS 的阶数越低,所合成的金刚石含硼量越高,其抗氧化温度和导电性也会有显著的提升。
2 实验过程实验过程期间,操作人员需要将合成好的金刚石,按照技术规范与操作原理要求,进行提纯、筛分、分选以及称重等工作。
与此同时,需要利用相关设备及时测量出金刚石的实际抗压强度以及氧化温度等参数数据。
一般来说,在金刚石抗压强度测量设备的选择方面,最好选用JDY-1型单颗粒抗压强度测定仪。
另外,在金刚石氧化温度的测量方面,最好选用LCP-1型差热膨胀仪设备。
含硼聚晶金刚石复合片(B-PDC)的研究

金刚石与磨料磨具工程
D a n & Ab a ie gn e i g i mo d r sv sEn i e rn
F b. 01 e 2 2 No. V0 . 2 S ra .1 7 1 1 3 e i1 8
ma e c b c r s . Th p ro ma c s f d fee t a ls d u i p e s e e f r n e o i r n s mpe we e e t d n t e e ul we e ic s e a d f r t se a d h r s t s r d s u s d n
LU Y—o ,, S N Y n1n X a - n,, I a g , LU Ch n -u n , Z N o g x n 。 I i b U a . g , U Y nj Y N Xin o u I e gy a HE G Y n -i g a
人造 金 刚石 烧 结 体 的发 展 始 于上 个 世纪 6 0年 代
初期 , 国 G E 公司在 7 美 .. 0年 代 初 率 先研 制 成 功 金 刚
而 成 的带硬质 合 金 衬底 的多 晶金 刚石 产 品 , 泛 应 用 广
摘要
利 用 国产六 面顶压机 , 高温 高压 的条件 下 , 用黏 结 剂 C 在 采 o熔渗 催化 方 法合成含 硼 聚 晶金 刚石 复
合 片。对加 入 不 同体 积分数 的含 硼金 刚石 合成 的样 品进行 性 能测试 , 最后 对样 品 的性 能 测试 结果 进 行讨
论 分析 , 并对 聚 晶金 刚石 层微观 结 构做 了扫描 电镜 观察 和 X D物 相 分析 。结 果表 明 : 品的抗 冲击韧 性 R 样 和 耐热性 比普 通金 刚石 复合 片有显 著提 高 , 当添加 含硼金 刚石微粉 体积 分数 为 2 % ~ a 时综合 性 能 最 a 3%
硼掺杂金刚石硼浓度计算

硼掺杂金刚石硼浓度计算硼掺杂是一种重要的金刚石改性方法,它能够显著改善金刚石的性能,使其在工业应用中更加出色。
硼是一种常见的掺杂元素,它能够通过提高晶格的稳定性和改变能带结构来增强金刚石的硬度、热导率和化学稳定性。
因此,硼掺杂金刚石被广泛应用于高压高温领域、电子器件制造以及其他重要的工业应用中。
为了实现理想的硼掺杂金刚石,我们需要计算硼的浓度。
浓度计算是合成硼掺杂金刚石的前提和基础,它能够帮助我们了解金刚石的具体结构和性质。
下面,我将详细介绍硼掺杂金刚石的浓度计算方法。
第一步是选择合适的理论方法。
硼掺杂金刚石的浓度计算通常使用第一性原理计算方法,如密度泛函理论(DFT)。
DFT是一种基于量子力学原理的计算方法,它能够准确地描述原子和分子的结构和性质。
在选择DFT方法时,我们需要考虑其计算精度、计算效率以及适用的计算范围。
第二步是建立模型。
在进行计算之前,我们需要构建包含硼掺杂金刚石结构的模型。
模型可以采用周期性边界条件,以保证计算结果的准确性。
同时,我们还需要选择适当的体系尺寸和超胞大小来确保模型的稳定性。
第三步是确定硼的掺杂位置和浓度。
掺杂位置通常选择为晶格内的间隙位置,例如位置4和6。
而硼的浓度则可以通过改变硼原子的数目来实现,一般以原子的百分比来表示。
第四步是进行计算。
通过数值优化和能量计算,我们可以得到硼掺杂金刚石的稳定结构和能量。
同时,还可以计算硼掺杂金刚石的晶格常数、电子结构、电子态密度等性质。
最后,我们需要对计算结果进行分析和比较。
通过比较不同硼浓度下的结构与性质,我们可以选择最优的硼浓度,以满足具体应用需求。
总之,硼掺杂金刚石的浓度计算是合成功能优化的关键一步,它可以指导我们合理设计和合成具有理想性能的硼掺杂金刚石材料。
通过选择适当的计算方法、建立合理的模型、确定掺杂位置和浓度,并进行准确的计算和分析,我们能够为金刚石材料的设计和应用提供科学依据和技术支持。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
含硼 金 刚石 不仅 具有 金 刚石 的优 异 的力 学 、 理 物
化学性能 , 而且其抗氧化性 、 与黑色金属的化学惰性都 有大 幅 度提 高 , 其 是 还具 有 半 导体 性 甚 至半 金 属 导 尤 电性 , 其 在 微 电子 领 域 和 电化 学领 域 具 有 极大 的发 使
展 潜 力 。。
将 上述 制备 的 GC 清洗 、 Is 干燥后 , 进行 40 6 0C 0 ~0 。
高温真空处理 。G C 粉体与 F— i Is e N 触媒粉混合均匀 ,
装 入 叶腊 石 高 压 模 具 内 , 实 , D ~ 2 B型六 面 顶 压 在 S09 金刚石压机上 , 采用 二 次 升 温 升压 工 艺合 成 金 刚 石 。
含硼金 刚 石 电极具 有优 异 的电化 学性 能如 宽 的势 窗和低 的背 景 电流 ; 的 电化 学稳 定性 等 , 高 这些 独到 之 处使 之在 电化学 领域 具 有广 阔 的应用前 景 。 本 文利用 硼 酸插层 的石 墨 层 间化合 物作 为碳 源 , 高温 高压合 成 含硼金 刚 石 。将 合 成 的含硼 金 刚石制 成
粉 末微 电极 , 对其 电化 学性 能作 了初步 分析 。
1 实验 方法
将 合成 的金 刚 石 冲碎 , 用丙 酮 清洗 干净 。粒 径 控 制在 4 n以下 。把 直径 为 2 0mm的 铂 丝用 酒 精 喷 0I n 0 灯封 装 于 玻璃 管 内 , 金 相 砂 纸对 露 出铂 丝 的玻 璃 端 用 面进 行 磨平 , 成铂 微 盘 电 极 。随 后置 于王水 中煮 沸 形
11 高温 高压合 成含硼 金 刚石 .
