仪器使用实验方法晶体管测试分析
实验10晶体管的简单测试
实验10晶体管的简单测试实验报告专业班级姓名实验组别__________ 同组成员实验日期实验成绩_________实验十晶体管的简单测试实验目的1、用万用表测试晶体二极管的极性并判断二极管的好坏2、用万用表判别晶体三极管的管型和管脚，判断三极管的好坏、电流放大倍数的大小以及I ceo的大小实验器材实验电路1、用万用表判断二极管的极性2、用万用表判断三极管的管型黑万用表BCECBEBCECBE实验步骤1、用万用表测试晶体二极管（1）判断二极管的极性若用黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极，则二极管处于正向偏置，呈现低阻，万用表指示电阻较小；反之，二极管处于反向偏置，呈现高阻，万用表指示电阻较大。
椐此可判断二极管的极性，测得电阻较小时，黑笔所连接的是二极管的正极，另一为负极。
（2）判断二极管的好坏方法与判断二极管的极性相同。
若两次测得电阻均小，则二极管内部短路；若两次测得电阻均大或为∞，则二极管内部开路；若两次测得的阻值差别很大，说明二极管极性较好。
2、万用表测试晶体三极管（1）用万用表判别晶体三极管的管型和管脚按照判别二极管极性的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此即为基极。
对NPN 型管，它是公共正极；对PNP 型管，则是公共负极；（2）判断三极管的好坏测试时用万用表分别测试三极管集电结与发射结的正反向电阻，若两个PN 结正、反向电阻正常，则三极管是好的；只要有一个PN 结的正、反电阻异常，则可判断三极管已损坏。
（3）判断电流放大倍数的大小以NPN 型三极管为例，将两个NPN 管分别接入图中所示的测试电路，万用表显示阻值小的，则电流放大倍数大。
思考：我们使用万用表的什么挡来测试晶体管？量程如何选择？实验总结：万用表B。
晶体管放大电路实验报告
实验2 晶体管放大电路专业学号姓名实验日期一、实验目的1.掌握如何调整放大电路的直流工作的。
2.清楚放大电路主要性能指标的测量方法。
二、实验仪器1.双踪示波器 1台2.函数发生器 1台3.交流毫伏表 1台4.直流稳压电源 1台三、实验原理和内容1.放大电路的调整按照图1安装电路，输入频率为1kHz、峰值为5m V（由示波器测量）的正弦信号vi,观察并画出输出波形；测量静态集电极电流I CQ和集-射电压V CEQ。
用你的测量数据解释你看到现象。
问题1：如何调整元件参数才能使输出不失真？如果要保证ICQ 约为2.5mA，具体的元件参数值是多少？图1 图2 实际使用电路在电路中换入你调整好数值的元件，保持原信号输入，记下此时的I CQ和V CEQ到表1，观察示波器显示的输出波形，验证你的调整方案，记下v0的峰值（基本不失真）。
注：由于实验中器件限制我们使用图2电路2.放大电路性能指标的测量1)保持调整后的电路元件值不变，保持静态电流I CQ为原来的值，输入信号V im=5mV,测量输入输出电阻，计算电路增益A V，Ri,Ro,并与理论值比较。
其原理如下：输出电阻Ro：测量放大器输出电阻的原理电路如图 2所示，其戴维南等效电压源u o’即为空载时的输出电压，等效内阻Ro即为放大器的输出电阻。
显然图3 图4输入电阻 R i：测量放大器输入电阻的原理电路如图3所示，由图可见2)保持Vim=5mV不变，改变信号频率，将信号频率从1kHz向高处调节，找出上限频率f H;同样向地处调节，找出下限频率f L。
作出幅频特性曲线，定出3dB带宽f BW。
四、仿真放大电路的调整2仿真电路如图4，输入频率为1kHz、峰值为5mV的正弦信号并测量I CQ和V CEQ图5 图6结论：1.示波器输出的波形如图5由图可知，电路产生饱和失真，故此时应该增大I b故应该增大R b。
2.在电路中由两个万能表测量得到：I CQ=7.214mA V CEQ=762.5mV。
晶体管的测量
1
管子类型 测量现象
对 换 表 笔
测量结论
测量结果呈低阻 １脚为C极 值时黑表笔所接 为Ｃ极，红表笔 所接为Ｅ极 测量结果呈低阻 １脚为E极 值时红表笔所接 为Ｃ极，黑表笔 所接为Ｅ极
b 2
1 b
NPN
R12＜＜R21
91k
PNP
2
R12＜＜R21
III. 直流放大系数的估计
在测好以上步骤的前提下，可测量管子的直流放大
R红黑与 R黑红
较接近
a
a
b
b
R红黑＞＞ R黑红
如图一
a为 测量结果呈低阻 好 正极 值时可判断黑表
R红黑＜＜ R黑红
如图二
管 b为 笔所接为正极， 正极 红笔所接为负极
图二
a
b
I.
