TFT制造原理和流程课件
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TFTLCD阵列工艺介绍解析ppt
如氧化物、氮化物等，用于隔离不 同层级的电子元件。
光学材料
如液晶、彩色滤光片等，用于实现 图像显示。
制程中的工艺技术
光刻技术
刻蚀技术
薄膜淀积技术
离子注入技术
其他技术
利用光学曝光将设计好 的电路图案转移到半导 体或导体材料上。
通过化学或物理方法将 不需要的材料去除，形 成电路和元件结构。
在半导体或导体表面形 成一层或多层薄膜，以 实现电子元件的功能。
tftlcd阵列工艺介绍解析ppt
xx年xx月xx日
目 录
• tftlcd阵列工艺简介 • tftlcd阵列工艺制程 • tftlcd阵列工艺技术特点 • tftlcd阵列工艺应用 • tftlcd阵列工艺的未来展望
01
tftlcd阵列工艺简介
tftlcd定义
显示屏幕的构成
TFT-LCD（Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display）是薄膜晶体管液晶显示 器的英文缩写，它是一种被动式矩阵液晶 显示器，由彩色滤光片、偏光片、TFT（ 薄膜晶体管）等部件构成。
医疗器械应用
随着医疗器械的不断发展，TFT-LCD技术将越来越被广泛应用于 医疗设备和器械中，例如医用监护仪、彩超等。
AR/VR领域
随着AR/VR技术的不断发展和普及，TFT-LCD技术将在这个领域发 挥越来越重要的作用，例如头戴式显示器等设备。
THANKS
感谢观看
加省电并具有更长的续航时间。
响应速度快
03
TFT-LCD的响应时间相对较快，能够在短时间内完成图像切换
，从而提高用户的交互体验。
工艺技术的不足
成本高
由于TFT-LCD阵列工艺的生产过程复杂，需要精密的设备和原 材料，因此其成本相对较高。
光学材料
如液晶、彩色滤光片等，用于实现 图像显示。
制程中的工艺技术
光刻技术
刻蚀技术
薄膜淀积技术
离子注入技术
其他技术
利用光学曝光将设计好 的电路图案转移到半导 体或导体材料上。
通过化学或物理方法将 不需要的材料去除，形 成电路和元件结构。
在半导体或导体表面形 成一层或多层薄膜，以 实现电子元件的功能。
tftlcd阵列工艺介绍解析ppt
xx年xx月xx日
目 录
• tftlcd阵列工艺简介 • tftlcd阵列工艺制程 • tftlcd阵列工艺技术特点 • tftlcd阵列工艺应用 • tftlcd阵列工艺的未来展望
01
tftlcd阵列工艺简介
tftlcd定义
显示屏幕的构成
TFT-LCD（Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display）是薄膜晶体管液晶显示 器的英文缩写，它是一种被动式矩阵液晶 显示器，由彩色滤光片、偏光片、TFT（ 薄膜晶体管）等部件构成。
医疗器械应用
随着医疗器械的不断发展，TFT-LCD技术将越来越被广泛应用于 医疗设备和器械中，例如医用监护仪、彩超等。
AR/VR领域
随着AR/VR技术的不断发展和普及，TFT-LCD技术将在这个领域发 挥越来越重要的作用，例如头戴式显示器等设备。
THANKS
感谢观看
加省电并具有更长的续航时间。
响应速度快
03
TFT-LCD的响应时间相对较快，能够在短时间内完成图像切换
，从而提高用户的交互体验。
工艺技术的不足
成本高
由于TFT-LCD阵列工艺的生产过程复杂，需要精密的设备和原 材料，因此其成本相对较高。
TFT液晶工作原理及常见不良分析 ppt课件
VGH,VGL没升压。
ppt课件
13
2）花屏—显示不规则的花点，如下图。 有升压 （VGH,VGL电压正常），不能正常显示红绿蓝及 图片等。 一般是软件原因，常见于方案公司调程 序时。
ppt课件
14
A. 数据位数不对。16/18位。 B. 送显示数据前没送显示指令。 一般IC: 22H指令。 C. 设置窗口指令有误。 D 显示图片的图片CODE 有误。 240*320——》241*320
ppt课件 15
3）显示颜色淡 A. 初始化代码。部分淡，部分不淡，常见 GAMMA代码不对。GAMMA 代码需LCD供应 商提供。初始化代码不要改变GAMMA值。 B. FPC上元器件虚焊（倍压电容，虑波电 容），造成VGH,VHL电压过小。 C. 晶振电阻过小。选择的晶振电阻过小。 D. 一般情况下与二极管无关。
