半导体说明书
TDK-Lambda半导体产品手册2022说明书

半导体公司背景• 成立于 1945 年;财务状况保持长期稳定• 工业电源行业市场领导者• 高可靠性和长寿命特色得到全球公认• 出色的客户支持服务• 本地影响力强大的国际化公司 • • • • TDK-Lambda 是一家向全球提供值得信赖,创新的高可靠工业电源解决方案的行业领导公司。
TDK-Lambda 公司在中国、日本、欧洲、美国和东南亚的全球 5 大区域均拥有研发、制造、销售,售后服务和应用技术支持等完整的体制,随时随地快速地对应客户的各种各样需求。
作为在全球工业级电源市场知名品牌,TDK-Lambda 的高可靠供电方案广泛用于关键的半导体制造和测试设备。
产品和特点• 标准型号,改进方案以及全面的定制设计• A C-DC 电源 + DC-DC 电源 + 可编程电源 + EMC 滤波器• 产品适合半导体制造和测试老化设备• 符合 SEMI-F47(部分产品)• TDK 集团全球统一高标准的工厂制造充分利用我们丰富的专业知识我们致力于为半导体设备用户提供专业电源产品,拥有几十年的丰富行业经验和扎实的专业知识。
客户可以在设备供电架构设计、产品选型、应用支持、电磁兼容性和定制解决方案等方面获得我们的帮助和建议。
• 广受全球各大顶级半导体设备公司认可的供应商• 全球标准设计、多家自有工厂制造和本地快速技术支持安全认证和丰富测试数据支持TDK-Lambda 可以在设计和制造电源产品时使用自有测试设备提供丰富测试数据。
TDK-Lambda 的电源产品通过权威认证,符合最新安全和EMC 标准要求。
• 符合 EN 、UL62368-1相关安全标准• 官网提供UL 和 CB 安全报告及丰富的功能、可靠性、EMC 测试数据丰富多样的半导体制造和测试设备电源解决方案TDK-Lambda 提供丰富的半导体制造和测试设备用电源产品,拥有超过 5000 种型号的标准工业级 AC-DC 电源、DC-DC 电源和 EMC 滤波器,为您提供多种选择。
中微半导体CMS89F11x用户手册说明书

CMS89F11x用户手册AD型MCUV1.3请注意以下有关CMS知识产权政策*中微半导体公司已申请了专利,享有绝对的合法权益。
与中微半导体公司MCU或其他产品有关的专利权并未被同意授权使用,任何经由不当手段侵害中微半导体公司专利权的公司、组织或个人,中微半导体公司将采取一切可能的法律行动,遏止侵权者不当的侵权行为,并追讨中微半导体公司因侵权行为所受的损失、或侵权者所得的不法利益。
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文中提到的应用其目的仅仅是用来做说明,中微半导体公司不保证和不表示这些应用没有更深入的修改就能适用,也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成危害的地方。
中微半导体公司的产品不授权适用于救生、维生器件或系统中作为关键器件。
中微半导体公司拥有不事先通知而修改产品的权利,对于最新的信息,请参考我们的网站目录使用注意事项 (1)1.产品概述 (2)1.1功能特性 (2)1.2系统结构框图 (3)1.3管脚分布 (4)1.4管脚描述 (6)1.5系统配置寄存器 (7)1.6在线串行编程 (8)2.中央处理器(CPU) (9)2.1内存 (9)2.1.1程序内存 (9)2.1.2数据存储器 (14)2.2寻址方式 (16)2.2.1直接寻址 (16)2.2.2立即寻址 (16)2.2.3间接寻址 (16)2.3堆栈 (18)2.4工作寄存器(ACC) (19)2.4.1概述 (19)2.4.2ACC应用 (19)2.5程序状态寄存器(STATUS) (20)2.6预分频器(OPTION_REG) (21)2.7程序计数器(PC) (23)2.8看门狗计数器(WDT) (24)2.8.1WDT周期 (24)3.系统时钟 (25)3.1概述 (25)3.2系统振荡器 (26)3.2.1内部RC振荡 (26)3.2.2外部XT振荡 (26)3.3起振时间 (26)4.复位 (27)4.1上电复位 (27)4.2掉电复位 (28)4.2.1掉电复位的改进办法 (29)4.3看门狗复位 (29)5.1休眠模式 (30)5.1.1休眠模式应用举例 (30)5.1.2休眠模式的唤醒 (31)5.1.3休眠模式唤醒时间 (31)6.I/O端口 (32)6.1I/O口结构图 (33)6.2I/O口模式及上、下拉电阻 (34)6.2.1P0口 (34)6.2.2P1口 (36)6.2.3P2口 (38)6.2.4写I/O口 (39)6.2.5读I/O口 (39)6.3I/O口使用注意事项 (40)7.中断 (41)7.1中断概述 (41)7.2中断控制寄存器 (42)7.3中断请求寄存器 (43)7.4总中断使能控制寄存器 (44)7.5中断现场的保护方法 (45)7.6外部中断 (46)7.6.1外部中断控制寄存器 (46)7.6.2外部中断0 (47)7.6.3外部中断1 (48)7.6.4外部中断2 (48)7.6.5外部中断的响应时间 (48)7.6.6外部中断的应用注意事项 (48)7.7P0电平变化中断 (49)7.8内部定时中断 (50)7.8.1TMR1中断 (50)7.8.2TMR2中断 (51)7.9ADC中断 (52)7.10中断的优先级,及多中断嵌套 (54)8.定时计数器TMR0 (56)8.1定时计数器TMR0概述 (56)8.2与TMR0相关寄存器 (58)8.3使用外部时钟作为TMR0的时钟源 (59)8.4TMR0做定时器的应用 (60)8.4.1TMR0的基本时间常数 (60)8.4.2TMR0操作流程 (60)9.1TMR1概述 (61)9.2TMR1相关寄存器 (62)9.3TMR1的时间常数 (63)9.3.1TMR1基本时间参数 (63)9.4TMR1的应用 (63)9.4.1TMR1作定时器使用 (63)9.4.2TMR1作计数器使用 (64)10.定时计数器TMR2 (65)10.1TMR2概述 (65)10.2TMR2相关的寄存器 (67)10.3TMR2的时间常数 (68)10.3.1TMR2基本时间参数 (68)10.3.2T2DATA初值计算方法 (68)10.4TMR2应用 (69)10.5T2OUT输出 (70)10.5.1T2OUT的周期 (70)10.5.2T2OUT基本时间参数 (70)10.5.3T2OUT应用 (70)11.模数转换(ADC) (71)11.1ADC概述 (71)11.2与ADC相关寄存器 (72)11.3内部电压基准 (74)11.4ADC应用 (75)11.4.1用查询模式做AD转换流程 (75)11.4.2AD中断模式流程 (76)12.LCD驱动模块 (78)12.1LCD功能使能 (78)12.2LCD相关设置 (78)13.内置比较器 (79)13.1内置比较器概述 (79)13.2与比较器相关的寄存器 (80)13.3比较器0应用 (81)13.4比较器1应用 (82)14.数据EEPROM控制 (83)14.1数据EEPROM概述 (83)14.2相关寄存器 (84)14.2.1EEADR寄存器 (84)14.2.2EECON1和EECON2寄存器 (84)14.3读数据EEPROM存储器 (86)14.4写数据EEPROM存储器 (87)14.5数据EEPROM操作注意事项 (88)14.5.1写校验 (88)14.5.2避免误写的保护 (88)15.8位PWM(PWM0) (89)15.18位PWM概述 (89)15.2与8位PWM相关寄存器 (90)15.38位PWM的周期 (91)15.3.18位PWM调制周期 (91)15.3.28位PWM输出周期 (91)15.48位PWM占空比算法 (92)15.4.16+2模式PWM占空比 (92)15.4.27+1模式PWM占空比 (93)15.58位PWM应用 (93)16.10位PWM(PWM1) (94)16.110位PWM概述 (94)16.2与10位PWM相关寄存器 (95)16.310位PWM调制周期 (96)16.3.110位PWM调制周期 (96)16.3.210位PWM输出周期 (96)16.410位PWM占空比算法 (97)16.510位PWM应用 (98)17.高频时钟(CLO)输出 (99)17.1高频时钟(CLO)输出概述 (99)17.2高频时钟(CLO)输出波形 (99)17.3高频时钟(CLO)应用 (100)18.蜂鸣器输出(BUZZER) (101)18.1BUZZER概述 (101)18.2与BUZZER相关的寄存器 (102)18.3BUZZER输出频率 (103)18.3.1BUZZER输出频率计算方法 (103)18.3.2BUZZER输出频率表 (103)18.4BUZZER应用 (103)19.电气参数 (104)19.1DC特性 (104)19.2AC特性 (105)20.指令 (106)20.1指令一览表 (106)20.2指令说明 (108)21.封装 (124)21.1SOP8 (124)21.2SOP14 (125)21.3SOP16 (126)21.4DIP20 (127)21.5SOP20 (128)22.版本修订说明 (129)使用注意事项振荡方式选择外部XT振荡时,P2.2口只能作为输入口;选择内部RC振荡时P2.2口可作为普通IO口。
