光衰减与少子寿命
少子寿命测试原理
Slip lines
Oxygen striations
OSF ring
PROCESS INDUCED DEFECTS/Fe MAPPING
Fe Fe Fe Contaminated vacuum chuck Boat contamination Fe detection
•
- μ-PCD法
微波光电导衰减法(μ-PCD法)相对于其他方法，有如下特点： 无接触、无损伤、快速测试 能够测试较低寿命 能够测试低电阻率的样品（最低可以测0.1ohmcm的样品） 既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片或成品电池 样品没有经过钝化处理就可以直接测试 既可以测试P 型材料，也可以测试N 型材料 对测试样品的厚度没有严格的要求 该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法
- 在多晶浇铸生产中：
1. 硅锭工艺质量控制 2. 根据少子寿命分布准确判断去头尾位置
- 电池生产中：
1. 进片检查 ；氮化硅钝化；金属化等
- 单晶生长及单晶硅片
APPLICATIONS
CRYSTAL GROWTH DEFECTS
15.0
14.0
13.0 0 1000 2000 3000 4000
Bias Light [mSun]
τaverage=11.8μs
τaverage=17.1μs
少子寿命测试仪的介绍
WT-2000 WT-1000 单点 硅片
多功能扫描系统，可选配： u-PCD / carrier lifetime （少子寿命） SPV / diffusion length （扩散长度） LBIC / photovoltaic response （光诱导电流） bias light for all aboves （各种偏置光） reflectance / efficiency loss （反射率测试） eddy current resistivity （电阻率测试） thickness and thickness variation （厚度测试） Non-contact sheet resistance （方块电阻测试)
少子寿命
少数载流子寿命（Minority carriers life time）：（1）基本概念：载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。
而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。
例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。
对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。
实验表明, 在小注入条件(Δp<<no+po) 下, 非平衡载流子浓度确实有指数衰减规律，这说明Δp(t +τp) = Δp(t)/e, Δp(t)│（t=τp） = Δpo , τp即是非平衡载流子浓度减小到原来值的1/e时所经历的时间；而且在小注入条件下, τp的确是与Δp无关的常数；利用这种简单的指数衰减规律即可测量出少数载流子寿命τp的值；同时可以证明，τp确实就是非平衡载流子的平均生存时间<t>。
应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。
（2）决定寿命的有关因素：不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。
对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin 区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。
半导体少子寿命测量实验
半导体少子寿命测量实验实验：半导体少子寿命的测量一．实验的目的与意义非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。
其测量方法主要有稳态法和瞬态法。
高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程测得其寿命。
通过采用高频光电导衰退法测量半导体硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，使学生学会用高频光电导测试仪和示波器来测量半导体少子寿命。
二．实验原理半导体在一定温度下，处于热平衡状态。
半导体内部载流子的产生和复合速度相等。
电子和空穴的浓度一定，如果对半导体施加外界作用，如光、电等，平衡态受到破坏。
这时载流子的产生超过了复合，即产生了非平衡载流子。
当外界作用停止后，载流子的复合超过产生，非平衡少数载流子因复合而逐渐消失。
半导体又恢复平衡态。
载流子的寿命就是非平衡载流子从产生到复合所经历的平均生存时间，以τ来表示。
下面我们讨论外界作用停止后载流子复合的一般规律。
当以恒定光源照射一块均匀掺杂的n 型半导体时，在半导体内部将均匀地产生非平衡载流子Δn 和Δp 。
设在t=0时刻停止光照，则非平衡载流子的减少-d Δp /dt 应等于非平衡载流子的复合率Δp （t ）/τ。
1/τ为非平衡载流子的复合几率。
即：()τt p dt p d ?=?- （1-1）在小注入条件下，τ为常量，与Δp （t ）无关，这样由初始条件：Δp （0）=（Δp ）0可解得：()τt e p t p -?=?0 （1-2）由上式可以看出：1、非平衡载流子浓度在光照停止后以指数形式衰减，Δp （∝）=0,即非平衡载流子浓度随着时间的推移而逐渐消失。