胶，离型膜，保护膜组成。PVA膜在经过延伸之 后，通常机械性质会降低，变得易碎裂。所以在 偏光基体(PVA)延伸完后，要在两侧贴上三醋酸纤 维(TAC)所组成的透明基板，一方面可做保护，一 方面则可防止膜的回缩。此外，在基板外层再加 一层感压胶、离型膜及保护膜(如图2)。
ppt课件
21
ppt课件
22
ppt课件 28
ppt课件
29
2. 常见故障分析： 1）无触摸：触摸无反应 A. TP FPC断线。用万用表检测TP焊盘处电阻值。直 接量X+X-间电阻，Y+Y-间电阻值，其值应该在300~900 欧阳间。 B. 焊接虚焊，短接。用万用表检测主屏FPC金手指对 应脚间电阻值。 C. 程序问题。100% 2）触摸线性不良。左右，上下有偏位。 A． TP本身问题。 B. 程序问题。没校正程序，或校正程序做得不好。 3）触摸点上下左右巅倒。 A. 程序问题。 B. 设计问题。引线定义错误
TFT制程简介.ppt
TFT元件結構及原理
TFT廠生產部ARRAY課教育訓練教材
1
TFT-LCD的面板構造
2
Array面板說明
S1 S2 S3
Sn-1 Sn
G1 G2 G3
Gm-1 Gm
TFT Source 線 Gate 線 液晶電容 儲存電容
ITO
CLC
com
3
單一畫素結構
A A’
TFT
A A
儲存電容(Cs)
B
S
1. 臨界電壓：Vth 2. 電子遷移率(Mobility)：un
Vp=unE 3. Ion/Ioff 4. 開口率(Aperture Ratio)
(1)TFT；(2)Gate&Source 線；(3)Cst； (4)上下基板對位誤差；(5)Disclination of LC 5. 因Cgs產生之DC Voltage Offset 6. 訊號傳輸時的時間延遲(Time Delay)及 失真(Distortion)
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。
6
掃描線
信
G
號
線
SD
RON ROFF
液晶
保持電容
1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列 所有TFT閘極電極，而信號線連接同一行所有TFT源極 電極。
TFT元件的運作原理 VSD
D
S
VGS〈Vth
G
D
S
G
(2)Vgs<Vth：訊號保持
D
S
G
D
S
CLC
TFT廠生產部ARRAY課教育訓練教材
1
TFT-LCD的面板構造
2
Array面板說明
S1 S2 S3
Sn-1 Sn
G1 G2 G3
Gm-1 Gm
TFT Source 線 Gate 線 液晶電容 儲存電容
ITO
CLC
com
3
單一畫素結構
A A’
TFT
A A
儲存電容(Cs)
B
S
1. 臨界電壓：Vth 2. 電子遷移率(Mobility)：un
Vp=unE 3. Ion/Ioff 4. 開口率(Aperture Ratio)
(1)TFT；(2)Gate&Source 線；(3)Cst； (4)上下基板對位誤差；(5)Disclination of LC 5. 因Cgs產生之DC Voltage Offset 6. 訊號傳輸時的時間延遲(Time Delay)及 失真(Distortion)
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。
6
掃描線
信
G
號
線
SD
RON ROFF
液晶
保持電容
1.上圖為TFT一個畫素的等效電路圖，掃描線連接同一列 所有TFT閘極電極，而信號線連接同一行所有TFT源極 電極。
TFT元件的運作原理 VSD
D
S
VGS〈Vth
G
D
S
G
(2)Vgs<Vth：訊號保持
D
S
G
D
S
CLC
TFT制造原理和流程
TFT制造原理和流程
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变
TFTLCD阵列工艺介绍PPT课件
5
2.1 阵列基板的构造和功能
Data Input
1
2
3
...
n
1
G a2 t e
S. c. a. n
m
Data Line
Gate Line
Stg. Cap.
