微波接收机前端限幅放大器中半导体二极管须考虑的性能指标
微波限幅电路原理

微波限幅电路是一种用于对微波信号进行幅度限制的电路。
其原理基于二极管的非线性特性,通过利用二极管在正向偏置时的截止和导通状态之间的切换,实现对输入信号幅度的限制。
以下是微波限幅电路的基本原理:
1.构成:微波限幅电路主要由二极管和负载组成。
二极管通常工作在反向偏置状态,使得
在信号幅度较小时,二极管处于截止状态,不会影响信号;而当信号幅度超过一定阈值时,二极管进入导通状态,将信号限制在某个预设幅度范围内。
2.非线性特性:二极管的非线性特性使得它可以在截止和导通之间切换,这取决于输入信
号的幅度。
当输入信号幅度小于二极管的阈值时,二极管处于截止状态,几乎没有电流通过;当输入信号幅度超过阈值时,二极管开始导通,电流开始流过二极管。
3.限幅效果:当二极管处于导通状态时,输入信号的幅度将被限制在二极管导通时的电压
范围内。
这样,如果输入信号超过该幅度范围,二极管将开始截断多余的部分,从而限制了输出信号的幅度。
4.负载设计:合适的负载电阻可以确保限幅效果的稳定。
负载电阻的选择应考虑二极管工
作状态和微波信号的频率等因素。
总体来说,微波限幅电路利用二极管的非线性特性,在输入信号超过一定幅度时对其进行限制,确保输出信号在一个预设的幅度范围内。
这种电路常用于微波通信、雷达接收机等领域中,以保护后续电路免受过高信号幅度的影响。
Avago MSA-0986 芯片级微波集成电路(MMIC)高性能双极性硅二极管放大器说明书

MSA-0986Cascadable Silicon Bipolar MMIC AmplifierData SheetFeatures•Broadband, Minimum Ripple Cascadable 50Ω Gain Block •7.2 ± 0.5 dB Typical Gain Flatness from 0.1 to 3.0 GHz • 3 dB Bandwidth: 0.1 to 5.5 GHz •10.5 dBm Typical P 1dB at 2.0GHz •Surface Mount Plastic Package•Tape-and-Reel Packaging Option Available •Lead-free Option Available86 Plastic Package DescriptionThe MSA-0986 is a high performance silicon bipolar Monolithic Microwave I ntegrated Circuit (MMI C)housed in a low cost, surface mount plastic package.This MMIC is designed for very wide bandwidth indus-trial and commercial applications that require flat gain and low VSWR.The MSA-series is fabricated using Avago’s 10 GHz f T ,25GHz f MAX , silicon bipolar MMIC process which uses nitride self-alignment, ion implantation, and gold metallization to achieve excellent performance,uniformity and reliability. The use of an external bias resistor for temperature and current stability also allows bias flexibility.Typical Biasing ConfigurationR V CC > 12 VINOUTMSA-0986 Absolute Maximum RatingsParameter Absolute Maximum [1]Device Current65 mA Power Dissipation [2,3]500 mW RF Input Power+13 dBm Junction Temperature 150°C Storage Temperature–65 to +150°CThermal Resistance [2]:θjc = 140°C/WNotes:1.Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded.2.T CASE = 25°C.3.Derate at 7.1 mW/°C for T C > 80°C.G P Power Gain (|S 21|2) f = 2.0 GHz dB 6.07.2∆G P Gain Flatness f = 0.1 to 3.0 GHzdB ±0.5f 3 dB 3 dB Bandwidth [2]GHz5.5Input VSWR f = 1.0 to 3.0 GHz 1.6:1Output VSWR f = 1.0 to 3.0 GHz 1.8:1NF 50 Ω Noise Figuref = 2.0 GHz dB 6.2P 1 dB Output Power at 1 dB Gain Compression f = 2.0 GHz dBm 10.5IP 3Third Order Intercept Point f = 2.0 GHz dBm 23.0t D Group Delay f = 2.0 GHz psec 95V d Device VoltageV 6.27.89.4dV/dTDevice Voltage Temperature CoefficientmV/°C–16.0Notes:1.The recommended operating current range for this device is 25 to 45 mA. Typical performance as a function of current is on the following page.2.Referenced from 0.1 GHz gain (G P ).Electrical Specifications [1], T A = 25°CSymbolParameters and Test Conditions: I d = 35 mA, Z O = 50 ΩUnitsMin.Typ.Max.VSWR Ordering InformationPart Numbers No. of DevicesCommentsMSA-0986-BLK 100Bulk MSA-0986-BLKG 100Bulk MSA-0986-TR110007" Reel MSA-0986-TR1G 10007" Reel MSA-0986-TR2400013" Reel