电容滤波的三相不可控整流电路
三相桥式全控整流电路
三相桥式全控整流电路的特点(1)
（1）2管同时通形成供电回路，其中 共阴极组和共阳极组各1，且不
能为同一相器件。
（2）对触发脉冲的要求：
按 VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6 的 顺 序 ， 相 位 依 次 差
60。
共阴极组VT1 、VT3 、VT5 的脉冲依次差120，共阳
ud的波形 更平直
u2 i2 ud
0
t
a)
i2的上升 平缓
b)
２.４.2 电容滤波的三相不可控整流 电路
1. 基本原理
ud u ab u uac d VD1 VD3 VD5 id T ia a b c iC ud + iR C R id ia 3
0
t
VD4 VD6 VD2 a)
2.阻感负载(L很 大)
当 60 时， ud波形连续，电路的工 作情况与带电阻负载时 十分相似，区别在于负 载不同时，同样的整流 输出电压加到负载上， 得到的负载电流id波形 不同。当电感足够大的 时候，负载电流的波形 可近似为一条水平线。
α=0º
α=30º
续
当 时，由 于电感L的作用，电 源电压过零后，晶 闸管仍然导通，直 到下一个晶闸管触 发导通为止。这样， 输出电压波形出现 负的部分。
–使功率因数降低。
常用于小功率单相交流输入的场合，如目前大量普及 的微机、电视机等家电产品的开关电源中。 放电 1. 工作原理及波形分析 充电
id VD1 i2 u1 u2 VD2 VD3 i,ud iC iR C R 0 i ud
2.4电容滤波的不可控整流电路 2.4.1 电容滤波的单相不可控整流电路 （１）
第三章_电力电子技术—整流电路_li(第一次课)
变压器二次侧电流有效值i2与输出电流有效值i相等
I I2 1
(
2U 2 U sin t )2 d( t ) 2 R R
1 I 2
1 sin 2 2
I dVT
VT可能承受的最大正向电压为 VT可能承受的最大反向电压为
2 U2 2 2U 2
3.1单相可控整流电路
相控方式——通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出 电压大小的方式
3.1单相可控整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路——阻感负载
阻感负载的特点：
电感对电流变化有抗拒作用，使得流过 电感的电流不能发生突变，因此负载的电流 波形与电压波形不相同。
3.1单相可控整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路——阻感负载
ud O i1 O
t
t
b)
3.1单相可控整流电路
3.1.3 单相全波可控整流电路
单相全波与单相桥式全控比较
单相全波只用2个VT，比单相全控桥少2个，相应地， 门极驱动电路也少2个 单相全波导电回路只含1个VT，比单相桥少1个，因而 管压降也少1个 VT承受最大正向电压 2U2，最大反向电压为 2 2U 2 ， 是单相全控桥的2倍 单相全波中变压器结构较复杂，材料的消耗多
结构简单，但输出脉动大，变压器二次侧电
流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化
实际上很少应用此种电路
分析该电路的主要目的在于利用其简单易学
的特点，建立起整流电路的基本概念
3.1单相可控整流电路
3.1.2 单相桥式全控整流电路——电阻负载
电路结构 VT1和VT4组成一对桥臂 VT2和VT3组成另一对桥臂
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术 选择题
1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应相差180度2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
3、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路，）。
4、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（30o-35o）。
5、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（有效值）。
6、三相桥式半控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～180o）。
7、三相半波整流电路，电阻性负载时的移相范围为（0o～150o）。
8、三相桥式全控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～90o）。
9、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是（防止失控）。
10、具有锁定效应的电力电子器件是（绝缘栅双极型晶体管）。
10、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是（防止失控）20、某型号为KP100-10的普通晶闸管工作在单相半波可控整流电路中，晶闸管能通过的电流有效值为（ 157A ）。
21、图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，两个波形的电流最大值均相同，则波形的电流有效值I1、I2的关系为：（I2 = 2I1）。
22、下列关于Power MOSFET 的描述，哪一项是错误的也称为绝缘栅极双极型晶管(这是IGBT)23、三相半波整流电路输出波形如图所示，则以下判断正确的是:控制角为0°，电阻性负载，24、下面哪种功能不属于变流的功能（变压器降压 ）25、 三相半波可控整流电路的自然换相点是（本相相电压与邻相电压正半周的交点处。
）。
26、三相电压型逆变器采用的导电方式为 1 8 0o 度导电方式。
27、三相电流型逆变器采用的导电方式为 120 度导电方式。
28、可实现有源逆变的电路为 三相半波可控整流电路，29、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关αI d 、 X L 、U 230、α=60度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，31、某电流分解为)5sin 513sin 31(sin 42t t I i d ，其中基波的有效值d I 2232、逆变角的大小等于（ ）A B C 2 D 233、升压斩波电路的电压输入输出关系是（ U0=(T/Toff)E ）34、下图中阴影部分为晶闸管处于一个周期内的电流波形，平均电流是M I )4221(1 (无图)1、电力电子器件按照器件内部电子与空穴两种载流子参与导电的情况分为：单极型器件、双极型器件和复合型器件三种。