二极管的测量
管子类型的判断：
硅管的正反向阻值一般比锗管大，所以当测得正向阻值在 500－1000欧之间，则为锗管 几千－几十千欧之间，则为硅管 且正反向阻值差别越大，管子性能越好。
晶体管的测量
测量工具及原理
测量工具: 万用表
万用表打到电阻档时 表内等效电路如下图 所示:
红笔
+
(利用万用表电阻档的内电源特性).
测量原理: 根据二极管单向导电特性.
其中 R 0 为等效内阻, E 0 为表内的电源 电压.当万用表处于R×1,R×10, 0 R×100,R×1K档时,一般 E=1.5V
选用R×100档或R×1K档，用红表笔接二极管的一端 (假设为a端)，黑表笔接另一端(假设为b端) ，记下此时 的电阻值R红黑。 把万用表表笔对换，可记下另一个电阻值R黑红。
现象记录
R红黑= R黑红=0
实验二 晶体管的伏安特性及温度特性
实验二晶体二极管的伏安特性及其温度特性实验目的：1．了解晶体二极管伏安特性曲线及其与温度的关系。
2．掌握V j~T，I r~T以及伏安特性与温度之间关系的测量方法。
3．掌握用图示仪测量各类晶体二极管的特性曲线及各项参数的测量方法。
4．了解晶体管特性图示仪的基本工作原理及使用方法。
一实验原理在同一块P型（或N型）硅半导体中，用扩散或合金方法将其中一部分掺入施主杂质（磷、镓）或受主杂质（硼、铝）使之由P型转变成为N型（或由N型转变成为P 型）半导体，在P型区和N型区的交界处就形成了P—N结，如图一所示。
(a)图一PN结的形成图在P型半导体与N型半导体组合成为P—N结后，在P—N结的交界上就出现了电子和空穴的浓度差；N型区的电子浓度比较高，而P型区的空穴浓度比较高，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
因此有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P型和N型区中原来的电中性条件破坏了：在P—N结交界面附近，P型一边失去了带正电的空穴和接受了带负电的电子，因而带了负电。
N型一边失去了带负电的电子和接受了带正电的空穴，因而带了正电。
由于正负电荷之间的相互吸引，这些电荷将集中分布在P—N结的交界面附近，形成空间电荷区。
在出现空间电荷以后，电于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成了一个内建电场，其方向是从带正电的N型区指向带负电的P型区的，如图一（b）所示。
在电场出现以后，电子和空穴除了由于浓度不同继续作扩散运动外，还要在电场作用下作漂移运动。
根据电场方向和电子空穴带电符号容易看出，这个电场将使空穴从N向P区漂移，使电子从P区向N区漂移，其作用正好与扩散运动相反，当漂移运动与扩散运动相等时，载流子的扩散作用与漂移作用完全抵消，N区和P区的空间电荷不再继续增多，这就达到P-N结的平衡状态。
在平衡状态状态，内建电位差实际上就是不同半导体接触时的接触电位差。
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-1品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅目一、目的(Purpose)二、范围(Scope)录（directory）三、注意事项（Attention）四、使用方法（Usemethod）五、测试实例说明(TestCaseSpecification)修订日期2019.9.3版次修订内容B首次发行制定彭礼审核核准日期深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-2品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅一、目的为使晶体管检测仪有一定的操作方法，标准与步骤依循。
二、范围适用于：HZ4832。
三、注意事项1.在测量三极管的输出特性时，阶梯电流就不能太小，否则，不能显示出三极管的输出特性。
阶梯电流更不能过大，这样容易损坏管子，应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.“集电极功耗电阻”的选用当测量晶体管的正向特性时，选用低阻档；当测量反向特性时，选用高阻档。
集电极功耗电阻过小时，集电极电流就过大；若集电极功耗电阻过大，就达不到应该有的功耗。
3.仪器工作电压超过36V，注意用电安全。
4.在使用过程中一定要先确定待测元件的特性参数，以免损坏元件和实验仪器。
5.在显示调节聚焦和辉度时以屏幕显示适中为佳，过焦过亮会缩短示波管寿命。
