多晶L6 FF持续偏低效率异常排查

合集下载

多晶炉设备故障处理办法

多晶炉设备故障处理办法

多晶浇铸炉故障处理办法1、TC1失效处理:(1)、TC1失效,温度显示-32768(2)、TC1失效,温度显示超过1575引发120秒断电倒计时一般TC1失效不会引起断电,处理时选择好对应配方的功率曲线引用即可。

但TC1失效后温度显示高于1575会引发最大温度紧急报警,此时若不立即处理120秒后DSS炉会自动切断电源。

我们可以在这120秒内立即拔除TC1热电偶或立即引用功率曲线运行DSS炉就会停止倒计时。

2、TC1失效后引用功率曲线后不按功率曲线运行?此原因当前阶段与调用功率曲线的阶段不符。

一般为当前阶段落后于调用功率曲线的阶段。

此时系统不再调用以前的功率曲线而是保持当前的功率不变。

当阶段运行至调用功率曲线的阶段时DSS炉又会自动调用功率曲线的功率。

3、硅液溢流报警?DSS运行过程中,高温硅液在坩埚破裂或变形后溢出,渗透隔热层底部隔热板,溢出的硅液将下炉腔岩棉上的溢流报警线熔断,触发硅液溢流报警!当发现报警后我们可以根据当前的阶段判断是否直接紧急冷却。

当前阶段若存在硅液应立即紧急冷却。

若不存在硅液则为假报警,一般为模块或线路故障,但DSS炉同样会30s倒计时进入E-cool, 此时我们可以连接上加热器,将E-cool步骤的参数修改成当前步骤的参数,保证DSS炉温度不降。

等电工修复后再跳回运行时的步骤。

4、输出功率突变上升至100%处理?(1)、电流电压都显示为零(2)、有电流电压但不正常输出功率突变上升至100%根本原因为模块反馈没有输出功率。

此现象有两种可能:1)本身就没有输出功率,电流电压都显示为零:可能原因是可控硅风扇停止转动导致可控硅温度过高而断开了电力供应。

我们可以立即打开可控硅的门盖散热,(必要情况下可叫电工对可控硅热继电器进行短接)然后在手动屏幕中将电源连接器断开一下再连接上即可。

2)本身有电力供应,但模块出故障导致程序误以为输出功率不够,此现象一般有电流电压但不正常且是波动的。

在电工更换模块的同时我们也应该做相应的操作:将DSS炉处于暂停模式下转P控制且保持当时的功率不变,将隔热笼关闭。

三晶变频器的故障排除

三晶变频器的故障排除

三晶变频器的故障排除一、OP故障:1、上电跳OP:①首先让客户把电源断掉,检查是否上错了电,如:220V的变频接到380V 的电源上;②检查电源电压是否偏高,最好让客户用万用表检测一下电源电压,再看一下F059的值( ),从而可判断输入电压是否偏高;③查看F084的参数值是否正确,如果是输入电压偏高,则适当地修改F084的参数,但范围不能太大,在20V以内,但必须要告诉客户主要的问题是电源的问题,最好要解决电源问题才是根本。

2、运行中跳OP:①首先检查输入电源是否偏高;②了解变频器在运行几赫兹时跳OP,是什么设备(如是否惯性大的设备),如果是在高速度中运行,且是惯性大的设备,则要查看减速时间是多少,防止在运行中失速跳OP;③查看参数F059和F084的值,适当修改参数解决问题。

3、减速中跳OP:首先检查F002的参数,加大F002的参数值,如加大F002值后还出现OP,则要返回1、2的相关内容注:改变了F084的参数后,必须要告诉客户,此参数不能随意修改,否则变频会出现无法正常工作,严重时可能会损坏变频器,同时也要知道,修改F084参数后所造成的不良后果。

二、UP故障:1、上电跳UP:①首先检查输入电源是否偏低,是否将380V的变频器接到220V的电源上(这种可能性较小);②根据F059和F084的参数来判定输入电源是否正常;③上电跳UP 的话,95%都是属于输入电源偏低。

