DC_DC变换器抗辐射试验_侯伟
DC／DC转换器的电磁兼容技术
降甚至失效 ，或者对生命或无生命物质产生损害
的 电磁 现 象称 为 电磁 干扰 （ ＭＩ。几 乎 每一 种 电 Ｅ ）
子设备都产生不同程度的电磁干扰信号 ，它是一
种不希望存在的电磁信号。这种信号可能以电磁
收 稿 日期 ：０ ８ ０ — ７ ２０ — ３ ２
扰的耦合通路人手，就能解决好电气和电子设备
精神文明的进步。 但不容忽视 的是， 伴随这些电子
产品 的应用 而产 生 的 电磁干 扰 又给人 们 带来 了诸
多烦恼。 电子产品产生的电磁干扰 ， 以辐射和传导 两种形式进行传播 。 它干扰广播 、 电视和通讯 的接 收， 造成 电子仪器 和 设备 的工 作失 常 、 失效 甚 至损
坏。 强烈 的 电磁辐射 还会 危 害人们 的健 康 ， 至 导 甚 致易 燃 、 易爆 物质 起火 和爆 炸 等 。因此 ， 们不 得 人 不把 抑制 （ 除 ） 消 电子 产品 的 电磁 干扰 提上议 事 日
Ｊ ｎ ０ ８ ｕ ｅ２ ０
Ｄ ／ Ｃ转换器 的电磁兼容技术 ＣＤ
杜 少武 ， 林 东栋
（ 合肥 工业 大 学 电气与 自动化 工程 学院 ， 安徽 摘 合肥 ２００ ） ３０ ９
要： 概述 了电磁 干扰 （ ＭＩ和 电磁 兼容 （ ＭＣ 的基 本 知识 ， Ｅ ） Ｅ ） 简单 分析 了 Ｄ ／ Ｃ转换 器的 电磁 ＣＤ
Ｖｏ ． ｌＮｏ６ １ ． １
Ｊ ｎ ｏ） ｕ ｅ２ （ ８
１２ 电磁 兼容 ．
磁 干扰 （ 即传导 电磁 干扰 ） 。采 用滤 波 的 目的有两
个：
电磁兼 容 （ ＭＣ） 基 本 含 义 是 ， 证 电子设 Ｅ 的 保
备在共同的电磁环境中执行各 自功能的共存状态
全桥（H桥）DCDC变换电路实验
全桥（H桥）DCDC变换电路实验实验3 全桥（H桥）DC/DC变换电路实验一．实验目的1．掌握开环直流脉宽调速系统的组成、原理及各主要单元部件的工作原理。
2．熟悉直流PWM专用集成电路SG3525的组成、功能与工作原理。
3．熟悉H型PWM变换器的各种控制方式的原理与特点。
二．实验内容1．PWM控制器SG3525性能测试。
2．控制单元测试。
3．H型PWM变换器性能测试。
三．实验系统的组成和工作原理在中小容量的直流传动系统中，采用自关断器件的脉宽调速系统比相控系统具有更多的优越性，因而日益得到广泛应用。
PWM变换器主电路系采用H型结构形式，UPW为脉宽调制器，DLD为逻辑延时环节。
脉宽调制器UPW采用美国硅通用公司（Silicon General）的第二代产品SG3525，这是一种性能优良，功能全、通用性强的单片集成PWM控制器。
由于它简单、可靠及使用方便灵活，大大简化了脉宽调制器的设计及调试，故获得广泛使用。
四．实验设备及仪器1．MCL系列教学实验台主控制屏。
2．NMCL-22实验箱。
3．直流电动机M03及测速发电机4．双踪示波器、万用表。
五．实验方法采用NMCL—22挂箱1．UPW模块的SG3525性能测试（1）用示波器观察UPW的“1”端的电压波形，记录波形的周期，幅度(最大值、最小值)；（2）调节RP电位器，记录2端输出波形的最大占空比和最小占空比。
2．控制电路的测试——逻辑延时时间的测试将UPW的“2”端与DLD(逻辑延迟环节)的”1”相连接。
用示波器同时观察DLD的“2”端和“3”端。
记录延迟时间t d3．DC/DC带电阻(灯箱)负载。
1）将H桥的U、V、W分别与电源的U、V、W相连。
H桥的1、3相连。
2）将电阻负载（灯箱）以串联的方式接入“6”端和“7”端。
3）确认灯箱的所有灯泡处于断开位置。
3）调整RP电位器，将占空比调整为50%。
合上主电源，将一组串联的灯泡打向通的位置。
观察并记录负载两端的电压波形，并用万用表直流档记录负载电压的数值（参考方向为6->7），同时观察灯泡的亮度。
大功率双向DC_DC变换器的研究
DC
DC
输入
输出
AC
图 1-1 四种电力变换器的示意图
AC
其中，AC/DC 电压转换电路被称为整流电源，DC/DC 电压变换电路又称为直流 斩波器。因此，直流开关电源的输入分交流和直流两种。在交流电作为输入时，交流 电需经整流滤波环节变成直流后经过二次变换转换为所需直流电压。在直流电作为输 入时，直接经过直流斩波电路即可转换为所需直流电压。因此，DC/DC 变换器是一种 采用开关方式控制的直流稳压电源，是开关电源的核心部分[3]。 开关电源技术在 20 世纪 80 年代引入我国， 如今已广泛应用于通信、 工业、 军事、 航空航天、家电等领域，人们对它的研究、开发技术水平也越来越高。开关电源技术
