PLASMA等离子清洗

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PLASMA清洗原理sn

PLASMA清洗原理sn

PLASMA清洗原理就是"物理冲击+化学反应":1.离子体离子体通常称作物质的第四种状态,前三种状态是固体、液体、气体,它们是比较常见的,就存在于我们周围。

离子体尽管在宇宙的别处非常丰富,但在地球上只存在于某种特定环境。

离子体的自然存在包括闪电、北极光。

就好象把固体转变成气体需要能量一样,产生离子体也需要能量。

一定量的离子体是由带电粒子和中性粒子(包括原子、离子和自由粒子)混合组成。

离子体能够导电,和电磁力起反应。

2.离子技术等离子清洗技术清除金属、陶瓷、塑料表面的有机污染物,可以显著加强这些表面的粘性及焊接强度。

离子化过程能够容易地控制和安全地重复。

如果有效的表面处理对于产品的可靠性或过程效率的提高是至关重要的,那么等离子技术对你也许就是最理想的技术。

通过表面活化、蚀刻、表面沉积,等离子技术可以改善绝大多数物质的性能:洁净度、亲水性、斥水性、粘结性、标刻性、润滑性、耐磨性。

3.离子清洗原理与创新给一组电极施以射频电压(频率约为几十兆赫兹),电极之间形成高频交变电场,区域内气体在交变电场的激荡下,形成等离子体,活性等离子对被清洗物进行物理轰击与化学反应双重作用,使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质,经过抽真空排出,而达到清洗目的。

4.物理轰击: 离子被电场加速,获得高能量冲击要清洗表面,会把能量传递给表面原子,但能达到一定程度使原子,足以脱离被清洗表面,然后被负压抽出清洗腔体;容易证明腔体内壁有一层基板材料;同时轰击可以把有机物冲击而悬浮物体表面,可使化学反应更充分。

化学反应: 如有H+, 和表面有机物中C反应生成CH4,和O生成H2O,最后变成气体排出。

实际上,在整个制造过程中,等离子清洗系统的关键控制要素包括过程温度、射频功率、气体分配、真空度、电极设置、静电保护等等。

对系统和这些交互影响参数的控制对于系统性能是最为关键的。

Plasma Clean所用材料主要是水滴角度测试仪和纯水。

等离子清洗

等离子清洗

H2 Plasma是和表面的O2反映生成 H20, O2 Plasma是和C 反映 生成 CO2来除去污染物.
(CH2)n + 3/2nO2 → nCO2 + nH2O)
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8/1/12
Confidential
Plasma 基本作用
1. 表面有机物除去 : 脱脂效果 2. 有机物除去后表面活性化 : 酸洗效果
金属表面常常会有油脂、油污等有机物及氧化层,在进行溅射、油漆、粘合、健合、焊接、铜焊 和PVD、CVD涂覆前,需要用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。 在这种情况下的等离子处理会产生以下效果:
1.1灰化表面有机层 -表面会受到化学轰击(氧 下图)
-在真空和瞬时高温状态下,污染物部分蒸发 -污染物在高能量离子的冲击下被击碎并被真空带出 -紫外辐射破坏污染物 因为等离子处理每秒只能穿透几个纳米的厚度,所以污染层不能太厚, 指纹污染也适用。
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Confidential
Plasma Simulation Experiment
Conclusion:
1.There are no finding contamination (No Cl element) problem on die surface after Plasma unit. 2. No finding reliability test failure after plasma cleaning unit. 3. Based on the wire pull and ball shear data after plasma no finding abnormal data. 4. Finding low wire pull & low ball shear after die contamination. 5. Plasma cleaning process is effected for die contamination.