2、当t=τ时，Δp （τ）=（Δp ）0/e 。
即寿命τ是非平衡载流子浓度减少到初始值的1/e 倍所经过的时间。
因此，可通过实验的方法测出非平衡载流子对时间的指数衰减曲线，由此测得到少子寿命值τ。
图1-1 高频光电导衰退法测量原理图高频光电导衰减法测量原理如图1-1所示。
少子寿命
在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。
光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。
由于表面上存在着耗尽区，其电场将电子-空穴分离，产生表面光电压（SPV ）。
理论计算α-=++1Φ1()(1)effP A S V L L （1） 其中对于耗尽层 A =qn 0/KT exp(qV /KT )对于反型层 A =qu i 2/KTn O在小注入条件下寿命值τ与扩散长度L 的关系，即：L = 2L Dτ=，扩散系数D 为已知常数，因此通过扩散长度测量可以立即计算出寿命值。
用SPV 测量扩散长度的方法：（1）恒定表面光电压法，其特点是测量过程中单色光的波长度变化时，表面光电压恒定不变，可对电阻率为0.1~6Ω·cm 、少子寿命短到20ns 的硅单晶进行测量。
一般认为表面光电压(ΔV)是非平衡载流子浓度的函数。
根据光照强度Φ与表面光电压△V 的函数关系： )11()(LM V F α+∆=Φ /(1)S D L M B R +=- （2） 其中，对于给定的样品，M 是一个常数，对于F （△V ）在测量过程中，即在改变 光源波长时（吸收系数α随之而和），调节光强Φ，使表面光电压△V 保持不变，于是F （△V ）在测量过程中也保持为常数，在数次改变波长（即改变α-1）后，得到相应的Φ值，即有一组：α-11，Φ1；α-12，Φ2；……α-1n ，Φn 数据，以Φ为纵标，α-1为横座标，联成一直线，并将直线延长到Φ=0得：1)LαΦ=0=(1+ （3） 该直线的截距即为要测的扩散长度（样品（或处延层）的厚度必须大于4倍扩散长度，如果小于扩散长度的一半，则测得的不是在外延层中的扩散长度，而是衬底中的扩散长度），如图所示：（2）恒定光通量法 即Φeff 是恒定的。
根据（1）式)11)((1-++=∆ΦαL L D S A V eff扩散长度L 可以Φeff/△V 对α-1的直线图确定(3）测试样品制备：样品一般要求进行化学抛光，化学腐蚀或机械抛光，以除去表面的机械损伤层。
少子寿命介绍
电导率和导电型号对杂质和外界因素高 度敏感
A
3
硅(Silicon)
金刚石结构，每个硅原子与四个 相邻原子之间共用电子对形成共价键 硅原子相邻，形成正四面体结构
A
4
能带(energy band)
导带、价带、禁带宽度
载流子：电子(自由电子、electron)、空穴 (hole)
电子
EC
电子带负电
A
8
P型硅的载流子绝大部分为空穴。空穴为多 数载流子(majority carrier)，简称多子；电 子为少数载流子(minority carrier)，简称少 子。
N型硅的载流子绝大部分为电子。电子为多 子，空穴为少子。
A
9
3. 非平衡载流子
平衡状态下，电子空穴对的产生和复合
率相等。电子和空穴浓度n、p不变。
时间起点 测试平均次数 时间起点的信号值
微波频率 激光功率
信号范围
时间范围
A
41
前面一段数据由于高注入偏离指数衰减 规律。
A
42
从Time cursor算起拟合指数拟合信号得
到少子寿命τ
t
V(V)0eA
43
WT-2000例子
坩埚的污染
A
44
UMG的少子寿命分布
A
45
无论如何都和非平衡载流子浓度Δn成正比
A
38
信号呈指数衰减，即呈现出非平衡载流 子衰减的规律。
通过拟合指数衰减信号得到少子寿命的 值。
对样品表面连续点扫描可以得到少子寿 命分布图。
A
39
选择合适的测试参数范围可以减少误差， 一般Autosetting可自动选择测试参数
A
少子寿命测试
表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，下图是体寿命与测试寿命的 关系。在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则 在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命 的样品，不会使少子寿命降低很多。因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品 的表面复合速率。从图中我们可以看到，对于表面复合速率S 为1cm/s，或 10cm/s 的样品，即使在1000μs 数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很 小。即当样品的表面复合速率为10cm/s 或更小的情况下，对于1000μs 数量级高 体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。
总结： （1）为了使测试的有效寿命趋向于体寿命，我们要尽量减少表面寿命的影 响，为此我们推荐使用表面钝化的方法，通常的钝化方法有热处理，化学钝化及 硅片表面电荷沉积等方法。 （2）对于太阳能领域，因材料表面不做抛光处理，所以我们推荐使用化学 钝化的方法。 （3）在体寿命较高，而表面寿命较低的情况下，化学钝化后测试寿命有较 大提高，测试寿命更加趋向于体寿命。 （4）在体寿命较低的情况下，比如<3μs，化学钝化前后寿命值不会明显变 化，可以认为此时测试寿命 即为体寿命。