MSA-0986-TR2G400013" ReelNote:Order part number with a “G” suffix if lead-free optionis desired.MSA-0986 Typical Scattering Parameters (Z O = 50 Ω, T A = 25°C, I d = 35 mA)Freq.GHzMagAngdBMagAngdBMagAngMagAngk0.02.36–10511.4 3.72145–14.1.19818.38–1020.730.05.24–1458.5 2.65156–13.7.2055.25–143 1.080.1.22–1647.7 2.43166–13.5.2114.22–158 1.170.2.21–1797.5 2.37167–13.5.2121.22–172 1.200.4.211657.4 2.34162–13.4.214–1.22179 1.200.6.221557.4 2.33156–13.5.212–2.22175 1.210.8.221457.3 2.33149–13.4.213–2.23171 1.211.0.231367.3 2.32142–13.4.214–4.24167 1.201.5.241187.2 2.30125–13.3.217–6.26157 1.192.0.251067.2 2.28109–13.0.224–10.28148 1.162.5.261007.2 2.2994–13.0.224–12.33139 1.153.0.26947.1 2.2677–13.0.224–15.34128 1.153.5.26957.0 2.2360–12.8.229–21.36116 1.144.0.2896 6.7 2.1743–13.1.221–25.35104 1.184.5.31100 6.5 2.1026–13.6.210–31.3294 1.235.0.37101 6.0 2.009–14.2.196–35.2686 1.305.5.4497 5.4 1.86–7–14.9.181–38.1988 1.386.0.5194 4.6 1.69–22–15.8.162–37.14107 1.47S 11S 21S 12 S 22G p (d B )0.1.050.30.51.03.06.0FREQUENCY (GHz)Figure 1. Typical Power Gain vs. Frequency.024681012Figure 3. Output Power at 1 dB Gain Compression, Noise Figure and Power Gain vs. Case Temperature, f = 2.0 GHz, I d = 35 mA.–25+25+55+85G p (d B )TEMPERATURE (°C)246810V d (V)Figure 2. Device Current vs. Voltage.FREQUENCY (GHz)Figure 4. Output Power at 1 dB Gain Compression vs. Frequency.FREQUENCY (GHz)Figure 5. Noise Figure vs. Frequency.579111513P 1 d B (d B m )Typical Performance, T A = 25°C(unless otherwise noted)86 Plastic Package Dimensions0.51 ±(0.020 ±DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)For product information and a complete list of distributors, please go to our web site:Avago, Avago Technologies, and the A logo are trademarks of Avago Technologies, Limited in the United States and other countries.Data subject to change. Copyright © 2006 Avago Technologies, Limited. All rights reserved.Obsoletes 5965-9552EN5989-2745EN September 16, 2006。
数字接收机中高性能ADC和射频器件的动态性能要求

数字接收机中高性能ADC和射频器件的动态性能要求今天的基站系统不得不符合各种不同的标准,同时必须在各种信号链路中满足严格的指标要求。
本文介绍了如何利用一些信号链路的器件(如高动态性能的ADC、可变增益的放大器、混频器和本振)来满足这些需求,此外还详细叙述了它们在典型的基站应用中的使用以及它们如何满足高动态性能、高截止性能和低噪声的需求。
大多数字接收机对其采用的高性能模数转换器(ADC)及模拟器件的要求都较高。
例如,蜂窝基站数字接收机要求有足够的动态范围,以处理较大的干扰信号,从而把电平较低的有用信号解调出来。
Maxim公司的15位65Msps模数转换器MAX1418或12位65Msps模数转换器MAX1211配以2GHz的MAX9993或900MHz的MAX9982集成混频器,即可为接收机的两级关键电路提供出色的动态特性,此外,Maxim公司的中频(IF)数字可调增益放大器(DVGA)MAX2027和MAX2055能够在许多系统中提供较高的三阶输出截点(OIP3),并满足系统所需要的增益调节范围。
蜂窝基站(BTS:基站收发器)由多个不同的硬件模块组成,其中之一就是完成RF接收(R×)及发送(T×)功能的收发器(TR×)模块。
在老式模拟AMPS及TACSBTS中,一个收发器只能用于处理一路全双工R×和T×RF载波,若要实现要求的呼叫覆盖率就需要很多个收发器才能提供足够的载波。
如今在全球范围内,模拟技术已被CDMA和WCDMA所取代,欧洲也已在10年前就采用了GSM。
在CDMA中,多个主叫用户使用同一个RF频率,这样一个收发器就可同时处理多个主叫用户的信号。
截至目前已有多种CDMA和GSM的设计方案,BTS制造商也一直致力于探索可降低成本和功耗的方法,对单载波解决方案进行优化或开发多载波接收机就是行之有效的方案。
图1是BTS设备常用的欠采样接收机的结构框图。
二极管详解

二极管二极管的特性与应用二极管的工作原理二极管的类型二极管的导电特性二极管的主要参数半导体二极管参数符号及其意义二极管的识别二极管型号命名方法二极管和半导体的关系测试二极管的好坏二极管的特性与应用二极管的工作原理二极管的类型二极管的导电特性二极管的主要参数半导体二极管参数符号及其意义二极管的识别二极管型号命名方法二极管和半导体的关系测试二极管的好坏半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。
