半导体二极管及其基本电路(12)
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
二极管的工作原理
二极管的工作原理一、引言二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它具有非常重要的作用，可以将电流限制在一个方向上流动，实现电路的整流、开关等功能。
本文将详细介绍二极管的工作原理及其相关概念。
二、二极管的基本结构二极管由两个半导体材料（通常是P型和N型）组成，形成一个PN结。
P型半导体中的杂质含有三价原子，N型半导体中的杂质含有五价原子。
PN结的形成是通过将P型半导体和N型半导体材料通过热扩散或外加电场结合在一起。
三、二极管的工作原理1. 正向偏置当外加电压的正极连接到P型半导体，负极连接到N型半导体时，这被称为正向偏置。
在这种情况下，P型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会向PN结扩散。
当空穴和自由电子相遇时，它们会发生复合，形成一个正离子和一个负离子。
这些离子会在PN结中形成一个耗尽区域，其中没有可移动的电荷。
2. 反向偏置当外加电压的正极连接到N型半导体，负极连接到P型半导体时，这被称为反向偏置。
在这种情况下，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子相互吸引，它们被迫远离PN结。
这样就形成了一个宽耗尽区域，其中没有可移动的电荷。
四、二极管的特性1. 电流-电压关系在正向偏置下，当外加电压小于二极管的正向压降（通常是0.6-0.7V），二极管几乎不导电。
当外加电压大于正向压降时，二极管开始导通，电流随电压的增加而迅速增加。
在反向偏置下，二极管只有在反向击穿电压（通常是几十伏到几百伏）时才会导通。
当外加电压小于反向击穿电压时，二极管处于截止状态，几乎不导电。
2. 截止和导通状态在正向偏置下，二极管处于导通状态。
当外加电压大于正向压降时，二极管的电阻变得非常小，电流可以通过。
在反向偏置下，二极管处于截止状态。
当外加电压小于反向击穿电压时，二极管的电阻非常大，几乎不导电。
3. 温度特性二极管的导通特性会受到温度的影响。
通常情况下，随着温度的升高，二极管的正向电压降低，导通电流增加。
五、二极管的应用1. 整流器二极管可以将交流信号转换为直流信号，实现电路的整流功能。
二极管工作原理
二极管工作原理一、引言二极管是一种最基本的电子元件，广泛应用于电子电路中。
了解二极管的工作原理对于理解电子电路的基本原理至关重要。
本文将详细介绍二极管的工作原理及其相关知识。
二、二极管的结构二极管由P型半导体和N型半导体组成，其中P型半导体富含正电荷载流子（空穴），N型半导体富含负电荷载流子（电子）。
这两种半导体材料通过PN结相连，形成了二极管的结构。
三、二极管的工作原理1. 正向偏置当外加电压的正极连接到P区，负极连接到N区时，形成了正向偏置。
在这种情况下，电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动。
这些移动的载流子通过PN结相互复合，产生电流。
此时，二极管处于导通状态。
2. 反向偏置当外加电压的正极连接到N区，负极连接到P区时，形成了反向偏置。
在这种情况下，由于PN结两侧的载流子浓度差异，会形成电场。
这个电场会阻碍电子和空穴的移动，使得二极管处于截止状态。
此时，二极管不导电。
四、二极管的特性曲线二极管的特性曲线是描述二极管电流与电压之间关系的图形。
通常有两种常见的特性曲线：正向特性曲线和反向特性曲线。
1. 正向特性曲线正向特性曲线描述了二极管在正向偏置下的电流与电压之间的关系。
当正向电压增加时，二极管的电流也会增加，但是增长趋势会逐渐变缓，直到达到饱和状态。
此时，二极管的电流基本保持不变。
2. 反向特性曲线反向特性曲线描述了二极管在反向偏置下的电流与电压之间的关系。
当反向电压增加时，二极管的电流会非常小，处于微弱的反向漏电状态。
当反向电压超过二极管的耐压值时，二极管会发生击穿，电流急剧增加。
五、二极管的应用二极管作为一种基本的电子元件，广泛应用于各种电子电路中。
以下是二极管的几个常见应用：1. 整流器二极管可以将交流电转换为直流电，实现整流功能。
通过将二极管连接在电路中，可以使得电流只能在一个方向上流动，实现对电流的控制。
2. 信号检测器二极管可以用作信号检测器，将输入信号转换为可用的直流信号。
电路与模拟电子技术-常用半导体器件与二极管电路
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5.1.4 杂质半导体
三价元素硼(B)
掺通入常三杂价质元半素导的体杂中质的半导多体子，的由数于量空可穴达载到流少子子的数数量量大的大10于10自倍由或电 更子多载，流因子此的，数掺量杂而半称导为空体穴要型比半本导征体半，导也体叫的做导P型电半能导力体增。强P型几半十 万导倍体。的多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电。
极管，由于反向饱和电流很小可以忽略不计， 穿
因此这一段范围可称为反向截止区。
区
外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，二极管失去单向 导电性，进入反向击穿区。
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5.2.3 二极管的主要技术参数
最大耗散功 率Pmax指通过 二极管的电 流与加在二 极管两端电 压的乘积。 最大耗散功 率是二极管 不能承受的 最高温度的 极限值。超 过此值，二 极管将烧损。
内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小， 几乎为零。这一区域称之为死区。
外加正向电压超过死区电压（硅管0.5V， 锗管0.1V）时，内电场大大削弱，正向电流
正
向 导 通 死区 区
迅速增长，二极管进入正向导通区。
反向截止区
当二极管两端加反向电压时，将有很小的、 反
向
由少子漂移运动形成的反向饱和电流通过二 击
外壳 金属触丝 PN结
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1
1. 点接触型
2
2. 面接触型
3
3. 平面型
铝合金小球 底座
正极引线 PN结 金锑合金
负极引线
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面接触型二极管特点
