快速充电各种方案简介

MTK参考设计
TI建议魅族设计
TI建议魅族设计
TI建议魅族设计
TI建议魅族设计
TI建议魅族设计
高通parallel charging
高通parallel charging
BUCK电路的损耗分析
能量的损耗来源 1. Conduction losses 2. Switching losses 3. Gate drive losses 4. Body-diode reverse recovery losses 5. Body-diode conduction losses 对于HS MOS来说major loss是 Switching loss 对于LS MOS来说 major loss是 body-diode的reverse recovery 和conduction loss
恒压充电时尽量做到两路 电流平衡
恒压充电时尽量延长主 CHARGER的CC时间，也可 以说尽量做到电流不平衡
你们认为呢？
TI对比高通
关于电量计算，高通和MTK均有内置电量计，高通接在电池正 极，MTK接在电池负极。 MTK在休眠时十秒唤醒一次，耗电很小。 电量计做在RTC MODULE里，关机后依然可以工作。 高通？ K1是否需要外置电量计做在保护板上？
高通的AICL使用，需要将辅 助charger的一个管脚接到 PMI的一个ADC上，然后软件 上做一些处理来完成AICL功 能的实现，不知道这个管脚 上的电压对输入电流的反馈 准确不准确，而且软件实现 的AICL我觉得应该是有缺陷 的
如果输入电流超出 检测到的最大电流， 芯片会自动给出一 个输入限流（最差 情况下会复位输入 限流），寄存器可 以关掉。
快速充电方பைடு நூலகம்简介
2014.12.11
MTK PUMP EXPRESS介绍
MTK PUMP EXPRESS介绍
PUMP EXPRESS通 过设置充电芯片的输 入电流来调整VBUS上 的脉冲信号
MTK PUMP EXPRESS介绍
BQ25890简介
1.输入最大3.25A，输出最大 5A。 2. 93% Charge Efficiency at 2 A and 91% Charge Efficiency at 3 A Charge Current 3. Converter with up-to 2.4 A Output 4.Integrated ADC for System Monitor (Voltage, Temperature, Charge Current) 5.兼容QC2.0与MTK PE+
Sometimes small Schottky diode is added in parallel to Sync FET to reduce MOSFET body diode reverse-recovery and conduction losses
TI对比高通
ICO AND AICL: ICO和AICL都是用来检测充电器的最 大输出能力以防止充电器过载，只是 在高通和TI里叫法不同。
TI对比高通
TI的辅助charger是从主charger的PMID上引出的，高通是完全的并行。 TI这样会浪费一部分效率，以25mΩ和1A电流来算，0.025W，但是带 来的好处是，对于充电器输出电流的控制与充电器最大输出电流的检测 更简单一些，完全可以依赖于主charger的能力。 高通是完全并行的，对于充电器最大输出能力的监测与输入电流的控制， 需要通过软件处理。 高通的charger电感前端都接了一个肖特基二极管来提高效率。TI不知 道接上去可不可以，对提升效率来说有没有必要？
原理是什么？ 相比VINDPM 有什么区别？
TI对比高通
高通的parallel charging软件上有电流平衡算法 MTK目前未知 TI称CC不会有电流不平衡的问题
TI对比高通
高通采用SMB stepdown 来延长PMI的恒流充电时 间。
TI对比高通
TI的双charger充电需要 充电芯片到电池连接器的 阻抗控制一致，可以是两 个芯片同时由CC转入CV 模式。（MTK建议） 高通的PMI和SMB都有VBAT SENSE，只需要把VBAT SENSE 连在一起就可以同时由CC转入 CV。但是…
Design for new life!
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TI对比高通
TI BQ25890单芯片3A powerloss 1.17W 高通parallel 3A充电 powerloss 1.472W 如果QC2.0的话，目前BQ2589X系列 只能让充电器输出12V，3A充电 powerloss 1.33W
TI双charger方案可以更大电流充 电，5A、6A。