半导体纳米材料的光电性质

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什么叫半导体材料的特性

什么叫半导体材料的特性

什么叫半导体材料的特性?
半导体材料是一类具有特殊电学特性的材料,在现代电子学领域发挥着重要的作用。

半导体材料的特性主要表现在以下几个方面:
1. 晶体结构
半导体材料通常具有晶体结构,其中原子排列有序。

这种结构使得电子在材料中以禁带形式出现,能够在受激励时跃迁到导带中形成载流子。

2. 禁带宽度
半导体材料中的禁带宽度是指能带结构中导带和价带之间的能隙大小。

禁带宽度的大小直接影响了半导体材料的导电性能,如禁带宽度较小的半导体容易被激发产生导电行为。

3. 拓扑结构
半导体材料的电子结构和晶体结构决定了其拓扑性质,如在一维拓扑材料中,存在着边界态等特殊性质。

这些拓扑性质决定了半导体材料的一些特殊电学特性。

4. 光学性质
半导体材料通常具有良好的光学性质,如能够实现光电二极管、激光器等光电器件。

这些光学性质使得半导体材料在光电子领域有着广泛的应用。

5. 热电性质
部分半导体材料具有较好的热电性质,能够在温差作用下产生电能。

这种热电性质使得半导体材料在热电传感器、热电发电等领域具有应用前景。

总的来说,半导体材料具有晶体结构、禁带宽度、拓扑结构、光学性质和热电性质等多种特性,这些特性使得半导体材料在电子学、光电子学、热电领域有着广泛的应用和研究价值。

量子点 or 纳米晶

量子点 or 纳米晶

量子点 or 纳米晶
量子点和纳米晶都是纳米级别的材料,具有独特的光电性质。

量子点是一种特殊的半导体材料,具有较高的荧光效率和宽波长调控范围,被广泛用于生物探测、显示技术和光电子器件等领域。

而纳米晶则是由几十到几百个原子组成的微小晶体,其量子效应导致其具有尺寸效应、表面效应和量子隧穿效应等特性,被用于能源、传感、催化和生物医学等领域。

虽然两者在材料结构和应用领域上存在差异,但都具有极大的应用前景和研究价值。

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半导体材料的性质及在电子行业的应用

半导体材料的性质及在电子行业的应用

半导体材料的性质及在电子行业的应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有一些独特的性质和特点,因而在电子行业中有着广泛的应用。