PLASMA清洗原理sn

PLASMA清洗原理sn

PLASMA清洗原理就是"物理冲击+化学反应":1.离子体离子体通常称作物质的第四种状态,前三种状态是固体、液体、气体,它们是比较常见的,就存在于我们周围。

离子体尽管在宇宙的别处非常丰富,但在地球上只存在于某种特定环境。

离子体的自然存在包括闪电、北极光。

就好象把固体转变成气体需要能量一样,产生离子体也需要能量。

一定量的离子体是由带电粒子和中性粒子(包括原子、离子和自由粒子)混合组成。

离子体能够导电,和电磁力起反应。

2.离子技术等离子清洗技术清除金属、陶瓷、塑料表面的有机污染物,可以显著加强这些表面的粘性及焊接强度。

离子化过程能够容易地控制和安全地重复。

如果有效的表面处理对于产品的可靠性或过程效率的提高是至关重要的,那么等离子技术对你也许就是最理想的技术。

通过表面活化、蚀刻、表面沉积,等离子技术可以改善绝大多数物质的性能:洁净度、亲水性、斥水性、粘结性、标刻性、润滑性、耐磨性。

3.离子清洗原理与创新给一组电极施以射频电压(频率约为几十兆赫兹),电极之间形成高频交变电场,区域内气体在交变电场的激荡下,形成等离子体,活性等离子对被清洗物进行物理轰击与化学反应双重作用,使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质,经过抽真空排出,而达到清洗目的。

4.物理轰击: 离子被电场加速,获得高能量冲击要清洗表面,会把能量传递给表面原子,但能达到一定程度使原子,足以脱离被清洗表面,然后被负压抽出清洗腔体;容易证明腔体内壁有一层基板材料;同时轰击可以把有机物冲击而悬浮物体表面,可使化学反应更充分。

化学反应: 如有H+, 和表面有机物中C反应生成CH4,和O生成H2O,最后变成气体排出。

实际上,在整个制造过程中,等离子清洗系统的关键控制要素包括过程温度、射频功率、气体分配、真空度、电极设置、静电保护等等。

对系统和这些交互影响参数的控制对于系统性能是最为关键的。

Plasma Clean所用材料主要是水滴角度测试仪和纯水。

等离子水洗尾气处理设备

等离子水洗尾气处理设备

等离子水洗尾气处理设备
等离子水洗尾气处理设备通常用于处理半导体、平板显示、LED等行业产生的特殊有害气体。

等离子水洗式尾气处理设备的工作原理是利用高温等离子作为热源,可以有效处理如NF3、SF6、CF4、C4F6及TMA等特殊气体。

这种设备结合了等离子体技术与水洗技术,通过高温等离子体的氧化、还原、裂解作用,将有害气体转化为无害或易于处理的物质,然后通过水洗步骤进一步清除残余污染物。

具体到某一款设备,例如NSCP600,它是一款Plasma等离子燃烧水洗尾气处理设备,具有以下特点:
1.高温处理能力:使用高温等离子火炬,中心温度可达3000ºC,
可以分解处理各种难以处理的气体。

