硅料清洗
适 用
1、目的
指导硅料清洗生产操作。
2、适用范围
用于硅料清洗生产。
3、职责
3.1 单晶生产经理负责整个硅料清洗生产工作。
3.2 本作业规程由制造部工艺人员制定及修改。
3.3 生产人员严格按照工艺规程作业。
3.4 质量控制和技术人员负责按文件要求对工艺进行检查、监督。
4、定义
无
5、内容
5.1 原理与目的
硅料的清洗，其目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而保证硅料纯度，保证整个电池生产中硅料的质量，避免污染物影响产品质量。
根据污染物产生的原因, 大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。
(1) 颗粒: 硅粉、氮化硅粉、灰尘、细砂。
(2) 有机物杂质: 它在硅料上以多种方式存在, 如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。
(3) 金属污染物: 它在硅料上以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在。对硅锭的少子寿命产生很大的影响，少子寿命降低。
(4)自然氧化膜：硅材料表面在自然环境中，表面的氧化。
在传统的RCA清洗法中SC－1主要用于清洗硅片表面的粒子，SC-2主要用于清洗硅片表面的金属沾污，而DHF用于去除氧化层，SPM用于去除硅片表面的有机沾污。
SC-1清洗
SC-1清洗液由NH4OH、H2O2和H2O组成，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性，硅表面和粒子之间可用清洗液浸透。由于硅表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。
在规模生产中，一般采用HF+HNO3 作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度，对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料，由于其形状不规则且处理过程互相堆叠，增加了清洗及干燥的难度；对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗，可以将残留酸液去除。
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
3Si+4HNO3=3SiO2+4NO ↑ +2H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO ↑+8H2O
当HF：HNO3=1：5时及比值在其附近时，硅的腐蚀速度最大。 氢氟酸含量比较高时，硝酸是动力主要试剂。硝酸浓度的稍微减小能很快降低反应速度。即使氢氟酸浓度有少量变化，仍有足够的量去溶解硅表面的氧化膜。反应速度变化不大。这时可认为面一旦被硝酸氧化，SiO2完全被氢氟酸溶解，反应速度决定于 HNO3氧化硅速度。
当硝酸过量时，在高硝酸区域，在这个区域 HF 酸在动力学上起着重要作用。氢氟酸少量的变化能明显改变硅片的腐蚀速度。反应过程中硅片表面始终覆盖着氧化膜，即使硝酸浓度有少量变化，仍有足量的硝酸
适 用
氧化硅表面，硝酸含量的减小只能使氧化膜变得纤细。硅片腐蚀速度决定于 HF 酸与氧化膜的接触速率即氢氟酸从溶液中扩散到硅片表面的速率决定。高硝酸区域，温度的影响相对较小。
5.2 工艺操作流程
5.2.1 作业准备
（1）进入净化室时必须穿好工作衣、工作鞋，戴工作帽，清洗操作时必须佩戴防酸碱手套和口罩。
（2）用专用毛巾清洗工作台，保证工作台面的清洁度。