本文将简要介绍半导体材料的性质和应用。

一、半导体材料的性质1.导电性能。

半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。

与导体相比,半导体的导电性能较弱,但比绝缘体要强。

通常情况下,半导体的导电性能受温度、掺杂浓度等因素的影响,可以通过控制这些因素来改变半导体材料的导电性能。

2.禁带宽度。

半导体材料中能带的能量范围称为禁带,禁带中间的能量范围称为禁带宽度。

半导体材料的禁带宽度通常较窄,约为1eV左右,这使得半导体材料在连通和断开电路方面比绝缘体更加灵活。

3.热电性能。

半导体材料还具有一些特殊的热电性能。

例如,热电效应使得半导体材料可以将温度变化转化为电压输出。

这种特性在温度传感器方面有着广泛的应用。

二、半导体材料应用于电子行业1.半导体芯片。

半导体芯片是半导体材料最重要的应用之一。

半导体材料可以制成各种芯片,如处理器芯片、内存芯片、传感器芯片等。

这些芯片是电子设备的核心,它们的性能直接影响到设备的整体性能。

2.光电设备。

半导体具有较好的光电特性,如光电转换和发光等。

在光电设备方面,半导体材料可以用于制造光电二极管、太阳能电池板、LED灯等。

这些设备在通信、光学、能源等领域有着广泛的应用。

3.传感器。

半导体材料的热电、光电等特性使得其可以用于制造各种传感器。

例如,压力传感器、温度传感器、光传感器等。

这些传感器在工业生产、汽车行业、医疗行业等多个领域都有广泛的应用。

4.功率器件。

功率器件是电子行业中必不可少的元器件,半导体材料可以制成各种功率器件,如三极管、场效应管、晶闸管等。

这些器件在电力、电动车、电子制造等领域有着广泛的应用。

总体而言,半导体材料具有独特的性质和特点,可以制成各种电子器件,应用于多个领域。

随着半导体技术的不断发展和进步,半导体材料在电子行业中的应用也会越来越广泛,为我们的生活带来更多的便利和高科技体验。

半导体材料有哪些重要特性

半导体材料有哪些重要特性

半导体材料的重要特性
半导体材料是一类在电学特性上介于导体和绝缘体之间的材料,具有许多独特的特性,使其在电子器件和光电器件中得到广泛应用。

下面将介绍几种半导体材料的重要特性。

1. 禁带宽度
禁带宽度是半导体材料的一个重要特性,它代表了在材料中带电子和空穴运动的能量范围。

禁带宽度的大小直接影响着半导体材料的导电性能和光电性能。

2. 基本电荷载流子
半导体材料中的基本电荷载流子包括电子和空穴。

电子带负电荷,空穴带正电荷,它们在半导体材料中进行载流子输运,是实现半导体器件功能的基础。

3. 能带结构
半导体材料的能带结构是指在半导体中,导带和价带之间的能级分布。

通过控制能带结构,可以实现半导体材料的导电性质调控。

4. 激子效应
激子是电子和空穴之间形成的一对电子振动态,具有不同于单独电子和空穴的性质。

激子效应在半导体光电器件中发挥重要作用。

5. 能带偏移
能带偏移是指在不同半导体材料接触界面或异质结构中,由于晶格不匹配等原因导致的带隙位置的偏移现象,影响半导体器件的性能。

结语
半导体材料具有多种重要特性,包括禁带宽度、基本电荷载流子、能带结构、激子效应和能带偏移等。

这些特性使得半导体材料在电子器件和光电器件中具有广泛的应用前景。

要深入了解半导体材料的性质和应用,需要进一步研究和实践。

纳米材料的电学性质研究及其应用

纳米材料的电学性质研究及其应用

纳米材料的电学性质研究及其应用随着科技的不断进步,纳米科技成为了近年来备受关注的热点领域之一。

纳米材料的电学性质是研究的重点之一,因为电学性质是纳米材料在电子、光电和能量转换等领域应用的基础。

本文将重点介绍纳米材料的电学性质研究及其应用。

一、纳米材料的电学特性纳米材料拥有特殊的电学性质,由于纳米材料的体积非常小,表面积比体积大很多,因此原子间距比较小,电子传输途径缩短,能带结构、价带宽度、本征能级等均发生了变化。

