哈尔滨工程大学模拟电子技术基础第四章

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哈工大电工4

哈工大电工4

AB AB
AB AB
A AB A
A AB AB
AB AC B C AB AC
4. 逻辑代数基本运算公式
6. 逻辑函数表示法与相互转换 7. 逻辑函数化简—— 公式法、卡诺图法
5. 逻辑代数基本定理
4. 逻辑代数基本运算公式 5. 逻辑代数基本定理
7. 逻辑函数化简—— 公式法、卡诺图法
& VO
如图是用来驱动发光二极管
+5V 270Ω
&
+12V
1
OC门(7406)驱动指示灯
(1)当输出高电平时,RP不能太大。 RP为最大值时要保证输出电压为VOH(min)。
由: VCC-VOH(min)= m' IIHRP(max)
得:
RP ( max )
VCC - VOH(min) m' IIH
7
0100
1111
13 1 1 0 1 1 0 1 1
8
1100
1110
14 1 1 1 0 1 0 0 1
9
1101
1010
15 1 1 1 1 1 0 0 0
1. 逻辑变量与逻辑函数 2. 基本逻辑运算
与、或、非(逻辑式、真值表、逻辑电路)
3. 常用复合逻辑运算
与非、或非、与或非、同或、异或(逻辑式、
数字通讯交换机、数字手机;
数字测量
仪器仪表;
数字控制;
数字计算机;
数字广播、数字电视;
数字手表;
数字照相机、数字摄像机。。。
1. 数制:计数体制(逢N进一)
■ 二进制、十进制、八进制、十六进制 ■ 各种数制之间的转换
2. 码制:用代码来表示不同事物或信息

模拟电子技术基础第四章

模拟电子技术基础第四章

VCC − U BE 0 IR = R
4.2.2
改进型电流源电路
T0、T1和T2特性完全相同,因而 β0= β1= β2= β, 特性完全相同,
1、加射极输出器的电流源 、
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1
加射极输出 器的电流源
而由于U 而由于 BE0=UBE1,IB1= IB0= IB
uI = ±1V
4—2 2
4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4
集成运放中的电流源电路
基本电流源电路 改进型电流源电路 多路电流源电路 以电流源为有源负载的放大电路 (1)提供静态偏置电流 )
电流源在电路中的作用 (2)作为有源负载(取代高阻值电阻 )作为有源负载 取代高阻值电阻) 取代高阻值电阻
↘ IC0↑ → IR↑→UR(RIR) ↑
→UB↓→IB↓
→ IC1↓
β = 10 I c1 = 0.83I R
不满足β>>2时,输出电流误差大 时
2、比例电流源 、
QU BE 0 + I E 0 Re 0 = U BE1 + I E1 Re1
I E ≈ I se
uBE UT
+Vcc IR IC0 T0 IB0 IB1 Re0 IE0 IE1 Re1 T1 R IB0+IB1 IC1
可见, 很小时也可认为I 当β=10 时, IC2≈0.984IR ,可见,在β很小时也可认为 C2≈IR , IC2受基 极电流影响很小。 极电流影响很小。
4.2.3
IR IC0 T0 Re0 R
多路电流源电路
IC1 IC2 IC3
T1 IE0 IE1 Re1 IE2
T2 Re2 IE3

哈工大模拟电子技术基础习题册

哈工大模拟电子技术基础习题册

模拟电子技术基础习题册班级:XXXX姓名:XXXX学号:XXXXXXXXX年XXX月第一章:基本放大电路习题1-1 填空:1.本征半导体是纯净的晶体结构的半导体,其载流子是自由电子和空穴。

载流子的浓度相等(空穴与自由电子数目相等)。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂,而少数载流子的浓度则与温度_有很大关系。

3.漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是 PN结具有单向导电性,它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。

5.稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征,而制造的特殊二极管。

它工作在反向击穿区。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将升高。

7.双极型晶体管可以分成 PNP型和 NPN型两种类型,它们工作时有空穴和电子两种载流子参与导电。

8.场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管两种类型,它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动;因而它又称做单极性晶体管器件。

9.场效应管属于-----电压控制电流控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

10.当温度升高时,双极性三极管的β将增大,反向饱和电流I CEO 增大正向结压降U BE 降低。

11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出电位最为方便。

12.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为发射结正偏和集电结反偏;饱和区,偏置为_发射结正偏和集电结正偏;截止区,偏置为发射结反偏和发射结反偏。