研发中心
要破坏半导体的平衡状态，可以对其进行光注入(光照)或电注入(如p-n结正向工 作时，或金属探针与半导体接触时)。 非平衡载流子的复合：当产生非平衡载流子的外部作用撤销后，由于半导体的内 部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡状态，此时非平衡载流子逐渐消失，此过 程称为非平衡载流子的复合。 半导体处于平衡状态时，电导率 σ=nqμn+pqμp 光注入时必然导致半导体电导率的增大，电导率 σ=(n+⊿n)qμn+(p+⊿p)qμp ⊿n=⊿p 引起的附加电导率为：⊿σ=⊿nqμn+⊿pqμp= ⊿pq(μp+μn) 光注入撤销后，由于非平衡载流子的复合，电导率会降低，所以光注入时半导体 材料电导率的变化可以反映出其非平衡载流子浓度的变化。 少子寿命：非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命。由于相对于 非平衡多子，非平衡少子的影响处于主导的、决定的地位，所以非平衡载流子的 寿命常称为少数载流子寿命。
μ-PCD测试原理
少子寿命测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。
最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法，如：直流光电导衰减法；高频光电导衰减法；表面光电压法；微波光电导衰减法等。
WT-2000PV 采用微波光电导衰减法测试少子寿命。
微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号这两个过程。
904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为30μm）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。
μ-PCD测试得到的是少子有效寿命，它会受到两个因素影响：体寿命和表面寿命。
测得的少子寿命可由下式表示：（2-1）式中：τdiff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间；τsurf 为由于样品表面复合产生的表面寿命；τmeas 为样品的测试寿命；d 为样品厚度；Dn，Dp 分别为电子和空穴的扩散系数；S 为表面复合速度。
（图2-1）不同的表面复合速率下，体寿命和测试寿命的关系由式（2-1）可知，表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，图2-1是体寿命与测试寿命的关系。
在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命的样品，不会使少子寿命降低很多。
因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品的表面复合速率。
从图2-1我们可以看到，对于表面复合速率S为1cm/s，或10cm/s的样品，即使在1000μs数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很小。
即当样品的表面复合速率为10cm/s或更小的情况下，对于1000μs数量级高体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。
半导体物理实验——高频光电导法测少子寿命
实验报告一、实验目的和任务1、了解光电导法测试少数载流子寿命的原理，熟练掌握LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪的使用方法；2、测非平衡载流子的寿命。
二、实验原理处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。
这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。
半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。
如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。
处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。
比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过剩载流子。
图3.1 光注入引起附加光电导寿命的全称是非平衡少数载流子寿命，它的含意是单晶在受到如光照或点触发的情况下会在表面及体内产生新的（非平衡）载流子，当外界作用撤消后，它们会通过单晶体内由重金属杂质和缺陷形成的复合中心逐渐消失，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用。
这些非平衡少数载流子在单晶体内平均存在的时间就简称少子寿命。
图3.2 非平衡载流子随时间指数衰减曲线通常寿命是用实验方法测量的。
各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。
最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多。
不同的注入和检测方法的组合就形成了许多寿命测量方法。
三、实验设备本实验采用LT-2高频光电导少数载流子寿命测试仪。