因此,纳米材料的导电性、屏蔽、共振和选通效应等电学特性也与块材料有所不同。

1.导电性纳米材料的导电性受到尺寸、形状、拓扑结构和晶体结构等各种因素的影响。

常见的导电纳米材料有金属和半导体纳米线、纳米片、纳米管等。

其中,金属纳米线和纳米片的导电性与形状、尺寸、晶体结构以及表面缺陷等有关。

半导体纳米材料的导电性与经典半导体物理相关,其导电性随尺寸的减小而变强,相邻能量级之间发生了单数量子限制。

2.屏蔽纳米材料的金属屏蔽效应是指纳米材料表面的自由电子和离子之间发生相互作用导致的屏蔽效应。

当纳米材料表面存在缺陷时,将导致屏蔽效应的异常增加,电磁波的穿透性较差。

3.共振和选通效应纳米材料的共振和选通效应是指在特定频率下,纳米材料会有更强的吸收和反射性能。

纳米材料红外吸收效应以其低频带特性而著称,具有广泛的应用前景。

硅纳米线的纵向介电响应是其特有的吸收效应,可用于制备红外探测器。

二、纳米材料的电学应用纳米材料的电学性质在能源、电子、催化和生物等领域具有重要的应用价值。

1.能源纳米材料在太阳能电池、燃料电池、光电传感器和电池等方面的应用潜力非常大。

例如,利用纳米颗粒制备的LiFePO4电极材料具有更大的含量、更大的表面积和更好的离子传导能力,可提高钠离子和锂离子电池的性能。

另外,纳米晶体硅的电子结构由于引入了量子大小效应,其催化活性随着粒径的减小而增强,可用于氢能转化。

2.电子和光电纳米材料在电子元件和光电器件领域的应用不断拓展。

半导体物理-第10章-半导体的光学性质

半导体物理-第10章-半导体的光学性质

光电导的弛豫时间越短,光电导的定态值也越小(即灵敏 度越低)
10.2.3 复合中心和陷阱对光电 导的影响
高阻光电材料中典型的 复合中心对光电导的影响。 这样的材料对光电导起决定 作用的是非平衡多数载流 子,因为非平衡少数载流子 被陷在复合中心上,等待与 多数载流子的复合。
复合中心和多数载 流子陷阱作用。延 长了光电导的上升 和下降的驰豫时间, 降低了定态光电导 灵敏度。
4. 晶格吸收
半导体晶格热振动也可引起对光的吸收,光子能量直接 转变为晶格热振动的能量,使半导体的温度升高,这样的 光吸收过程称为晶格吸收。晶格吸收光谱在远红外范围, 对于离子晶体或离子性晶体具有较明显的晶格吸收作用
10.2 半导体的光电导 10.2.1 光电导的描述
光照射半导体,使其电导率改变的现象为光电导效应。 (1)本征光电导:本征吸收引起载流子数目变化。 (2)杂质光电导:杂质吸收引起载流子数目变化。
这种自由载流子吸收光子之后,实际上是在同一能带中发 生不同状态之间的跃迁,因此吸收的光子能量不需要很大, 所以吸收光谱一般在红外范围
3. 杂质吸收
当温度较低时,半导体施主能级上束缚的电子(或受 主能级上束缚的空穴)没有电离,被束缚的电子(或被 束缚的空穴)吸收光子的能量之后,可激发到导带(或 价带)中去,这样的光吸收过程称为杂质吸收。
2 光电池的电流-电压特性
金属和p型半导体接触阻挡层的光致电流为
IL
qAN0
1
Ln
exp
d
式中:A为接触面积;N0为在单位时间内单位接触面 积从表面到扩散区内产生的电子-空穴对数;λ为入 射光平均深入的距离;d为耗尽宽度
P-n结光致电流表示
IL qQA Lp Ln