面接触型二极管 的PN结面积较大 ，允许通过较大 的电流(几安到 几十安)，主要 用于把交流电变 换成直流电的整 流电路中，也可 以用于大电流开 关元件。
半导体二极管及其应用习题解答
半导体二极管及其应用习题解答Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。
教学内容与教学要求如表所示。
要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。
主要掌握半导体二极管在电路中的应用。
表第1章教学内容与要求内容提要1.2.1半导体的基础知识1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。
本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N 型半导体，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N 型半导体呈电中性。
(2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P 型半导体。
P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P 型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN 结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
模电复习有答案
A．微分运算 B．积分运算 C．同相比例
2、为了获得输入电压中的低频信号，应选用
B 电路。
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
3、某滤波电路的传递函数为
请问该滤波电路是 C
A（ u s） 132sss2
。
，
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
精选课件
21
例题
4、某滤波电路的传递函数为
A．—3V
B．3V C．12V
精选课件
4
例题
7、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为
5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电
路的输出电压Vo为____C_____。
A．4.3V B. 8V C. 5V
D. 0.7V
精选课件
5
半导体三极管及其放大电路基础
放大电路的组成原则与工作特点 用估算法计算放大电路的静态工作点 工作点合理的设置对实现不失真放大的影响 用小信号模型分析法计算放大电路的增益、输
RC正弦波振荡电路的组成及起振、稳幅条 件、振荡频率的计算
LC正弦波振荡的相位条件、振荡频率的计 算
单门限电压比较器、滞回比较器工作原理及 应用
精选课件
24
例题
1、正弦波振荡器的振荡条件为 A
A．A•
•
F
1
B．A• F• 1
C．A•
•
F
0
2、石英晶体发生串联谐振时，呈现
。
D．A•
•
F
1
B。
A．电感性
8
例题
8、放大电路如图所示。已知Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ， Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V， β =150，rbb′=200Ω。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用
《模拟电子技术》(余红娟)电子教案第1章 半导体二极管 电子课件
术
流子，在N区内，“空穴”称 为少数载流子，扩散到对方的
专
“电子”或“空穴”称为“非
业
平衡少数载流子”。P型半导 体体内的“空穴”成为P型半
教
导体的“多子”，同理，N型 半导体内的“电子”称为N型
学
半导体的“多子”。这些非平
资
衡少数载流子的注入，必然与 对方的多子复合，在交界面附
源
近使载流子成对的消失，并且 各留下不能移动的正、负离子，
设
常，较长引线表示正极（＋），另一根为负极（－）。 测试方法与 普通二极管一样
金华职业技术学院
应 二极管的应用: 例1 LED节能灯
用
电
子
技
术
专
业
教
整流二极管: 整流电流0.5A, 反向压降600V
学
资
稳压二极管: 稳压电压20V, 额定功率1W
源
LED: 正向压降3V以上
建
说明本电路工作原理:R1、C1降压\QZ整流桥把交流变成直
技 ＝1kΩ，未经稳压的直流输入电压Ui＝24V。
术 专
（1）试求Uo、Io、I 及Iz； （2）若负载电阻RL 的阻值减小为0.5K，再求Uo、Io、I 及Iz。
业
教
学
资
源
建
设
金华职业技术学院
当P区电位低于N区电位——PN结反向偏置时，回路基本无电流产生，
源
PN结趋于截止。
建
由于正反向电流相差悬殊，所以PN结具有单向导电的性质
设
金华职业技术学院
应
二极管----单向导电性
用
电
将一个“PN”结
子
封装在一个密
技
电路第-8-章-半导体二极管及应用-课件1.ppt
能力明显改变。
8.1 半导体基础
半导体种类：N型半导体和P型半导体
Si
Si
pS+i
Si
多余电 子
N型半导体：
在纯净的四价半导体中 掺入微量五价元素磷 （P）形成的半导体。
第八章 半导体二极管及其应用
8.1
半导体的基本知识
8.2
半导体二极管
8.3
半导体二极管的应用
8.1 半导体基础
1. 半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物体 2. 半导体材料：硅（Si）和锗（Ge）
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
8.1 半导体基础
3. 半导体导电特性：热敏性、光敏性、掺杂性
8.2 半导体二极管
4、特性：单向导电性
图1
图2
若 VP >VN(UD正向偏置 )，二极管导通 若 VP <VN(UD反向偏置 )，二极管截止
8.2 半导体二极管
I
正向特性
特点：非线性
+ P
– N
反向击穿 电压U(BR)
Is
反向电流 Is在一定电压 范围内保持 常数。
– P
+N
反向特性导通Leabharlann 降硅0.7V,锗0.3V U
8.3半导体二极管的应用
➢整流二极管
交流 整流 电压
脉动 直流电压
➢稳压二极管
有波纹的 稳压 直流
直流电压
电压
8.3 半导体二极管的应用