该仪器灵敏度高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶及常用的晶体管级锗单晶。
该仪器根据国际通用方法—高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器、脉冲光源及样品电极共五部分组成，采用印刷电路和高频接插件连接。
整机结构紧凑，测量数据准确、可靠。
图3.7 单晶少子寿命测试仪和示波器连接示意图四、实验结论实验通过测电压间接的少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间，实验中便通过测量最高点电压减少到原值的1/e所经历的时间，与最高点多少无关；当样品含有重金属且存在缺陷时，会产生杂质能级，成为少子的复合中心，从而寿命降低。
LED寿命怎么衡量,光衰减百分比来规定
LED寿命怎么衡量,光衰减百分比来规定
LED 寿命怎么衡量，光衰减百分比来规定
LED 的长时间工作会光衰引起老化，尤其对大功率LED 来说，光衰问题更加严重。
在衡量LED 的寿命时，仅仅以灯的损坏来作为LED 显示屏寿命的终点是远远不够的，应该以LED 的光衰减百分比来规定LED 的寿命，比如5%或10%，这样更有意义。
光衰：在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到“饱和”电位，就是最高电位。
表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位都低于这个电位，这个电位随时间自然降低的过程，称之为”暗衰”过程。
感光鼓经扫描曝光时，暗区（指未受光照射部分的光导体表面）电位仍处在暗衰过程；亮区（指受光照射部分的光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，形成光导电压，电荷迅速消失，光导体表面电位也迅速下降，称之为”光衰”，最后趋缓。
致衰退效应：也称S-W 效应。
少子寿命wt2000+中文说明
WT-2000中文说明一．简介:可选功能：UPCD 无接触测量少子寿命LBIC 光诱导电流，反射率，计算电池内外量子效率 SHR 无接触测试方块电阻 RES 涡流法无接触测试电阻率 P/N 无接触型号测试 THCKNESS 电容法测试晶片厚度 设备概述：1．两台工控电脑,其中一台是DOS 操作系统，主要负责测量数据的处理，机器动作的控制与监控，并与另一台电脑通讯。
另一台电脑是WINDOWS 操作系统，wintau32操作软件被安装在此。
2．测试台，用来测试样品，各个功能可以集成到一个探头上，客户可根据需要来选择不同的功能。
二． 原理：1．少子寿命测试原理微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。
904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为 30um ）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。
μ-PCD 测试的是少子有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。
测试的少子寿命可由下式表示：111measbulkdiffsurfττττ=++ (1)式中：22,diffn pd D τπ=2surf d Sτ=τdiff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间；τsurf 为由于样品表面复合产生的表面寿命；τmeas 为样品的测上海浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦906A （邮编：200120）试寿命；d为样品厚度；D n，D p分别为电子和空穴的扩散系数；S为表面复合速度。
图1：不同的表面复合速率下，体寿命和测试寿命的关系由式（1）可知，表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，图1是体寿命与测试寿命的关系。
在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命的样品，不会使少子寿命降低很多。
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*Correspondingauthor.0927-0248/03/$-seefrontmatterr2002PublishedbyElsevierScienceB.V.PII:S0927-0248(02)00179-4assumptionissupportedbythefactthatforwardvoltageapplicationtoaCz–Sicellinthedarkdegradestheperformancesimilarlytothelight-induceddegradation[6].Thefactorforthemetastabledefectactivationisacriticalpointandshouldbespecifiedexactlyinordertointerpretthedegradationphenomenon.Theaimofthisworkistospecifythefactorresponsibleforthemetastabledefectactivationbymeansofspectroscopiclightillumination.
