mcr100-6单向可控硅
台灯调光电路实验报告
模拟电子技术课程设计台灯调光电路班级：电0905-6班学号：20092404姓名：史奕完成日期：2011年7月1日摘要针对这次模电课程设计，我选择了台灯调光电路，我所设计的电路是一个可控硅调节电路，人们可以根据需要选择不同的光照强度。
将调光台灯放在卧室、客厅、书房满足人们的日常生活需求。
使人们的生活和学习更加方便，更加舒心。
选择这个设计电路，主要是考虑到该电路的实用性和可靠性，在该电路中，我采用了可控硅整流元件、4.7uF电解电容、led发光二极管、电位器等元件，其中单向可控硅是MCR100-6，二极管使用1N4007。
灯泡选择的是60W以下的白炽灯。
关键字：可调台灯可控硅目录1．设计内容及要求 (4)1.1 设计目的及主要任务 (4)1.2 设计思想 (4)2. 方案设计与实现 (5)2.1 可控硅原理 (5)2.2 可控硅控制电路的导通 (5)3 各个元件的参数分析与计算 (6)4 台灯调光电路的最终原理图与工作原理 (6)5 台灯调光电路的安装与调试 (7)5.1电路的焊接 (7)5.2 硬件的调试 (8)6 总结及心得体会 (8)7 课程设计评分标准 (9)8 参考文献 (9)9 元件列表 (10)1 设计内容及要求1.1 设计目的及主要任务设计目的：由于台灯调光电路具有很高的使用性、实用性，平时放在卧室里、书房里、客厅里，满足人们的需求，方便人们的生活。
设计任务：通过设计该电路，要充分了解并掌握电路的焊接方法、电路的工作设计原理，在设计电路的过程中，通过上网或查阅参考资料，提高自己独立分析问题、解决问题的能力。
了解各种常见电子器件的特性，学会撰写课程设计报告。
1.2设计思想图1台灯调光电路该方案可根据不同环境对光照的需求不同来调整在不同光强下关闭和打开电灯。
具有很大的实用价值。
2、方案设计与实现2.1 可控硅的原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。
贴片可控硅MCR100-6 SOT-23 规格参数
1单向可控硅 MCR100-6 (SOT-23)MCR100-6(SOT-23)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。
l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器- 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。
l 极限参数:l 电特性（T.=25℃）:名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=A2015/9/28 Mon 17:31:20共 1 页 第 1 页。
MCR100-6规格书
MCR100SCR1PLASTIC SILICONCONTROLLED RECTIFIERSDESCRIPTIONPNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.Supplied in an inexpensive plastic TO-92 package which isreladily adaptable for use in automatic insertion equipment.DESCRIPTION*Sensitive Gate Trigger Current - 200µA Maximum *Low Reverse and forward Blocking Current - 100µA Maximum, Tc=125°C*Low Holding Current – 5mA Maximum*Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity*Also Available with TO-5 or TO-18 Lead Form1:CATHODE 2:GATE 3:ANODETHERMAL CHARACTERISTICSPARAMETERSYMBOL MAX UNIT Thermal Resistance, Junction to Case R £c J C 75°C/W Thermal Resistance, Junction to AmbientR £c J A200°C/WABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPARAMETERSYMBOL MAX UNIT Peak Reverse Blocking VoltageMCR100-4MCR100-6MCR100-8V RRM200400600VForward Current RMSI T(RMS)0.8A Peak Forward Surge Current, TA=25°C (1/2 cycle, Sine Wave, 60Hz)I TSM 10A Circuit Fusing Considerations, TA=25°C (t=1 to 8.3 ms)I 2t 0.415A 2s Peak Gate Power – Forward, TA=25°C P GM 0.1W Average Gate Power – Forward, TA=25°CP GF(AV)0.01W Peak Gate Current – Forward, TA=25°C(300µs, 120PPS)I GFM 1A Peak Gate Voltage - ReverseV GRM 5V Operating Junction Temperature Range @ Rated VRRM and VDRMTj -65 to +110°C Storage Temperature Range Tstg-40 to +150°C Lead Solder Temperature (<1/16” from case, 10 s max)230°CMCR100SCRELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C unless otherwise stated)PARAMETER SYMBOL MIN MAX UNITPeak Forward Blocking Voltage(Tc=125°C)MCR100-4MCR100-6MCR100-8VDRM200400600VPeak Forward or Reverse Blocking Current (Rated VDRM or VRRM) Tc=25°CTc=125°C