华大半导体MCU开发环境使用说明书

华大半导体MCU开发环境使用本产品支持芯片系列如下全系列所有型号本手册以HC32L110系列为例进行说明,如有不明请随时联系我们,联系方式见封底。
目录1.概述 (3)2.软件开发 (3)2.1工具选项 (3)2.2获取驱动库及样例代码 (4)2.3使用IAR Workbench打开工程样例 (6)2.4使用Keil uVision IDE打开样例工程 (8)2.5使用模板建立自己的工程 (10)2.6常见问题 (12)3.版本信息& 联系方式 (14)1.概述本应用笔记将说明如何在Keil MDK 和IAR Workbench 环境下使用华大半导体提供的样例工程进行软件开发。
2.软件开发2.1工具选项华大半导体MCU均基于Cortex-M0+/M4 内核设计,可以在多种第三方开发环境下进行软件开发。
官方提供的驱动库以及样例工程主要基于以下两种开发工具:➢IAR Embedded Workbench for ARM➢Keil ARM RealView® Microcontroller Development System评估版本及详细的使用信息可以登录其官方网站进行下载。
➢https:///iar-embedded-workbench/#!?architecture=Arm➢/mdk52.2获取驱动库及样例代码华大半导体向用户提供每一款MCU型号对应的驱动库及样例代码,以支持用户快速上手,缩短产品开发时间。
用户可在华大半导体官方网站下载所需要的代码,以HC32L110C6PA-TSSOP20为例:1.进入华大半导体官网:https:///mcu2.点击“产品系列”中“超低功耗MCU”3.点击进入“HC32L110C6PA-TSSOP20”4.选择“开发工具”一栏,下载驱动库及样例、IDE支持包2.3使用IAR Workbench打开工程样例以下步骤将介绍在IAR Workbench环境下如何打开、编译、运行及调试样例代码。
半导体器件说明书

第一章 半导体器件一、填空题1.在本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P 型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在N 型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。
2.PN 结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向________,有利于________的________运动而不利于________的________;PN 结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向________,有利于________的________运动而不利于________的________,这种情况下的电流称为________电流。
3.PN 结的反向击穿分为________击穿和________击穿,当发生________击穿时,即使反向电压撤除后,PN 结也不能恢复单向导电性。
4.二极管的伏安特性曲线可以分为两个区,即________、________。
5.二极管的反向电流越小,说明二极管的________性能越好。
6.温度升高时,二极管的正向导通电压________,反向饱和电流________。
7.限幅电路是限制了信号的________。
8.当二极管两端加正向电压时,它的动态电阻随正向电流增加而________。
9.小功率二极管2CP12的正向电流在20mA 的基础上增加一倍,它两端的压降________。
10.二极管的正向电阻________,反向电阻________;当温度升高后,二极管的正向电压________,反向电流________。
11.用万用表测量二极管的正向电阻时,黑表笔接二极管的________极,红表笔接二极管的________极。
12.如图1-1所示电路,VD 1和VD 2为理想二极管:① VD 1的状态为________,VD 2的状态为________;② 电压U ab 为________V 。
13.如图1-2所示电路,VD 为硅二极管:① 开关S 与A 接通时,VD 工作在________状态,U MN =________V ;② 开关S 与B 接通时,VD 工作在________状态,U MN =________V 。
半导体技术岗位说明书

半导体技术岗位说明书一、岗位概述半导体技术岗位的主要职责是研究和开发半导体器件,以及设计和实施半导体制造工艺。
这是一个需要深入理解物理、化学和电子工程知识的领域,同时也需要熟练的实验技能和强大的问题解决能力。
二、职责描述1、设计和开发半导体器件:半导体技术岗位的从业者需要设计和开发新的半导体器件,以满足不断发展的电子设备需求。
他们需要利用物理、化学和电子工程知识,理解和优化半导体器件的性能和特性。
2、实施半导体制造工艺:半导体技术岗位的从业者需要设计和实施半导体制造工艺,包括材料选择、制造流程制定、质量控制等。
他们需要确保制造过程的效率和产品质量。
3、性能测试与验证:对制造出的半导体器件进行性能测试和验证,以确保其性能达到预期,是半导体技术岗位的重要职责。
这需要他们具备专业的测试和验证技能,以及强大的数据分析能力。
4、持续改进与创新:半导体技术岗位的从业者需要不断行业动态,进行技术创新,以提升产品性能、降低成本、提高生产效率。
他们需要保持敏锐的市场洞察力,以引领团队进行持续的改进和创新。
三、技能要求1、强大的物理、化学和电子工程知识:半导体技术岗位的从业者需要具备深厚的物理、化学和电子工程知识,这是理解和创新半导体技术的关键。
2、高级实验技能:半导体技术岗位的从业者需要进行各种实验,包括器件设计、制造工艺实施、性能测试等,他们需要具备高级的实验技能和独立解决问题的能力。
3、数据分析技能:对测试和验证数据进行分析,以评估产品性能和改进方向,是半导体技术岗位的重要工作。
因此,他们需要具备强大的数据分析技能。
4、持续学习的能力:由于半导体技术快速发展,半导体技术岗位的从业者需要具备持续学习的能力,以跟上技术的进步和发展。
5、团队合作能力:半导体技术的开发和生产是一个团队协作的过程,因此,半导体技术岗位的从业者需要具备良好的团队合作能力,以推动项目的进行和产品的开发。
6、问题解决能力:在研究和开发过程中,遇到的问题可能复杂且多样,因此,半导体技术岗位的从业者需要具备强大的问题解决能力,以应对各种挑战。
赛普拉斯半导体CY8CLED智能LED驱动器说明书

CY8CLED04D01,CY8CLED04D02,CY8CLED04G01CY8CLED03D01,CY8CLED03D02,CY8CLED03G01CY8CLED02D01,CY8CLED01D01PowerPSoC®智能LED驱动器1. 特性■集成的大功率外设❐四个内部32 V低端N通道功率FET• 1.0 A器件的R DS(ON)为0.5 。
•可配置开关频率高达2 MHz❐四个迟滞控制器•可独立编程上/下阈值•可编程用于确定ON/OFF(打开/关闭)最短时间所需的定时器❐四个具有可编程驱动强度的低端栅极驱动器❐四个精密高端电流检测放大器❐三个16位LED暗度调制器分别为:PrISM、DMM和PWM❐六个快速响应(100 ns)电压比较器❐六个8位参考DAC❐内置开关调节器去除了外部5 V电源❐多种拓扑包括:浮动负载降压拓扑、浮动负载降压-升压拓扑和升压拓扑■M8C CPU内核❐处理器的速度最高可达24 MHz■高级外设(PSoC®模块)❐具有电容式感应应用能力❐DMX512接口❐I2C主/从接口❐全双工UART❐多个SPI主/从接口❐集成的温度传感器❐高达12位ADC❐6位到12位增量ADC❐多达9位的DAC❐可编程增益放大器❐可编程滤波器和比较器❐8位到32位定时器和计数器❐通过组合多个模块,能够构建复杂外设❐可配置为所有GPIO引脚■可编程引脚配置❐所有GPIO和功能引脚上都具有25 mA的灌电流和10 mA的拉电流❐所有GPIO和功能引脚上都具有上拉、下拉、高阻、强或开漏驱动模式❐GPIO上的模拟输入高达10个❐GPIO上具有两个30 mA的模拟输出❐所有GPIO上都具有可配置中断■灵活的片上存储器❐16 K Flash程序存储50,000擦除/写入周期❐1 K SRAM数据存储❐系统内串行编程(ISSP)❐局部闪存更新❐灵活的保护模式❐闪存内EEPROM仿真■完整的开发工具❐免费的开发软件(PSoC Designer™)❐功能齐全的在线仿真器(ICE)和编程器❐全速仿真❐复杂的断点结构❐128 KB的跟踪存储器■应用❐LED舞台照明❐LED建筑照明❐LED通用照明❐汽车级和应急车辆LED照明❐LED景观照明❐LED显示灯❐LED效果照明灯❐LED标牌照明■器件选项❐CY8CLED04D0x•四个带有0.5 A和1.0 A选项的内部FET•四个外部栅极驱动器❐CY8CLED04G01•四个外部栅极驱动器❐CY8CLED03D0x•三个带有0.5 A和1.0 A选项的内部FET•三个外部栅极驱动器❐CY8CLED03G01•三个外部栅极驱动器❐CY8CLED02D01•两个电流为1.0 A的内部FET•两个外部栅极驱动器❐CY8CLED01D01•一个电流为1.0 A的内部FET•一个外部栅极驱动器■56引脚QFN封装2. 