（3）打开去离子水和氮气总开关，去离子水空放5分钟去处管道里的死水（如果没有间断使用可以不用放空死水），然后将各槽水注到标定水位由槽上水位线和水位监控器标定。
（4）准备整理当天所用的原材料，领取化学品原料，按照当天的生产产量要求领取相应的酒精， HCL，HF，专人负责，放置在车间的规定区域。（一般原料应由上一班人领好准备）
（5）预热升温。
（6）在各槽按照要求开始配液。
5.2.2 操作流程
（1）免洗原生多晶硅清洗
1.1 拆箱
1.2 装料
1.3 超声清洗
1.4 浸泡
1.5 烘干
1.6 包装
1.7 入库
（2）非免洗原生多晶硅清洗
2.1 拆箱
2.2 装料
2.3 酸洗
2.4 漂洗
2.5 超声清洗
2.6 浸洗
2.7 烘干
2.8 包装
2.9 入库
（3）回收料清洗
3.1 预清洗
3.2 装料
3.3 酸洗
3.4 漂洗
3.5 超声清洗
3.6 浸洗
3.7 烘干
适 用
3.8 包装
3.9 入库
（4）提纯单晶清洗
4.1 预清洗
4.2 砸碎
4.3 装料
4.4 酸洗
4.5 漂洗
4.6 超声清洗
4.7 浸洗
4.8 烘干
4.9 包装
4.10 入库
（5）提纯硅棒清洗
5.1 预清洗
5.2 砸碎
5.3 装料
5.4 酸洗
5.5 漂洗
5.6 超声清洗
5.7 浸洗
5.8 烘干
5.9 包装
5.10 入库
（6）原生多晶碎料清洗
6.1 拆箱
6.2 装料
6.3 酸洗
6.4 漂洗
6.5 超声清洗
6.6 浸洗
6.7 烘干
6.8 包装
6.9 入库
5.2.3 设备操作流程
（1）酸洗
酸洗通风柜→ 清洗槽→清洗槽→ 清洗槽→清洗槽→ 超声波→ 超声波→ 漂洗槽→ 装车→ 烘箱→
分拣检验→ 称重→ 打包入库
（2）浸泡
根据硅材料的种类，有的材料表面有涂层，有的有石英玻璃，有的硅料表面有炉渣等。根据生产工艺需要则采取浸泡工艺解决，浸泡时间由工艺决定，浸泡化学物质为氢氟酸。
浸泡通风柜尺寸为3000mm×1100mm，内设六个浸泡槽，每槽放浸泡篮3个。
浸泡废气处理：
适 用
浸泡通风柜→ 风机→ 净化塔→ 排放风管
（3）碱洗
有的硅材料表面有油和其他杂质，则采用碱煮工艺。
碱洗通风柜→ 风机→ 净化塔→ 排放风管
（4）酸雾
酸雾的处理则采用净化塔处理的方法，一般采用三级净化处理。
净化塔流程
酸洗通风柜→ 风机→ 淋洗塔→ 净化塔→ 净化塔→ 净化塔→ 排放
废气→玻璃钢风机 →缓冲静压箱→一级高效洗涤塔 → 排风管→二级高效洗涤塔→风管→三级高效洗涤塔 →排放烟囱高度25米→排放
废气收集：通过吸风装置对废气进行收集，将污染源废气导入净化系统，同时防止其向大气扩散，造成污染。对废气收集的好坏直接影响到整个净化系统的技术经济效果。
废气吸收：收集的废气通过高效吸收塔洗涤净化，彻底达到排放要求。
高效吸收塔工作原理：吸收是由物理吸收过程和化学反应，还原中和几个过程组成的。在物理吸收过程中包括水沫除尘和被吸收的气体在吸收液中进行溶解，当气液达到相平衡时，被吸收气体的平衡浓度是物理吸收过程的极限。被吸收气体中的活性组分进行化学反应，当化学反应达到平衡时，被吸收气体的消耗量，是化学吸收过程的极限。被吸收气体与液体相组分发生化学反应，化学吸收受气相扩散速度（或气膜阻力）和液相扩散速度（或液膜阻力）的影响，工程上常用加强气液两相的扰动来消除气膜与液膜的阻力。废气由底部进口进入吸收塔内，气体与溶液充分接触，废气中的几种组分由气相转入液相，使有害气体得到有效去除。
吸收塔结构特点说明：内部采用雾化填料系统，选用优质雾化喷头，雾化效果好，气液两项接触面广，填料采用带齿形特殊填料，吸收塔顶向下喷淋，气体通过时形成小球沸腾层，使气液接触增大，对气体的吸收﹑冷却都有较好的效果，空心球的气体速率高﹑处理能力大﹑塔重量轻﹑气液分布均匀﹑不易被固体物和粘性物堵塞。本设备对废气净化效率高，设备价格低，设备结构技术先进，操作方便。