第3章 整流电路part1
可得到 I S
PAC PAC VS PF VS cos1
8
《电力电子技术》
第3章 整流电路
3.1 单相可控整流电路
3.1.1单相半波可控整流电路 3.1.2单相桥式全控整流电路
3.1.3单相全波可控整流电路
3.1.4单相桥式半控整流电路
9
《电力电子技术》
第3章 整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路
《电力电子技术》
第3章 整流电路
第3章
整流电路
3.1 单相可控整流电路
3.2三相可控整流电路
3.3 变压器漏感对整流电路的影响
3.4 电容滤波的不可控整流电路
3.5 整流电路的谐波和功率因数
3.6大功率可控整流电路
3.7整流电路的有源逆变工作状态 3.8整流电路相位控制的实现
1
《电力电子技术》
第3章 整流电路
wt
wt
e)
晶闸管的电流有效值IVT
I VT 1 p 2 p a I a I d d (wt ) 2p 2p d
O i VD f) O u VT g) O
R
wt
wt
wt
20
《电力电子技术》
u2
第3章 整流电路
（3）续流二极管的电流平均值 IdVDR与续流二极管的 电流有效值IVDR w w
22
《电力电子技术》
第3章 整流电路
3.1.2 单相桥式全控整流电路
单相桥式全控整流电路(Single Phase
Bridge Contrelled Rectifier)
1) 带电阻负载的工作情况
电路结构
a)
晶闸管VT1和VT4组成一对桥臂，VT2和VT3组成另一对 桥臂。在实际的电路中，一般都采用这种标注方法，即 上面为1、3，下面为2、4。请同学们注意。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术 期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术复习习题
电⼒电⼦技术复习习题第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。
电⼦技术包括信息电⼦技术和电⼒电⼦技术两⼤类。
2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗___。
3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路___。
4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型_、_双极型__、_复合型_三类。
5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_单向导电性_。
6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。
晶闸管派⽣器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。
7.肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为 _门极_ 正向有触发则导通、反向截⽌ ___关断_ 。
9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值⼤⼩上有I L_=(2~4)_IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDRM_<_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同⼀管芯上的功率集成器件。
12.GTO的_GTO元的阴极和门极并联_结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。
13.功率晶体管GTR从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为_击穿_。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的_放⼤区_、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数，对器件并联时均流有利。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升⾼⽽_下降_，开关速度_⼩于_电⼒MOSFET 。
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2电容滤波的不可控整流电路
在交-直-交变频器、不间断电源、开关电源等应用场合中，大都采用不可控整流电路经电容滤波后提供直流电源，供后级的逆变器、斩波器等使用。
目前最长用的是单相桥式和三相桥式两种接法。
由于电路中的电力电子器件采用整流二极管，故也称这类电路为二极管整流电路。
2.1 电容滤波的三相不可控整流电路
在该电路中，当某一对二极管导通时，输出直流电压等于交流侧最大的一个，该线电压既向电容供电，也相负载供电。
当没有二极管导通时，由电容向负载放电。
1）直流电压与负载电阻额关系（只考虑稳态情况）
0.155
0.160.1650.170.1750.18400
450
500
550
600
0.155
0.160.1650.170.1750.18400
450
500
550
600
10
Ω0.155
0.160.1650.170.1750.18400
450
500
550
600
1
Ω0.1550.160.1650.170.1750.18
400450
500
550
600
0.1Ω空载
分析仿真波形：1）空载时，输出的直流电压波形近似为直线，负载越大电压的纹波越严重；随着电阻的减小，电压的平均值越来越小，且负载为0.1Ω与1Ω时的输出电压波形都成为线电压的包络线。
2）电流波形和负载的关系（只考虑稳态时）
-500
500
负载10Ω时a 相交流电流和直流电流00.010.020.030.040.050.060100
20
0300-1000
1000
负载1.67Ω时a 相交流电流和直流电流0.0050.010.0150.020.0250.030.0350.040.0450.050.0550200
400600
-2000
2000
负载0.5Ω时a 相交流电流和直流电流00.010.020.030.040.050.060500
1000
1500
分析仿真结果：随着负载的增大，直流侧的电流不断增大，且直流侧电流的起伏不断增大，纹波增加，负载为1.67Ω时，直流侧电流为断续和连续的临界状态；同时a 相电流也不断增大，并更接近正弦。