13.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将左移,输出特性曲线将上移,而且输出特性曲线之间的间隔将增大。

1-2 设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U0,已知稳压管的正向压降为0.7V。

图1-21-3分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。

《模拟电子技术基础》(第四版)_第4章

《模拟电子技术基础》(第四版)_第4章

代替RE,抑制共模干扰 效果好,KCMR大。
T3
T4
+VCC
I BQ1 I BQ 2 ICQ1 ICQ 2
ICQ3
ICQ1
2 I BQ 3 ICQ2
T1 T2 IE
ICQ4
RL
IO
Uo
ICQ3 ICQ1
ICQ 4 ICQ3
I O I CQ 4 I CQ 2 I CQ 3 I CQ1 I CQ1 I CQ1 0
id1 gm1ugs1
uo io RL 2id1RL 2 gm1ugs1RL
uo 2 gm1ugs1RL Au gm1RL uid 2ugs1
ii ib 2
作业:4.8
ic 2 i c3
ic5
ic 6
RL
io ic 6 ic3 ic5 ic 2 ic 2 ic 2
转移特性
Rid
FET1
+ VCC
ib1
T1
ie1 ic1
RE
T2
Rod rce 2 // rds 4
FET2
ui1
ic 2
io
id 4 FET4
ui 2
+
id1
FET3
id 3
RL
uo
-
io id 4 ic 2 id 3 ic1 ic1 ic1 2 ib1
B2
B3