华中科技大学 硕士学位论文 大功率双向DC/DC变换器的研究 姓名：高金萍 申请学位级别：硕士 专业：电机与电器 指导教师：黄声华 20090531
摘
Байду номын сангаас
要
双向DC/DC开关变换器是根据需求调节能量双向传输的直流到直流的变换器。 它 在直流不间断电源系统，航空航天电源系统，电动汽车以及太阳能电池变换器等场合 都有相当广泛的应用。本文对一种基于移向控制技术的新型带隔离变压器拓扑结构的 DC/DC变换器进行了较为深入的研究，并设计了样机，同时对另一种非隔离型大功率 双向DC/DC变换器拓扑结构进行了一定深度的理论分析和研究。 隔离型双向DC/DC变换器是输入端采用超级电容(UC)的三相桥式双向DC/DC变 换器，具有隔离、高功率密度、高效、大电压变比的特点。这种变换器主电路采用移 相双半桥结构，主电路无需增加额外元件，就可以实现零电压开通的软开关技术，减 小了开关管的损耗，还可以使大大提高开关频率，减小开关器件的电流应力，减小了 电路中电磁装置的体积，提高了系统的功率密度和效率；在控制上，采用PWM调制 和移相控制相结合的控制方法，控制方法灵活，电压变换范围大，配合三相变压器传 递能量，效率高，输出效果好。电路的原边的三相耦合电感，可以减小电流纹波，三 相耦合减小磁芯数量，降低磁芯损耗。此电路能自动跟随负载变化，是一种非常适合 大功率应用场合的DC/DC变换器，可以广泛应用于大、中功率应用场合，在分布式发 电以及燃料电池供电的电动汽车的场合更是有很大的应用潜力和发展前途。 另外，本文还对非隔离型双向DC/DC变换器进行探讨和理路分析。主要从多相升 降压（Buck-Boost）变换器入手，并将分析结果与隔离型双向DC/DC 进行了较为详尽 的对比，综合比较了大功率双向DC/DC变换器隔离型拓扑与非隔离型拓扑的优缺点， 以适应与不同的工作范围。
隔离型DC-DC变换器
故 ＤＣ—ＤＣ变换 器逆变端输 出电压为 ：
『６１田瑞 飞．三相 大功 率 ＤＣ／ＤＣ 变换 器 的研 究ｆＪ１．哈 尔滨 工业 大学，
（ｎ－２Ｎ ） ＵＡＢ ＝ Ｍ们 。 ＝
２０１ ｌ，５（１）：１－２． 『７】郭 家虎，廖其艳．基 于 ＭＭＣ的轻型 高压 直流输 电统的建模 与仿 真
２ 子 模 块 控 制 器 设 计
『Ｊ１．工 矿 自动化 ，２０１ １（１０）：３４—３８．
本文介绍 的 ＭＭＣ的子模块控制器 以 ＦＰＧＡ为核心 ，开关 电源 ｆ８１汤广福．基于 电压源换流器的高压直流输电技 术［Ｍ］．北京 ：中国电
作为供电系统 ，将子模块电容 电压模拟信号经 电压采集模块 中的预 力 出版 利 ．２０１０．
成 两 路 互 补 脉 冲 ，形 成 用 来驱 动 ＩＧＢＴ的 ＰＷＭ 波 。
２－３驱 动 模 块 ＩＧＢＴ驱动接收 ＦＰＧＡ核心模块产生的两路 ＰＷＭ波 ，从 而输 出
两路 ＰＷＭ脉 冲驱动子模块上 的两个 ＩＧＢＴ导通或者关断 ，使得 子
模块处于投入 或者切除状态 。
ＩＧＢＴ导通 ， １５Ｖ ；输 出低 电平时 ，１ＧＢＴ关 断，己 一 。
子模 块电容电压相等 ，令 为 Ｕ ，则
１ ／＂／Ａ１ ＵｉＩｌ ／＇／＇ＡＯ
『３】赵成勇，李路遥，翟晓萌等．新型模块化 高压 大功率 Ｄｃ—Ｄｃ变化 器 『Ｊ］．电力 系统 自动 化 ，２０１４． ｆ４１庄凯 ，阮新 波．输入 串联输 出并联 变换 器的输入均压稳 定性分 析
１ ｒ ｒ
科 技 论 坛
·ｌ３５·
隔离型 ＤＣ－ＤＣ变换 器
张冬雷 郭家虎
（安徽理 工大学电气与信息工程 学院，安徽 淮南 ２３２００１）
大功率DC-DC变换器电磁兼容性研
大功率DC/DC变换器电磁兼容性研
本文从大功率DC/DC变换器主要电磁干扰源及抑制措施、控制电路板的信号隔离以及软件程序的抗干扰设计三个方面对FCEV用大功率DC/DC变换器的电磁兼容性进行了研究，有效的解决了FCEV用大功率DC/DC变换器电磁干扰问题。
引言
目前，燃料电池电动汽车(FCEV)成为我国汽车科技创新主攻方向。
燃料电池电动汽车动力系统主要由燃料电池发动机，DC/DC变换器，蓄电池，电机控制器(变频器)及电机，整车控制器，数据采集系统及CAN总线组成，如图1所示。
其中DC/DC变换器可以对燃料电池的输出进行控制及能量的传递与转换，成为燃料电池电动汽车关键零部件之一。
在燃料电池电动汽车运行过程中，DC/DC变换器所处的电磁环境十分复杂，各种形式的电磁干扰很多，严重影响了DC/DC变换器的正常运行。
因此，研究FCEV用
DC/DC变换器的电磁兼容性对DC/DC变换器乃至燃料电池电动汽车的可靠运行具有重要意义。
DC-DC变换器电力电子课程设计报告