2.多进口设计:设备有四至六个工艺尾气进口,能够处理多种不
同的废气流。

3.电极寿命长:设备设计考虑到维护方便性,电极使用寿命超过
6个月,并且可以快速拆卸更换。

4.合规性:符合SEMI-S2行业标准,确保了在半导体行业中的适
用性和安全性。

5.处理效果优秀:对于PFC(全氟化合物)类气体具有优秀的处
理效果。

此外,在选择等离子水洗尾气处理设备时,还需要考虑实际应用场景、处理能力、系统兼容性以及成本效益等因素。

这类设备通常由专业的环保设备制造商(比如NST、苏州新耀环保)提供,并可根据客户需求进行定制化设计和制造。

等离子清洗的原理

等离子清洗的原理

等离子清洗的原理等离子清洗(Plasma Cleaning)是一种利用等离子体清洁材料表面的过程。

等离子体是由气体分子或原子在高温、低压条件下电离形成的带电粒子云,它具有高能量和高反应活性,能够迅速去除材料表面的有机和无机污染物。

1.等离子体产生:等离子体可以通过两种主要方式产生。

一是直接放电,即在清洗室中建立高电压电场,引发气体电离并形成等离子体。

第二种方式是放电产生的等离子体通过腔体进入清洗室中。

2.化学反应:等离子体中的带电粒子与物体表面接触后,发生一系列的化学反应。

等离子体中的活性粒子可以捕获氧、氮、氢等气体分子生成活性气体物种,如氧原子(O)、氮原子(N)和氢原子(H)。

3.活性粒子与污染物反应:活性物种在与污染物接触时会发生吸附、解离、氧化、还原等反应。

有机污染物往往通过活性粒子的氧化作用发生分解,而无机污染物则可能在等离子体中发生解离、聚合或形成熔融态物质。

4.清洗效果:由于等离子体具有高能量和高反应活性,它能够迅速去除材料表面的有机和无机污染物,使材料表面达到清洁的状态。

清洗室中的真空环境也有利于污染物的快速扩散和去除。

等离子清洗可用于许多不同类型的材料(如硅片、金属、塑料等)的清洗和表面活性化处理。

它可以去除表面的油脂、氧化物、有机残留物和金属杂质等污染物,提高材料表面的附着力和可镀性。

此外,等离子清洗还可以在微纳加工领域用于去除光刻胶、氧化膜等,在医学和生物领域用于杀灭细菌和病毒。

总之,等离子清洗的原理是通过产生具有高能量和高活性的等离子体,活性粒子与表面污染物发生化学反应,从而迅速去除材料表面的污染物。

这种清洗方法具有高效、环保和广泛适用性的特点,广泛应用于科学研究和工业生产中。

PALASMA

PALASMA

等离子清洗机工作原理来源:北京嘉润通力科技有限公司 >>进入该公司展台1、何谓等离子清洗机等离子清洗机采用气体作为清洗介质,有效地避免了因液体清洗介质对被清洗物带来的二次污染。

等离子清洗机外接一台真空泵,工作时清洗腔中的等离子体轻柔冲刷被清洗物的表面,短时间的清洗就可以使有机污染物被彻底地清洗掉,同时污染物被真空泵抽走,其清洗程度达到分子级。

等离子清洗器除了具有超清洗功能外,在特定条件下还可根据需要改变某些材料表面的性能,等离子体作用于材料表面,使表面分子的化学键发生重组,形成新的表面特性。

对某些有特殊用途的材料,在超清洗过程中等离子清洗器的辉光放电不但加强了这些材料的粘附性、相容性和浸润性,并可消毒和杀菌。

等离子清洗器广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子科学、生物医学、微观流体学等领域。

等离子清洗机的应用,起源于20世纪初,随着高科技产业的快速发展,其应用越来越广,目前已在众多高科技领域中,居于关键技术的地位,等离子清洗技术对产业经济和人类文明影响最大,首推电子资讯工业,尤其是半导体业与光电工业。

等离子清洗机已应用于各种电子元件的制造,可以确信,没有等离子清洗机及其清洗技术,就没有今日这么发达的电子、资讯和通讯产业。

此外,等离子清洗机及其清洗技术也应用在光学工业、机械与航天工业、高分子工业、污染防治工业和量测工业上,而且是产品提升的关键技术,比如说光学元件的镀膜、延长模具或加工工具寿命的抗磨耗层,复合材料的中间层、织布或隐性镜片的表面处理、微感测器的制造,超微机械的加工技术、人工关节、骨骼或心脏瓣膜的抗摩耗层等皆需等离子技术的进步,才能开发完成。

等离子技术是一新兴的领域,该领域结合等离子物理、等离子化学和气固相界面的化学反应,此为典型的高科技产业,需跨多种领域,包括化工、材料和电机,因此将极具挑战性,也充满机会,由于半导体和光电材料在未来得快速成长,此方面应用需求将越来越大。

PLASMA工艺

等离子清洗机(Plasma Cleaner)常见三种用途Harrick等离子清洗机(Plasma Cleaner)常见三种用途一、金属表面去油污并清洗金属表面常常会有油脂、油污等有机物及氧化层,在进行溅射、油漆、粘合、键合、焊接、铜焊和PVD、CVD涂覆前,需要用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。

在这种情况下的等离子处理会产生以下效果:1.1灰化表面有机层-表面会受到物理轰击和化学处理(氧下图)-在真空和瞬时高温状态下,污染物部分蒸发-污染物在高能量离子的冲击下被击碎并被真空泵抽出-紫外辐射破坏污染物因为等离子处理每秒只能穿透几个纳米的厚度,所以污染层不能太厚。