目录逻辑框图 (3)PowerPSoC功能概述 (9)大功率外设 (9)迟滞控制器 (9)低端N通道FET (10)外部栅极驱动器 (10)暗度调制方案 (10)电流检测放大器 (10)电压比较器 (11)参考DAC (11)内置式开关调节器 (11)模拟复用器 (11)数字复用器 (12)功能引脚(FN0[0:3]) (12)PSoC内核 (13)数字系统 (13)模拟系统 (13)模拟复用器系统 (14)其它系统资源 (14)应用 (15)PowerPSoC器件特性 (17)入门 (18)应用笔记 (18)开发套件 (18)培训 (18)CYPros顾问 (18)技术支持 (18)开发工具 (18)PSoC Designer软件子系统 (18)在线仿真器 (19)使用用户模块设计 (19)引脚信息 (20)CY8CLED04D0x 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 20 CY8CLED04G01 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 21 CY8CLED04DOCD1 56引脚器件的引脚分布(带OCD) 22 CY8CLED03D0x 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 23 CY8CLED03G01 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 24 CY8CLED02D01 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 25 CY8CLED01D01 56引脚器件的引脚分布(没有OCD) 26寄存器通用规范 (27)使用的缩略语 (27)寄存器名称规定 (27)寄存器映射表 (27)寄存器映射组0表 (28)寄存器映射组1表:用户空间 (29)电气规范 (30)最大绝对额定值 (30)工作温度 (31)电气特性 (31)系统级 (31)芯片级 (31)大功率外设低端N通道FET (33)大功率外设外部功率FET驱动器 (34)大功率外设迟滞控制器 (34)大功率外设比较器 (35)大功率外设电流检测放大器 (36)大功率外设PWM/PrISM/DMM规范表 (37)大功率外设参考DAC规范 (38)大功率外设内置式开关调节器 (38)通用I/O/功能引脚I/O (41)PSoC内核运算放大器规范 (42)PSoC内核低功耗比较器 (43)PSoC内核模拟输出缓冲区 (44)PSoC内核模拟参考 (46)PSoC内核模拟模块 (46)PSoC内核POR和LVD (47)PSoC内核编程规范 (47)PSoC内核数字模块规范 (48)PSoC内核I2C规范 (49)订购信息 (50)订购代码定义 (50)封装信息 (51)封装尺寸 (51)热阻 (51)回流焊峰值温度 (51)缩略语 (52)文档规范 (52)测量单位 (52)文档修订记录 (54)销售、解决方案和法律信息 (55)全球销售和设计支持 (55)产品 (55)PSoC®解决方案 (55)赛普拉斯开发者社区 (55)技术支持 (55)3. 逻辑框图图3-1. CY8CLED04D0x 逻辑框图4个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0CSP0迟滞模式控制器 0DAC1CSA0DAC2迟滞模式控制器 1DAC3CSA1DAC4迟滞模式控制器 2DAC5CSA2DAC6迟滞模式控制器 3DAC7CSA3D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136栅极驱动器0栅极驱动器1栅极驱动器2栅极驱动器3外部栅极驱动器0外部栅极驱动器1外部栅极驱动器2外部栅极驱动器3大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINX图3-2. CY8CLED04G01逻辑框图4个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0CSP0迟滞模式控制器0CSN0DAC1CSA0DAC2CSP1 GD 1迟滞模式控制器1CSN1DAC3CSA1DAC4CSP2 GD 2迟滞模式控制器2CSN2DAC5CSA2DAC6CSP3迟滞模式控制器3CSN3DAC7FN0[0:3]CSA3D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136外部栅极驱动器0外部栅极驱动器1外部栅极驱动器2外部栅极驱动器3大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINXGD 3图3-3. CY8CLED03D0x 逻辑框图3个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0迟滞模式控制器0DAC1CSA0DAC2 GD 1迟滞模式控制器1DAC3CSA1DAC4 GD 2迟滞模式控制器2DAC5CSA2D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136栅极驱动器0栅极驱动器1栅极驱动器2外部栅极驱动器0外部栅极驱动器1外部栅极驱动器2大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINX图3-4. CY8CLED03G01逻辑框图3个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0迟滞模式控制器0CSN0DAC1CSA0DAC2迟滞模式控制器1DAC3CSA1DAC4迟滞模式控制器2DAC5CSA2D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136外部栅极驱动器0外部栅极驱动器1外部栅极驱动器2大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINX图3-5. CY8CLED02D01逻辑框图2个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0迟滞模式控制器0DAC1CSA0DAC2GD 1迟滞模式控制器1DAC3CSA1D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136栅极驱动器0栅极驱动器1外部栅极驱动器0外部栅极驱动器1大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINX图3-6. CY8CLED01D01逻辑框图1个通道PWM/PrISM/DMM模拟复用器从模拟复用器C o m p 8D A C 8C o m p 9C o m p 10C o m p 11C o m p 12C o m p 13辅助电源调节器DAC0迟滞模式控制器0DAC1CSA0D A C 9D A C 10D A C 11D A C 12D A C 136栅极驱动器0外部栅极驱动器0大功率外设数字复用器大功率外设模拟复用器数字系统SRAM 1K 中断控制器睡眠和看门狗时钟源(包括IMO 和ILO )全局数字互联全局模拟互联PSoC 内核CPU 内核(M8C )SROMFlash 16K数字块阵列模拟系统模拟参考模拟块阵列系统总线44端口2端口0端口1F N 0AINX4. PowerPSoC®功能概述PowerPSoC系列将可编程片上系统技术集成到最佳的电力电子控制器和开关器件内,以便容易将电源片上系统解决方案使用于照明应用。
珠海泰芯半导体有限公司 TX8C126x 用户手册说明书
珠海泰芯半导体有限公司Zhuhai Taixin Semiconductor Co.,Limited 珠海市高新区港湾一号科创园港11栋3楼ISO9001:2015质量管理体系受控文件TX8C126x 用户手册珠海泰芯半导体有限公司保密文件,请勿外传。