2、启动几秒钟跳UP:①首先考虑是否是继电器不吸合;②如果是大功率的机器,可让客户将电源断开,然后再重新上电,且认真听在上电的时候是否有继电器吸合的声音;③小功率机器比较难听得见,但可让客户将负载减小或者直接把电机线去掉,这样就可以判断得出是否是继电器不吸合;④这种情况一般都是继电器不吸合或吸合触头接触不良的原因造成;⑤在这种情况下不能让客户试机试得太久,防止充电电阻过热,烫坏机箱或烧坏旁边的元器件。

3、在正常运行中跳UP:①首先了解是否经常出现此类情况,还是有时出现,一般在白天出现还是在晚上出现;②检查电源电压是否有点偏低,或波动大;③查看F059和F084来判断电源电压的情况;④变频器附近是否有大功率的用电设备频繁启动,将电源电压瞬间拉低。

如何解决设备故障与性能降低的效率损失

如何解决设备故障与性能降低的效率损失

如何解决设备故障与性能降低的效率损失一、设备缺乏保养带来的三大损失设备缺乏保养带来的损失主要包括:1.故障停机的损失设备故障停机指的是机械设备、模工装刀治具等发生异常,进行更换或维修而暂停超过十分钟的停机损失。

2.短暂停机的损失/空转损失设备暂停或者空转损失指的是因工件卡堵、倾斜、掉落、污损、不良警报等,必须进行短于十分钟的停机或空转予以处理的暂停损失。

3.性能降低的损失性能降低的损失,即性能或者是设备的速度降低造成的损失,例如设备缺乏保养等产生的损失等。

在实际工作中,大概会有10%~15%的时间属于计划性损失;20%的损失来自产品切换和开工准备;由于设备问题造成的故障、短暂停机、设备空转以及性能降低导致效率的损失一般占35%。