LC
TFT
图3 ARRAY基板等效电路图
6
2.1 阵列基板的构造和功能
Source Driver
Gate Driver
图4 Array面板信号传输说明
Lens
Stage
基板
透過照明
图16 Micro装置示意图
36
23
Macro検査 移动Array基板、改变照明方式、从不同的角度目視検査基板.
θ ｘ
θ ｙ ＺＹ
Ｘ
扩散光 收束光 各种Filter等
Backlight
轴驱动可有多种方式
图17 Macro装置示意图
37
24
3.2 尺寸测定
检查装置：线幅测定装置 SEN 测定原理：自动线幅检测是用UV光照射基板待测区域,然后利用CCD Camera采集基板上的 图案,采集到的图案经过电脑进行二值化处理所谓二值化即将图案转化为以数字0、1表示 的黑白图案,其灰度等级以2进制数值表示.二值化处理后基板上各膜层、各材料就 以不同的灰度加以区分,从而能够识别.
检查装置：宏观/微观检查装置MMM
工程 G-PR G剥离 DIPR DI剥离 C-PR C剥离 PIPR PI剥离
表3 显影和剥离外观check项目
微观项目 配列精度&预对位精度 像素异常 像素异常 像素异常 Pattern变换、C/D重合精度 Pattern变换 Pattern变换、PI/G重合精度 Pattern变换
2.1 阵列基板的构造和功能
Data Input
1
2
3
...
n
1
G a2 t e
S. c. a. n
m
Data Line
Gate Line
Stg. Cap.
LC
TFT
图3 ARRAY基板等效电路图
6
2.1 阵列基板的构造和功能
Source Driver
Gate Driver
图4 Array面板信号传输说明
Lens
Stage
基板
透過照明
图16 Micro装置示意图
36
23
Macro検査 移动Array基板、改变照明方式、从不同的角度目視検査基板.
θ ｘ
θ ｙ ＺＹ
Ｘ
扩散光 收束光 各种Filter等
Backlight
轴驱动可有多种方式
图17 Macro装置示意图
37
24
3.2 尺寸测定
检查装置：线幅测定装置 SEN 测定原理：自动线幅检测是用UV光照射基板待测区域,然后利用CCD Camera采集基板上的 图案,采集到的图案经过电脑进行二值化处理所谓二值化即将图案转化为以数字0、1表示 的黑白图案,其灰度等级以2进制数值表示.二值化处理后基板上各膜层、各材料就 以不同的灰度加以区分,从而能够识别.
检查装置：宏观/微观检查装置MMM
工程 G-PR G剥离 DIPR DI剥离 C-PR C剥离 PIPR PI剥离
表3 显影和剥离外观check项目
微观项目 配列精度&预对位精度 像素异常 像素异常 像素异常 Pattern变换、C/D重合精度 Pattern变换 Pattern变换、PI/G重合精度 Pattern变换
TFT组件的结构与原理PPT(18张)
Drain側通道消失) 3. 4.
Cox：Gate到Channel的電容 W/L
11
TFT之Vg V.S. Log Id圖
Log Id
1.0x10-5 1.0x10-6 1.0x10-7 1.0x10-8 1.0x10-9 1.0x10-10 1.0x10-11
-20 -10
0
10
20
註：此圖為一特定之Vds下所量得
•
16、人生在世：可以缺钱，但不能缺德;可以失言，但不能失信;可以倒下，但不能跪下;可以求名，但不能盗名;可以低落，但不能堕落;可以放松，但不能放纵;可以虚荣，但不能虚伪;可以平凡，但不能平庸;可以浪漫，但不能浪荡;可以生气，但不能生事。
•
17、人生没有笔直路，当你感到迷茫、失落时，找几部这种充满正能量的电影，坐下来静静欣赏，去发现生命中真正重要的东西。
•
13、时间，抓住了就是黄金，虚度了就是流水。理想，努力了才叫梦想，放弃了那只是妄想。努力，虽然未必会收获，但放弃，就一定一无所获。
•
14、一个人的知识，通过学习可以得到;一个人的成长，就必须通过磨练。若是自己没有尽力，就没有资格批评别人不用心。开口抱怨很容易，但是闭嘴努力的人更加值得尊敬。
•
15、如果没有人为你遮风挡雨，那就学会自己披荆斩棘，面对一切，用倔强的骄傲，活出无人能及的精彩。
Vg(V)
12
T1
T2
△v
VC VCOM
△v
VID
VP
VG
△v
第一圖場
第二圖場
一圖框
(a)驅動波形圖
1.VG為掃描線電壓，VID為信號線電壓，分別加在TFT 的閘極，源極。
2.在T1時域(水平選擇期間)TFT ON，畫素電極電位VP會被 充電至信號電位VID 。在T2 時域(非選擇期間)TFT OFF， 在OFF的瞬間，VP會下降△V，此△V的大小與TFT元件 的閘極與汲極間的寄生電容CGD有關，因此在設計與製 程元件時盡量避免寄生電容的產生。
TFT-LCD制造 流程技术
0.15 6
12.1”
15.0”
8
10
12
14
16
Diagonal Size of Screen (inch)
QXGA (2048x1536)
(9.44M)
17.0”
18
(ppi)
85
90
95 100 105 110 115 120 125 130
140 150 160 170
Color Filter的製造流程( 一)
畫素結構圖
何謂畫素(Pixel)?