C3
rce1
rce2 Ib2
Uo
• •
Ib3

3Ib3Байду номын сангаас
R

Ui rbe1

哈工程电工基础第一章至第四章知识总结

哈工程电工基础第一章至第四章知识总结

电工基础第一章至第四章知识总结一.电路与电路模型1.电流的参考方向可以任意指定,分析时:若参考方向与实际方向一致,则i>0,反之i<0。

电压的参考方向也可以任意指定,分析时:若参考方向与实际方向一致,则u>0反之u<0。

2.功率平衡一个实际的电路中,电源发出的功率总是等于负载消耗的功率。

3.全电路欧姆定律:U=E-RI4.负载大小的意义:电路的电流越大,负载越大。

电路的电阻越大,负载越小。

5.电路的断路与短路电路的断路处:I=0,U≠0电路的短路处:U=0,I≠0二.基尔霍夫定律1.几个概念:支路:是电路的一个分支。

结点:三条(或三条以上)支路的联接点称为结点。

回路:由支路构成的闭合路径称为回路。

网孔:电路中无其他支路穿过的回路称为网孔。

2.基尔霍夫电流定律:(1)定义:任一时刻,流入一个结点的电流的代数和为零。

或者说:流入的电流等于流出的电流。

(2)表达式:i进总和=0 或: i进=i出 (3)可以推广到一个闭合面。

3.基尔霍夫电压定律(1)定义:经过任何一个闭合的路径,电压的升等于电压的降。

或者说:在一个闭合的回路中,电压的代数和为零。

或者说:在一个闭合的回路中,电阻上的电压降之和等于电源的电动势之和。

(2)基尔霍夫电压定律可以推广到一个非闭合回路三.电位的概念(1)定义:某点的电位等于该点到电路参考点的电压。

(2)规定参考点的电位为零。

称为接地。

(3)电压用符号U表示,电位用符号V表示(4)两点间的电压等于两点的电位的差 。

(5)注意电源的简化画法。

四.理想电压源与理想电流源1.理想电压源(1)不论负载电阻的大小,不论输出电流的大小,理想电压源的输出电压不变。

理想电压源的输出功率可达无穷大。

(2)理想电压源不允许短路。

2.理想电流源(1)不论负载电阻的大小,不论输出电压的大小,理想电流源的输出电流不变。

理想电流源的输出功率可达无穷大。

(2)理想电流源不允许开路。

3.理想电压源与理想电流源的串并联(1)理想电压源与理想电流源串联时,电路中的电流等于电流源的电流,电流源起作用。

哈工程核学院核电子学模电基础

哈工程核学院核电子学模电基础

模电基础——(场效应管)
3.2.2 JFET的工作原理
栅源电压UGS的变化将 有效地控制漏极电流iD 的变化,体现了栅源 电压UGS对漏电流iD的 控制作用
模电基础——(场效应管)
3.2.3 JFET的伏安特性
输出特性
iD f (uDS ) uGS 常数
可变电阻区:场效应管可以看 成一个受uGS控制的可变电阻,即 压控电阻。
2.1 三极管(晶体管BJT)的结构及其类型
为实现电流控制和放大作用,晶体管的三个区在制作时结构、尺寸和掺杂 浓度要保证三点:
基区很薄,厚度只有几微米,掺杂浓度很低 发射区和集电区掺杂类型相同,但发射区掺杂浓度远大于集电区 集电结面积大于发射结面积
模电基础——(三极管)
2.2晶体管的三种连接方式
(a)以基极作为输入端,集电极作为输出端; (b)以基极作为输入端,发射极作为输出端; (c)以发射极作为输入端,集电极作为输出端。
模电基础——(二极管)
1.4 伏安特性 I IS (eU /UT 1)
UT T / q(常温下 26mV)
模电基础——(二极管)
1.5 温度对伏安特性的影响
模电基础——(二极管)
1.6二极管的电容效应
势垒电容CB
PN结上外加电压的 极性和大小变化
空间电荷区的宽度及其 里面存储的空间电荷量
击穿区:UCE增大到某一值时,IC会急剧上 升,集电结发生雪崩击穿。
模电基础——(三极管)
2.5 温度对晶体管参数的影响
对ICBO的影响 对UBE的影响
室温下集电极反向饱和电流ICBO很小;当温度升高时,少 子浓度增加, ICBO急剧增大,约1倍/10℃。 温度升高,特性曲线左移(IB一定时,随温度升高,UBE将 减小)。2~2.5mV/℃。与PN结正向伏安特性相似。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)第四章


仿真
静态时 UCE1 = +VCC , UCE2 = -VCC 。 Ucem = VCC - UCES
OCL电路省去了大电容, OCL电路省去了大电容,即改 电路省去了大电容 善了低频响应, 善了低频响应,又有利于实现 集成化,应用更为广泛。 集成化,应用更为广泛。
R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2
2. 具有较高的效率。 具有较高的效率。 放大电路输出给负载的功率由直流电源提供。 放大电路输出给负载的功率由直流电源提供。 直流电源提供 在输出功率比较大的情况下,效率问题更为重要。 在输出功率比较大的情况下,效率问题更为重要。 如果功率放大电路的效率不高,不仅造成能量的浪费, 如果功率放大电路的效率不高,不仅造成能量的浪费, 而且消耗在放大电路内部的电能将转换成为热量, 而且消耗在放大电路内部的电能将转换成为热量,使管 元件等温度升高, 子、元件等温度升高,因而不得不选用较大容量的放大 管和其他设备,很不经济。 管和其他设备,很不经济。 po 放大电路的效率可表示为η = p v 式中 po 为放大电路输出给负载的功率, 为放大电路输出给负载的功率, 而 pv 为直流电源Vcc所提供的功率。 为直流电源V 所提供的功率。
+VCC
ui
o
动画
uo
t
ic1
o
iL
RL
ic2 iL
o
t t t
ic2
ui > 0时VT1导通VT2截止。 导通VT 截止。 ui < 0时VT2导通VT1截止。 导通VT 截止。 iL = iC1 – iC2
o
交越失真
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2. OTL甲乙类互补对称电路 OTL甲乙类互补对称电路

模拟电子技术基础 第四版 童诗白 高等教育出版社 第四章答案

第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A .可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C .集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大 。

A .高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A . 指标参数准确B . 参数不受温度影响C .参数一致性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A .减小温漂B . 增大放大倍数C . 提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。

A .共射放大电路 B . 共集放大电路C .共基放大电路解:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

(1)运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。

( )(2)运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。

( )(3)运放的共模抑制比cd CMR A A K = ( ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。

( )(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( ) 解:(1)× (2)√ (3)√ (4)√ (5)×模拟电子技术基础 第四版三、电路如图T4.3所示,已知β1=β2=β3=100。

各管的U B E 均为0.7V ,试求I C 2的值。

图T4.3解:分析估算如下:100BE1BE2CC =−−=R U U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。