目录TX8C126x 用户手册............................................................................................................................11.产品概述.. (13)1.1.说明...................................................................................................................................131.2.特性...................................................................................................................................132.中央处理器. (16)2.1.累加器(ACC )................................................................................................................162.2.寄存器(B ).....................................................................................................................162.3.堆栈指针寄存器(SP )...................................................................................................162.4.堆栈指针寄存器(SPH )................................................................................................172.5.数据指针寄存器(DPTR0/DPTR1)................................................................................172.6.数据指针控制寄存器(DPCFG )....................................................................................182.7.程序状态寄存器(PSW ).................................................................................................12.8.PCON1...................................................................................................................................12.9.程序计数器(PC ).............................................................................................................23.存储器.. (3)3.1.程序存储器.........................................................................................................................33.2.XDATA 数据存储器..............................................................................................................43.3.IDATA .....................................................................................................................................43.4.SFR 空间...............................................................................................................................64.时钟系统. (7)4.1.时钟系统概述.....................................................................................................................74.2.时钟系统主要功能.............................................................................................................74.3.时钟系统框图.....................................................................................................................84.4.系统振荡器. (9)4.4.1.内部低速RC 振荡器..............................................................................................94.4.2.内部高速RC 振荡器..............................................................................................94.4.3.外部晶体振荡器. (10)5.复位系统 (10)5.1.上电复位...........................................................................................................................105.2.掉电复位...........................................................................................................................105.3.看门狗复位.. (10)5.3.1.WDT_CON.............................................................................................................115.3.2.WDT_KEY..............................................................................................................125.4.低电检测复位. (12)5.4.1.LVD_CON0.............................................................................................................135.4.2.LVD_CON1.............................................................................................................145.4.3.LVD_CON2.............................................................................................................155.4.4.LVD_CON3. (15)6.低功耗管理 (17)6.1.Idle Mode 及唤醒..............................................................................................................176.2.Stop Mode 及唤醒.............................................................................................................176.3.Sleep Mode 及唤醒...........................................................................................................176.4.