它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。
二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。
利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管在收音机中起检波作用。
6、变容二极管使用于电视机的高频头中。
7、显示元件用于电视机显示器上。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
半导体器件 第16-1部分:微波集成电路 放大器-最新国标

半导体器件第16-1部分:微波集成电路放大器1范围本文件规定了微波集成电路放大器的术语和定义、基本额定值、特性以及测试方法。
2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
IEC60050-702国际电工词汇第702部分:振荡,信号和相关装置(International Electrotechnical Vocabulary(IEV)-Part702:Oscillations,signals and related devices)注:GB/T14733.7-2008电信术语振荡、信号和相关器件(IEC60050(702):1992,IDT)IEC60617电气简图用图形符号(Graphical symbols for diagrams)注:GB/T4728(所有部分)电气简图用图形符号(IEC60617:2018,IDT)IEC60747-1:2006半导体器件第1部分:总则(Semiconductor devices-Part1:General)注:GB/T17573-XXXX半导体器件第1部分:总则(IEC60747-1:2006+AMD1:2010,IDT)IEC60747-4:2007半导体器件分立器件第4部分:微波二级管和晶体管(Semiconductor devices -Discrete devices-Part4:Microwave diodes and transistors)注:GB/T20516-XXXX半导体器件分立器件第4部分:微波二级管和晶体管(IEC60747-4:2007+AMD1:2017,MOD) IEC60748-2:1997半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路(Semiconductor devices—Integrated circuits—Part2:Digital integrated circuits)IEC60748-3:1986半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路(Semiconductor devices—Integrated circuits—Part3:Analogue integrated circuits)注:GB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路(IEC60748-3:1986,IDT)IEC60748-4:1997半导体器件集成电路第4部分:接口集成电路(Semiconductor devices—Integrated circuits—Part4:Interface integrated circuits)IEC/TS61340-5-1静电-第5-1节:保护电子设备不受静电现象干扰-通用要求(Electrostatics—Part5-1:Protection of electronic devices from electrostatic phenomena-General requirements)注:GB/T37977.51-2019静电学第5-1部分:电子器件的静电防护通用要求(IEC61340-5-1:2016,IDT)IEC/TS61340-5-2静电-第5-2节:保护电子设备不受静电现象干扰-用户指南(Electrostatics—Part5-2:Protection of electronic devices from electrostatic phenomena-User guide)3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。
光敏二极管参数

光敏二极管参数引言光敏二极管(Photodiode)是一种光电器件,可将光能转化为电能。
它基于光电效应原理,能够对光的强度进行探测和测量。
本文将详细介绍光敏二极管的参数。
光敏二极管的工作原理光敏二极管是一种半导体器件,其工作原理基于内建电势与外界光照强度之间的相互作用。
当光照射到光敏二极管上时,光子的能量会激发电子从价带跃迁到导带,产生电子-空穴对。
这些电子-空穴对会在内建电场的作用下分离,形成电流。
因此,光敏二极管的输出电流与光照强度成正比。
光敏二极管的主要参数光敏二极管的性能由多个参数来描述,下面将详细介绍其中的几个重要参数。
1. 光电流响应度(Responsivity)光电流响应度是光敏二极管对光电信号的响应能力的衡量指标。
它定义为单位光功率照射情况下,光敏二极管输出的电流。
通常使用安培/瓦特(A/W)作为单位进行表示。
2. 光敏面积(Photosensitive Area)光敏面积是指光敏二极管可以感应光照的有效面积。
通常使用平方毫米(mm^2)作为单位。
3. 光响应时间(Response Time)光响应时间是光敏二极管由暗态到亮态响应的时间。
它定义为光敏二极管电流上升到其稳定值的时间。
光响应时间越短,光敏二极管对快速变化的光信号的响应能力越强。
4. 光电导增益(Photogain)光电导增益是指光照射到光敏二极管上时,输出电流与输入光功率之间的比值。
光电导增益可以用来衡量光敏二极管在电流放大上的性能。
光敏二极管的应用光敏二极管由于其高灵敏度、快速响应和广泛的光谱响应范围,被广泛应用于各种光电测量和光控制系统当中。
下面列举了一些典型的应用场景:1. 光电测量光敏二极管可用于各种光电测量中,例如光功率测量、光强度测量、光光学测量等。
其高灵敏度和较宽的动态范围使其能够准确测量各种光信号。
2. 光通信光敏二极管在光通信系统中起到光电转换的作用。
它可以将光信号转化为电信号,并经过放大和处理后进行传输和接收。
六.微波放大器

例:射频放大器的功率关系(续)
GT
1 S 1 12.56 或 10.99dB
2 2 2 L 21 S
1 Lout 1 S11 S
2
2 2 L S
2
GTU
S 21
1 S22 L 1 S11 S
S21 1 S
2 out
2
微波放大器的主要参数
1. 2. 3. 增益及增益平坦度(以dB表示) 工作频率及带宽(单位:Hz) 输出功率(单位:dBm)
4.
5. 6. 7.
直流输入功率(单位:V和A)