指纹也适用。

1.2氧化物去除金属氧化物会与处理气体发生化学反应(下图)这种处理要采用氢气或者氢气与氩气的混合气体。

有时也采用两步处理工艺。

第一步先用氧气氧化表面,第二步用氢气和氩气的混合气体去除氧化层。

也可以同时用几种气体进行处理。

1.3焊接通常,印刷线路板(PCB)在焊接前要用化学助焊剂处理。

在焊接完成后这些化学物质必须采用等离子方法去除,否则会带来腐蚀等问题。

1.4键合好的键合常常被电镀、粘合、焊接操作时的残留物削弱,这些残留物能够通过等离子方法有选择地去除。

同时氧化层对键合的质量也是有害的,也需要进行等离子清洗。

二、等离子刻蚀物的处理在等离子刻蚀过程中,通过处理气体的作用,被刻蚀物会变成气相(例如在使用氟气对硅刻蚀时,下图)。

处理气体和基体物质被真空泵抽出,表面连续被新鲜的处理气体覆盖。

不希望被刻蚀部分要使用材料覆盖起来(例如半导体行业用铬做覆盖材料)。

等离子方法也用于刻蚀塑料表面,通过氧气可以灰化填充混合物,同时得到分布分析情况。

刻蚀方法在塑料印刷和粘合时作为预处理手段是十分重要的,如POM、PPS和PTFE。

等离子处理可以大大地增加粘合润湿面积提高粘合强度。

三、刻蚀和灰化处理聚四氟(PTFE)刻蚀聚四氟(PTFE)在未做处理的情况下不能印刷或粘合。

PLASMA等离子清洗

FPC/PCB除胶渣工艺-PLASMA等离子清洗简要描述:一.等离子简介: PLASMA等离子清洗(又称电浆),起源于20****初期,随着高科技的发展,现大量应用在电路板钻孔后孔内清洁工序,传统的湿法高锰酸钾除胶渣工艺因有液体张力等原因,在现有电路板小孔,密孔,肓孔(BlindVia)等产品加工后常有残留胶渣(smear)。

一.等离子简介:PLASMA等离子清洗(又称电浆),起源于20****初期,随着高科技的发展,现大量应用在电路板钻孔后孔内清洁工序,传统的湿法高锰酸钾除胶渣工艺因有液体张力等原因,在现有电路板小孔,密孔,肓孔(Blind Via)等产品加工后常有残留胶渣(smear)。

所以以等离子清洁的干式制程受到瞩目。

二.电浆(以下统称电浆)产生方式:能产生电浆的方式很多,以下是几种高密度电浆的产生方式:1.感应耦合式电浆产生法(ICP)感应耦合式电浆工作原理,如下图,线圈上加一高频电源,当线圈电流发生变化时,由安培定律H = J + 0(E/t)知,可产生变动磁场,同时由法拉第定律E = - 0(H/t)知此变动之磁场会感应一反方向电场,并加速电子与线圈电流相反的二次电流。

下图为电浆实际工作中的照片。

2.中空阴极电浆产生法(HCP)3.电子回旋共振电浆产生法(ECR)三.电浆工作原理电浆是紫外线发莹光的产物,继固体,液体,气体之后,电浆体是物质的第四态。

电浆是一团带正,负电荷之粒子所形成的气体,正常情况下,正,负电荷总数相等;电浆中还含有中性的气体原子,分子及自由基。

至于整团气体粒子中,正离子(或电荷)所占的比例,则定义为离子化程度(ionization degree),所以电浆产生方式的不同,压力,电源供应器之功率不一,离子化程度也会不一样。

Plasma等离子清洗机工作原理 ppt课件


清洗前 (角度 )
77 76 76 78 73.6 74 71.6 70 72 75
清洗后 (角度 )
10 17 16 12 14 10 9 12 12 11
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檢驗方法----- Pull and Shear test
Auger Electron Spectroscopic(AES)
參數設置 : Power: 300W Pressure:0.22Torr
Time: 20S Gas Flow:5cc/min 效 果 :目前P1,P2均為Argon Plasma,對無机顆粒有較好的清
除效果,但由于其通過物理作用來處理表面有机物,所以速度較慢 ,效果也並不是很好;如果能結合O2 對有机物的化學作用
癸烷:(SMT清洗液殘留物)主要成分: Pdystyrene(聚苯乙烯)Mylar(聚酯薄膜)等有机物; 金屬表面氧化物; 已經硬化的光敏元素:,如:焊錫等無机物; 空气中的各种有机無机顆粒及基板表面的殘留液体.
PLASMA對所有的有机物都有明顯得清洗作用,但是 他對硬化焊錫等無机物卻物能為力!
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表面活化
表面活化主要用于聚合體(Polymers),通過Plasma的洗,(在 O2或Ar Plasma中進行短暫的暴光即可),可以增加表面的 粘著力.
原理: 通過Plasma,清除表面的污染物, 使其表面變粗,可
以暴露出更多的表面區域,以建立miniature dipoles(微形 的雙極子),從而增加電性的粘著力.具体請見﹕
出反應的付產品,及再填充反應氣體
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O2 Plasma
O2是利用自由原子以化學有方机物法蝕除有機物的,