半导体材料有哪些特性及应用

半导体材料特性及应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有特殊的电子结构和导电性质。

半导体材料具有多种独特的特性,使其在电子、光电子、光伏和光通信等领域有广泛的应用。

半导体材料的主要特性1. 能带结构:半导体材料的电子能隙较窄,介于导体和绝缘体之间,使其在一定条件下可导电。

2. 斯特克斯位:半导体材料中的离子实栅靠近导带边缘,使电子在能带中具有很大的有效质量,有利于电子迁移。

3. 自由载流子浓度调控:通过施加外电场或调控杂质,可以有效调控半导体中的自由载流子浓度,实现半导体材料的导电性能调节。

4. 温度特性:半导体材料的电导率和载流子浓度都会随温度的变化而变化,通常表现为负温度系数。

5. 光电效应:半导体材料对光具有敏感性,可以通过光照射产生电子空穴对,实现光电转换及光电控制。

半导体材料的应用电子领域应用•集成电路(IC):半导体材料在微电子领域中广泛应用,作为IC芯片的基础材料,实现电子元器件、逻辑电路等功能。

•太阳能电池:半导体材料通过光电效应转化光能为电能,广泛应用于太阳能电池板制造。

光电子领域应用•激光器:利用半导体材料的光电效应和电子受激辐射特性,制作激光器用于光通信、医疗等领域。

•LED:利用半导体材料的电子激发辐射特性制造发光二极管,广泛应用于照明、显示等领域。

光伏领域应用•光伏电池:利用半导体材料的光电转换特性,制造光伏电池转化光能为电能,应用于太阳能发电系统。

光通信领域应用•光纤通信:利用半导体激光器和探测器构成的光通信系统,提供高速、远距离的光通信服务。

综上所述,半导体材料由于其特殊的电子结构和性质,在电子、光电子、光伏和光通信领域有着重要而广泛的应用。

随着科学技术的不断发展,半导体材料的应用前景将更为广阔。

纳米材料的电学性质研究及应用

纳米材料的电学性质研究及应用纳米材料是一种新型材料,因其特殊的尺寸效应和表面效应,具有与宏观尺寸材料不同的物理、化学和电学性质。

在过去的几十年中,纳米材料的研究和应用已经取得了长足的进展。

其中,纳米材料的电学性质研究及应用是一个重要的研究方向。

一、纳米材料的电学性质研究纳米材料的电学性质与其尺寸和形貌密切相关,主要体现在电阻率、电导率、介电常数、电荷密度等方面。

1. 电阻率随着材料尺寸的不断减小,纳米材料中电子与原子间的散射减少,导致电子传输的流动路径减短,使电阻率降低。

同时,纳米材料还存在量子尺寸效应和界面效应等因素,使其电阻率表现出复杂的尺寸依赖性。

例如,在纯银的纳米线中,当直径小于50nm时,电阻率随直径增加而降低,但当直径小于10nm时,电阻率开始升高。

2. 电导率纳米材料的电导率与电阻率有相似的尺寸依赖性。

当材料尺寸减小到一定大小时,电导率会发生突变。

这是因为纳米材料中的电子受到晶格的限制,不再能够自由运动,从而阻碍了电子的导电。

3. 介电常数介电常数主要与材料的极化和导电性质有关。

随着尺寸的减小,纳米材料中电子的极化效应和界面效应越来越明显,从而导致介电常数的改变。

例如,在氧化锌的纳米晶体中,当粒径小于50nm时,介电常数会出现明显增加。

4. 电荷密度纳米材料的电荷密度与其表面形貌和化学成分有关。

在纳米颗粒表面,由于分子结构的改变和表面能的变化,通常会出现电子传输发生和化学反应发生的巨大变化。

以上是纳米材料电学性质的主要特征,而在实际应用中,更多的是关注纳米材料的电学性质所带来的一系列重要应用。

二、纳米材料的电学性质应用纳米材料的电学性质研究为其应用提供了重要的理论基础,同时也使得其应用领域更加广泛。

1. 生物医学纳米材料的电学性质具有较高的生物相容性和生物可降解性,可以在生物医学领域中应用。

例如,利用吸附纳米颗粒的特殊表面性质,可以研制出用于医学影像学和肿瘤治疗的纳米颗粒。

2. 能源存储纳米材料的电学性质能够提高电化学能量储存和释放的效率,因此在能源存储领域中有重要应用。

纳米材料在电子设备中的应用

纳米材料在电子设备中的应用随着科技的不断发展,纳米材料在各个领域中的应用越来越广泛,尤其是在电子设备行业中。

纳米材料的特殊性质使其成为电子设备的理想选择,能够提供更高的性能、更小的尺寸和更低的功耗。

本文将重点讨论纳米材料在电子设备中的应用,并介绍其优势和潜在挑战。

一、纳米材料的优势1. 尺寸效应:纳米材料与传统材料相比具有更小的颗粒尺寸,因此具有更大的比表面积。

这使得纳米材料能够提供更好的电子传输性能和更高的储存密度。