2.ExperimentalAnRP-PERLsolarcellfabricatedfromCz–Siwithabaseresistivityof0.5Ocmwasusedintheinvestigation.Thesamplewasannealedat2001Cfor20mintodeactivatemetastabledefectsandsubsequentlyplacedonatemperature-controlledcopperplatecoveredcompletelybyablackboxwithawindowofopticalfilters.Thesamplewasfixedatanopen-circuitconditionduringtheillumination.AconventionalXelampsetupwasusedfortheexperiments.Theintensitiesofblueandredilluminationswereadjustedtogeneratethesameamountofshort-circuitcurrentonareferencecellusingneutraldensityfilters.Thewhitemeasurementlightintensitywasadjustedtoaslowastheblueandredlightilluminationinordertosuppressfurtherdegradationduringmeasurements.VocandIscweremeasuredwith
pulsedlightwithinabout1s.Theabsolutephotonfluxwascalculatedbasedonspectrummeasurementsoftheblue-andred-passfilteredlights.Thespectrumobtainedbyspectrometer,however,isarelativevaluefromtheabsoluteirradiance.Inordertoobtaintheabsolutephotonflux,short-circuitcurrentunderthefilteredlightandexternalquantumefficiencyweremeasured.Table1summarizestheilluminationconditionandtheresultedphotonfluxthroughtheopticalfilters.Asforlifetimeinvestigation,aconventionalmicrowave-detectedPCDwasused.ACz–SiwaferwaspassivatedwithPECVDSiN.LiteraturesindicatethenecessityofadditionalbiaslighttomeasurelifetimesofsamplespassivatedwithSiN,forexample,whichhasaninjection-level-dependentSRVs[7].Sinceitwasobvious,however,thatbiaslightwouldresultindefinitelifetimedegradationduringmeasurements,biaslightwasnotusedfortheinvestigationthoughthevalueswouldlackaccuracy.Thoughphoto-conductancedecayshowedasmallbendingona
Table1Specificationsofillumination
ColorWavelength(nm)Intensity(mW/cm2)Photonflux(cmÀ2sÀ1)Blue350–5000.82.2Â1013Red850o0.82.8Â1013Whitea—0.72.2Â1013
aWhitelightisonlyformeasurements.
H.Hashigamietal./SolarEnergyMaterials&SolarCells75(2003)351–356352semi-logarithmicscale,lifetimesweredeterminedapproximatelybyasingleexponentialdecayfitting.
3.ResultsBlueandredlightswiththesamelightintensityof0.8mW/cm2wereilluminated
upto270min.Asthemeasuredvalueswerealmostsaturatedatanilluminationtimeof270min,thevaluesweresubtractedbythefinalvalueofthedecayandplottedonasemi-logarithmicscaletoobtainthedecaytimeconstantsforacomparison.DoubleexponentialswererequiredtoobtaingoodfittingresultsonVocdecays.Voc
decaycurvesareshowninFig.1togetherwithdecaytimeconstants.
Thetwodecaycurvesareverysimilartoeachotherandresultedintimeconstantstb1of13minandtb2of56minforthebluelightandtr1of13.0minandtr2of57minfortheredlight,respectively.AsshowninFig.2,Iscalsodecayedverysimilarlyundertheblueandredlights.Sinceverylowcurrentvaluesofabout1mAfortheinvestigationsufferedfromascatteringafterabout100minillumination,thevalueswithin90minwereselectedforthefitting.Decaytimeconstantsresultedinabout40minforboththeilluminations.Thecellperformancedecaytimesundertheblueandred-lightilluminationswerecomparedwiththoseoflifetimeinvestigation.Fig.3showslifetimedegradationonaboron-dopedCz–Siwaferwitharesistivityof0.75OcmpassivatedwithPECVDSiN.Thelifetimedecayseemstobemorerapidthanthatofthecellperformance.However,thedifferencemightbeavariationofcrystalqualityduringcellfabricationathightemperatures[7].
0501001502002503000.1110
Illumination time [min]Double exponential fit:t1[min] : t2[min]
Blue light 13 : 56Red light 13 : 57
BlueRedVoc
(t)-Voc(270) [mV]
Fig.1.InfluenceofspectraonVocdegradationin0.5OcmbaseresistivityCz–Sisolarcell.
H.Hashigamietal./SolarEnergyMaterials&SolarCells75(2003)351–356353