2011年杭州电子科技大学数字电路考研真题
11年研究生试卷(答案)
五．(10分)今有赵、钱、孙、李、周五位教师，要承担语文、数学、物理、化学、英语五门课程。已知赵熟悉数学、物理、化学三门课程，钱熟悉语文、数学、物理、英语四门课程，孙、李、周都只熟悉数学、物理两门课程。问能否安排他们都只上他们熟悉的一门课程，使得每门课程都有人教（用图论方法求解）。
3．设 是图 的推广邻接矩阵，则 的 行 列元 等于由 中顶点 到顶点 的长度为_n_途径数目。
4．完全图 的邻接矩阵的最大特征值为_n_。
5.不同构的3阶单图共有___4___个。
6.设 阶图 是具有 个分支的森林，则其边数 。
7. 阶树( )的点连通度为___1___；边连通度为____1___；点色数为__2___； 若其最大度为 ，则边色数为___ __。
8.图 是 连通的，则 中任意点对间至少有_k__条内点不交路。
9.5阶度极大非哈密尔顿图族为___ ___和__ _____。
10.完全图 能够分解为 个边不相交的一因子之并。
11. 设连通平面图 具有5个顶点，9条边，则其面数为__6_； ( )阶极大平面图的面数等于__ ___； ( )阶极大外平面图的顶点都在外部面边界上时，其内部面共有 个。
A1: LA, S ; A2: MA, LA, G ; A3: MA, G, LA;
A4: G, LA, AC ; A5: AC, LA, S ; A6: G, AC;
A7: GT, MA, LA ; A8: LA,GT, S ; A9: AC, S, LA;
A10: GT, S。人只上一门自己所熟悉的课程。
六．(6分)设 是赋权完全偶图G=(V,E)的可行顶点标号，若标号对应的相等子图 含完美匹配 ,则 是G的最优匹配。
杭州电子科技大学数字电路2003--2016年考研真题
输入序列X1：010101101
输出序列X2：000101001
最近这几年杭电的数字电路每年的题型都不一样，所以不要指望会碰到以前的原题。参考往年的试题你要知道要考哪些东西这时最重要的，存储器、数模转换，可编程逻辑等等，全考。这几年的数电题都不是太难。2011年的数电有130分的题都算是简单的，两个小时就能搞定。最后一个15分的大题特难，看不懂。
5、写出图所示电路的驱动方程、输出方程和状态方程、画出状态转换图，判断电路逻辑功能，最后检查电路能否自启动。
4、设计题
1、用或非门设计一个1位全加器电路。
2、用8选1的MUX实现下列函数：
要求A2A1A0=WXY
3、用4位二进制计数器74LS161接成48进制计数器，标出输入、输出端。可以附加必要的门电路。
A
B
C
L
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
X
1
1
1
X
4.设 ，则反函数为 =______________对偶函数为 =____________
5.某或非门低电平输入电流为1mA，高电平输入电流为10μA，最大灌电流为12mA，最大拉电流为450μA，则其扇出系数为______________
2007年杭州电子科技大学数字电路考研试题
1、填空题
1.（36）10=（）2=（）8421BCD
十四套名校数电考研真题、答案与详解
十四套名校数电考研真题、答案与详解网学天地（）出品版权所有！目 录1华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案 (1)2电子科技大学2010年《数字电路》考研真题与答案 (6)3浙江大学2011年《信号系统与数字电路》考研真题与答案 (14)4吉林大学2010年《电子技术》考研真题与答案 (20)5南开大学2011年《电子综合基础》考研真题与答案 (23)6华南理工大学2011年《电子技术基础》考研试题 (27)7哈尔滨工业大学2010年《电子技术基础》考研真题与答案 (33)8哈尔滨工业大学2010年《电路与数字电子技术》考研真题与答案 (39)9哈尔滨工业大学2010年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (40)10复旦大学2009年《电子线路与集成电路设计》考研真题与答案 (48)11东南大学2008年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (52)12深圳大学2011年《数字电路与专业综合》考研真题与答案 (60)13重庆大学2010年《电子技术一》考研真题与答案 (67)14北京邮电大学2009年《电子电路》考研真题与答案 (71)网学天地（ ）出品 版权所有！ 11 华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案数字电子技术部分一、填空题（每空1分，共20分）4．数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。
答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。
电子科大2011数字电路期中考试
电子科技大学二零零九年至二零一零学年第二学期“数字逻辑设计及应用”课程考试题（半期）（120分钟）考试日期2011年4月23日I. To fill the answers in the “( )”(2’ X 19=38)1. [1776 ]8= ( 3FE)16 = ( 1111111110)2= ( 1000000001) Gray .2. (365)10 = ( 001101100101)8421BCD＝( 001111001011) 2421 BCD.3. Given an 12-bit binary number N. if the integer’s part is 9 bits and the fraction’s part is 3 bits ( N = a8 a7 a6a5a4a3a2a1a0 . a-1a-2a-3), then the maximum decimal number it can represent is ( 511.875 ); the smallest non-zero decimal number it can represent is ( 0.125).4.If X’s signed-magnitude representation X SM is（110101）2, then