因此,找到设备故障和造成性能降低的原因并进行相关改善,成为企业降本增效的必经之路。

二、设备故障的前期征兆与原因分析设备既定功能丧失的原因主要包括:1.自然劣化任何设备只要正常使用,都会产生正常劣化和磨损,如电子零件会出现老化。

2.强制劣化顾名思义,指强制的劣化。

它是由环境或人为因素,如使用不当、操作不当或者维修不当造成的劣化。

3.对劣化的放任如果设备不管是自然劣化还是强制劣化,若不进行复原,就是对劣化的放任。

4.对应力的放任每台设备都有设计的应力强度,操作时都有一定的规范。

一旦超过使用条件以上的应力,或者因为负荷过大、维修不当等,都可能使设备产生故障,即产生对应力的放任。

5.设备强度本身不足设计每台设备时,都有相应的应力强度,如果设备本身的应力强度不足,无法保证正常生产,就属于设计缺陷。

三、设备故障的五个对策TPM对设备出现故障的问题总结出五种原因,同时也提出了五种解决对策。

1.基本条件的整备基本条件的整备是指针对设备自主保养的三大基本条件,即清扫、给油和螺栓再紧固,制定操作基准并进行培训。

这三种看似简单的工作,实际上并不简单,企业必须找到最易操作和最有效率的基准,才能在现实工作中坚持下去,丰田公司称为“防呆措施”。

堆芯通量测绘程序异常的原因分析和处理

堆芯通量测绘程序异常的原因分析和处理

堆芯通量测绘程序异常的原因分析和处理堆芯通量测绘是核能领域中重要的工作之一,它涉及到核反应堆的物理特性分析,如功率分布、中子流分布等。

堆芯通量测绘程序是为实现此目的而编写的计算机程序,它可以通过测量核反应堆内部的物理参数来计算出堆芯通量大小。

然而,在使用这种程序时,有时会发现它出现异常现象,如计算结果不准确、程序运行缓慢等。

针对这些问题,本文将对堆芯通量测绘程序异常的原因进行分析,并提出相应的处理方法。

一、异常现象1、计算结果不准确在使用堆芯通量测绘程序时,有时会发现计算结果与实际值不一致。

这可能是由于程序中存在误差项,或者受到其他因素的影响导致计算结果出现偏离。

此时,需要对程序进行检验和调整以提高计算精度。

2、程序运行缓慢有时使用堆芯通量测绘程序计算速度很慢,甚至无法顺利完成。

这可能是由于程序代码效率低下、计算机硬件性能较差等原因导致的。

二、原因分析① 数据源不准确堆芯通量测绘程序的计算结果直接依赖于测量数据的准确性,如果数据源不准确,就会导致计算结果不准确。

例如,测量设备出现偏差、误差累加等情况,都可能导致测量数据的失真。

② 算法不完善堆芯通量测绘程序中的计算算法有时可能存在缺陷或者不够精确,导致计算结果不够准确。

例如,计算公式中存在近似或忽略某项因素等。

③ 计算误差叠加在计算过程中,需要进行多次加减乘除等运算,这些运算过程中都可能产生误差,如果这些误差叠加起来就会导致计算结果偏差。

① 程序效率低下堆芯通量测绘程序中可能存在程序代码效率低下、算法复杂等问题,导致程序运行缓慢。

② 计算机硬件性能不足堆芯通量测绘程序对计算机硬件性能要求较高,如果计算机硬件性能不足,就会导致程序运行缓慢甚至退出。

三、解决方法① 提高测量设备的准确性,尽可能减少数据源因素对计算结果的影响。

② 完善算法设计,减少近似或忽略因素,提高计算精度。

③ 采用更准确的计算方法,如高阶近似或数值计算等方法来计算。

① 优化程序代码,尽可能减少程序运行时间,提高程序效率。

NPW-160检测器异常分析事项

NPW-160检测器异常分析事项

NPW-160检测器异常事项近期NPW-160检测器异常的CASE越来越多,总体归纳起来大概是以下几个方面造成,如下:1、工程师本身的技术力量不足,对该仪器的熟悉程度及维修经验不多造成2、检测器出现A13、A15报警,总氮总磷零点校正异常3、检测器出现A14、A16报警,总氮总磷标准校正异常4、检测器出现A18、A19报警,检测器LD、LT灯异常5、检测器本身的质量问题鉴于这5个方面原因诱发NPW-160检测器异常,下面简单分析导致第2、第3点、第4点的原因,如下:一、检测器出现A13、A15和A14、A16报警,总氮总磷零点和标准校正异常分析如下:A、纯水不纯,仪器所用的纯水纯度不够,一般经销商或者用户所需用的纯水通常都是其实验室配置出来的纯水,即用纯水机制出来的纯水;由于不同型号的纯水机更换药剂或者过滤装置(渗透膜、膜柱)周期不一样,而用户又未按照要求更换相应耗材,这就导致制出来的纯水不够纯要查看纯水质量最佳的方法是,查看220B电压值。

在更换纯水后,在未做纯水排除和注入的工作下,若数据从更换纯水前200B值在750左右,更换后在测定1-3个数据后,220B的数值急剧下降100或以上时,说明这批纯水的质量是有问题的。

B、试剂1过流酸钾问题,总氮总磷零点校准异常很大一部分原因是这个试剂1造成的,目前市场上过硫酸钾通常纯度不够好,国产的分为化学纯、分析纯、优级纯,正常来说优级纯最好,但现实做实验的时候会发现同一品牌的试剂,有的时候优级纯还不如上一个批次的分析纯;之前建议用户买SIGMA的,近两年由于SIGMA收购了另外一品牌试剂,现在市面上销售的是SIMG-ALONG,具体的记不清楚,就是试剂瓶上不是单一的SIGMA而是加了后缀,这个试剂也是经常出问题。