IDRM,IRRM10100µAµAForward “On” Voltage (Note1)(ITM=1A peak @ TA=25°C)VTM 1.7VGate Trigger Current (continuous dc) (Note 2) Tc=25 °C(Anode Voltage=7Vdc, RL=100Ω)IGT200µAGate Trigger Voltage (continuous dc)Tc=25 °C (Anode voltage=7Vdc, RL=100Ω)Tc=-40 °C (Anode Voltage=Rated VDRM, RL=100Ω)Tc=125 °C VGT0.10.81.2VHolding Current Tc=25 °C (Anode Voltage=7Vdc, initiating current=20mA)Tc=-40 °C IH510mANotes:1. Forward current applied for 1 ms maximum duration, duty cycle <=1%2. RGK current is not included in measurement.。
MCR100-6灵敏触发单向可控硅晶闸管
SENSITIVE GATEPNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers,small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.DESCRIPTIONFEATURES•Sensitive gate allows triggering by micro controllers and other logic circuits •Blocking voltage to 400V•On-state current rating of 0.8A RMS at 80°C •High surge current capability –10A•Minimum and maximum values of IGT, VGT and IH specified for ease of design •Immunity to dV/dt –20V/μsec minimum at 110°C•Glass-passivated surface for reliability and uniformityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ()T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J THERMAL RESISTANCESSILICON CONTROLLED RECTIFIERSSymbol ParameterCondition Ratings Units V DRM Repetitive Peak Off -State Voltage 400V I T (AV)Average On-State Current Half SineWave :T C =74°C 0.5A I T (RMS)R.M.SOn-State Current All Conduction Angle0.8A I TSM Surge On-State Current1/2Cycle,60Hz,Sine Wave Non -Repetitive10A I 2t I t for Fusingt =8.3ms0.415A2s P GM Forward Peak Gate Power Dissipation 0.1W P G (AV)Forward Average Gate Power Dissipation0.1W I FGM ForwardPeak Gate Current 1A V RGM Reverse Peak Gate Voltage 5V T J Operating Junction Temperature-40~125°C T STGStorage Temperature-40~125°C2Symbol ParameterValue Unit Rth(j-c)Junction to Case TO-9270°C/W Rth(j-a)Junction to AmbientTO-92180°C/WELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE NOTED )Notes:1.Pulse Width 1.0ms ,Duty cycle 1%2. Does not include RGKin measurement≤≤VOLTAGE CURRENT CHARACTERISTIC OF SCRSymbolItemsConditionsRatingsUnitMin.Typ.Max.I DRM Repetitive Peak Off-State CurrentV AK =V DRM or V RRM ;R GK =1000ohm T C =25°CT C =125°C────10200uA V TM Peak On-State Voltage (1)(I TM =1A,Peak )─ 1.2 1.7VI GT Gate Trigger Current(2)V AK =6V,R =100ohm L ,T C =25°C,T C =-40°C ──200uA ──500V GT Gate Trigger Voltage (2)V D =7V,R =100ohm L ,T C =25°C,T C =-40°C ──0.8V ── 1.2V GD Non-Trigger Gate Voltage (1)V AK =12V,R =100ohm,L T C =125°C 0.2──V dv/dt Critical Rate of RiseOff-State Voltage V D =Rated V DRM ,Exponential wave form,R GK =1ohm,000T J =125°C 2035─V/uS di/dt Critical Rate of RiseOff-State VoltageI PK =20A ;;di/dt=1A/uS Igt =20mA──50A/uS I HHolding CurrentV AK =12V,Gate OpenInitiating Curent=20mA T C =25°CT C =-40°C──2─5.010mAPACKAGE MECHANICAL DATA。
声光控路灯课程设计
1、设计内容图1 内容设计方框图a．根据本次课设题目在网上寻找相关资料，并找到相关的原理图，适当改变原理图中元件的相关参数。