例如,纳米颗粒可以增强半导体晶体管的电流开关特性,使得电子设备的处理速度更快。

2. 光学特性:纳米材料具有特殊的光学性质,可以通过调整其颗粒尺寸和结构来控制其光学特性。

这使得纳米材料可用于电子设备中的显示技术和光电传感器。

例如,纳米颗粒可以用于增强液晶显示器的光透过率和色彩饱和度,提高画面质量。

3. 热导率和电导率:纳米材料的高热导率和电导率使其在电子设备中的应用更加广泛。

纳米材料可以用于散热器和导电材料,有效地提高设备的散热性能和电流传输效率。

此外,纳米线材还可以用于制备高效的柔性电子元件。

二、纳米材料在电子设备中的具体应用1. 纳米晶体管:纳米晶体管是利用纳米颗粒制备的晶体管。

纳米颗粒的尺寸效应使得纳米晶体管具有更好的电子传输特性和低功耗。

这使得纳米晶体管成为下一代电子设备的关键技术,如纳米处理器和纳米存储器。

2. 纳米粒子增强材料:纳米颗粒可以用于增强电子设备中的材料性能。

例如,添加纳米颗粒的塑料可以提高其强度和硬度,使其更适合用于制造电子设备的外壳和结构件。

此外,将纳米颗粒掺杂到电池材料中,可以提高电池的能量密度和循环寿命。

3. 纳米导电材料:纳米线材和纳米薄膜是优秀的导电材料。

纳米线材可以用于制造高性能的透明导电电极,如纳米线薄膜太阳能电池和柔性触摸屏。

此外,纳米薄膜也可以用于制造高精度的集成电路和纳米传感器。

4. 纳米光电材料:纳米颗粒和纳米结构可以用于光电转换。

例如,纳米晶颗粒可以用于制备高效的量子点显示器和量子点太阳能电池。

zns量子点

zns量子点
ZnS量子点是一种独特的半导体纳米材料,它的尺寸大小通常小于10纳米。

这种材料由锌离子和硫化物离子组成,具有特殊的发光、电学及光电性质。

作为一种新型的发光材料,ZnS量子点的应用前景非常广泛。

其发光取决于其尺寸及形状,可以通过调节它们的大小和表面修饰实现调节发光颜色的功能。

该材料的独特发光性质使它被广泛用于生物荧光传感、光电器件等方面。

另外,它还可以用作纳米催化剂、传感器等。

值得一提的是,与其他纳米材料相比,ZnS量子点具有生物相容性、环境友好等优点,这使得它被广泛应用于医学领域。

例如,利用它作为荧光探针可以用于细胞成像、分子诊断等,通过与生物分子特异性结合实现对特定生物分子的检测和分析。

尽管ZnS量子点在许多领域都表现出了极大的潜力,但也存在一定的挑战。

如何克服其稳定性、毒性等问题仍需进一步研究。

相信随着技术的不断发展,ZnS量子点将有更加广泛的应用前景,并为人类健康和环境保护作出更大的贡献。

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'1.1.3纳米复合材料 纳米复合材料中,其中一相为有机聚合物,另一相为无机相。无机相与有机相之间的界面面积非常大,界面间有很强的相互作用。因此,复合材料不仅具有纳米材料的各种效应,而且将无机物的刚性、尺寸稳定性和热稳定性与聚合物的韧性、加工性及介电性能结合在一起,由此产生的许多特异性能,在电子学、光学、机械、生物学等领域展现出广阔的应用前景

(26,271。 从复合材料的制备上看,已经开发了很多方法:

(a)溶胶一凝胶方法【28-301;(b)插层原位复合方法〔31-331;(c)在有机网络中原位组装无机纳米微粒;(d)无机纳米微粒直接分散法[34,3510 这些方法是合成高性能和多功能新型材料的关键技术,也为研究材料结构和性能打下基础。而每一种方法都有各自的特点和适用范围。

' 1 .2半导体纳米材料的光电性质'1.2.1纳米材料的光学性质对于半导体纳米晶来说,量子化效应的直接表现就是材料能级的第一激

7北京理工大学学位论文发态的能量依赖于粒子的直径,即纳米晶具有尺寸可调的光学吸收特性。这同样可以用Brus公式来表示:

△F=琪,rr1( I2R`伙nz刃z1.786e'

从一。.248E󰀀,

其中△E为第一激发态能量,E󰀀 y为有效Redberg能。该式中第一项为电荷载流子的动能项,随粒径减小而增加,对粒径变化的依赖关系为简单的I/RZ关系。第二项为库仑作用项。第三项代表空间相矢能。从整个公式看,颗粒随粒径减小,带隙加大,光学吸收边蓝移。 尺寸量子化效应的另一表现是激子振子强度的增强。在体相半导体中,电子与空穴束缚能仅为几个到几十个meV,因此很容易在室温下解离,而观察不到激子的吸收。而在半导体纳米晶中,由于电子与空穴被限制在一个极小的区域内,电子与空穴波函数交叠增加,激子结合能与振子均表现为增加趋势。激子振子强度为