要求试剂内的含氮量小于5ppm以内,在大部分的过硫酸钾试剂内标注的含氮量都是小于5ppm以内,但过硫酸钾内的含氮量可能不是主要指标,所以可能大部分都是超标的。

太阳能电池ff低的原因

太阳能电池ff低的原因

太阳能电池ff低的原因
太阳能电池ff(填充因子)是衡量太阳能电池性能的重要
指标之一。

当太阳能电池ff低的时候,意味着其转换效率较低,能量损失较多。

以下是一些可能导致太阳能电池ff降低
的原因:
1. 结晶缺陷:太阳能电池是通过半导体材料转化太阳能为
电能的。

如果半导体材料中存在结晶缺陷,如晶格缺陷或晶界缺陷,会影响电子和空穴的运动能力,导致电池性能下降。

2. 电池温度:高温会导致太阳能电池的ff降低。

这是因为
电子和空穴的发生率和动力减弱,从而影响了光电转换效率。

3. 光透射损失:太阳能电池的表面可能存在反射和折射现象,这会导致光的透射损失。

当光能不能充分进入电池内部,
ff会降低。

4. 寄生电阻:太阳能电池中可能存在导电材料的寄生电阻,如接触电阻、线路电阻等。

这些电阻会导致电池内部电流流失,从而降低太阳能电池的ff。

5. 电池材料的品质:太阳能电池材料的制备过程中,如硅
晶体的纯度、杂质掺杂等因素会影响太阳能电池的性能。

低质量的材料会导致太阳能电池性能下降,ff减小。

6. 光照强度:太阳能电池的性能受到光照强度的影响。


光线弱或受到遮挡时,电池的ff可能会下降。

太阳能电池ff低的原因可能包括结晶缺陷、高温、光透射
损失、寄生电阻、材料的品质以及光照强度等因素。

了解这些原因有助于我们识别和解决问题,提高太阳能电池的性能。

“数据错误,循环冗余检查”解决方法

“数据错误,循环冗余检查”解决方法第一篇:“数据错误,循环冗余检查”解决方法“数据错误,循环冗余检查”解决方法从光盘、硬盘或其他介质复制文件时有时会出现“无法复制:数据错误(循环冗余检查)”的错误,导致某些文件不能复制。

这时因为:循环冗余检查(CRC)是一种数据传输检错功能,对数据进行多项式计算,并将得到的结果附在帧的后面,接收设备也执行类似的算法,以保证数据传输的正确性和完整性。

若CRC校验不通过,系统重复向硬盘复制数据,陷入死循环,导致复制过程无法完成。

注意到在上述过程中实际已有一部分数据复制到硬盘,只是碰到某些数据CRC校验不通过时,Windows的复制命令无法跳过这些数据继续执行。

而当操作无法完成后,系统会把已经复制到硬盘上的数据删除,这样导致复制完全失败。

如果在复制时能跳过错误数据,这个问题就能得到解决。

解决方案一:重启电脑,不要运行任何软件,重试复制1-3次,若无法解决请看方案二。

解决方案二:尝试使用复制工具,例如FastCopy等。

若问题依旧,请看第三条。

解决方案三:(95%解决问题!)思路:利用下载工具(迅雷,FlashGet等)的“断点续传”和“多进程多文件下载”特性。

操作步骤:假设无法复制的文件位于 X:光盘123.RM ,需要复制到D:资料1.用操作系统安装光盘或通过网络下载安装IIS(Internet信息服务),版本随意,XP下光盘安装为 IIS5.1.2.建立自己的站点,虚拟目录名称假设为“my” ,路径设置为X:光盘选择要下载到的目录,这里假设为D:资料,点击“确定”开始下载。

这样除了错误数据,其余均被下载到硬盘。

影音文件可以正常使用。

第二篇:光盘“无法复制×数据错误(循环冗余检查)”解决方法光盘“无法复制×:数据错误(循环冗余检查)”解决方法上次复制DVD光盘出现此问题后,通过WINISO软件将其制作成镜像文件后就解决了这可问题。

今天又遇到同样的问题,但是无法成功,再制作镜像文件到26%时就出现错误提示,点击“忽略”后WINISO程序就直接退出了,看来此路不通哟。

DEBUG灯常见的错误代码含义如下

DEBUG灯常见的错误代码含义如下常见的错误代码含义如下:1、“C1”内存读写测试,如果内存没有插上,或者频率太高,会被BIOS认为没有内存条,那么POST就会停留在“C1”处。