输入、输出反射系数(VSWR) 噪声系数(以dB表示) 其它参数:交调失真(IMD)、谐波、反馈、 热反应等,都会影响放大器的性能。
2
S22
2
2 2
=
S11S22 + -2 Re S22 S11*
2 2
L 2 r2
其中
2
S 22* S11* S 22
2 2
S22
2
2 2
=
S11S22 - S22
2 2
2
r2
S11S22 S22
2 2
输出稳定性判定圆
晶体管的噪声系数通常会恶化。
小信号微波晶体管放大器设计步骤
1. 2. 3. 4.
选择适当的晶体管和电路形式 测量晶体管的S参数 判断稳定性 设计输入和输出匹配网络
1 Lout 1 S11S
2 2
GT
S 21
2
1 1
2 L S 2
1 S11 S 1 S22 L S12 S21 S L
放大器主要技术指标

放大器主要技术指标定义1.工作频率范围(F):指放大器满足各项指标的工作频率范围。
放大器实际的工作频率范围可能会大于定义的工作频率范围。
2.功率増益(G):指放大器输出功率和输入功率的比值,单位常用“dB”表示。
3.増益平坦度:增益平坦度是指工作频带内功率增益的起伏,通常用最高增益与最低增益之差,即G(dB)来表示。
4.噪声系数:任意微波、毫米波部件的噪声系数Nf定义如下:SinNinNNf out (1-1) SoutNinGout式中,Nf― 波部件噪声系数;G——放大器功率增益;Sin, Nin——别是微波放大器输入端的信号功率和噪声功率;Sout, Nout——分别是微波放大器输出端的信号功率和噪声功率。
从式(1-2)可以看出,噪声系数的物理含义是:信号通过放大器之后,由于放大器产生噪声使信噪比变坏,信噪比下降的倍数就是噪声系数。
通常噪声系数用分贝数表示,此时Nf(dB) lOlgNf (1-3)现在我们应用等效在输入端的噪声电阻理论,电阻值取决于等效噪声温度,因此改用等效噪声温度的表示方法。
当放大器和信源阻抗匹配时放大器输入端的噪声功率可表示为:Nin kTO f o 式中k为玻尔兹曼常数;TO为绝对温度,通常取为293K ;f为带宽。
将此式代入(2-2)得:Nf Nout (1-4) kTO fG这说明放大器输入的噪声功率是信源阻抗在TO时产生的热噪声,放大器自身产生的噪声也可看作一个温度为Te的物体产生的热噪声,这里可以把Te理解为放大器的等效噪声温度。
这时其输出端的噪声功率可表示为:Nout k Te TO fG (1-5) 将(2-15)代入(2-14),得到Nf Te TOT 1 e (1-6) TOTO移项即得到放大器噪声温度Te和噪声系数的关系Te TONf 1 (1-7)5.1分贝压缩点输出功率(PldB):放大器有一个线性动态范围,在这个范围内,放大器的输出功率随输入功率线性增加。
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半导体二极管摘要:二极管是由一个P-N结构成的半导体器件,即将一个P-N结加上两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。
P型区的引出线称为正极或阳极,用A表示,N型区的引出线称为负极或阴极,用K表示。
电流只能从阳极向阴极方向移动。
本文介绍半导体二极管的工作原理及使用事宜。
关键词:二极管半导体材料原理导电二极管是由一个P-N结构成的半导体器件,即将一个P-N结加上两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。
P型区的引出线称为正极或阳极,用A表示,N型区的引出线称为负极或阴极,用K表示。
电流只能从阳极向阴极方向移动。
一、半导体材料从导电性能上看,物质材料可分为三大类:导体:电阻率ρ < 10-3 Ω·cm绝缘体:电阻率ρ > 108 Ω·cm半导体:电阻率ρ介于前两者之间。
目前制造半导体器件的材料用得最多的有:硅和锗两种二、本征半导体、本征激发及杂质半导体1、本征半导体没有杂质和缺陷的半导体单晶,叫做本征半导体。
2、本征激发当温度升高时,电子吸收能量摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程,称为本征激发。
3、杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著的变化。
因掺入杂质不同,杂质半导体可分为空穴(P)型半导体和电子(N)型半导体两大类。
1)P型半导体在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成P型半导体,P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。
2)N型半导体在本征半导体中掺入少量的五价元素杂质就形成N型半导体。
N型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
三、半导体二极管的工作原理半导体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于P-N 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
四、半导体二极管的类型1)按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si 管)、砷化镓二极管。
它们的正向导通电压(P-N结电压)差别较大,锗管为0.2~0.3V,硅管为0.6~0.7V。
锗二极管的反向饱和漏电流比硅二极管大,锗管一般为十到几百微安,而硅管在1微安以下。
锗管耐高温性能远远不如硅管,锗管最高承受温度不超过100℃,而硅管可高达200℃。
2)根据其不同用途,可分普通二极管和特殊二极管。
普通二极管可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管、限幅用二极管、调制用二极管、混频用二极管、放大用二极管、频率倍增用二极管、PIN型二极管、雪崩二极管、江崎二极管、快速关断(阶跃恢复)二极管、肖特基二极管、阻尼二极管、瞬变电压抑制二极管、双基极二极管等。
特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管、光电二极管、磁敏二极管、激光二极管等。
3)按照管芯结构,可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“P-N 结”。
由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。
面接触型二极管的“P-N结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
4)根据构造分类可分为点接触型二极管、键型二极管、合金型二极管、扩散型二极管、台面型二极管、平面型二极管、合金扩散型二极管、外延型二极管、肖特基二极管。