低功耗唤醒单元结构图...................................................................................................186.5.寄存器详细说明 (18)6.5.1.WKUP_CON0.........................................................................................................196.5.2.WKUP_PND...........................................................................................................206.5.3.LP_CON (21)7.系统控制模块 (22)7.1.功能概述...........................................................................................................................227.2.寄存器列表.. (22)珠海泰芯半导体有限公司保密文件,请勿外传。
美浦森半导体产品选型手册说明书
产品选型手册Product Selection Manual 2022.1101(Company Profile)公司发展历程0304深圳市美浦森半导体有限公司 2014年成立,总部位于深圳,是一家专业功率半导体元器件设计公司。
公司产品包括中大功率场效应管( 高中低压全系列产品, Trench MOSFET/SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET),SiC 二极管、SiC MOSFET 等系列产品。
美浦森半导体在深圳/上海设有研发中心, 主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验, 平均行业经验在15年以上。
在深圳建立有半导体功率器件测试和应用实验室,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等,承担美浦森产品的研发质量验证。
目前,美浦森半导体MOSFET 和碳化硅系列产品在LED 电源、PD 电源、PC 和服务器电源、光伏逆变、UPS 、充电桩、智能家居、BLDC 、BMS 、小家电等领域得到广泛应用。
创新 高效 热爱 持续是美浦森半导体的核心价值; 用创新实现突破, 是公司不断前进的动力源泉。
专业于MOSFET 器件领域的拓展, 运用创新的电路设计和国际同步的研发技术, 成功研发出新一代MOSFET 系列产品, 产品相关性能达到行业领先水平。
我们始终坚持不断创新、不断突破, 始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位, 全心全意做好产品的开发与用户的极限体验 。
功率器件实验室&应用实验室投资2000万人民币兴建器件分析实验室和应用实验室, 负责美浦森产品的设计验证,品质监控和客户的技术支持。
2022年“美浦森实验室”将扩充至800平方, 并正在申请国家CNAS 认证实验室资格。
产品设计验证\产品性能比对\动静态参数测试\极限参数测试1可靠性验证\失效分析\产品品质监控2系统应用分析\系统性能验证3KEYENCE 显微镜KEYSIGHT 功率器件分析仪JUNO 直流参数测试系统ISPEC 高温反偏实验系统TEKTRONIX 功率器件动态测试仪STATEC 测试系统碳化硅全系6寸生产线升级结束, 碳化硅MOS 正式批量接单中低压Trench/SGT MOS 批量出货.超结MOS E7系列产品开始批量出货, RSP 参数超越竞品系列产品; 成立深圳器件测试及可靠性实验室、产品应用实验室.650V SiCDIODE 系列产品面市推广, 并大批量出货;1200V SiCDIODE 研发成功, 进入批量阶段; 碳化硅MOS 验证成功.2014年深圳市美浦森半导体有限公司成立,同年正式推广“美浦森”品牌MOS 系列产品.高压MOSFET (VDMOS )0605高压MOSFET (VDMOS )高压MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220F :TO -220F H:TO-247W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263) I:I2-Pak(TO-262)沟道极性N:N-channel P:P-channel电压系数(x10)芯片工艺C:MOS C-FETU:MOS U-FET S:MOS S-FETUZ:MOS U-FET+ESD (Z: Zener diode)超结MOSFET (SJMOS )0708超结MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电压P :TO -220 F :TO -220F H:TO-247W:TO-3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)L :DFN8X8Rds (on )缩写Rds (on )数值单位:m 芯片工艺SJ:MOS SJ-FETE7:MOS E7-FET E7D:MOS FRDΩ超结产品特点Trr 时间缩短: 反向恢复时间快Qg 电荷小: 开关速度快,开关损耗小Rds (on )值小: 通态阻抗小,通态损耗小PKG体积小: 同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高超结MOSFET (SJMOS )27快恢复二极管(FRD)中低压MOSFET (MV/LV MOS )0910碳化硅二极管(SiC Diode)中低压命名方式126245公司简称封装形式3MOSFET电流值(1-3位数字)P:TO-220 F:TO-220FH:TO-247 W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)S:SOP-8 T:TSSOP-8M:DFN5X6 N:DFN3X3L:DFN8X8V:SOT-23沟通极性MOSFET电压值(2-3位数字)芯片工艺N:N-NchannelP:P-channelL:N-channel+P-channelD:Dual N-channelE:Dual P-channelT:普通Trench MOSFETG:Split Gate TrenchMOSFET27版本号只有一个版本时此为空,带ESD产品此位为K中低压MOSFET(MV/LV MOS)111213开关时间快,开关损耗小恢复时间短,Trr恢复时间短,趋近于零o工作结温高,工作温度可达到175C 以上击穿电压高,产品电压最高可达6000W 以上碳化硅MOSFET (SiC MOS )碳化硅MOSFET 命名方式5431212公司简称封装形式P :TO -220 F:TO -220F H:TO-247-3L W :TO -3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I : I2-Pak(TO-262)K: TO-247-4L453Rds(on)数值 单位: m 电压系数(X10)芯片工艺Ω碳化硅材料特点14碳化硅二极管命名方式1245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220 F :TO -220FH:TO-247 L :DFN8X8D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)M:DFN5x67S: SO-7N: 内绝缘工艺电压系数(X10)芯片工艺V1:JBS G1: MPS1:2Pin2P :TO -2202F :TO -220F 2H:TO-2472B:D2-Pak 2I:I2-Pak2:3Pin 2Chip2TP :TO -2202TW :TO -3P 2TH: TO-2473:2Pin 2ChipR :TO -220RF :TO-220F RH :TO -2474:3Pin 1Chip。
半导体薄膜设备中文说明书
半导体薄膜设备中文说明书一、产品概述本说明书适用于半导体薄膜设备,该设备用于在半导体材料上制备高质量的薄膜。
通过精确控制各种工艺参数,如温度、压力、气氛等,设备能够实现薄膜的均匀性、结晶度和附着力等关键性能的优化。
二、设备特点高精度控制系统:设备采用先进的控制系统,可实现精确的温度、压力和气氛控制,确保薄膜制备过程的稳定性和重复性。
自动化程度高:设备具备自动进样、自动排气、自动升温等功能,减轻操作人员的劳动强度,提高生产效率。
灵活性强:设备可根据不同的工艺需求,更换不同的反应室、加热元件和气体供应系统,以适应各种薄膜制备需求。