PLASMA-PREEN等离子清洗机

产品背景产品特色及应用特点 应用 价格合理打线垫清洗 高功率 清洗Pd-Ag 裸芯片垫电子数控 清洗镀金部件 负载循环控制 环氧溢出物去除 模拟功率控制 去除光刻胶 处理机存储 清洗陶瓷基片 水冷底座 清洗玻璃部件 清洗光学部件 减少污水排放 清洗半导体表面安全保护设计 塑胶密封剂去除--失效模式分析操作简便 塑料表面上胶处理 维护方便 清洗镀银部件 性能稳定减少金属氧化物去除油渍或是环氧残留物*专利保护 #典型的台式微波等离子清洗/蚀刻机#2.45 GHz 操作 PPC 系列等离子清洗/蚀刻系统是一台台式微波等离子清洗机设备。

PPC 系列等离子清洗机系统融合了下面的特点,并在众多的应用领域中得到肯定。

技术参数反应舱 圆筒形 反应舱口径 4.1” 反应舱深 6.0”反应舱材质 派热克斯玻璃 (可选配石英玻璃)水冷式系统Model No. 862 973 反应舱 方形方形尺寸 8”(L) x 6”(W) x 2”(H)9” (L) x 7” (W) x 3” (H)冷却面 8” x 6” 9” x 7”反应舱材质 派热克斯玻璃 & 铝材 派热克斯玻璃 & 铝材 外部尺寸 28” (W) x 12” (H) x 13”(D) 28” (W)x 12” x 13” (D) 装运重量 65 pounds(约29.5公斤)电源 220V ac 50Hz220V ac 50Hz等离子体功率 100 Watts 至 750 Watts 之间调节频率 2.45 Ghz 负载比 10%至连续性 标准流量 5 cu-ft./Hr. @ STP 附件 真空泵及水冷却装置 处理气体大气、氧气、氩气等80 pounds(约38.5公斤)PPC 系列等离子清洗/蚀刻系统有三款不同机型. 第一款是圆筒型反应舱系统。

第二款是水冷式设备,反应舱尺寸为8”(L) x 6”(W) x 2”(H)。

第三款是一台大型水冷式设备,反应舱尺寸扩展至9” (L) x 7” (W) x 3” (H)。

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FPC/PCB除胶渣工艺-PLASMA等离子清洗
简要描述:一.等离子简介: PLASMA等离子清洗(又称电浆),起源于20****初期,随着高科技的发展,现大量应用在电路板钻孔后孔内清洁工序,传统的湿法高锰酸钾除胶渣工艺因有液体张力等原因,在现有电路板小孔,密孔,肓孔(BlindVia)等产品加工后常有
残留胶渣(smear)。

一.等离子简介:
PLASMA等离子清洗(又称电浆),起源于20****初期,随着高科技的发展,现大量应用在电路板钻孔后孔内清洁工序,传统的湿法高锰酸钾除胶渣工艺因有液体张力等原因,在现有电路板小孔,密孔,肓孔(Blind Via)等产品加工后常有残留胶渣(smear)。


以以等离子清洁的干式制程受到瞩目。

二.电浆(以下统称电浆)产生方式:
能产生电浆的方式很多,以下是几种高密度电浆的产生方式:1.感应耦合式电浆产
生法(ICP)
感应耦合式电浆工作原理,如下图,线圈上加一高频电源,当线圈电流发生变化时,由安培定律H = J + 0(E/t)知,可产生变动磁场,同时由法拉第定律E = - 0(H/t)知此变动之磁场会感应一反方向电场,并加速电子与线圈电流相反的二次电流。

下图为电浆实
际工作中的照片。

2.中空阴极电浆产生法(HCP)
3.电子回旋共振电浆产生法(ECR)
三.电浆工作原理
电浆是紫外线发莹光的产物,继固体,液体,气体之后,电浆体是物质的第四态。