顯示色彩學 ( 一 )
畫素(PIXEL)
★構成螢幕上所有顏色的單位
主要以三元色為主( 紅、綠、 藍 )
★其中紅、綠、藍三色則稱為子畫素
720mm
畫素
子畫素
彩色濾光片 Color Filter
610 mm
顯示色彩學 ( 二 )
紅 黃紫
白 綠 青藍
不同畫素的組合及應用
Mosaic
Triangle
Strip
適合AV動畫，小尺寸 panel 之設計。
常用於Monitor，NB 等大尺寸 Panel。
Pixel Pitch (mm)
畫素與尺寸規格
0.30
12.1”
9.4”
15.0”
VGA (640x480) (921,600) 8.4”
0.25
7.8”
11.3” 10.4”
Resolution
Monitor NB
Application Monitor TV
TV
1. High Resolution 2. High Color Saturation 3. High Contrast
TFTLCD简介与生产工艺流程优质PPT课件
2019/10/11 7
TFT LCD简介与生产工艺流程
将偏光板、槽状表面、液晶组合后产生的光学效果（1）
当上下偏光片相互垂直时，若未施加电压，光线可通过。
sunyes
ห้องสมุดไป่ตู้
2019/10/11 8
TFT LCD简介与生产工艺流程
将偏光板、槽状表面、液晶组合后产生的光学效果（2）
sunyes
当施加电压时，光线被完全阻挡。
TFT LCD简介 与生产工艺流
程
TFT LCD简介与生产工艺流程
TFT-LCD Structure & Principium
TFT—Thin Film Transistor 薄膜电晶体 LCD—Liquid Crystal Display 液晶显示器 由于TFT-LCD具有体积小，重量轻，低辐射，低耗电量， 全彩化等优点，因此在各类显示器材上得到了广泛的应用。
TFT元件
液晶 加入電壓
保持電容
sunyes
2019/10/11 16
TFT-Array Process
TFT LCD简介与生产工艺流程
Data Bus Line and S/D Metal Sputtering
Passivation SiNx Deposition Using
PECVD sunyes
TFT LCD简介与生产工艺流程
Cell Process(1)
sunyes
2019/10/11 18
Cleaning
TFT LCD简介与生产工艺流程
sunyes
2019/10/11 19
sunyes
PI Coating
TFT LCD简介与生产工艺流程
TFT-LCD制造流程技术讲义(PPT43张)
TFT-LCD的剖面圖
偏光板
Color Filter
液晶層 TFT Array 偏光板 背光模組 螢光灯泡
畫素結構圖
何謂畫素(Pix素(PIXEL)
★構成螢幕上所有顏色的單位
主要以三元色為主( 紅、綠、 藍 )
★其中紅、綠、藍三色則稱為子畫素
720mm
彩色濾光片 Color Filter
製造流程概述 ( 一 )
TFT(Array)
Thin-Film Transistor
Array:電晶體 (矩形陣列 ) TFT基板生成
Cell:面板生成 (Panel) Module:產品模組 組裝
LC(Cell)
Liquid Crystal
LCM
Module
製造流程概述 ( 二 )
TFT Process
一. 何謂 TFT-LCD
1. TFT → Thin Film Transistor ( 薄膜電晶體 ) 2. LCD → Liquid Crystal Display ( 液晶顯示器 ) 3. 液晶特性簡介
• 介於液體與固體間的中間物質 – 1888 年奧地利植物學家 F.Reinitzer 發現 • 具有半透明,黏稠性 • 分子具規則排列性
基板投入
薄膜 Thin Film
Color Filter
蝕刻 Etch
OK
黃光 Photo
CELL
測試 Array Test
TFT的製造流程概述 ( 一)
5道光罩
薄膜 素玻璃
蝕刻
黃光
TFT 基板
BOX
TFT的製造流程概述 ( 二 )
鍍 下 一 層 膜 鍍膜(sputter,cvd) 去光阻液 stripper 去光阻 蝕刻(etch) 酸, 氣體
液晶显示原理及制造工艺 课件
導電膠
RGB RGB
遮避層 ITO導線
電著後之 ITO導線
GRB RBG
(a)直條狀排列
(b)馬賽克排列
•染色法
彩色層製程
黑紋[BM] 玻璃基板 1.樹脂塗佈 著色光阻
2.曝光
3.顯像
5.染色
.重覆1～5製程
三色形成
•印刷法
彩色層製程技術
1.Blanket轉動
Blanket
油墨
黑紋
.油墨轉印至
Blanket