（5）酸洗设备：酸洗设酸洗通风柜5个，每个酸洗柜设酸洗槽一个，清洗槽一个，柜边另设清洗槽4个，酸洗槽设有废酸回收系统并带吸风装置。
（6）清洗设备：选用高效的超声波，每台超声波旁设清洗槽，并增加漂洗槽。
（7）烘干设备：选用不锈钢热风循环烘箱。每台烘箱配有2部不锈钢推车，一部在烘箱内，一部准备装料，将整部车推进烘箱，待烘干后，将车推进检验包装间，这样既方便又减少工人的劳动强度。
5.2.4 主要物料消耗表
序号 材料名称 代号 规格 单位 6N 单位 w 单位 MW
1 多晶硅料 99.9999% kg 1000 g/w 8.96 T/MW 8.96
2 氢氟酸 AR 500mL/瓶 40% kg 130 g/w 1.165 T/MW 1.165
3 硝酸 AR 500mL/瓶 65% kg 798 g/w 7.155 T/MW 7.155
4 纯水 18MΩ·CM kg 22200 g/w 199 T/MW 199
5 自来水 kg 5000 g/w 43.15 T/MW 43.15
适 用
5.2.5 设备参数表
硅料清洗设备参数表
序号 工序 设备名称 尺寸mm 容积 物料 装料 重量 工艺时间 备注 单位 数量 长L 宽W 高H cm3 kg min
1 装料 清洗花篮 Φ300 350 98910 硅料 kg 5 清洗5到8篮换酸液一次，40kg/次
2 配酸 酸洗柜 1200 650 1900 配酸：体积比 HF：HNO3=1：5
3 酸洗 酸洗槽 370 370 300 41070 HF、HNO3 cm3 27380 37.15 2 清洗8篮换酸液一次，37.15kg/次
氢氟酸 1 HF cm3 4563.33 5.20 分析纯，浓度大于40%，密度1.14g/cm3
硝酸 5 HNO3 cm3 22816.7 31.94 分析纯，浓度65%，密度1.4g/cm3
4 清洗1 酸洗柜
清洗槽1 650 650 350 147875 纯水 cm3 147875 147.88 2 快排
5 清洗2 清洗槽2-1 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
6 清洗3 清洗槽2-2 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
7 清洗4 清洗槽3-1 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
8 清洗5 清洗槽3-2 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
9 清洗6 清洗槽4-1 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
10 清洗7 清洗槽4-2 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
11 清洗8 清洗槽5-1 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
12 清洗9 清洗槽5-2 325 650 350 73937.5 纯水 cm3 73937.5 73.94 4 快排
13 超声波清洗1 超声波清洗1 1200 650 750
超声清洗槽 1150 460 350 185150 纯水 cm3 185150 185.15 10 快排，加热4KW、温度
再生硅料分类和技术条件
再生硅料分类和技术条件
再生硅料的分类
再生硅料可以按照来源、形状和用途等不同方式来进行分类。
1. 按来源分类
再生硅料的来源可以分为两类：一类是来自废弃硅料的再生利用，另一类是通过特殊的生产工艺将硅废渣转化为再生硅料。前者主要包括废旧太阳能电池和废旧半导体器件等，而后者则主要包括冶金硅废渣、电子硅废渣和玻璃硅废渣等。