电力电子课程设计报告DC—DC变换器学院：信息科学与工程学院班级：电气1201 班姓名：学号：指导教师：时间：2015.01.20目录一、引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯.1 二、设计要求与方案⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..22.1设计要求⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯ .⋯⋯⋯⋯ .22.2方案确定⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯ .2三、主电路设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯ .⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..43.1主电路方案⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯ ..⋯ ..⋯ .43.2工作原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ...⋯⋯⋯43.3参数分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯ .⋯ 6四、控制电路设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯⋯ ...⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 104.1控制电路方案选择⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯⋯ ..⋯⋯⋯ 104.2工作原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ...⋯⋯⋯⋯ 104.3控制芯片介绍及参数选择⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ (10)五、驱动电路设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..155.1驱动电路方案选择⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..155.2工作原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ...⋯⋯ (15)六、保护电路设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯..⋯⋯⋯ 186.1过压保护电路⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯.⋯⋯⋯⋯186.2过流保护电路⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ .⋯⋯⋯ ...⋯⋯ .⋯⋯ .19七、系统仿真及结论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯ .21八、总电路原理图⋯⋯⋯ ...⋯⋯⋯⋯⋯ (26)九、参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯ 28十、致谢⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯⋯⋯⋯ ..⋯⋯ .⋯..29 一、引言DC/DC 变换是将固定的直流电压变换成可变的直流电压，也称为直流斩波。
新一代架构空间电源双向DC／DC变换器研究
第４５卷第７期 ２０１１年７月 电力电子技术
Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｖｏ１．４５，Ｎｏ．７
Ｊｕｌｙ ２０１１
新一代架构空间电源双向ＤＣ／ＤＣ变换器研究 谷 雨 ，张东来 ，朱洪雨 ，李 悦。 （１．哈尔滨工业大学，深圳研究生院，广东深圳５１８０５５；２．深圳航天科技创新研究院电力电子技术研究所， 广东深圳５１８０５７；３．北京市电力公司变电公司，北京１０００３１）