f=粤△:}。1:}。(0) 月

其中,m为电子质量,E为跃迁能,I lx I’为跃迁距,I U (0) 1‘为空间交叠因子。对于半导体纳米晶体系,粒径的减少直接导致}u (0) 1项的增加,使得单位体积振子强度f八大大增强。由于f八对应于吸收系数,这也意味着激子吸收带将随着半导体纳米晶尺寸的减少而增强,并能在室温下观察到[661。 半导体纳米晶的尺寸依赖光学吸收性将会有很多重大的应用。大的激子振子强度意味着可以获得高的兰阶非线性光学响应〔671,同时强的激子吸收峰的出现也带来了高的带边荧光M.'f?子效率(QY),不仅可用于构造光电器件,也可以用于构建体积极小、能耗很低、效能更高的量子点激光器。 纳米粒子的尺寸与物理的特征量尺寸相差不多。粒子的粒径与超导相干波长、玻尔半径以及电子的德布罗意波长相当时,颗粒的量子尺寸效应十分显著,加上大的比表面积造成的表面效应,对纳米微粒的光学特性有很大的影响,甚至使纳米微粒具有同样材质的宏观物体不具备的新的光学特性。如宽频带强吸收、蓝移和红移现象、量子限域效应、纳米微粒的发光以及纳米微粒分散物系的光学性质等【36-451;而相对于纳米固体来说,北京理工大学学位论文还在紫外一可见光吸收、红外吸收等方面具有粗晶材料不同的性质【46-49]. 将具有特定性质的纳米微粒与无机或有机材料复合是纳米材料学领域研究的热门,为发展新型发光材料提供了一个途径。已有越来越多的研究者的注意力转向这里〔50-56]e高科技社会的发展使得对新光学功能材料及透明凝聚态介质需求正在快速增大,从未来光计算用的高效全光器件到硬的透明光学防护层材料都有这些需求。此外,这些材料还能够与当前广泛应用的光学元器件如波导及光纤等集成起来,导致薄膜与光纤类的材料成为此类材料应用的首选。可以说,稳定性、易处理性和功能特性构成了纳米材料应用的基础。 同理,构筑光学复合体系的基本原则之一就是密切混合光学功能材料于可处理基质中。其中的介质有的是自然形成的,有的需要人工加工。复合材料中,纳米微粒具备可预期的性质,基质具备可处理性。嵌入相可包括量子限域的半导体微粒、固态激光材料、小分子及聚合物;基质材料可以是聚合物、共聚物、玻璃体及陶瓷体。利用这样的复合结构,纳米复合材料可以完成非线性光学、光开关、光转换、光调制、光放大等功能。 光学功能材料里也可以广一泛应用纳米复合材料。把半导体纳米微粒注入高聚物、玻璃、或陶瓷基质,包括吸收、‘发光、非线性响应等特性就会显现出来。纳米尺寸会增强它们的光学性能,基质则稳定微粒的尺寸及防止微粒生长。固态激光材料的陶瓷微粒可以注入高聚物,形成光活性复合材料。此结构可制成用于固态激光放大的薄膜,而此种薄膜用传统方法是很难制备的。具有光学功能的小分子及聚合物也可嵌入高聚物或玻璃基质并保持其光学性质。纳米复合结构的其它应用还包括制备具有异常折射指数、或异常磁性、或优异力学特性的透明材料。 另外,磁响应微粒体系也具有独特的性质。微粒可包括一种金属、氧化物或合金核,然后用高聚物或有机物包覆。利用有机或生物分子(酶、抗体、抗原基因等)包覆层可以附加某种功能,与核微粒功能祸合。因此,微粒可以用于试管或活体系ft" ,如移动祸合的分子到特定位置〔从周围基质分离特定分子或细胞,药物导向)、免疫测定、生化或酶反应、亲和色谱等。高聚物所包覆的磁性微粒还可用作磁记录的磁带、磁盘、洒落的油污清洗及可塑的磁性材料。 对于无机核与聚合物壳层复合材料而言,高分子表面活性剂是实现这北京理1大学学位论文种结构的有效材料。以高分子包覆的无机微粒对复合材料祸合的应用给出了满意的回答。高分子包覆的复合层可体现出优异的热辐射特性,用于晶体管、二极管和集成电路,也可作为塑料中的导电添加剂。类似的复合材料还用作电学势垒,阻绝电流通过。良好的分散性和可塑性,使得这种高分子包覆的无机材料不仅改善了产品的物性,而且还非常有利于材料的处理及成型。半导体纳米微粒复合的高分子系统甚至可以增强光电及光电化学响应,这对太阳能的利用是至关重要的。己经有人从它们的独特光学性质出发制各新的微光学器件。纳米复合结构提供了改善具有光学特性的材料的可处理性和稳定性的途径,应川的范围从固态光学放大薄膜到透明磁体、光电薄膜等等。 成为发光材料研究重点的半导体纳米结构中,包括着il -VI , III-V和N半导体材料。它们的发光特性与许多因素有关,如微结构尺寸、载流子分布、表面化学环境制备处理过程等。德国马克普兰克的Henglein[19〕关于CdS/Cd(OH)1,麻省Bawendi关于CdSe/ZnSe的开创性I-作。使得11 -VI半导体核壳结构材料的发光展现出极好的应用前景。 目前,各种纳米结构的多样的发光体系尚无系统的理论模型。现有的一些理论模型增加了对纳米体系发光的理解混乱。什么是它发光的物理根源?如何增强及控制?原始体相的价带结构还有多少作用?界面修饰能在多大程度上改变它们的电子态及发光性质?化学能从中做些什么?纳米微粒与高分子共扼结构的相互作用如何?微粒对高分子电子传输的贡献如何?光子吸收对电子特性的作用以及如何提高微粒一高分子体系的光电转换效率?都是我们急待研究回答的问题。 从现在己经得到的结果上看,可以充分证明利用化学修饰手段能够大大改变或增强纳米材料的物性,即使是在高分子的复合体系纳米微粒仍然可以改变体系的电子态分布重组。这方面的工作虽然己有大量的报道[57-591,但仍然是研究的热点之一。