2. 按形状分类
再生硅料的形状可以分为块状料和粉状料两种类型。块状料通常是通过机械加工将硅废料切割成固定大小的块状，而粉状料则是通过研磨和筛分等工艺将硅废渣粉碎成一定粒度的粉末状物料。
3. 按用途分类
再生硅料的用途可以分为太阳能电池行业和半导体行业两种主要用途。太阳能电池行业主要采用晶硅料，用于制造太阳能电池芯片，而半导体行业则主要采用多晶料，用于制造半导体器件。
再生硅料的技术条件
再生硅料的生产过程包括废弃硅料的收集、分类、清洗、破碎、筛分、磁选、浮选等多个环节，需要严格控制生产过程参数，确保产品质量符合相关标准。
1. 收集和分类
再生硅料的收集和分类是再生过程的第一步，要对废弃硅料进行有效的收集和分类，保证再生硅料的来源清洁，不受污染。
2. 清洗和破碎
废弃硅料在收集和分类后需要进行清洗和破碎处理，将其表面的污染物和附着物去除，并将硅废料粉碎成一定大小的颗粒。
3. 筛分和磁选
破碎后的硅废料需要进行筛分和磁选处理，将其中的杂质和铁、铝等金属杂质分离出去，确保再生硅料的纯度达标。
4. 浮选处理 对于需要重新提纯和精制的硅废渣，可以采用浮选处理的方法，将其中的有用成分提取出来，得到高纯再生硅料。
再生硅料的技术条件还需要根据具体的用途和要求来制定，保证再生硅料的质量和性能符合相关标准。同时，对于再生硅料的生产设备和生产工艺也需要进行相应的技术改进和优化，以提高再生硅料的产量和质量，降低生产成本，满足市场需求。
再生硅料的发展前景
随着全球对清洁能源和新能源的需求不断增加，太阳能电池和半导体行业的发展也越来越迅速，再生硅料作为这两个行业的重要原材料之一，其市场前景将会更加广阔。
正确认识硅料的属性
正确认识硅料的属性
1、硅及其化合物的性质
怎样正确认识我们的硅料？这要先从硅的性质谈起。硅（台湾、香港称矽）是种非金属元素，它的化学符号是Si。原子序数14，相对原子质量28.09。硅以大量的硅酸盐矿和石英矿存在于自然界中，是构成地球上矿物界的主要元素。在地壳中的丰度为27.7℅，在所有的元素中居第二位。地壳中含量最多的元素氧和硅结合形成的二氧化硅SiO2,占地壳总质量的87℅。我们脚下的泥土、石头和沙子，我们使用的砖、瓦、水泥、玻璃和陶瓷等等，这些我们在日常生活中经常遇到的物质，都是硅的化合物。
硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，呈暗黑蓝色，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。
硅的化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。无论硅还是二氧化硅都是非常稳定的化学物质，无毒，无放射性。
2、硅料有没有毒、放射性？
什么是有毒物？所谓有毒物的定义，一般是指，在日常接触条件下，较小剂量进入机体后，能与生物体之间发生化学或物理化学作用，导致机体组织细胞代谢、功能和形态结构损害的化学物质。
毒物造成机体损害的能力称为毒性。我们平常见到的“剧毒”、“低毒”等实际上就是指毒物的毒性。按WHO急性毒性分级标准，毒物的毒性分级为：剧毒、高毒、中等毒、低毒、微毒。
我们公司主要原材料为多晶硅和单晶硅，这两种高纯度硅是不存在任何毒性和放射性的；我们辅助材料或者硅料中的杂质多为二氧化硅和碳化硅，都是稳定的物质。如同泥土、石头、沙子，我们使用的砖、瓦一样没有任何毒性或放射性。
3、辩证认识、规范作业
从某种意义上讲，自然界并不存在绝对有毒或绝对无毒的物质。如：砒霜、汞化物、蛇毒等，大家都知道的毒物，如果在低于中毒剂量时使用，便可作为临床治疗某些疾病的药物使用；而我们赖以生存的氧气，如果以高浓度超过正常需要进入体内，也会发生氧中毒。
硅片工艺流程的6个步骤
硅片工艺流程的6个步骤
硅片可是个很神奇的东西呢，那它的工艺流程有哪6个步骤呀？