it’s 8-bit two’s complement representation X2’s COMP is( 11101011 ) , and (–X)’s 8-bit complement representation (–X) 2’sis ( 00010101 )2 .COMP5. If there are 2011 different states, we need at least ( 11 ) bits binary code to represent them.6.If a positive logic function expression is F=AC’+B’C(D+E)，then the negative logic function expression F = ( (A+C’)(B’+(C+DE)) ).7. A particular Schmitt-trigger inverter has V ILmax = 0.7 V, V IHmin = 2.1 V, V T+ = 1.7 V, and V T-= 1.3 V, V OLmax=0.3V, V OHmin=2.7V. Then the DC noise margin in the HIGH state is ( 0.6V), the Arrayhysteresis is ( 0.4V).8.The unused CMOS NAND gate input in Fig. 1 should be tied tologic ( 1 ).Fig.1Circuit of problem I-89. If number [ A ] two’s-complement =11011001and [ B]two’s-complement=10011101 , calculate[-A-B ]two’s-complement, [-A+B ]two’s-complement and indicate whether or not overflow occurs.[-A-B ]two’s-complement=[ 10001010], overflow: [ yes ][-A+B ]two’s-complement=[ 11000100], overflow: [ no].10.The following logic diagram Fig.2 implements a function of 3-variable with a 74138. The logic function can be expressed as F (A,B,C) = ∑A,B,C ( 0,1,2 ).Fig.2 Circuit of problem I-10评分基本标准： 每空1分，错则全扣。
(整理)数字集成电路-试卷B
Ｃ、ＥＥＰＲＯＭ Ｄ、Ｒegister
5、触发器和锁存器的区别是：（C）
（A）触发器比锁存器快；（B）触发器比锁存器面积小；（C）触发器是边沿有效，而锁存器是电平有效；（D）两者没有区别。
第二部分：填空（每空2分，共10分）
1、N-沟道MOSFET，器件的W=10um, L=2um, VTHN=0.83V则：
a)当VGS=0.7V , VDS=1.1V, VSB=0V时NMOS管工作在截止区。
b)当VGS=1.2V , VDS=1.1V, VSB=0V时NMOS管工作在区。
c)当VGS=2.5V , VDS=1.1V, VSB=0V时NMOS管工作在区。
2、集成电路的生产流程中，其中氧化工艺是生成。
3、a)如图3(a)所示的晶体管电路的逻辑表达式是。
杭州电子科技大学考试卷（B）卷
考试课程
集成电路原理
考试日期
成绩
课程号
教师号
任课教师姓名
考生姓名
学号（8位）
年级
专业
注：KPn=50uA/V2，KPp=17uA/V2，Vthn=0.83V, Vthp=-0.91V,λ=0.06
第一部分：选择题（每空2分，共10分）
1、TSMC的中文名称是：（B）
（A）台联电；（B）台积电；（C）中芯国际；（D）华宏半导体。
一、环境影响评价的基础
C.环境影响报告书
定量安全评价方法有：危险度评价法，道化学火灾、爆炸指数评价法，泄漏、火灾、爆炸、中毒评价模型等。
D.可能造成轻度环境影响、不需要进行环境影响评价的建设项目，应当填报环境影响登记表
5、设计实现四位串行加法器，并分析该加法器的关键路径延时。
杭州电子科技大学研究生复试电路试卷
杭州电子科技大学 攻读硕士学位研究生入学考试《电路》试题（试题共六大题，共4页，总分150分）姓名 报考专业 准考证号【所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效！】一、简算题（本大题共6小题，每小题10分，本大题共60分，要求写出求解过程） 1．求图1所示电路中电压源发出的功率。
315I图12.如图2所示电路，N 为线性无源电阻网络。
已知当4V s u =，1A s I =时，0u =；当2V s u =，0s I =，1V u =。
试求：10V s u =， 1.5s I A =时，?u =u图23. 试用回路电流法求解图3电路中的电流1I ，2I 和3I 。
37Ω35V图34.如图4所示电路中，已知i u =1V ，求0u 。
o图45.已有某有向图的基本回路矩阵为：101100000010110000000011010000000111-⎡⎤⎢⎥-⎢⎥=⎢⎥--⎢⎥-⎣⎦B （1）试画出此有向图；（2）试写出上述有向图的基本割集矩阵（选支路3、4、5、7、8为树）6.已知某二端口网络的正向传输参数矩阵215133S Ω⎡⎤⎢⎥=⎢⎥⎣⎦T ，试求该二端口网络的Z 参数矩阵与Y 参数矩阵。
二、如图5电路所示，已知L=1mH ，C1=C2=0.001μF ，R=2000Ώ，β=2，66()110(A)s i t t t =++⨯。
（15分） （1）求()ab U t ；（2）求()s i t 发出的有功功率。
图5三、电路如图6所示。
（15分）（1）求出网络函数()()()s U s H s I s =，并画出零极点图； （2）求当()2()s i t t ε=A 时的零状态响应。
（()t ε为单位阶跃函数）)(t u —图6四、如图7所示电路，已知12V s U =，10R =Ω，0.1H L =，0.01C F =，20γ=Ω，开关K 打开已久，当0t =时K 闭合，求K 闭合后的()L i t 和()c u t 。