夸1.2.2纳米材料的电学性质 金属和半导体纳米晶的电荷输送特性明显要不同f体相材料,这是由于限域在小体积的电荷间的强烈的排斥作用,使得在向颗粒中添加额外电荷时需要耗费一定的能量,即充电能。充电能的大小可以用e'i2C来表示,C北京理f人学学位论文为颗粒的电容,它与颗粒的线性长度成正比。颗粒越小电容越小,而充电能就越大。充电能的存在,使得在颗粒构成的隧道结中,可以观察到单电子输运现象,此时电流一电压曲线不再是一条直线,而表现出分立的台阶,即我们所说的库仑阻塞和库仑台阶现象〔60-621。对于金属和半导体纳米晶,由于其极小的电容值(10",粉),其充电能大大超过热涨落能(KBT),使得单电子输运现象可以在室温下被观察到。当粒子的尺寸小到由于量子限域造成的能级间距超出充电能数值时,这种电荷隧穿及输运现象通过单个量子化的能级来进行。 单电子隧穿或量子隧穿现象会成为未来微电子学的基础,基于它而构建的单电子记忆元件、单电子逻辑元件可以实现器件的超低耗运转,实现集成电路的超微化生产,实现超高温度的信息储存。现己经有一系列的工作报道了基于半导体纳米晶的室.温单电子现象的实现[63-6510

芍1.3纳米材料的制备 能够具有单一分散且有良好表面特性的纳米粒子,其重要性是不言而喻的。为此,人们已经付出了巨大的努力。现已发展出了多种制备纳米粒子的技术,其中包括利用电化学、胶体、胶束(micelles).高分子、玻璃和晶体做基质等。其制备方法大致可以分为两类,一类是气相合成的方法;一类是凝聚相合成方法。'1.3.1气相制备方法 1.单体气相聚集 此技术采用惰性冷却单体,使之团聚成团簇。建立一定的单体浓度,与冷的惰性原了碰撞来冷却单体,进步添加单体和通过颗粒碰撞以进行生长。 A加热炉蒸发:最简单同时也是最广泛用于大量合成表面清洁、不带电荷的金属颗粒的制备方法。通过控制蒸发速度及惰性气压来控制颗粒的平均尺寸。采用流动的惰性气流,多次膨胀,可以降低颗粒粒度,窄化尺寸分布[681。 B激光蒸发:在较短的时间内,把样品靶加热到极高温度(大约10000'C ),从而气化原子,进而在惰气中冷却,得到颗粒。此方法有很大的普适性,可用于过渡金属,半导体,还有卞族元素。但单位时间生成的团簇量较少,

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