第一步，原料准备。这就像是做菜要先准备食材一样。硅料可是硅片的主要原料，得把硅料准备得妥妥当当的。这些硅料要经过严格的挑选，就像挑水果一样，得挑那些质量好的。要是硅料质量不好，后面做出来的硅片肯定也不咋地啦。
第二步，硅料提纯。这个步骤可重要啦。硅料里面可能会有一些杂质，就像米饭里偶尔会有小石子一样讨厌。要通过各种方法把这些杂质去掉，让硅料变得超级纯净。只有纯净的硅料，才能做出高质量的硅片呢。
第三步，拉晶。这一步就像是变魔术一样。把提纯后的硅料变成硅棒。这个过程中，温度啊、环境啊都要控制得特别精确。就像烤蛋糕，火候不对就烤不好。硅棒的质量直接影响到后面硅片的质量哦。
第四步，切割。硅棒有了，就要把它切成一片片的硅片啦。这可不是随便切切的，要切得又薄又均匀。就像切土豆片一样，每一片都要薄厚合适。这个切割技术要求可高了，切得不好的话，硅片可能就会有破损或者厚度不均匀的情况。
第五步，研磨和抛光。切好的硅片表面可能不是那么光滑，这时候就需要研磨和抛光啦。就像给硅片做个美容，让它的表面变得超级光滑。这样在后续的使用中，硅片才能更好地发挥作用。
第六步，清洗和检测。硅片做好了，可不能就这么直接用呀。要把它洗得干干净净的，把切割、研磨、抛光过程中残留的东西都去掉。然后还要进行检测，看看硅片有没有缺陷，就像检查一件刚做好的衣服有没有破洞一样。只有检测合格的硅片，才能被用到各种高科技产品里面呢。
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
摘要：在电子多晶硅质量检测中，表金属杂质是极为重要的一项指标。现如今，减少电子多晶硅表面金属杂质含量的主要技术为酸清洗，利用不同程度的表面刻蚀，对电子级多晶硅表面金属杂质进行有效控制，使其处于最低状态。文章首先介绍了电子级多晶硅清洗工艺，对电子级多晶硅清洗过程中的各种问题进行了分析，并提出了有效处理方法。
关键词：电子级多晶硅；清洗工艺；问题与措施
引言：开展电子级多晶硅清洗的主要目的是让硅料表面能够更加清洁，没有杂质污染，对产品表面金属进行控制能够对其最终性能、效率、稳定性产生极为重要的作用。现如今，相关电子级多晶硅清洗技术能够参考的经验极为缺乏，我国有关企业的大部分有关技术都在不断实践与探索中，伴随电子级多晶硅湿法清洗的持续发展，有关技术也越来越成熟，各种先进设备不断涌现，但最核心的技术仍把握在少部分国外企业手中，即使生产高纯度清洗液，其高端技术在国内也难以大批量实现。想要全面落实电子级多晶硅清洗国产化，关键是在整个过程中突破一些基础材料和技术，是降低成本、增强市场影响力的只要支撑和有效手段。
1清洗硅块与硅芯工艺
在开展电子级多晶硅表面金属去除的主要流程是：硅料—表面清洗—水洗—干燥—酸洗—漂洗—干燥，如图1所示：
图1电子级多晶硅表金属处理流程
在开展设备清洗过程中，对硅块与硅芯开展清洗工作，清洗系统主要是对破碎处理与机械加工以后的硅料开展酸洗，其主要是对硅材料表面沾污的粒子，金属，有机物，湿气分子和自然氧化膜等进行处理。而在清洗线中，开展酸洗硅料的工艺流程为以下几个步骤：上料—酸洗-超纯水漂洗—超纯水常温浸泡—超纯水热浸泡—真空干燥—下料，清洗工艺流程图如图2所示：
图2 酸洗硅料的工艺流程
在硅料清洗时通常采取化学清洗的方式。化学溶液是由氢氟酸和硝酸组成，根据一定比例混合，硅块表面的杂质、吸附物，氧化物在酸洗中被清洗干净，酸洗中放出大量的二氧化氮气体。清洗线酸洗中产生的氧化氮气体和挥发的酸气体由洗涤系统抽出处理，酸洗中产生的废酸、漂洗浸泡产生的废水排放到废酸系统处理。
多晶硅冷氢化车间工艺流程
多晶硅冷氢化车间工艺流程
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多晶硅冷氢化车间工艺流程。
1. 硅料清洗。 使用高纯度氢氟酸溶液去除硅料表面的杂质。