b.购买原理图中的相关元件进行识别和测试。
包括各类电阻、电容、电感、二极管（稳压）、三极管和可控硅的数值、质量、电器性能的准确判断，尤其注意三极管的放大倍数的测量（声音拾取放大过程中的三极管要用放大倍数大的），上网了解可控硅，稳压管和光敏电阻的相关资料；c.根据原理图在万用板上布线，焊接电路，完成调试工作（重点是调试声控和光控，注意延时时间的调节。
有可能存在电路不能正常工作的检测）。
d．用protel绘制本次实验用的原理图，设计内容方框图，编写此次的设计实验报告书，相关的心得体会。
2、理论分析2.1声控原理介绍声控开关里有一个声音传感器（话筒），具体的说就是有一个小弹片来感应声音并通过一个继电器把声音信号转换成电信号，在声音足够大的时候电信号也足够大，这时候的电信号就传到开关的触头上，来使电路接通或者断开。
声控灯使用的声控开关,一般设计成在一段音频有效,只要音量达到与设计门限频率相符就可控制开关的通断.灯泡可以是多样的,只要电压相符,功率在开关可乘承受能力内就可用，即是满足功率的要求图2 声控原理图2.2光控原理介绍光控开关原理中的主要器件就是光敏电阻。
光敏电阻在有光照时候电阻值很小，当无光时候电阻变的很大，电路中主要是利用其阻值随光照的不同而改变进而来改变电路的某些元件的电压或电流来实现电路的光控。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，在半导体光敏材料两端装上电极引线。
为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。
构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体。
半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。
当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。
光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。
单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
最佳答案
最佳答案MCR100-6单向可控硅特点,先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流，通态压降低。
用途广泛应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率制。
杰宝莱科技供应定做充电器专用可控硅!产品类别:单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-IT(RMS):0.8A电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30µAIGT:30~60µA元件品牌, 型号MCR100-6 电流0.8（A）电压400（V）触发电流10-30/30-60m（A）结温110（℃）.产品型号：MCR100-8产品名称：KCD-MCR100-8产品型号：MCR100-8*元件品牌--韩国KCD*主要用途各种万能开关器，继电器与灯控制，小型马达控制器，漏电保护器，电子镇流器，传感与检测电路，摩托车点火器等线路功率控制。
*封装外形--TO-92*管脚排列--K-G-A*极限值--（Ta=25℃）Tstg—贮存温--------------------------------------40~150℃Tj—结温------------------------------------------65-125℃IT（max）—通态电流--------------------------------- 0.8AITSM—峰值正向浪涌电流(60HZ,正弦波, 1/2周期,)------------------------------- 10AVRRM反向重复峰值电压----------------------------------600VIGT触发电流-------------------------------10-30UA，30-60UA（IGT可根据客户要求订做：10-20，30-40，60-90，70-80，90-120）mac97A6是双向可控硅吗？他的参数是什么？浏览次数：52296次悬赏分：0 |解决时间：2007-3-24 04:39 |提问者：hankking最佳答案97A6 双向触发三极闸流晶体管用途：主要用于变频电路及调光、调速电路等。
MCR100-6参数
汕头华汕电子器件有限公司SiliconControlledRectifiersHCR100 系列█ 主要用途单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极 驱动、传感与检测电路等对应国外型号 MCR100 系列,P0102 系列█ 极限值（Ta=25℃）Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压 MCR100-6 ……………………………400V MCR100-8 ……………………………600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）…………………………… 0.8A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=74℃）…………………… 0.5A█ 外形图及引脚排列ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 10AVRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 ……………………………………………1.0A█ 电参数（Ta=25℃）参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件IDRM重复峰值断态电流 10 200 uA V uA V 0.8 1.2VAK=VDRM 或 VRRM, Ta=25℃ Ta=125℃VTM IGT VGT峰值通态电压 门极触发电流 门极触发电压1.21.7 200ITM=1.0AVAK =7V, RL=100 ohm VAK =7V, RL=100 ohm Ta=25℃Ta=-40℃ V mAVAK =12V, RL=100 ohmVGD IH门极不触发电压 维持电流0.2Ta=125℃ 2Rth(j-c) Rth(j-a)5 1060.0 150 ℃/W ℃/WVAK =12V，初始电流=50mA Ta=25℃Ta=-40℃ 结到外壳 结到环境热阻 热阻汕头华汕电子器件有限公司SiliconControlledRectifiers对应国外型号 MCR100 系列,P0102 系列HCR100 系列█ 特性曲线图一、HCR100-8 电流降额 （参考 ：管体温度） 图二、HCR100-8 电流降额 （参考 ：环境温度）Tc 最大允许管体温度（℃）IT（AV） 平 均 通 态 电 流（A）Ta 最大允许环境温度（℃）IT（AV） 平 均 通 态 电 流（A）。