25
Mask 5：SD (Source及Drain電極形成)
A
A
A’
1. 成膜前洗淨
A’
SPC/芝蒲
2. 成膜Cr/Al/Cr
ULVAC/AKT
3. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon
4. 顯影檢查/光阻寸檢
Nikon/Hitachi
5. 蝕刻上層Cr(WET)
DNS
6. 硬烤
光洋
7. 蝕刻Al(WET)
彩色滤光片基本结构是由玻璃基板（Glass Substrate）， 黑色矩阵（Black Matrix），彩色层（Color Layer）， 保护层（Over Coat），ITO导电膜组成。一般穿透式 TFT用彩色光片结构如下图。
GLASS SUBSTRAT
E
Colo r
Laye r
Black Matri
1st Grinding 圖示
一、長邊整形機 功能：將裂片後的面板長邊磨平
Barlzers SPC/芝蒲
4. 成膜SiNx/a-Si/n+Si Barlzers 5. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon
6. 顯影檢查
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ＵＶ
药液
刷子
高圧
ＭＳ
Ａ／Ｋ
Ｐ ＵＶ
Ｄ排 Ａ水
药液
Ｐ 刷洗
纯
Ｐ
水
高 压 喷射
排
Ｄ
水
Ａ
ＭＳ
洗净 功能 洗净对象
作用
氧化分解 有机物 (浸润性改善)
ＵＶ/Ｏ３
溶解 有机物
溶解
机械剥离 微粒子 (大径)
接触压
机械剥离 微粒子 (中径)
水压
机械剥离
微粒子 (小径) 加速度
cavitation
学习交流PPT
19
TFT显示面板制造工程简介
学习交流PPT
1
目录
一、液晶显示器(LCD)的基础
1.1液晶材料及液晶显示器的基本定义 1.2液晶显示器的基础及原理
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备
2.1 制造流程概要 2.2 ARRAY工艺流程及设备 2.3 CELL工艺流程及设备 2.4 Module工艺流程及设备
Glass
购入,洗净后使用
ＴＮ：５Mask Process
Glass
购入,洗净后使用
Ｇ工程
Ｇate工程
Active &S/Ｄ工程
检查(SFT-1) Active工程 S/Ｄ工程
Repair(SFT-1)
检查(TN-1) Ｃ工程
Repair(TN-1)
检查(SFT-2) 钝化层工程
Repair(SFT-2)
气体BOX
汽缸cabinet
流量控制
工艺腔体 （电极部）
等离子体
ヒーター
ＲＦpower
ＲＦ电源
Ｍ．ＢＯ Ｘ
气体吹出电极 （阴极）
下部电极 （阳极）
Ｐ 压力计
压力控制
控制
除害装置 （scrubber）
特气对应
节流阀
干泵
真空排气
学习交流PPT
24
2.2 ARRAY工艺流程及设备 WET简介--湿刻设备构成
干燥风刀
Out CV dry1 dry2 A/K
DI RINSE UNIT
IN CV EUV N CV ETCH ZONE
置换液刀
液刀
风帘
学习交流PPT
25
2.2 ARRAY工艺流程及设备
WET简介--各工艺单元功能
学习交流PPT
2
一、液晶显示器(LCD)的基础 1.1液晶材料及液晶显示器的基本定义
液晶的发现
1888年，奥地利植物学家F. Reinitzer在测量 某些有机物熔点时发现：
加热 不透明 加热
固态
浑浊状态
冷却
透明液态 冷却
1889年，德国物理学家O. Lehmann发现：
这类不透明的物体外观上属液体，但具有晶体 特有的双折射性质，于是将其命名为“液态晶体”
学习交流PPT
15
TFT –钝化层及接触孔形成
学习交流PPT
16
TFT – ITO像素电极形成
学习交流PPT
17
2.2 ARRAY工艺流程及设备
洗浄
周转盒
传送装 机械手置 装料
MS
高压喷射 刷洗 药液喷淋 UV
传送装 气刀 置
卸料 机械手
学习交流PPT
18
2.2 ARRAY工艺流程及设备
洗浄
成膜→光刻 （反复）
ＴＦＴ基板
液晶面板完成
２．CELL工程
取向→液晶滴下
→贴合→切断
彩膜
(15型16片)
贴合
面板
ＴＦＴ基板
３．MODULE工程
面板 端子接续
电路基板安装
学习交流PPT
外框组装
背光源
9
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备
2.2 ARRAY工艺流程及设备
ＴＮ：４Mask Process
学习交流PPT
4
一、液晶显示器(LCD)的基础 1.2液晶显示器的基础及原理