清洗作业指导书
一、目 的： 为正确、规范原料的腐蚀清洗工艺操作，确保生产作业正常，特制订本规范。
二、范 围： 适用于原料的腐蚀清洗作业。
三、依 据： 使用说明书
四、权责单位： 原料腐蚀清洗生产车间
五、作业流程： 作业准备---原料浸泡---清水清洗---原料腐蚀---超声清洗---烘干---净化送检---包装。
六 、主要内容
1、作业准备
⑴、进入腐蚀车间须穿戴好洁净工作服、鞋。戴防腐蚀手套、口罩，穿防护服、鞋。
[2]、检查化学试剂规格、纯水质量。 原料浸泡 ：氢氧化钠、硝酸、盐酸、氢氟酸、氟化铵、硫酸一律用工业级或分析纯 原料腐蚀 ：硝酸(含量65%―68%)、氢氟酸(含量 ≥40%)、盐酸应为电子级； 纯水电阻率大于15兆欧 厘米以上。 检查腐蚀手套安全不漏 设置好烘箱的温度，并送电。
2、作业
[1]、原料的浸泡 A、1、将片料称重后装入周转箱中，以大概上半箱为准。 2、向原材料中分别倒入盐酸和硝酸，盐酸与硝酸的比例为2：1。 3、在浸泡大概3-4天以后，用清水将酸冲洗干净。 B、1、将埚底料称重后装入周转箱中，以大概上半箱为准。 2、称取1-2公斤左右的氟化铵，加到埚底料中。 3、向周转箱中加入工业级的纯氢氟酸，以浸过原材料为准，其中氟化铵需溶解到氢氟酸中。 4、埚底料浸泡的时间大概为4天左右。 5、浸泡完毕，用清水清洗，尽量将酸给冲洗干净。
注意事项：
1、浸泡片料、埚底料的时间的长短要视实际效果，可适当的延长浸泡的时间。
2、对于表面含有金属的片料，可适当的加大盐酸的量。
3、因为浸泡埚底料所用到的工业级的氢氟酸为二次利用的回收酸，因此在浸泡埚底料前要视埚底料表面的石英及其它杂质，可适当的加入1-2桶的新的氢氟酸。
4、操作人员 一定要做好防护，戴防腐蚀手套、口罩，穿防护服、鞋。
[2]、腐蚀清洗
硅料清洗工转正总结
硅料清洗工转正总结
参加工作进入硅料清洗三个月已经转正了,为了尽快掌握工作技能,我一直坚持学习和实践,使自己在学校里学到的知识,运用在工作中,进一步的能让自己发挥自己的长处,,取得了长足的进步｡
1､认真学习,提高自己的基本知识｡
首先在学习中,知道自己要做的工作是什么,认真的了解,进-步的剖析,理解和掌握知识,然后运用在实践的工作中,对实践中与学习中的区别,能让我对实践的认识更加的透彻,使自己得到提高｡
2､发现问题,怎么使自己去解决问题｡
工作中,无时无刻都在发生问题,当工作中发现问题,然后总结问题,处理问题,使自己得到提高,对工作的熟练,经验的积累,发现的问题得到及时有效的处理｡
3､团结进取,勇与创新｡
时刻保持积极进取的心,领导和同事的关心,让自己对工作时刻保持进步｡严格要求自己,对工作的认真,对同事的热情,对领导的安排｡让自己在工作中能更优良的发挥自己的能力, 无论在工作中或者是生活中,自己对知识的渴求,不懂的不会的,问别人,让自己了解的同时,也能避免下次的再一次发生｡
硅料清洗杂谈
硅料清洗杂谈
原生硅料清洗工艺要求
1、混酸腐蚀：氢氟酸和硝酸的比例为1：5，根据硅料表面的粗糙程度设定腐蚀时间约为50s；
2、纯水漂洗：漂洗时间约为30 s；
3、氢氟酸腐蚀：根据硅块表面的粗糙程度，设定为60s；
4、纯水漂洗：设定时间约为300s；
5、超声波水洗：设定时间为90s；
6、氮气热吹：设定时间为60s；
7、真空烘干：30min；
注：氢氟酸和硝酸纯度要求为UP级。纯水电阻率为18MΩ。
硅棒上指纹的去除
硅棒上的指纹怎么去除，用酒精、丙酮都已经擦了，也弄不掉，请高手指点！
碱液清洗
指纹是由人体分泌的油脂通过手指留下。由于油脂的化学成分定，采用碱液配超声清洗，然后用纯水加超声清洗两遍就好了。至于碱液配方，可以采用氢氧化钠，氢氧化钾等配液。可以根据情况加缓蚀剂。
碱液+兆声波，可以添加一些表面活性剂。
锅底料用氢氟酸浸泡除去