2、“0D”表示显卡没有插好或者没有显卡,此时,蜂鸣器也会发出嘟嘟声。

3、“2B”测试磁盘驱动器,软驱或硬盘控制器出现问题,都会显示“2B”。

4、“FF”表示对所有配件的一切检测都通过了。

但如果一开机就显示“FF”,这并不表示系统正常,而是主板的BIOS出现了故障。

导致的原因可能有:CPU没插好,CPU核心电压没调好、CPU频率过高、主板有问题等。

实战DEBUG灯——Award BIOS篇]DEBUG灯的使用也很简单,下面针对几种常见的故障代码和大家讨论一下解决问题的方法。

需说明的是,目前市场上的主板绝大部分使用的是AWARD BIOS或AMI BIOS,由于目前DEBUG 灯实际上是调用了主板BIOS的自检过程,所以主板BIOS程序的不同,DEBUG 灯显示的代码也不同,解决问题的方法也不可一概而论。

因此我们也将分两个部分讨论。

以下的说明中将选择最常见的故障代码及解决方法,至于其他更详细的代码含义,请读者参考DEBUG灯的说明手册。

1. Award BIOS篇错误代码:00(FF)代码含义:主板没有正常自检解决方法:这种故障较麻烦,原因可能是主板或CPU没有正常工作。

一般遇到这种情况,可首先将电脑上除CPU外的所有部件全部取下,并检查主板电压、倍频和外频设置是否正确,然后再对CMOS进行放电处理,再开机检测故障是否排除。

如故障依旧,还可将CPU从主板上的插座上取下,仔细清理插座及其周围的灰尘,然后再将CPU安装好,并加以一定的压力,保证CPU与插座接触紧密,再将散热片安装妥当,然后开机测试。

如果故障依旧,则建议更换CPU测试。

另外,主板BIOS损坏也可造成这种现象,必要时可刷新主板BIOS后再试。

错误代码:01代码含义:处理器测试解决方法:说明CPU本身没有通过测试,这时应检查CPU相关设备。

topcon效率异常排查流程

水溶型中药颗粒剂的制备工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!水溶性中药颗粒剂的制备工艺流程探析中药,作为我国传统医学的重要组成部分,其疗效独特,深受广大患者的信赖。

聚光光伏组件效率降低在生产侧的原因分析及解决方法

聚光光伏组件效率降低在生产侧的原因分析及解决方法作者:张磊尹航张玉霞杜彪黄勇焕来源:《科技风》2020年第08期摘;要:聚光光伏[1]组件在示范项目运行过程中出现发电效率降低问题,经过观察、分析、对比、实验验证,发现引起组件效率降低的出现的原因是组件自身电池出现隐裂造成。

通过对生产工艺的分析,找到解决电池隐裂的方法。

关键词:光伏;聚光;发电效率;生产面对化石燃料逐渐枯竭和人类生态环境的日益恶化,在能源供应方面必须走可持续发展道路,逐渐改变能源消费结构,大力开发利用以太阳能为代表的可再生能源,已逐步成为人们的共识[2]。

