氧化铈抛光液说明书
二氧化铈
吉林卓尔科技股份有限公司
J I L I N G Z H U O E R T E C H N O L O G Y C O.,LT D
二氧化铈材料规格书版本号 A.0 类型化工名称二氧化铈物料号文件编号J ZL/
技术要求1、分子式：H3BO3
2、分子量：61.83
3、外观：无色透明并只有珍珠样光泽的鳞片状六角形结晶或白色结晶性粉末或颗粒
4、理化性质：有刺激性
5、H3BO3要求含量：≥99.5%
6、其他杂质含量：澄清度试验：合格
钙《0.002
铁《0.0005
乙醇溶液解试验:合格
水不溶物《0.005
氯化物《0.0005
铅《0.01
砷《0.0001
硫酸盐《0.002
甲醇不挥发物《0.02
磷酸盐《0.0005
材料要求分析纯
质量保证1、出货检验报告COA
包装要求
1、内用容量瓶密封,外用纸箱包装或经确认的结实包装。
2、供应商贴在货物内部的标签应该包括以下内容：
①供应商名称；②零件编号；③批号；④材料说明书。
⑤材料数量或者重量存储方式应储存于阴凉、通风、干燥的地方，储存周期按文件《原材料储存期标准》执行。
备注
拟制：审核：批准：。
CeO_(2)抛光液对SiO_(2)介质的抛光性能
【电子技术/Electronic Technology】DOI: 10.19289/j.1004-227x.2021.04.001 CeO2抛光液对SiO2介质的抛光性能杨朝霞1, 2，张保国1, 2, *，阳小帆1, 2，李烨1, 2，李浩然1, 2（1.河北工业大学电子信息工程学院，天津300130；2.天津市电子材料与器件重点实验室，天津300130）摘要：以CeO2为磨料配制抛光液，研究了磨料质量分数、pH及添加剂对SiO2介质去除速率和表面粗糙度的影响。
结果表明，在抛光液的磨料质量分数为1%，pH为5的条件下，SiO2介质的去除速率为248.9 nm/min。
向其中加入质量分数为1%的L-脯氨酸或0.075%的阴离子表面活性剂TSPE-PO(三苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚磷酸酯)后，SiO2介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min 和302.5 nm/min，表面粗糙度(Rq)从原来的0.588 nm分别变为0.601 nm和0.522 nm。
关键词：二氧化铈；二氧化硅；化学机械抛光；材料去除速率；表面粗糙度；氨基酸；表面活性剂中图分类号：TN305.2 文献标志码：A 文章编号：1004 – 227X (2021) 04 – 0247 – 07Polishability of SiO2 medium in CeO2 polishing slurryYANG Zhaoxia 1, 2, ZHANG Baoguo 1, 2, *, YANG Xiaofan 1, 2, LI Ye 1, 2, LI Haoran 1, 2(1. School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;2. Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) Abstract: A polishing slurry was prepared using CeO2 as abrasive, and the effects of abrasive dosage, pH, and additives on the removal rate and surface roughness of SiO2 medium were studied. The results showed that the removal rate of SiO2 medium was 248.9 nm/min when polishing with 1wt.% of abrasive at pH 5. After adding 1% of L-proline (L-Pro) or 0.075% of anionic surfactant TSPE-PO (polyoxyethylene tristyrylphenol phosphate) to the slurry, the removal rate of SiO2 medium was increased to 268.6 nm/min or 302.5 nm/min, and its surface roughness (Rq) was changed from 0.588 nm to 0.601 nm or 0.522 nm. Keywords: ceria; silica; chemical mechanical polishing; material removal rate; surface roughness; amino acid; surfactant当NAND(与非型)闪存设备的设计节点小于20 nm时，2D-NAND闪存技术在集成度和电气性能方面会遇到两个关键限制。
我国攻关半导体稀土抛光液
世界 ６ 个国家在 ３月份生产量达到产 能的 ８ ．％ ６ Ｏ２ ，与 ２月相 比没有变化。与 ２０ 年 ３ ０９ 月 同 比，增加 ｌ．％ ５３。 （ 跃宇 摘译） 马