安全可靠:设备设计合理,操作简便,具有多重安全保护措施,确保操作人员和设备的安全。
三、操作说明开机准备:检查设备各部件是否完好无损,确保电源、气源等外部条件满足设备要求。
打开设备电源开关,启动控制系统。
工艺参数设置:根据薄膜制备的工艺要求,设置相应的温度、— 1 —压力、气氛等参数。
确保参数设置准确,以免影响薄膜质量。
进样与排气:将待制备的半导体材料放入设备反应室中,关闭反应室门。
启动排气系统,将反应室内的空气排出,确保制备环境的纯净度。
升温与保温:启动加热元件,将反应室温度升至预设值,并保持一段时间,使半导体材料充分加热和反应。
气体供应:在升温过程中或保温阶段,根据需要向反应室内通入相应的气体,如反应气体、保护气体等。
薄膜制备:在设定的温度和气氛条件下,保持一定时间,使半导体材料表面形成所需的薄膜。
降温与取样:关闭加热元件,使反应室自然降温。
待温度降至安全范围后,打开反应室门,取出制备好的薄膜样品。
关机清理:清理设备内部和外部,保持设备整洁。
关闭设备电源开关,断开外部气源和电源。
四、注意事项操作人员应熟悉设备的结构、性能及操作方法,严格按照操作规程进行操作。
在操作过程中,应注意观察设备的运行状态和薄膜制备情况,如有异常应及时停机检查。
设备运行过程中,禁止随意更改工艺参数和操作流程,以免损坏设备或影响薄膜质量。
瑞能半导体产品指南说明书
PRODUCT SELECTION GUIDEWeEn SemiconductorsEV CHARGERTELECOM POWERSOLAR INVERTERHOME APPLIANCEMOTOR CONTROL瑞能半导体科技股份有限公司,源自恩智浦半导体标准产品事业部,注册于 2015年8月5号,运营中心落户上海,全资子公司和分支机构包括吉林芯片生产基地、上海和英国产品及研发中心、香港物流中心以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。
作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的双极功率半导体产品组合,包括:碳化硅二极管,可控硅整流器和三端双向可控硅、功率二极管、高压晶体管等。
产品广泛应用于电信、计算机、消费类电子产品、智能家电、照明、汽车和电源管理应用等市场领域。
自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程,我们的目标是帮助客户提高成本效益和生产效率,促进中国及全球智能制造行业的发展。
19691980s2000s20062020201520132009High Voltage Transistors (HVT)Fast, Ultrafast & Hyperfast Power DiodesBipolar 4-Quadrant TriacsBipolar 3-Quadrant Hi-Com TriacsHyperfast diodes Triac & SCR Planar Technology PlatformACT & ACTT Platform (AC Switch), Casco DiodesTemperature & Overload Protected Triac (TOPTriac)Automotive SiC Standard Power Diodes Automotive SCRs 1600V Planar SCRsSilicon Carbide DiodesEnhanced E ciency Pt Planar diodes (EEPP)Generation 2: Schottky Barrier Diodes High Voltage SCRsSuper Advanced Best E ciency Rectifier Diodes (SABER)Generation 1: Schottky Barrier DiodesWeEn Semiconductors:A Spin-o Company from NXP;Over 50-Y ears Leading Experience in PowerWeEn Semiconductors Co., Ltd, span o from NXP, registered on Aug 5, 2015 .The operational headquarters locates in Shanghai and the company’s wholly-owned subsidiaries and branches include: the front-end fabrication in Jilin, north east China, research & development centers in Shanghai and Manchester, UK, and the warehouse and distribution center in Hong Kong. WeEn also has sales o ces set up and customer service access throughout the world.As a key player in the semiconductor industry, WeEn has focused on developing a large portfolio of industry-leading bipolar power products including silicon carbide diode, thyristors (i.e. silicon controlled rectifiers and triacs), silicon power diodes and high voltage transistors etc. All these products are widely used in the markets for telecommunications, computers, consumer electronics, intelligent home appliances, lighting, automotive and power management applications.With over 50 years of design and manufacture experience, the aim of WeEn is to help our customers achieve higher cost e ciency and production e ciency and to contribute to the development of China and global intelligent manufacturing.AC Thyristor Triacs / AC ThyristorsAC Thyristor TriacsAC ThyristorsTemperature and Overload Protected Triacs (Toptriac)3Q Hi-com Triacs (0.8A - 45A)4Q Triacs (0.6A - 45A)Silicon Controlled Rectifiers (0.8A - 126A)Power DiodesHyperfast Power Diodes1200V Planar Hyperfast Power DiodesPower DiodesUltrafast Power DiodesSiC Schottky DiodePower Schottky Diodes600V - 1600V Standard Power DiodesPower Diode BridgePower Diode ModuleWeEn High Voltage 1600V SCRs1600V/50A & 1600V/80A, Planar PassivatedWeEn 30A Hi-Com TM TriacsDFN 8x8 PackageWeEn Silicon Carbide Junction Barrier Schottky (JBS) 650V and 1200V SeriesWeEn Products for EV On Board ChargerWeEn Products in Smart HomeCertificationsWeEn Nanchang Reliability & Failure Analysis Laboratory 040506070809101112131415161718193Contents(3Q Hi-Com power switches, overvoltage protection)AC Thyristor Triacs / AC ThyristorsAC Thyristor TriacsTemperature and Overload Protected Triacs (Toptriac)2Q Hi-Com power switches, exclusive negative gate