摘要：由于空间中太阳电池阵输出母线电压变化幅度较大，为保证电源在整个轨道周期内向负载提供持续稳 定的电压，提出一种基于Ｂｏｏｓｔ拓扑结构的双向ＤＣ／ＤＣ变换器。该变换器拓扑简单，可靠性高，在大幅减小系 统体积与成本的同时提高了系统的效率，并通过ｆＪＩ入衰减嘲络优化Ｂｏｏｓｔ变换器为最小相位系统。变换器采用 电导控制。并引入电压前馈控制以维持电导控制带宽的恒定。最后通过实验验证了变换器在１．５ ｋＷ功率下能 量双向流动的工作特性，测试了变换器的效率。 关键词：变换器；电导控制；电压前馈 中图分类号：ＴＭ４６ 文献标识码：Ａ 文章编号：１０００—１００３［（２０１１）０７一ＯＯ４４—０３
Ｔｈｅ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｓｐａｃｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ＤＣ／ＤＣ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｎｅｘｔ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ＧＵ Ｙｕ ，ＺＨＡＮＧ Ｄｏｎｇ・ｌａｉ ，ＺＨＵ Ｈｏｎｇ—ｙｕ ，ＬＩ Ｙｕｅ （１．Ｓｈｅｒｔｚｈｅｎ Ｇｒａｄｕａｔｅ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ ５１８０５５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｔｈｅ ｏｕｔｐｕｔ ｖｏｈａｇｅ ｏｎ ｔｈｅ ｓｏｌａｒ ａｒｒａｙ ｂｕｓ，Ｂｏｏｓｔ ｂａｓｅｄ ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ＤＣ／ＤＣ ｃｏｎ・ ｖｅｒｔｅｒ ｉｓ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓａｋｅ ｏｆ ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ ｃｏｎｔｉｎｕａｌ ａｎｄ ｓｔｅａｄｙ ｏｕｔｐｕｔ ｖｏｌｔａｇｅ ｔｏ ｔｈｅ ｌｏａｄ ｉｎ ｔｈｅ ｅｎｔｉｒｅ ｏｒｂｉｔ ｅｙｃ１ｅ． Ｓｉｍｐｌｉｃｉｔｙ，ｈｉｇｈ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｈｉｓｈ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ａｒｅ ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｏｆ ｔｈｉｓ ｔｏｐｏｌｏｇｙ，ｍｅａｎｗｈｉｌｅ，ｍｉｎｉｍｕｍ ｐｈａｓｅ ｓｙｓｔｅｍ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ａｃｈｉｅｖｅｄ ｂｙ ｉｎｓｅｒｔｉｎｇ ｄａｍｐｉｎｇ ｎｅｔｗｏｒｋ．Ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｉｓ ａｄｏｐｔｅｄ ｔｏ ａｃｈｉｅｖｅ ｂｅｔｔｅｒ ｏｕｔｐｕｔ ｒｅｓｐｏｎｓｅ． ｍｏｒｅｏｖｅｒ，ｖｏｌｔａｇｅ ｆｅｅｄｆｏｒｗａｒｄ ｅｎｓｕｒｅ ｔｈｅ ｂａｎｄｗｉｄｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｉｎｖａｒｉａｂｌｅ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅ ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｅｘ． ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｕｎｄｅｒ １．５ ｋＷ ａｒｅ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ｔｏ ｖｅｒｉｆｙ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ ｉｓ ｔｅｓｔｅｄ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ；ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｃｏｎｔｒｏｌ；ｖｏｌｔａｇｅ ｆｅｅｄｆｏｒｗａｒｄ
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第28卷第2期 航 天 器 环 境 工 程 2011年4月 SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING 137