可控硅的主要参数
可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称,亦称为晶闸管;具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一;该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等;家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件;按其工作特性,可控硅THYRISTOR可分为普通可控硅SCR即单向可控硅、双向可控硅TRIAC和其它特殊可控硅;可控硅的主要参数非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值;2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压;可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值;3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压;使用时,不能超过手册给出的这个参数值;4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压;5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流;近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等;可控硅的触发过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅;非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;可控硅的主要参数可控硅的主要参数:1 额定通态电流IT即最大稳定工作电流,俗称电流;常用可控硅的IT一般为一安到几十安;2 反向重复峰值电压VRRM或断态重复峰值电压VDRM,俗称耐压;常用可控硅的VRRM/VDRM 一般为几百伏到一千伏;3 控制极触发电流IGT,俗称触发电流;常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;可控硅的常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等;改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数一、参数_额定通态平均电流ITAV在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯负载、元件导通角大于己于170°电角度时,所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值;二、管的参数_通态平均电压UTAV在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值;三、单向参数_控制极触发电压UGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压;四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流;五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压;其数值规定为断态下重复峰值电压M的80%;六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压;其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%;一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压;七、单向可控硅参数_维持电压IH在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA;如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止;参数符号说明:ITAV--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IFAV--正向平均电流单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-ITRMS:电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30μA IGT:30~60μA 元件品牌, 型号MCR100-6电流A电压400V触发电流10-30/30-60mA结温110℃.单向可控硅-SCRs器件型号: MCR100-8封装形式: TO-92 脚位排列: K-G-A主要参数电流-ITRMS:电压-VDRM: ≥600V触发电流:IGT: 5~15 uA IGT: 10~30 uA IGT: 30~60 uA元件.型号MCR100-8电流A电压600V触发电流10-60uA结温110℃。
常用可控硅资料