硅不能和HF单独反映，硅首先和HNO3起反应生成SIO2,SIO2在与HF反应，为甚麽埚底料用HF泡石英呢，就是HF只与SIO2起反应。HNO3在里面起氧化剂，首先与SI起反应的。
回收料:
单晶头尾料：
1. 打磨（尾料上的凸起部分需要打磨掉）
2.碱洗（碱性法柏济 配比：0.12kg+50kg水 ， 温度：50℃，用百洁布擦洗）
3.过酸（HF:H2O2 = 1:1 , 1分钟）
4.酸洗（HF:HNO3 = 1:8,洗2-3分钟）
5.过水（在溢流槽中过1分钟）
6.超声（20min)
7.烘干（2小时）
8.包装
以上工艺时间过长
菜花硅料
菜花多晶不能用混酸洗，用HF加纯水比例为百分子10-20，泡10-20分钟，捞出后用纯水冲净，上超声波超10分钟即可，烘干要比其他料时间长一些，残留的HF易挥发，故就会挥发掉了，请试用，我全是这样用的，拉晶合格率为百分之75以上。
回炉硅块、边角料、T料中的杂质处理较难，常用的有三种方式：
1 喷砂、打磨
硅油清洗剂
硅油清洗剂
硅油清洗剂是一种由优质阴离子与非离子表面活化剂精确合成的水多元醇基混合物而产生一种接近中性的浓缩物（PH值：7＋／-）。硅油清洗剂是用专门配方制成，高效并具有最强清洁、净化污 染特性，完全可漂洗，可生物递减分解的中型清洁剂。硅油清洗剂不包含磷酸盐、酵素、乙二铵醋酸、氮川三醋酸（EDTA／TNA）或含氯漂白剂。
硅油清洗剂性能特点
硅油清洗剂快速除油、强力脱脂，使一切轻重油污自动乳化、自然溶解，神效彻底；环保、健康；可高倍兑水使用，且使用寿命长，节约成本；通用强，适用多种金属的除油，尤其适用铜铝等有色金属的除油；为水性产品，无刺激性气味，不燃不爆，高科技环保配方。
硅油清洗剂使用方法
硅油清洗剂用水稀释调配成浓度为1％和2％溶液。清洗程度严重的污染需增加溶液浓度。加热溶液（40至50摄氏度）或使用超声波清洗池，可以大大缩短清洗时间。清洗物从溶液中取出后，应立即彻底漂洗。清洗物切勿搁置太久再漂洗，建议用水漂洗三次，以确保完全去除污染物和清洗溶液的残留痕迹。清洗物件之后仔细弄干，应使用不起毛的布或者热气流烘干。硅油清洗剂使用浓度为1-2%；清洗时间为1-3分钟；清洗温度：室温-80℃，大于50℃可喷淋使用。
硅油清洗剂包装规格
5加仑/桶
硅油清洗剂注意事项
1、建议穿戴胶手套，不要用手直接接触；如误触请用清水冲洗即可；
2、本硅油清洗剂不能饮用，如不慎入眼，立即用清水冲洗；
3、严禁食用，远离儿童存放
硅料生产工艺
硅料生产工艺
硅料生产工艺是指将硅矿石经过一系列的加工与处理过程，最终制得金属硅或者硅合金的过程。硅料广泛应用于电子、光伏、化工等行业，具有重要的经济和科技价值。下面就介绍一下硅料生产的一般工艺流程。
硅料生产的主要工艺包括选矿、清洗、破碎、磨粉、提纯、脱氧等工序。
首先是选矿过程，硅矿石中包含了各种杂质，需要通过选矿来去除。一般选矿方法有浮选法、磁选法、重选法等。选矿过程可以将硅矿石的含硅量提高到合适的水平。
接下来是清洗过程，通过水洗，去除硅矿石中的泥土和其他杂质。清洗可以使硅矿石更纯净，为后续的工艺提供良好的基础。
然后是破碎过程，将清洗后的硅矿石进行破碎，使其粒度达到要求。破碎可以使用颚式破碎机、圆锥破碎机等设备进行。
接着是磨粉过程，将破碎后的硅矿石通过磨矿机进行细磨，使其达到细度要求。磨粉过程可以提高硅矿石的活性，有利于后续工艺的进行。
随后是提纯过程，将磨粉后的硅矿石进行提纯，去除杂质和不纯物质。提纯过程一般采用冶金法，通过高温和化学反应来去除杂质。
最后是脱氧过程，将提纯后的硅矿石进行脱氧处理，使其含氧量降低到要求范围内。脱氧可以使用气氛炉等设备进行，通过高温处理使硅矿石中的氧化物气体化并排出。
以上就是硅料生产的一般工艺流程。当然，实际的工艺流程会根据硅矿石的性质、产品要求等因素进行调整。硅料的生产工艺也在不断创新和改进中，以提高生产效率和产品质量，满足市场需求。