triggering, over-temperature protectionAC Thyristor Triacs part numbering AC Thyristors part numbering(2Q Hi-Com power switches, exclusive negative gate triggering, ’Common’ mounting base, overvoltage protection)AC ThyristorsI GT key: C = 35 mA; C0 = 5 - 30 mA; E = 10 mAT : high T j (max) 150 °C N: Enhanced Dynamic PerformanceI GT key: D = 5 mA; E = 10 mAI GT key:C0 = 5 - 35mATypes in bold red italic represent products in development4Types in bold red represent new productsHi-Com Triacs (0.8A - 45A)3Q5I key:* High I TSM **: Enhanced immunity to false triggering T: high T j (max) 150CD = 5mA (10mA in 3+);E = 10mA (25mA in 3+);F = 25mA (70mA in 3+); - = 35mA (70mA in 3+);G = 50mA (100mA in 3+); G0 = 50mA (100mA in 3+), 10mA min4Q Triacs(0.6A - 45A)4Q Triacs part numbering6Silicon Controlled Rectifiers(0.8A - 126A)Silicon Controlled Rectifiers part numberinghigh I TSM ** Hi-Com / fast turn-off T: high T j (max) 150 A: Automotive quali ed AEC-Q101°CTypes in bold red represent new productsTypes in bold red italic represent products in development7Hyperfast Power Diodes1200V Planar Hyperfast Power DiodesTypes in bold red represent new productsTypes in bold red italic represent products in development8Types in bold red italic represent products in development9SOD113(2-pin SOT186A)SOT429(3-pin TO247)NXPSC04650X NXPSC06650X SiC Schottky Diode650V SiC Schottky Diode• Highly stable switching performance • High forward surge capability IFSM • Extremely fast reverse recovery time• Superior in ef ciency to Silicon Diode alternatives • Reduced losses in associated MOSFET • Reduced EMI• Reduced cooling requirements • RoHS compliantI n t h e S p o t l i g h t Types in bold red italic represent products in development1200V SiC Schottky Diode• Highly stable switching performance • High forward surge capability IFSM • Extremely fast reverse recovery time• Superior in ef ciency to Silicon Diode alternatives • Reduced losses in associated MOSFET • Reduced EMI• Reduced cooling requirements • RoHS compliant• High junction operating temperature capability (T j(max) = 175 °C)I n t h e S p o t l i g h t10Power Schottky Diodes600V - 1600V Standard Power DiodesPower Diode Moduleemploying series die technology for the lowest possible trrWDMF75M16• Three phase recti ers• Heat transfer through aluminium oxide DBC, ceramic isolated metal baseplate • High voltage capability• High inrush current capability • Planar process• High operating temperature capability (T j (max) = 150°C)I n t h e S p o t l i g h tPower Diode BridgeTypes in bold red represent new productsWDMF75M1611WeEn High Voltage 1600V SCRs1600V/50A & 1600V/80A, Planar PassivatedProductTYN50W-1600T TYN80W-1600T TO-247TO-247Key ParametersPackageParametersPackageIT(AV)IT(RMS)VDRMIGTITSMTj(max)dIT/dtdVD/dtTO-24750A79A1600V80mA max650A @ 10ms150°C150A/us1500V/µs @150o CTYN50W-1600TTO-24780A126A1600V80mA max850A @ 10ms150°C150A/us1000V/µs @150o CTYN80W-1600TProduct 12WeEn 30A Hi-Com TM TriacsProductApplications PackageParametersI T(RMS)V DRM I GT I TSM T j(max)dI T /dt30A 800V 50mA max 270A @ 20ms 150°C 100A/µsBTA330 BT series30A 800V 35mA max 270A @ 20ms 150°C 100A/µsBTA330 CT seriesBTA330-800BT BTA330X-800BT BTA330Y-800BT BTA330Y-800CT BTA330B-800BT BTA330B-800CTTO220TO220FP IITO220IITO220D 2PAK D PAKKey ParametersProduct13DFN 8x8 PackagePackage OutlinePart NoV DC(V)I F (A)V F (V)*1I FSM (A)*2Cd(pF)*3I R (mA)L x W x H (mm 3)WNSC04650T WNSC06650T WNSC08650T WNSC10650T650650650650468101.561.501.551.5836547276468101.561.501.551.5810 x 11 x 4.41104848 x 8 x 0.856454.4-42%-88%Footprint (mm 2)Volume (mm 3)D 2PAK Telecom / Server power Photovoltaic inverterDFN 8X8DFN 8X8 vs D 2PAK1415WeEn SiC JBS for Photovoltaic InverterWeEn Silicon Carbide Junction Barrier Schottky (JBS) 650V and 1200V SeriesKey features of WeEn SiC JBS· No reverse recovery charge · Qr temperature independent · High thermal conductivityNXPSC10650NXPSC20650WeEn