本 实验 以硼 酸 ( ,O ) HB ,为插 层 剂 , 用熔 盐法 制 备 采 G C 。即将 硼酸 ( ,O) Is HB ,与碳粉 按摩 尔 比 11 混合 , : 6 置
本 试验 采用 三 电极 体系 , 利用 C I6 电化学 分 析 H 60 仪 测量金 刚石 电极 电化学 特性 , 含硼金刚石 粉末 微 电极 为工作 电极 , 和甘 汞 电极 为参 比电极 , 电极 为辅助 饱 铂
腐 蚀 3 i, 微 镜 下观 察 铂 丝形 成 腐 蚀深 度 为 10 0r n 显 a 0~ 1 0mm左 右 的微 空 腔 。然 后 用 超 声 波 在蒸 馏 水 中 清 5
洗干净 , 干燥 后 , 铺满 金 硼 金 刚石粉 末 即制成 粉末微 电极 。
第2 卷第4 总第 16 ) 5 期( 1期
Vo.5 No4( UM . 1 1 2 .S No1 6)
机 械 管 理 开 发
MECHANI AL MANAGEME AND D C NT EVEL 0PME NT
2 1年 8 00 月
Au . 0 0 g2 1
电极 , 定其 在 01 C 底 液 以及 含 F (N F (N “ 测 . MK 1 eC )/ eC ) + 的 K 1 液 中的循 环伏 安特 性 以及交 流 阻抗 曲线 。 C溶 实验所用溶液用水均为二次蒸馏水 , 量前 , 测 被 测 溶 液经 真空 处理 去氧 。
2 实验 结果 及 分析 21 含 硼金 刚石 的 形貌及 性 能分析 .
利用 A V M ’ P D A T X 荧光分析仪上进行x射线荧光 ( R ) 谱 分 析 估 算 金 刚石 中 的硼 含 量 , 采 用 X F光 并 K K 一 00 Y Y 10 B扫描 电镜 观察 其形 貌 。 同时测定 了含 硼
金 刚石 的 电阻率 。 1 金 刚 石粉 末微 电极 的制 备 与 电化 学性 能检 测 . 3
高压合成含硼金刚石及电化学性能机理分析
唐 威
( 山西机电职业技术学院 机械工程系 , 山西 长治 06 1) 4 0 1
【 摘
要 】 含硼金 刚石 不仅 具有金刚石的优异 的机械 、 物理化 学性能 , 导电性有 大幅度提 高 , 有发展 潜力的 其 是很
功 能材料 。文章 以 H B O 一石墨层 间化合物 ( ls 为碳 源 , GC ) 高温 高压合 成含硼金 刚石 , 用 X F S M等方 法分析 利 R 、E 了含硼金 刚石 的组 成及 形貌 。以此含硼金 刚石 制备粉 末微 电极 , 测定循环伏安 曲线及 交流 阻抗谱 , 分析 电化学性 能
于一密封钢质模具 中, 加热至 302 6 0 , 5  ̄ ~ 0 保温一定 时 间 。反 应 物 分 解 产 生 气 体 使 密 封 的模 具 内压 力 升
高, 插层 反应 在 高压下 进 行 ( 计算 , 应温 度为 30C 经 反 5  ̄
时, 系统 内压 强 为 1 a 。 6MP )
机理 。
【 关键词】 高压合成 ; 含硼金刚石 ; 末微 电极 ; 粉 循环伏安 ; 交流阻抗 【 中图分类号】 T 84 1 D 7 ̄ .
0 引 言
【 文献标识码】 A
【 文章编号】 10— 7X 2 1)4 0 1—3 0 373 (000—09 0
1 金 刚石 的表征 及 形貌 分析 . 2
合 成过 程 中 , 压力 升到 3G a , P 时 开始通 电加 热 1 i。 0r n a
熔 盐 法 制 备 的 GC 结 构 为 混 合 阶结 构 。且 随反 Is
应 时 问延 长 , I s G C 阶数 由高阶 向低 阶发 展 。 以低 阶 为 主 的 G C 合 成 的金 刚 石 为 黑 色 , 扫 描 电镜 下 观 察 , Is 在 晶体 形 貌 不 规则 , 图 1 示 , 如 所 由数 个 微 晶组 合 而 成 ,
在 35G a 力下保 压 3 后 , . P压 0S 继续 升 压 。在 压力 达 到 5 6G a 温 度 约 120 1 5 - P , 5 ~ 0o 条 件 下 进 行 合 成 。 3 C的