序号产品型号电流电压触发电流封装形式1 BTA02-600 2A 600V TO-922 BTA03-600 2A 600V TO-126/ML3 BTN03-600 2A 600V TO-126/ML4 BTA16600B 16A 600V 35~50mA TO-220AB/FP5 BTF06-800 6A 800V 5~10mA TO-220AB/FP6 MCR100-6 1A 600V 10~30uA TO-927 MCR100-8 1A 800V 10~30uA TO-928 2P4M 2A 400V 10~30uA TO-2029 2P6M 2A 600V 10~30uA TO-20210 JCT05 5A 600V 5~10mA TO-202AB11 BT151 8A 600V 5~10mA TO-220AB12 BT169 1A 600V 10~50uA TO-9213 CT10 10A 600V 8~15mA TO-220AB/FP14 CT12 12A 600V 8~15mA TO-220AB/FP15 CT16 16A 600V 8~15mA TO-220AB/FP16 CT20 20A 600V 10~20mA TO-220AB/FP17 MAC97A6 1A 400V 1~5mA TO-9218 MAC97A8 1A 600V 1~5mA TO-9219 MAC223A6 1A 400V 50mA TO-220AB20 MAC223A8 1A 600V 50mA TO-220AB21 MAC223A8X 1A 600V 50mA SOT186A22 BT131-400D 1A 400V 1~5mA TO-9223 BT131-400E 1A 400V 5~10mA TO-9224 BT131-600D 1A 600V 1~5mA TO-9225 BT131-600E 1A 400V 5~10mA TO-9226 BT132-400D 1A 400V 1~5mA TO-9227 BT132-400E 1A 400V 5~10mA TO-92序号产品型号电流电压触发电流封装形式28 BT132-600D 1A 600V 1~5mA TO-9229 BT132-600E 1A 400V 5~10mA TO-9230 BT134-400D 4A 400V 1~5mA TO-126ML31 BT134-400E 4A 600V 5~10mA TO-126ML32 BT134-600D 4A 600V 1~5mA TO-126ML33 BT134-600E 4A 600V 5~10mA TO-126ML34 BT134-600D 4A 600V 1~5mA SOT8235 BT134-600E 4A 600V 5~10mA SOT8236 BT134-800D 4A 800V 1~5mA SOT8237 BT134-800E 4A 800V 5~10mA SOT8238 BT136-400D 4A 400V 1~5mA TO-220AB39 BT136-400E 4A 400V 5~10mA TO-220AB40 BT136-600D 4A 600V 1~5mA TO-220AB41 BT136-600E 4A 600V 5~10mA TO-220AB42 BT136-800D 4A 800V 1~5mA TO-220AB43 BT136-800E 4A 800V 5~10mA TO-220AB44 BT137-400D 8A 400V 1~5mA TO-220AB45 BT137-400E 8A 400V 5~10mA TO-220AB46 BT137-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB47 BT137-600E 8A 600V 5~10mA TO-220AB48 BT137-800D 8A 800V 1~5mA TO-220AB49 BT137-800E 8A 800V 5~10mA TO-220AB50 BT137X-600 8A 600V 35mA TO-220FP51 BT137X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP52 BT137X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP53 BT137X-800 8A 800V 35mA TO-220FP54 BT137X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP序号产品型号电流电压触发电流封装形式55 BT137X-800E 8A 600V 10mA TO-220FP56 BT137-600F 8A 600V 25mA TO-220AB57 BT137-600D 8A 600V 5mA TO-220AB58 BT137-600E 8A 600V 10mA TO-220AB59 BT137-800E 8A 600V 10mA TO-220AB60 BT137-600F 8A 600V 25mA TO-220AB61 BT138-400D 12A 400V 1~5mA TO-220AB62 BT138-400E 12A 400V 5~10mA TO-220AB63 BT138-600D 12A 600V 1~5mA TO-220AB64 BT138-600E 12A 600V 5~10mA TO-220AB65 BT138-600F 12A 600V 25mA TO-220AB66 BT138-800D 12A 800V 1~5mA TO-220AB67 BT138-800E 12A 800V 5~10mA TO-220AB68 BT138-800F 12A 800V 25mA TO-220AB69 BT138X-600 12A 600V 35mA TO-220FP70 BT138X-600F 12A 600V 25mA TO-220FP71 BT138X-800 12A 800V 35mA TO-220FP72 BT138X-800F 12A 800V 25mA TO-220FP73 BT139X-600 16A 600V 35mA TO-220FP74 BT139X-600F 16A 600V 25mA TO-220FP75 BT139X-800 16A 800V 35mA TO-220FP76 BT139-600 16A 600V 35mA TO-220AB77 BT139-600F 16A 600V 25mA TO-220AB78 BT139-800 16A 800V 35mA TO-220AB79 BT139-800F 16A 800V 25mA TO-220AB80 BT139-800G 16A 800V 50m TO-220AB81 BT139-600F 16A 600V 25mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式82 BT139-600G 16A 600V 50m TO-220AB83 BT139-600D 16A 600V 1~5mA TO-220AB84 BT139-600E 16A 600V 5~10mA TO-220AB85 BT139-800D 