6.元件测试过程中切勿用手接触裸露带电部位，以免造成数据失真和人身安全。
7.元件测试参照测试实例调节相应参数。
四、操作步骤与方法如下1.仪器使用前准备工作1.1确认输入电源电压并可靠接通仪器，确认仪器电源开关未被拉出，确认测试台和转换座可靠连接在实验仪上。
1.2开机预热2-3分钟，调整显示屏聚焦和辉度，以显示适中为佳。
1.3对应测试元件选择合适的转换座接入测试台。
2.使用仪器测试2.1按元件极性接入相应的测试台或转换座，调整仪器，以特性曲线正确显示在屏幕中央为准。
晶体管直流参数测量
晶体管直流参数测量晶体管直流参数测量是对晶体管的直流工作状态进行精确测量的过程，通过测量晶体管的直流参数，可以了解晶体管的工作特性和性能，为电路设计和制造提供重要的参考。
以下是关于晶体管直流参数测量的一些内容，旨在帮助您理解该过程的基本原理和方法。
首先，晶体管的直流参数通常包括：输入电阻（RI）、输出电阻（RO）、转移电阻（hFE）、饱和电流（IS）、饱和电压（VSAT）等。
这些参数决定了晶体管在电路中的功耗、增益和稳定性等性能。
测量晶体管的直流参数可以使用万用表、直流电压源和恒流源等仪器和设备。
下面将介绍一些常用的测量方法。
1.输入电阻的测量：输入电阻是指晶体管的输入端电压与输入端电流的比值。
为了测量输入电阻，可以将晶体管的基极和发射极断开，并用直流电压源施加一个小信号电压（VBE）作为输入电压，然后测量输入电流（IBE）并计算输入电阻（RI）。
2.输出电阻的测量：输出电阻是指晶体管的输出端电压与输出端电流的比值。
为了测量输出电阻，可以将晶体管的基极和集电极断开，并用直流电压源施加一个小信号电压（VCE）作为输出电压，然后测量输出电流（IC）并计算输出电阻（RO）。
3.转移电阻的测量：转移电阻是指晶体管的集电极电流与基极电流的比值。
为了测量转移电阻，可以将晶体管的集电极和发射极断开，并使用恒流源施加一个小信号电流（IB）作为输入电流，然后测量集电极电流（IC）并计算转移电阻（hFE）。
4.饱和电流和饱和电压的测量：饱和电流是指晶体管的集电极电流达到最大值时的电流，饱和电压是指晶体管在饱和工作区时的电压。
可以使用恒流源和恒压源来测量饱和电压和饱和电流。
通过改变基极电流或集电极电压的大小，并观察晶体管的工作状态，可以确定饱和电流和饱和电压的值。
总结起来，晶体管直流参数的测量需要用到各种仪器设备，并且需要根据测量的参数类型选择合适的测量方法。
在实践操作中，需要注意测量精度、测量环境的稳定性和测量的实际情况等因素，以确保测量结果的准确性。
晶体管图示仪的测试原理
晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。
它通过对晶体管进行电流-电压（I-V）特性曲线的测量，来评估晶体管的工作状态和性能。
晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面：1. 电流-电压特性测量：晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压，测量晶体管的电流-电压特性曲线。
这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态，以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
2. 输入输出特性测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。
输入特性是指在给定的集电极电压下，测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系；输出特性是指在给定的基极电流下，测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。
通过测量输入输出特性，可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
3. 频率响应测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。
频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。
通过测量频率响应，可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。