5)根据特性分类点接触型二极管,按正向和反向特性分类有:一般用点接触型二极管、高反向耐压点接触型二极管、高反向电阻点接触型二极管、高传导点接触型二极管。
五、半导体二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
1.正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。
导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
2.反向特性在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。
二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
六、半导体二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。
不同类型的二极管有不同的特性参数。
1、最大整流电流IF是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。
因为电流通过P-N 结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度(硅管为140°C左右,锗管为90°C左右),就会使P-N结烧坏。
所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达数千安。
2、最高反向工作电压VBR加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。
为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。
反向击穿电压VBR 指管子反向击穿时的电压值。
击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。
一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。
目前最高的VBR值可达几千伏。
3、反向电流IR反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,管子末击穿时流过二极管的反向电流。
反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10°C,反向电流增大一倍。
由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。
5、极间电容 CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。
二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。
6、最大直流反向电压VRVR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7、最高工作频率fM由于P-N结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高,在100MHz以上;整流二极管的fM 较低,一般不高于几千赫。
8、反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上,一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要。
9、最大功率P二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。
使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则将容易损坏管子。
七、测试二极管的好坏在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。
测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的R×1K档位(注意不要使用R×1档,以免电流过大烧坏二极管),再将红、黑两根表笔短路,进行欧姆调零。
1、正向特性测试把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。
若表针不摆到0值而是停在标度盘的中部,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。
若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。
短路和断路的管子都不能使用。
2、反向特性测试把万且表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。
八、二极管串联和并联在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电流的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用。
1、二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。
总之,有几只二极管并联,流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。
但是,在实际并联运用时,由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。
因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。
这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。
电流越大,R应选得越小。
2、二极管串联的情况:显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。
但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。
在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。
均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的阻值要相等。
九、常用二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。
利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、续流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。
5、检波二极管在收音机中起检波作用。
6、变容二极管使用于电视机的高频头中。