DC/DC变换器抗辐射试验 侯 伟，姚雨迎，卓 林 （航天东方红卫星有限公司，北京 100094）
摘要：文章以ZHDC28S05/18W型数字化DC/DC变换器（额定输入28 V，输出5 V/3.6 A）为例，制定了DC/DC变换器辐射总剂量和单粒子效应试验的方案并进行了摸底试验，根据试验结果更换了集成功率芯片LM2596-ADJ，使产品的抗辐射性能有了明显提高。 关键词：DC/DC变换器；总剂量效应；单粒子效应；抗辐射试验 中图分类号：TN406 文献标识码：A 文章编号：1673-1379(2011)02-0137-04 DOI：10.3969/j.issn.1673-1379.2011.02.007
0 概述 随着分散供配电体制的发展，DC/DC变换器的重要性日益体现。航天器用DC/DC变换器除具有严格电气指标以外，其空间环境效应尤为突出。产品研制完成之后，必须进行辐射总剂量和单粒子效应的摸底试验，以保证其抗辐射性能满足要求。 1 试验样品 试验样品ZHDC28S05/18W为采用厚膜工艺制造的数字化DC/DC变换器，其中的6个单粒子敏感器件分别为MOSFET（IRFR13N15D）、MOSFET（IRFC046N）、集成供电芯片（LM2596-3.3）、集成供电芯片（LM2596-ADJ）、EEPROM（AT24C164）和数字控制器（BM2832MG）。它们均为裸芯片，通过金属压焊丝焊接在陶瓷基板上。 2 总剂量试验 2.1 试验目的 通过辐照试验，了解器件的耐电离辐射能力。辐照源为60
0C
γ射线源（辐射场在试验样品辐照面
积内的不均匀度小于10%）。 2.2 试验方案 试验现场如图1所示，被试DC/DC变换器置于辐照室内，电源、测试仪器及设备置于辐照室外。 将被试DC/DC变换器准确地放置在相应的剂量率线上并加以固定，将测试仪器、电源及负载用电
缆通过迷宫结构屏蔽体与被试样品连接起来，测试电缆的长度约为35 m。 测试系统由稳压电源、电阻负载、万用表和示波器组成，主要监视输入电压、输入电流和输出电压3个参数的变化，连接关系如图2所示。输入电压、电流从稳压电源直接读出，输出电压通过万用表测量，在负载端接示波器同时观察输出电压纹波的变化。测试仪器型号见表1。
图 1 试验现场示意图 Fig. 1 Schematic diagram of the test scene
图2 测试系统连接关系示意图 Fig. 2 Schematic diagram of the measurement system
表1 总剂量试验所用测试仪器 Table 1 Measuring instruments for total dose test
名 称 型 号 稳压电源 Agilent 6654A 数字万用表 Agilent N3300A 数字存储示波器 Tektronix TDS3032B
———————————— 收稿日期：2010-10-13；修回日期：2010-11-22 基金项目：“十一五”预先研究课题（项目编号：51323030216） 作者简介：侯 伟（1978—），男，硕士研究生，研究方向为卫星电源技术。联系电话：(010)68746824-159。 138 航 天 器 环 境 工 程 第28卷 试验样品：ZHDC28S05/18W型DC/DC变换器2只； 辐照剂量率：10 krad(Si)/h； 环境温度：20±5 ℃； 测试项目：输入电流，输入电压，输出电压； 失效判据：输出电压变化≥5%或输入电流变化≥10%。 试验流程如图3所示[1,3]。
开始辐照 辐照到要求的剂量
决定是否进行加速退火试验
选择剂量率点安装器件及测试电路，并进行辐照前测试
通过决定是否进行室温退火进行规定的电参数测量通过
功能失效
参数超差
进行加速退火试验进行规定的电参数测量
未通过通过未通过否是决定是否进行0.5倍额外辐照
进行0.5倍额外辐照否是
合格不合格
图3 总剂量试验流程 Fig. 3 The flowchart of total dose radiation test
2.3 试验结果及分析 1#和2#DC-DC变换器总剂量辐照试验曲线分别见图4和图5。
图4 1#DC/DC变换器总剂量辐照试验曲线
Fig. 4 The total dose radiation test curve for 1#DC/DC converter
图5 2#DC/DC变换器总剂量辐照试验曲线
Fig. 5 The total dose radiation test curve for 2#DC/DC converter
1#DC/DC变换器功能失效剂量为8.5 krad(Si)，
2#DC/DC变换器功能失效剂量为9.33 krad(Si)。当器