光伏发电是重要的清洁能源产业,也是我国具有较强国际竞争力的重要战略性新兴产业,在国家能源战略中具有重要地位。

聚光光伏是光伏发电的重要组成部分,有着良好的发展前景。

聚光光伏组件是[聚光光伏电池]+[聚光镜面菲涅尔透镜]+[太阳光追踪器]的组合,其电池主要材料是砷化镓(GaAs),属于三五族(III-V)材料。

目前主要应用的是InGaP/GaAs/Ge 三结砷化镓电池,可吸收300~1900nm波长能量。

聚光光伏具有光电转化效率高、同等发电量情况下占地面积小、对环境影响小等特点,也有经高倍聚光后散热困难、跟踪器要求精度高等问题。

其核心部件聚光光伏组件电池的光电转化率正在逐年提高,已有实验室声称砷化镓电池的光电转化率已接近50%。

由此可见随着相关机构不断地深入研究,如能有效解决聚光光伏的主要问题,聚光光伏在某些特定场景下的竞争力将越来越强,甚至可以带动整个聚光光伏产业的兴起。

论文的结构如下:第一部分本文介绍了聚光光伏发电的原理。

第二部分介绍了聚光光伏组件核心工艺。

第三部分阐明了效率降低生产侧原因分析及解决方法。

第四部分是本文的结论。

1 聚光光伏发电的原理聚光光伏是通过采用聚光技术,以相对便宜的聚光器来代替昂贵的太阳电池,将太阳光汇聚到太阳电池表面进行发电的一种技术。

聚光光伏所使用的太阳电池是聚光光伏技术的核心和基础。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

Rsh 287 302
Irev2 0.097 0.110
2015.10.26B
Line A6 A7 Wafer ZCSZ1022 ZCSZ1022 Qty. 15181 15834 Eta 18.18 18.23 Uoc 0.6369 0.6365 Isc 8.734 8.730 FF 79.51 79.82 Rs 0.0024 0.0022
填充相差0.35
Rsh 230 214 Irev2 0.134 0.148
2015.10.26Y
Line
A6 A7
填充相差0.31
Qty.
16282 16487
Wafer
ZCSZ1022/Z CTC1023 ZCSZ1022/Z CTC1023
Eta
18.18 18.25
Uoc
0.6369 0.6370
Isc
8.746 8.725
FF
79.54 79.88
Rs
0.0024 0.0022
Rsh
234 265
IRev2
0.082 0.086
TCell
25.09 25.16
六.为了再次验证L6烧结问题,将L6三道后的电池片放于L7线烧结炉烧结,再 次验证L6烧结有异常,数据如下
7
调整效果
一.调试烧结炉参数
Isc 8.714 8.715
FF 79.69 79.83
Rs 0.0022 0.0021
Rsh 272 238
Irev2 0.099 0.114
2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ15.10.24Y
Line A6 A7 Wafer
ZC1021 ZC1021
填充相差0.14
Qty. 15528 17657 Eta 18.15 18.23 Uoc 0.6357 0.6367 Isc 8.717 8.725 FF 79.71 79.85 Rs 0.0022 0.0021 Rsh 315 255 Irev2 0.136 0.158
6
FF异常逐步排查
五.将L7线三道印刷后面奇数电池片拿到L6线烧结炉烧结返回L7线测试机测试,将 L7三道印刷后面偶数电池片横放做标记与L6做对比,结果显示L6烧结有异常。数 据如下:
批次
ZCTC-6SJ ZCTC-7SJ
Time
9:46 9:45
数量
24 22
Eta
18.23 18.26
Uoc
0.6376 0.6374
四.与生产协调更换三道网版,填充无明显提升数据如下
ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0003 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0008 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0036 ZCSZ-151022-151026-C-L4-4BB-0021 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0051 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0051-hwb ZCSZ-151022-151026-C-L4-4BB-0026 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0045 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0037 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0043 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0044 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0047 559 488 582 492 121 510 481 481 520 724 462 445 0.6363 0.6362 0.6364 0.6360 0.6355 0.6365 0.6369 0.6363 0.6369 0.6357 0.6365 0.6369 8.726 8.732 8.713 8.720 8.715 8.725 8.732 8.733 8.722 8.729 8.733 8.731 79.35 79.46 79.45 79.47 79.97 79.61 79.49 79.40 79.55 79.60 79.78 79.73 18.11 18.14 18.11 18.12 18.20 18.17 18.17 18.13 18.16 18.15 18.22 18.22 224 277 261 250 313 313 321 315 299 313 314 315 0.0020 0.0020 0.0019 0.0019 0.0017 0.0019 0.0019 0.0019 0.0019 0.0018 0.0018 0.0018 0.136 0.099 0.121 0.115 0.104 0.089 0.078 0.088 0.114 0.098 0.085 0.085 23.2 23.9 24.1 24.2 24.2 24.4 24.5 24.5 24.3 24.0 23.8 23.8
Irev2 0.101 0.123
填充相差0.21
3
异常描述
2015.10.25Y
Line A6 A7 Wafer
ZC1022 ZC1022
Qty. 16702 17115
Eta 18.23 18.28
Uoc 0.6368 0.6369
Isc 8.759 8.745
FF 79.50 79.85
Rs 0.0024 0.0021
填充相差0.14
2015.10.25B
Line A6 A7 Wafer
ZC1021/22 ZC1021/22
Qty. 17343 17661
Eta 18.22 18.26
Uoc 0.6364 0.6365
Isc 8.749 8.743
FF 79.65 79.86
Rs 0.0023 0.0021
Rsh 322 252
二.检查发现烧结炉冷却区温度过高,约86度,通知设备改善,设备将冷却区 的排风内风扇加大后改善。输入如下 FF恢复正常
8
结论及预防措施
• 结论:本次多晶L6填充异常确认为冷却区温度过高导致。
1
2
• 预防措施:每天参数点检,将冷却区温度点检也加入每天点检范围,出现 冷却区温度异常及时和设备工程师和工艺工程师反馈,并一起调整。
5
FF异常逐步排查
三.与L7对切三道及烧结,对切结果显示为L6三道及烧结异常导致效率偏 低,对切数据如下所示:
ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0069 ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0065 ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0070 ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0070-3DDQ ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0077 ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0080 ZCSZ-151021-151025-C-L3-4BB-0081 569 739 449 21 485 599 440 18.23 18.23 18.20 18.10 18.23 18.21 18.25 0.6366 0.6366 0.6359 0.6358 0.6367 0.636 0.6366 8.727 8.735 8.726 8.723 8.733 8.747 8.756 79.86 79.80 79.80 79.41 79.79 79.67 79.69 0.0022 0.0022 0.0022 0.0024 0.0022 0.0022 0.0022 278 247 260 73 249 224 223 0.130 0.129 0.134 0.565 0.114 0.145 0.128 25.65 25.78 25.91 25.67 25.94 25.99 26.05
zcsz
Qty.
20 20
Eta
18.13 18.13
Uoc
0.6347 0.6352
Isc
8.739 8.739
FF
79.57 79.5
Rs
0.002 0.0021
Rsh
132 133
Irev2
0.221 0.221
L6
L7
二.对比测试机无异常,检查三道印刷外观发现有刮条磨损痕迹,通知生产更换三 道刮条后刮条印改善,效率提升1批次后再次降低,通知生产轻铲网版后观察效率 无改善效果,数据如下所示:
多晶L6 FF持续偏低效率异常排查
技术部 2015年10月
1