16A 800V 1~5mA TO-220AB86 BT139-800E 16A 800V 5~10mA TO-220AB87 BT139-800F 16A 800V 25mA TO-220AB88 BT139-800G 16A 800V 50m TO-220AB89 BT151-500R 12A 500V 2~15mA TO-220AB90 BT151-650R 12A 650V 2~15mA TO-220AB91 BT151-800R 12A 800V 2~15mA TO-220AB92 BT152 20A 800V 32mA TO-220AB93 BTA140-600 25A 600V 35mA TO-220AB94 BTA140-800 25A 800V 35mA TO-220AB95 BTA140B-500 25A 500V 35mA SOT-40496 BTA140B-600 25A 600V 35mA SOT-40497 BTA140B-800 25A 800V 35mA SOT-40498 BT145-800R 25A 800V 35mA TO-220AB99 BT148W-600R 1A 600V 0.2mA SOT223 100 BT148-400R 4A 400V 0.2mA SOT82 101 BT148-500R 4A 500V 0.2mA SOT82 102 BT148-600R 4A 600V 0.2mA SOT82 103 BT150-500R 4A 500V 0.2mA TO-220AB 104 BT150S-600R 4A 600V 0.2mA TO-252/D-PAK 105 BTA151-650R 12A 650V 4mA SOT82 106 BT151-500R 12A 500V 15mA TO-220AB 107 BT151-650R 12A 650V 15mA TO-220AB 108 BT151-800R 9A 800V 15mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式109 BT151X-500R 12A 500V 15mA TO-220FP 110 BT151X-650R 12A 650V 15mA TO-220FP 111 BT151X-800R 12A 800V 15mA TO-220FP 112 BT151S-500R 12A 500V 15mA TO-252/D-PAK 113 BT151S-650R 12A 650V 15mA TO-252/D-PAK 114 BT151S-800R 12A 800V 15mA TO-252/D-PAK 115 BT151B-500R 12A 500V 15mA TO-263/D2-PAK 116 BT151B-650R 12A 650V 15mA TO-263/D2-PAK 117 BT151B-800R 12A 800V 15mA TO-263/D2-PAK 118 BT151F-500R 9A 500V 15mA SOT-186 119 BT152-400R 20A 400V 32mA TO-220AB 120 BT152-600R 20A 600V 32mA TO-220AB 121 BT152-800R 20A 800V 32mA TO-220AB 122 BT152X-400R 20A 400V 32mA TO-220FP 123 BT152X-600R 20A 600V 32mA TO-220FP 124 BT152X-800R 20A 800V 32mA TO-220FP 125 BT152B-400R 20A 400V 32mA TO-263/D2-PAK 126 BT152B-600R 20A 600V 32mA TO-263/D2-PAK 127 BT152B-800R 20A 800V 32mA TO-263/D2-PAK 128 BTA204-600D 4A 600V 5mA TO-220AB 129 BTA204-600E 4A 600V 10mA TO-220AB 130 BTA204-600F 4A 600V 25mA TO-220AB 131 BTA204-800E 4A 800V 10mA TO-220AB 132 BTA204-600B 4A 600V 50mA TO-220AB 133 BTA204-600C 4A 600V 35mA TO-220AB 134 BTA204S-600B 4A 600V 50mA TO-252/D-PAK 135 BTA204S-600C 4A 600V 35mA TO-252/D-PAK序号产品型号电流电压触发电流封装形式136 BTA204S-600D 4A 600V 5mA TO-252/D-PAK 137 BTA204S-600E 4A 600V 10mA TO-252/D-PAK 138 BTA204S-600F 4A 600V 25mA TO-252/D-PAK 139 BTA204W-600D 1A 600V 5mA SOT223 140 BTA204W-600E 1A 600V 10mA SOT223 141 BTA204W-600F 1A 600V 25mA SOT223 142 BTA204W-600B 1A 600V 50mA SOT223 143 BTA204W-600C 1A 600V 35mA SOT223 144 BTA204X-600D 4A 600V 5mA TO-220FP 145 BTA204X-600E 4A 600V 10mA TO-220FP 146 BTA204X-600F 4A 600V 25mA TO-220FP 147 BTA208X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP 148 BTA208X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP 149 BTA208X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP 150 BTA208X-800E 8A 800V 10mA TO-220FP 151 BTA208-600D 8A 600V 5mA TO-220AB 152 BTA208-600E 8A 600V 10mA TO-220AB 153 BTA208-600F 8A 600V 25mA TO-220AB 154 BTA208-600B 8A 600V 50mA TO-220AB 155 BTA208-800B 8A 800V 50mA TO-220AB 