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５ 信息参爿
・ 科技信息 ・ 我国攻关半导体稀土抛光液 从包头 市科 技局 了解到 ， 头稀 土研 究 院 日前与包 头天骄 清美 稀 土抛 光粉有 限公 司签 订 包 了氧化铈新型半导体抛光液科研项 目合作开发协议， 标志着我国在化学机械抛光技术研发领 域 迈 出关键 步伐 。 据介绍， 该项 目以半导体芯片制程中的氧化硅绝缘层为抛光对象， 开展氧化铈基稀土抛 光 液 的研 究工 作 ，主要研 究 目标 是制 备 出满 足集 成 电路芯 片抛 光要 求 的氧化 铈基 抛 光液 ，此 抛光液的制备需突破以下三项技术 ：磨料制造技术 、磨料分散技术和抛光液配方技术。 据 了解 ，目前我 国集 成 电路 生 产所 采用 的抛 光液全 部 为进 口，国 内几 乎没 有生 产 。进 口 抛光液在 国内的售价非常昂贵， 增加了芯片的生产成本 。 该项 目拟开发的稀土抛光液可以取 代部分国外产品，降低市场价格，进而 降低芯片的制造成本，提高我国半导体制造行业的竞 争力 。 化学机 械抛 光是 超大规 模集 成 电路制 造过 程 中的一种 新 技术 ， 年 来随着 超 精密光 学元 近 件等 新领域 的 开发 ，对 高纯度 和超细 稀土 二氧 化铈 抛光 粉料 的要 求逐 渐提 高 ，其 用量 也在迅
速 增加 。
钛弹簧在汽车中的应用 随着 钛 材 的普 及 ，钛 制 品的产 品越来 越 受到人 们 的喜爱 ，钛 弹簧 具 有 高弹性 、 高强度 ， 高塑性，和钢制弹簧相比有较好的抗疲劳性 。钛合金具有较高的比强 、 较低的弹性模量， 因此是 一种理 想 的弹簧材 料 。与钢 弹簧相 比，钛弹 簧具 有重 量 轻 、体积 小和共 振频 率 高等优 点， 其密度和弹性模量只有钢簧的一半， 而强度几乎与钢弹簧一样。由于具有这些特点， 在 实际应用中可将钛簧设计得 比钢簧直径小、圈数少 。 就弹簧而言， 强度高是对材料最重要的 性 能 要 求 ， 所 以 高 强 度 的 Ｂ钛 合 金 ， 如 Ｔ． １ Ｖ６ ｒ Ｍｏ Ｚ 和 Ｔｍ ｔ Ｌ Ｂ ｉＡ． － － ． ｒ ３ ８ Ｃ４ ４ ｉｅ ￣ Ｃ （ｉ ． ．． ｅ１ ）合金是制造弹簧的最佳选择 。 Ｔ一 ８ ４ Ｆ －． ６ Ｍｏ ５ ５ 一根钛弹簧 比相应的钢弹簧轻 ３ ６ ｇ ． ， ０ｋ
4FA研磨
1准备工作1.1、打开研磨机空转一分钟，检查研磨机是否运转正常。
1.2、按照绿碳化硅：水=2:7的比例，在电子秤上调配并摇晃或搅拌使之混合均匀。
1.3、将研磨液倒入桶内，打开调速器开光缓缓调节，看见研磨液被一直搅拌着。
1.4、按照氧化铈抛光粉：水=2:7的比例，在电子秤上调配并摇晃或搅拌使之混合均匀。
1.5、如同1.3方法，搅拌抛光液。
1.6、检查扭力批，力度是否在1.2or2.52切纤刮胶2.1、割光纤时，将产品拿置半空，用刀片切除光纤。
2.2、如光纤未切除干净，端面不平。
在2000目砂纸上手工磨去FA头部裸光纤。
2.3、如下图。
刮去FA两侧多余胶水，刀片不能倾斜避免伤到棱角边。
刮胶，从基板尾部至头3 装夹具3.1、检查对应的研磨夹具内外是否干净，机米螺丝胶头是否正常（必须无毛刺、缺块，否则需及时更换机米螺丝）3.2、将等高盘上的碎屑清洁干净3.3、将研磨夹具装在等高盘上，并用螺丝固定住，再进行FA装盘3.4、如下图，将FA分别用扭力批（扭力设置在1.2or2.5，操作人员严禁私自改动）装入研磨夹具孔内。
注意：1、尾胶朝外，切勿装反。
2、以上料底座为基准，FA研磨面需平行于上料底座基准面。
3、FA必须紧靠于研磨夹具孔的直角边，用牙线棒将产品顶到位，用扭力批上紧机米螺丝。
4、注意装FA时不能把物件夹裂。
5、注意产品是否安装到位。
4 粗磨4.1、将装好料的夹具放在研磨盘面的陶瓷圈内。
4.2、打开滴液小水泵，再打开研磨机，调节滴速至最快。
研磨机转速由慢到快，保证研磨液夹在盘面和产品研磨面之间不缺失。
4.3、研磨时间20分钟，研磨最高转速，调速器上显示“45.2”注意：1、研磨液不可以缺失。
2、研磨机器启动由慢到快，停止由快到慢。
3、轻拿轻放，以免造成较多破边。
5 抛光5.1、在水龙头下边冲水再用气枪将FA上研磨粉吹干净。
5.2、如4.1--4.4步骤，撒上氧化铈抛光粉在细磨盘上。
细磨30分钟，转速45.2。
研磨抛光液成分
研磨抛光液成分
研磨抛光液的成分可以根据其具体用途和品牌的不同而有所差异。
一般来说，研磨抛光液的主要成分包括以下几种：
1. 研磨剂：研磨抛光液中的主要成分之一，用于去除物体表面的瑕疵和不平整。
常见的研磨剂有氧化铝、二氧化硅等。
2. 溶剂：用于稀释研磨抛光液和帮助成分的溶解。
常见的溶剂有水、乙醇等有机溶剂。
3. 界面活性剂：用于调节液体的表面张力，使其更容易润湿被处理物体表面。
界面活性剂还可以起到分散、乳化和稳定等作用。
4. 稳定剂：用于防止研磨抛光液在储存和使用过程中发生变化，保持其稳定性。
5. pH调节剂：用于调节研磨抛光液的酸碱度，以适应不同的
工作要求。
6. 防腐剂：用于防止研磨抛光液在使用过程中受到微生物的污染和生长。
需要注意的是，具体的研磨抛光液成分可能会因产品的不同而有所变化，因此在选择和使用时最好参考具体的产品说明书和使用方法。