件功能失效前，变换器输入电流参数变化不到10%。经开盖后测量，两个变换器失效都是LM2596-ADJ（为数字控制器提供1.8 V电源）失效引起。 3 单粒子效应试验 3.1 试验目的 通过单粒子效应试验，获得器件单粒子事件LET阈值，为评价器件的单粒子效应（锁定和翻转）敏感性和DC/DC变换器的可靠性设计提供参考数据[2]。
3.2 试验方案 1）试验样品 样品为ZHDC28S05/18W型DC/DC变换器两只。 试验样品开盖后，对6个单粒子敏感裸芯片MOSFET（IRFR13N15D）、MOSFET（IRFC046N）、集成供电芯片（LM2596-3.3）、集成供电芯片（LM2596-ADJ）、EEPROM（AT24C164）和数字控制器（BM2832MG）分别进行辐照。 2）辐射源 辐射试验采用中国原子能科学院串列静电加速器产生的重离子为辐射源。本次试验选择4种离子，其能量及LET值见表2所示。试验在真空环境中进行，束斑尺寸为1 cm×1 cm。 表2 试验选用的高能重离子 Table 2 High-energy heavy ions used in tests
离子 能量/ MeVLET值/ MeV·cm-2入射角度 在硅中
射程/µm 16O8+ 112 2.88 113
35Cl10,14+175 12.6 51.1
48Ti10,15+184 21.3 37.7
79Br12,20+238 41.9 0° 32.2
3）单粒子效应测试系统 单粒子效应测试系统如图6所示，主要监视 第2期 侯 伟等：DC/DC变换器抗辐射试验 139 输入电压、输入电流和输出电压、输出电流4个参数的变化。
图6 单粒子效应测试系统示意图 Fig. 6 Schematic diagram of the single event effect test system
4）试验流程 试验流程如图7所示。根据靶室的条件，将试验板固定在辐照支架上，保证试验装置与试验支架移动的一致性。
图7 单粒子效应试验流程 Fig. 7 Flow chart of single event effect test
试验前逐一确定每个器件的坐标，确保入射离子覆盖被测试器件的敏感区表面。对于每一个芯片的照射，先从能量较小的16O8+开始。对同一
种离子，按以下顺序对6种芯片分别进行照射：IRFR13N15D—IRFC046N—LM2596-3.3—LM2596-ADJ—AT24C164—BM2832MG。如果低能级离子照射没有发生功能异常，则更换更高能量的离子依次对芯片进行照射，直到出现DC/DC变换器功能异常后，确定该芯片的最终单粒子效应LET阈值[4-5]。DC/DC变换器功能异常的判断依据是输出
电压变化超过额定值的±5%，在本次试验中，正常输出电压范围是4.75～5.25 V。在试验时，首先确定初始注量率为1.4×104 cm2·s-1，辐照约
2 min后，若没有发生异常，则按照此注量率继续辐照，直到总注量达到107 cm-2为止，如果发生异
常则降低注量率。每种离子的注量率有所差异，但保持在(0.86～2)×104 cm2·s-1之间。
3.3 试验结果及分析 LM2596-ADJ在35Cl10,14+辐照时DC/DC变换
器出现6次异常，输出电压瞬间降为0，DC/DC变换器自动重新启动一次；在48Ti10,15+辐照时出现5
次异常，现象与35Cl10,14+辐照时相同；在79Br12,20+
辐照时完全失效，DC/DC变换器无法正常工作。BM2832MG在48Ti10,15+辐照期间出现1次异常，需
手动重新加电模块才能正常工作，在79Br12,20+辐照
期间出现4次同样的异常。 以BM2832MG（抗辐射加固芯片，LET阈值为15 MeV·cm-2）为参照基准，IRFR13N15D、
IRFC046N、LM2596-3.3、AT24C164等4个器件的抗单粒子能力要优于BM2832MG，LM2596-ADJ的抗单粒子能力低于BM2832MG。
4 结论 综合总剂量和单粒子试验的结果，以BM2832MG为参照基准，集成功率芯片LM2596-ADJ的抗辐射总剂量和单粒子能力均较差，其他器件优于BM2832MG。根据试验结果更换了LM2596-ADJ芯片。经过验证，产品的抗辐射性能有了明显提高，抗总剂量的阈值达到12.83 krad(Si)，单粒子效应阈值大于15 MeV·cm-2。
参考文献（References） [1] 于庆奎, 唐民, 朱恒静, 等. QJ10004—2008, 宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法[S]. 北京: 中国航天标准化研究所