156 BTA208S-600B 8A 600V 50mA TO-252/D-PAK 157 BTA208S-800B 8A 800V 50mA TO-252/D-PAK 158 BTA208S-600D 8A 600V 5mA TO-252/D-PAK 159 BTA208S-600E 8A 600V 10mA TO-252/D-PAK 160 BTA208S-600F 8A 600V 25mA TO-252/D-PAK 161 BTA208B-500B 8A 500V 50mA SOT-404 162 BTA208B-600B 8A 600V 50mA SOT-404序号产品型号电流电压触发电流封装形式163 BTA208B-800B 8A 800V 50mA SOT-404 164 BTA212X-600B 12A 600V 50mA TO-220FP 165 BTA212X-800B 12A 800V 50mA TO-220FP 166 BTA212X-600D 12A 600V 5mA TO-220FP 167 BTA212X-600E 12A 600V 10mA TO-220FP 168 BTA212X-600F 12A 600V 25mA TO-220FP 169 BTA212X-800E 12A 800V 10mA TO-220FP 170 BTA212X-600B 12A 600V 50mA TO-220FP 171 BTA212X-800B 12A 800V 50mA TO-220FP 172 BTA216X-600B 16A 600V 50mA TO-220FP 173 BTA216X-800B 16A 800V 50mA TO-220FP 174 BTA216X-600D 16A 600V 5mA TO-220FP 175 BTA216X-600E 16A 600V 10mA TO-220FP 176 BTA216X-600F 16A 600V 25mA TO-220FP 177 BTA216-600B 16A 600V 50mA TO-220AB 178 BTA216-800B 16A 800V 50mA TO-220AB 179 BTA216-600D 16A 600V 5mA TO-220AB 180 BTA216-600E 16A 600V 10mA TO-220AB 181 BTA216-600F 16A 600V 25mA TO-220AB 182 BTA225-600B 25A 600V 50mA TO-220AB 183 BTA225-800B 25A 800V 50mA TO-220AB 184 BTA225B-600B 25A 600V 50mA TO-263/D2-PAK 185 BTA225B-800B 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mcr100-6单向可控硅.txt两人之间的感情就像织毛衣，建立的时候一针一线，小心而漫长，拆除的时候只要轻轻一拉。
工作原理：电路如下图，220V市电通过灯丝、D3-D7、降压整流后，经过 R7 限流、D2、C3 稳压滤波为电路提供稳定的工作电压。
R4、RG 组成分压电路，白天由于光照 RG 阻值变小，YFA 1 脚电位被拉低，由与非门的逻辑关系可知此时YFA 3 脚输出为高电平，经过 YF2 反相变为低电平，D1 截止后级电路不动作。
晚上光线暗 RG 阻值变大，YFA 1 脚电位升高，如果此时有声音被 MIC 接收，经 C1耦合 T1 放大，在 R3 上形成音频电压，此电压如高于1/2 电源电压，则 YF1 3 脚输出低电平，经YFB反相，4 脚输出的高电平经 D1 向 C2 瞬间充电，使 YFC 输入端接近电源电压，10 脚输出低电平，由YFD 反相缓冲后经 R6 触发可控硅导通，电灯正常点亮。
（此时则由 C3 向电路供电）如此后无声被MIC接收，则 YFA 输出恢复为高电平，C2 通过 R5 缓慢放电，当 C2 电压下降到低于 1/2 电源电压时（按图中参数约一分钟）YFC 反转、 YFD 反转，可控硅（SCR）截止电灯关闭，等待下次触发。
元件选择：MIC 用驻极体话筒， RG 用一般光敏电阻即可，YFA-YFD 用一片低工耗COMS 四与非门电路 TC4011，T1用9014低频管，放大倍数越大灵敏度越高，D1用IN4148，D2是7.5v的稳压管，C2、C3用电解电容、SCR可选用 MCR100-6 1A的单向可控硅，电阻均为 1/8w 炭膜电阻，阻值按图。
D4-D7用IN4007，反向漏电必须小。
电灯的功率不能超过60W。
mcr100管脚排列为从左到右阴极K控制G阳极A
判断其好坏用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于 2 kΩ），反向电阻值较大（大于80 kΩ）。
若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K 极之间开路或短路。
若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效，其G、K极间PN结已失去单向导电作用。
测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻，正常时两个阻值均应为几百千欧姆（kΩ）或无穷大，若出现正、反向电阻值不一样（有类似二极管的单向导电），则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。
3．触发能力检测对于小功率（工作电流为5A以下）的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。
测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大（∞）。
用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路（见图8-16），相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆（具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异），则表明晶闸管因正向触发而导通。
再断开A极与G极的连接（A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉），若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。