电浆是一团带正,负电荷之粒子所形成的气体,正常情况下,正,负电荷总数相等;电浆中还含有中性的气体原子,分子及自由基。

至于整团气体粒子中,正离子(或电荷)所占的比例,则定义为离子化程度(ionization degree),所以电浆产生方式的不同,压力,电源供应器之功率不一,离子化程度也会不一样。

所有电浆都会发光(glow),原理类同日光灯的原理,在真空环境下激发态粒子(excited state, X*)返回基态(ground state, X)时,将其能量以光子的形式放出来所造成。

RX* → RX + hν
电浆内组成复杂,其工作时内部反应也极为繁杂,包括有气体分子之激发(excitation),解离(dissociation),离子化(ionization),结合(recombination)
等作用,可能发生的反应如下表。

四.电浆在PCB/FPC中的应用
电浆去胶渣机可达到以下四种功能:
1.电浆清洁功能(Plasma Cleaning)
在电路板(FPC/PCB)出货前,会用电浆做一次表面清洁的动作。

常规情况电路板的下游客户会对产品进行来料检验,如打线测试(Wire Bonding Test),拉力测试(Wire Pull Test)等,在没有做表面清洁的时候,常常会有一些污染导致测试不通过。

退货,客诉的事情时有发生,不单是经济上的损失,失去的还有信誉。

为避免以上的问题,在出货前做表面电浆清洁,在这个日益追求品质的年代已成趋势。

2.电浆活化功能(Plasma Activation)
主要针对一些活性不强,较惰性的材料,如Teflon等,此类型材料不容易用酸,碱做活化,但我们可以利用电浆内的离子或活性自由基对材料进行活化。

水滴角度测试是检测
材料表面活性的最好方法。

如下:
活化材料表面主要是对碳氢化物的清洁,因此种化合物属亲油情,故水滴角度测试时角度会偏大(70到100度);经电浆处理后,电浆中离子或活性自由基与碳氢化物轻易反应生成挥发性碳氢化合,如CO、CO2、CH4、CHxOy等,所以电浆后水滴角度会偏小(10至30度)。

下图是台湾晖盛与珠海光晟电子提供的测试资料:
3.电浆除渣功能(Plasma Descum)
同上,除渣的主要对象也是碳氢化物,线路板常规制程上完绿油后做显影成像,此工序在做精密BGA时会出现绿油显影不净,或有绿油残留时,也可通过电浆的方法做一次表面的清洁动作。

针对FPC而言,在经压制,丝印等高污染工序后同样会有细小残胶留于铜面,在后续表面处理时造成漏镀,异色等问题,同样电浆可去除表面残胶,根据材料与工艺及客户要求的不同,基本可去除表面直径大小约5um的胶状物。

4.电浆孔内去胶渣功能(Plasma Desmear)
孔内去胶渣也是目前电浆在行业中应用较多,较广的工艺。

孔内胶渣是指在电路板钻孔工序(机械钻孔及镭射钻孔)中因高温造成高分子材料熔融在孔壁金属面的焦渣,而并非机械钻孔加工造成的毛边,毛刺。

此胶渣也是以碳氢化物为主,电浆中的离子或自由基可轻易反映成挥发性的碳氢氧化合物,最后由抽真空系统带除。

所以电浆过的孔壁,在电镀后做切片时会有一定的胶内蚀,在IPC-6013A标准里,内蚀深度不能超过5um。

见下图,切片孔内胶层内蚀实物图及电浆前后除胶模拟图:
在HDI板的应用中,因小孔径大都用激光钻孔,钻污较多,电浆在此后工艺的应用更为广范。

见下图,激光钻孔后电浆前后效果图及切片:
电浆后用EDS(Energy Dispersion Spectrum)来检测其含碳量,在未做任何处理的钻孔后成品,其含碳量约为39%,经电浆去胶后,可降到0-20%等。

(主要也是根据加工参数
而定)
五.电浆工艺流程及参数
电浆的工作环境是一个真空的环境,注入相关气体,在射频(RF)电流作用下进行相关反映去除碳氢化物:工艺流程如下:上料-抽真空-注入气体-压力控制-电浆启动-电浆计时-电浆完成-气体关闭-抽真空-破真空-下料。

主要控制参数有:底压压力(250mtorr),工作压力(300-350mtorr),功率(6-8kw),时间(10-15min),气体流量
及比例(6:2:1,O2:N2:CF4)。

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