4. 功率测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。
功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。
通过测量功率特性，可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。
晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。
晶体管是一种半导体器件，其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。
晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流，可以改变晶体管的工作状态，从而测量和分析晶体管的性能。
总之，晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性，来评估晶体管的工作状态和性能。
它是一种重要的测试仪器，用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。
晶体管特性测试实验报告
试验一晶体管特性测试
李泽电子信息科学与技术2008118038
(一)二极管伏安曲线测试方法
试验目的测试二极管的伏安特性曲线，加深对二极管特性的理解。
试验内容
1．按图a安装好电路，调节阻值，逐点测量二极管上的电压和电流，测量电流时，可通过测量电阻上的电压而计算出。
2．按图b安装电路，测反向特性，按表逐点测量并记录数据。
（二）三极管伏安曲线测试方法
试验目的测试晶体三极管的输出曲线，加深对三极管伏安特性的理解。
试验内容
1．按图安装电路
2．按表测试，测试数据填入表中。
晶体管单管共射放大器实验报告
一、实验目的1. 理解晶体管单管共射放大器的工作原理。
2. 掌握晶体管单管共射放大器静态工作点的调试方法。
3. 学习放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。
4. 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。
二、实验原理晶体管单管共射放大器是一种常用的模拟电子电路，主要用于信号的放大。
本实验采用共射极接法，其基本电路如图1所示。
图1 晶体管单管共射放大器实验电路1. 静态工作点：晶体管单管共射放大器的静态工作点是指在没有输入信号时，晶体管的工作状态。
它决定了放大器的线性范围和输出信号的幅度。
静态工作点通常由偏置电路确定。
2. 电压放大倍数：电压放大倍数是指放大器输出电压与输入电压的比值。
它反映了放大器对信号的放大能力。
3. 输入电阻：输入电阻是指放大器输入端对信号源呈现的电阻。
它反映了放大器对信号源的影响。
4. 输出电阻：输出电阻是指放大器输出端对负载呈现的电阻。
它反映了放大器对负载的影响。
三、实验仪器与设备1. 晶体管（如3DG6）2. 电阻（如10kΩ、2.2kΩ、1kΩ、220Ω、100Ω、10Ω等）3. 电位器（如10kΩ）4. 直流电源（如+12V）5. 函数信号发生器（如AS101E）6. 双踪示波器（如DS1062E-EDU）7. 交流毫伏表（如GB7676-98）8. 直流电压表9. 万用电表四、实验步骤1. 根据实验电路图，搭建晶体管单管共射放大器实验电路。
2. 调节偏置电路，使晶体管工作在合适的静态工作点。
测量静态工作点（Uce、Ic）。
3. 在放大器输入端加入频率为1kHz的正弦信号，调节函数信号发生器的输出幅度，使放大器输入电压在合适的范围内。
4. 测量放大器的输出电压，计算电压放大倍数。
5. 测量放大器的输入电阻和输出电阻。
6. 测量放大器的最大不失真输出电压。
五、实验数据及分析1. 静态工作点：Uce=3V，Ic=2mA。
2. 电压放大倍数：Aυ=20倍。
晶体管直流参数测试仪DY294
晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。
该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。
测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。
注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。
总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。