图T4.4(1)说明电路是几级放大电路,各级分别是哪种形式的放大电路(共射、共集、差放……);(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标(如增大放大倍数、输入电阻……)。

高教--模拟电子技术课程第四章

正反馈:
可以产生一定频率的振荡信号,常用于振荡电 路和波形产生电高路教--模拟电子技术课程第四章
反馈的框图
输入
净输入信号
叠加
±
放大器
反馈
信号 反馈网络
取+ 加强输入信号 正反馈
取 - 削弱输入信号 负反馈
高教--模拟电子技术课程第四章
开环 输出
闭环
负反馈放大器的组成
➢ 四种信号
净输入信号
输入信号
高教--模拟电子技术课程第四章
+ Xid Xi -
Xf
馈入端
基本 放大器
反馈网络
+
RL Uo
-
采样端 (并联采样)
电压反馈示意图
+ Xid Xi -
馈入X端f
基本 放大器
+
RL Uo
-
Io
Io
反馈网络
采样端
高教--模拟电子技术课程电第四流章 反馈示意图(串联采样)
二、电压反馈和电流反馈的判定
输出短路法: 将放大器的输出端(uo)对 “地”短路,若其反馈信
高教--模拟电子技术课程第四章
二、直流反馈和交流反馈的判定 反馈回路内只允许直流分量通过,并产生直流反馈, 即只对直流信号起作用的反馈-“直流反馈”; 反馈回路内只允许交流分量通过,并产生交流反 馈,即只对交流信号起作用的反馈-“交流反馈”;
有的反馈对交、直流信号均起作用-“交直流反馈”。
高教--模拟电子技术课程第四章
高教--模拟电子技术课程第四章
3. 电压反馈和电流反馈
一、电压反馈和电流反馈的概念
根据反馈所采样的输出信号的性质不同,可以 分为电压反馈和电流反馈
电压反馈:反馈信号取自输出电压信号。 电流反馈:反馈信号取自输出电流信号。

沈连丰《模拟电子技术基础》第4章 负反馈应用基础


| 1+A·F·| < 1时,

·
| Af |
·
>|A|,

··
| Xd | > | Xs|
④自激:
|
1+A·F·|
0
时,

··
AF =
-1时

·
| Af | ∞ ,

·
Xs =
0

有输出
·
Xo
“振荡”
Xf
F
Af
X·d = X·s-X·f
增益
···
A = Xo / Xd
[ A·u、A·i、A·r、A·g ]
反馈深度
·
D=
1

A·F·
4. 讨论 例: Au = 105 , R1 = 1k , R2 = 9k
+ Xd
Xs
A
Xo RL
·+
Ud -
A
·
+ Us
-

R2
·
Uf R1
·
F



Au

Uo

105
Ud
令:

Uo
10V

则: U d 0.1mV
10V

·

Uo RL
·
Uo



X

d

1

·
Xd

与 A·无关!

X

d

1

X s 1 AF
闭环增益

Af
X

-1时
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2
(a)理想运放
(b)实际运放
图4.1.1 运放的电路符号
反相输入端的负号“-”表示输出信号与该端输入信号反相位; 同相输入端的正号“+”表示输出信号与该端输入信号同相位; 符号“ ∞ ”表示理想运放的开环电压放大倍数为无穷大; 符号“A”表示实际运放的开环电压放大倍数为有限值。
3
三、组成方框图 集成运放电路由四部分组成,包括输入级、中间 级、输出级和偏置电路,如图4.1.2所示。
U0 = Ad ⋅Uid = Ad (U+ −U−) 0 0
所以
U0 U id = U + − U − = A0 d
7
因理想运放的开环电压放大倍数 A 限值,由上式可知 U id = U + − U − = 0
0d
=∞
,而 U 为有
0
U+ = U− 所以 A 考虑实际情况, 0d 只是趋于无穷大,两个输入端电 U 位只能是近似相等,这就是“虚短”的重要概念, ≈ U 即 。
+

结论2 两个输入端均不取电流 结论 因为输入电压为零,又因为理想运放的输入电阻为 I =I =0 无穷大,所以两个输入端的输入电流也均为零, 即 。 考虑实际情况,输入电阻只是趋于无穷大,两输入 电流只能是近似相等,并近似为零,这就是“虚断”的 I ≈I ≈0 重要概念,即 。
+ −
8
+