1
异常描述 原因排查 调整效果 结论及预防措施
2
3
4
P2
异常描述
6.7线为4BB+G型浆料 2015.10.24B
Line A6 A7 Wafer
ZC ZC
Qty. 17239 17311
Eta 18.13 18.16
Uoc 0.6350 0.6352
Isc
8.735 8.733
FF
79.53 79.84
Rs
0.0024 0.0021
Rsh
295 258
Irev2
0.100 0.106
异常描述总结;近三天白夜班均出现多晶 L6填充异常情况且偏差大
填充相差0.31
4
FF异常逐步排查
一.对比L6,L7测试机无异常,数据如下
Line Wafer
zcsz
9
Thank you!
10
ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0030 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0047 202 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0023 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0031 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0051 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0036 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0036-CWB BLTC-151014-151022-B-L5-4BB-0043 ZCSZ-151022-151025-B-L3-4BB-0066 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0019 ZCSZ-151022-151026-C-L3-4BB-0024 459 478 20 524 522 511 372 467 623 466 499 506 18.12 18.15 18.13 18.18 18.14 18.20 18.14 18.13 18.14 18.13 18.11 18.17 0.6364 0.6371 0.6347 0.6371 0.6371 0.6378 0.6372 0.6365 0.6368 0.637 0.6371 0.6375 8.722 8.715 8.739 8.729 8.729 8.729 8.723 8.720 8.727 8.713 8.722 8.737 79.45 79.52 79.57 79.52 79.37 79.55 79.41 79.49 79.40 79.51 79.29 79.37 0.0025 0.0024 0.0020 0.0024 0.0026 0.0025 0.0026 0.0025 0.0025 0.0025 0.0026 0.0026 279 280 132 277 289 313 295 269 264 295 261 155 0.132 0.107 0.221 0.092 0.106 0.085 0.094 0.123 0.113 0.092 0.139 0.228 24.28 24.21 24.19 24.06 24.18 24.15 24.04 23.85 23.75 23.97 23.86 23.97
相关文档
最新文档