偏光板 扩散・光学薄膜
Array基板
CF基板
液晶盒
TCP
接续电路基板 驱动用LSI
导光板
荧光管
液晶显示器的构造模式断面图
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一、液晶显示器(LCD)的基础 1.2液晶显示器的基础及原理
信号配线端子 Gate配线端子
ヒ加热ー腔ト プ工ロ艺腔セス
ト机ラ械ン手スファー
纳入(Ｌ大气Ｌ到／真Ｕ空)Ｌ/
送出腔(真空到大气)
ロ装载ー台ダー
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2.2 ARRAY工艺流程及设备
PECVD：电浆辅助化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
气体供给
ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ
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一、液晶显示器(LCD)的基础 1.2液晶显示器的基础及原理
偏光板
彩膜的结构
液晶
TFT基板 TFT
偏光板
背光源
彩膜空间混色法实现TFT－LCD彩色化
学习交流PPT黑色矩阵来自提高对比度 降低Ioff8
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备
2.1 制造流程概要
玻璃基板 1100×1300
ＴＦＴ基板 CF基板
封框胶 Ag电极
配向膜
液晶面板的构造平面图(TFT型 )
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一、液晶显示器(LCD)的基础 1.2液晶显示器的基础及原理
B G R BM ITO 液晶
液晶面板的构造断面图(TN型 )
偏光板 CF基板 盒垫料 转移电极(Ag)
封框胶 封框胶垫料
取向膜 TFT基板 偏光板
阴极
靶材
阳极
腔体
泵 基板
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2.2 ARRAY工艺流程及设备
PECVD：电浆辅助化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
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2.2 ARRAY工艺流程及设备
PECVD：电浆辅助化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
ＰＩ工程
ITO工程
检查(TN-2)
Repair(TN-2)
Cell工程
Cell工程
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ARRAY制造流程图
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TFT Array组成材料
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TFT –GATE电极形成
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TFT – Active(岛状半导体形成)
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TFT –S/D源漏电极形成
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一、液晶显示器(LCD)的基础
1.1液晶材料及液晶显示器的基本定义
液晶 : 一种液体状结晶性物质，介于固体(结晶)以及液体(非
结晶)之间的第四状态(中间状态)，具有流动性以及各向异性(光 学各向异性，如双折射效应).
液晶显示器 : 利用外加电压以及液晶材料本身光学各向异
性(如双折射效应以及旋光特性)，进而显示所需要的数字、文字、 图形以及影像等功能的一种人机界面的信息、通讯、网络的系统。
2.2 ARRAY工艺流程及设备
PVD（溅射）：物理气相沉积
(Physical Vapor Deposition)
进料室
加热室
工艺室Ａ
搬送室 工艺室Ｂ
自动移栽装置
卸料室
工艺室Ｃ
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2.2 ARRAY工艺流程及设备 PVD：物理气相沉积PVD(Physical Vapor Deposition)