应当特别指出: 应当特别指出 (1)为了使集成运放工作在线性区,通常在集成运放输出端 至反相端之间接上反馈网络,构成深度负反馈闭环系统,以减 小运放的净输入信号,保护输出电压 不超过线性范围。 U0 (2)“虚短”和“虚断”是非常重要的概念,对于运放工作 在线性区的应用电路,“虚短”和“虚断”是分析其输入信号 和输出信号关系的两个基本出发点。 三、理想运放工作在非线性区时的结论 在电路中,若集成运放处于开环状态,甚至接入正反馈时, 则表明集成运放工作在非线性区。 对于理想运放,由于差模增益无穷大,只要同相输入端与 反相输入端之间由无穷小的差值电压,输出电压就将达到正的 最大值或负的最大值,其电压传输特性如图4.2.1所示。
9
图4.2.1 传输特性
理想运放工作在非线性区的两个特点是: (1)输出电压U 只有高、低两种电平(U 或U ),而 U 与 U 也不一定相等。 当 ; U + > U − 时,则 U o = U oH U+ < U− 当 时,则 U o = U oL ; 当 U + = U − 时,则高、低电平发生转换; (2)由于理想运放的差模输入电阻无穷大,故输入电 流为零,即 I + = I − = 0
1
(二)因为硅片上不宜制造高阻值电阻,所以在集 成运放中常用有源元件(晶体管或场效应管)取代 电阻。 (三)因为硅片上不能制作大电容,所以集成运放 均采用直接耦合方式。 (四)二极管多由集电极与基极短接的三极管构成 (五)电源电压较低,目的为了减小功耗便于安全 工作 二、集成运放的符号 【为了分析方便,用图4.1.1所示符号表示“集成 运放”,两个输入端和一个输出端。】
图4.1.2 集成运放结构方块图
4
(一)输入级(又称前置级) 它往往是一个双端输入的高性能差动放大电路。一般 要求其输入电阻高,差模放大倍数大,抑制共模信号的能 力强,静态电流小。 (二)中间级 中间级是整个放大电路的主放大器,其作用是使集成 运放具有较强的放大能力,多采用共射(或共源)放大电 路。 (三)输出级 输出级应具有输出电压线性范围宽、输出电阻小(即 带负载能力强)、非线性失真小等特点。集成运放的输出 级多采用互补对称输出电路。 (四)偏置电路 偏置电路用于设置集成运放各级放大电路的静态工作点。
5
四、集成运放的主要参数 (一)输入失调电压 U IO (二)输入偏置电流 I IB (三)输入失调电流 I IO (四)温度漂移 (五)最大差模输入电压 U id max 五、集成运放使用中的一些实际问题 根据系统对电路的要求来确定集成运放的类型。 一般应该选择通用型。可靠性是另一个需要注意的问 题。 必须指出,并不是愈选高档的型号质量就愈好。
第四章 集成运算放大器
4.1 集成运算放大电路概述 集成电路是一种将“管”和“路”紧密结合的器件,它 以半导体单晶硅为芯片,采用专门的制造工艺,把晶体管、 场效应管、二极管、电阻和电容等元件及它们之间的连线所 组成的完整电路制作在一起,使之具有特定的功能。 集成放大电路最初用于各种模拟信号的运算(如比例、 求和、求差、积分和微分等)上,故被称为集成运算放大电 集成运算放大电 路,简称集成运放 集成运放。 集成运放 一、特点: (一)各元件参数的对称性好,受环境温度和干扰等影响后 的变化也相同。
6
4.2 理想运放及其基本输入方式 一、理想运放模型 二、理想运放工作在线性区的结论 所谓工作在线性区是指集成运放内部电路中全部 三极管均工作在放大状态。 结论1 结论 两个输入端等电位。
0
理想运放工作在线性区时,它的输出电压U 与差模输 入电压 U id = U + − U − 之间满足以下关系
o
oH
oL
+

10
四、三种基本输入方式
(一)反相输入
图4.2.2 反相输入方式
R ' 的作用是使运放处于平衡状态,减小失调及温
度漂移。 R ' 的大小由下式决定
'பைடு நூலகம்
R = R1 / / RF
11
(二)同相输入
(三)差动输入
图4.2.3 同相输入方式
12
图4.2.4 差动输入方式
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