SiC JBS for Server Power / Telecom Power D2,D3: SiCNXPSC20650W NXPSC10650XVoltage650V 1200VCurrent4-30A 2-40APackageTO220 / TO247 / DPAK / D 2PAK TO220 / TO247NXPSC20650W-A BT155W-1200T-A BT153B-1200T-A BYC30W-600PT2-AWeEn Products for EV On Board Charger16Automotive Grade, AEC-Q101 qualified· Fast Switching Silicon Diodes T j(max) 175°C · High E ciency Silicon Carbide Diodes T j(max) 175°C · High Current SCRs T j(max) 150°CWeEn Products in Smart HomeDish Washer· Planar passivated ACT/ACTT series with over-voltage clamp function· ACT108W-800E used for water inlet valve control · ACTT4S-800E used for water extraction pump controlWash Machine· Planar Passivated technology with the best false trigger capability· BTA201W-800E used for Valve control · BTA416Y-800C used for drum motor controlAir-con· Platinum-doping SABER TM Series Fast Recovery Diodes· BYV415W-600P, BYV415J-600P used for PFC · BYV30JT-600P, BYC30W-600PT2, BYC20X-600P, BYC30X-600P used for traditional PFCCoffee Machine:· Planar passivated technology, high T j(max) 150o C capability for better heating control· BTA316Y-800CT used for heating element control · TOPT16-800C0 used for heating element control with over temp. protection function embedded17Certifications18Items of Reliability test & FAWeEn Nanchang Reliability & Failure Analysis Laboratory瑞能南昌可靠性测试实验室及失效分析实验室F I B &S E M&E D XX -R A Y T e s e c C -S A MT e m p e r atu r e C y c l eU H A S T &PP O TR e v e r s e bia s t r o p i ca lE S D (H B M&M M )Website: Mailbox:********************2020 WeEn SemiconductorsAll rights reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. Theinformation presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent- or other industrial or intellectual property rights.Date of release: July 2020Document order number: 20200701。
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AoHua Laser Mark 半导体打标机使用说明书深圳市奥华激光科技有限公司
目录
一、前言
二、安装环境
三、操作步骤(开、关机顺序)
四、控制面板
五、软件说明
六、维护保养
七、常见故障
八、附件
深圳市弗镭斯激光科技有限公司
前言
激光雕刻技术是当代两大科技-激光和计算机的结晶产品。
上世纪70年代末期,开始应用于工业加工,上世纪80年代在欧美工业国家获得广泛应用。
近年来以其卓越的性能广泛应用于各行各业。
激光雕刻已经在很多领域取代了传统的打印和喷码而成为常规的加工方式,形成了新的工业加工方式。
激光雕刻的基本优点可以概括为:
●应用范围广
激光可以在钢铁、铝、铜、钛和金银等不同金属与合金的表面及陶瓷、玻璃、橡胶、塑料和木料等各种非金属的表面刻下永久性的痕迹。
对于各种材料已经几乎无所不能。
●加工效率高
在计算机控制下的激光光束可以高速移动,通常的雕刻过程可以在数秒内完成,并且激光雕刻机配置的计算机控制系统可以与高速流水生产线灵活配合。
●开发速度快
由于激光和计算机技术的结合,用户只需要在计算机上编写,即可实现激光雕刻输出,并可随时变换雕刻设置,从根本上替代了传统的模具制作过程。
为缩短产品升级换代周期及柔性生产提供了有力工具。
●加工精度高
激光可以形成极细的光斑,为精密加工和防伪开创了广阔的空间,不仅可以雕刻出复杂的图形、商标、条形码、二维码,甚至可以雕刻亲笔签字。
任何显示在显示屏上的图形都有可能雕刻到指定的材料表面。
激光雕刻还可以提高产品的外观形象和名牌效应,增加产品的市场竞争能力。
●维护成本低
激光雕刻是非接触方式工作,不受通常疲劳使用寿命限制。
在批量加工使用中的维护成本极低。
●社会效益好
激光雕刻为非接触工作方式节约能源;相对于化学腐蚀法它无污染;相对于机械式雕刻它无噪音。
它是传统加工方式可替代方式的最佳选择。
备注:
激光雕刻在行业内又叫做激光打标或激光标记
二、安装环境
1、电力供应: 220VAC容量大于3KW,有零线和独立的地线,良好的接地保护(地线应用小于4Ω的专用地线)。
应为本机设置专用空气开关(规格C32)并配备漏电保护器。
2、环境清洁,空气中无灰尘。
空气中的灰尘玷污镜面后会使镜面的使用寿命大大缩短。
4、工作间室内温度 25℃―28℃,占地面积为10平方米。
5、条件准许下,可安装室内空调,以优化设备使用寿命。
6、远离大电量和强震动设备
突如其来的大电量的干扰,有时会造成机器失灵,虽不多见,但应尽量避免。
因此,如大电焊机、巨型电力搅拌机以及大型输变电设备等,应远离。
强震动设备更不言而喻,如锻压机、近距离的机动车辆行走引起的震动等,地面的明显抖动对精确雕刻是很不利的。
7、防雷电袭击
只要建筑物防雷电措施可靠即可。
本节第一条“良好接地”也可有助于防雷电
注:机柜内工控机上装有USB加密狗,请防止丢失。
三、操作步骤(开、关机顺序)
1.开机顺序
1)合上激光机总供电电源开关;
2)合上激光电源开关(激光电源面板上红色船型开关);
3)按下运行开关,启动激光器(激光电源面板上红色按钮);
4)合上Q驱动电源开关,启动Q驱动电源;
5)启动红光电源开关(小拔动开关);
6)启动振镜电源开关(大拔动开关);
7)开启计算机,打开AHLaser 打标软件,编制图形;
8)将电流调节激光功率,具体电流因产品材质的打打标要启
求而定;
9)调节焦距,进行打标作业。
(调节焦距:指工作台与光聚
之间的高度,依所有镜头大小而定)
2.关机步骤
1)将激光电流调节至最小;
2)按下停止开关(激光电源面板上红色按钮);
3)关闭激光电源;
4)关闭Q驱动电源开关(绿色船型开关,Q驱频率可保持不
变);
5)关闭红光开关(小拔动开关);
6)关闭振镜电源开关(大拔动开关);
7)退出打标软件,关闭计算机;
8)关闭激光机供电电源总开关。
四、控制面板
GTDC2020S使用说明:
1.本机操作
请将“遥控、本地”(REMOTE/LOCAL)打到“本地”(LOCAL)1)请先接好水冷机,检查无误通水,无漏水后进行下一步(开机后水压灯为绿色说明水路正常,水压灯为红色则水路没
接好。
不用水冷时短接后面板水压保护接线座)。
2)严格按正负极接好半导体激光器,确认无短路、开路。
3)打开电源(ON/OFF),此时电源处于待机状态,启动(START/STOP)灯不亮,电压表显(VOLTAGE(V))示输出电
压为零,电流表显(CURRENT(A))示设定电流值。
4)转动电流调节旋钮(CURRENT),调节设定值到希望的输
出电流。
5)按启动键,输出电流,输出指示灯亮,此时电流表显示实际输出电流,电压表显示输出电压。
6)在输出状态调节电流调节旋钮,可连续调节输出电流。
7)再按启动键,断开输出,输出指示灯灭,电源回到待机设定状态,电流表显示设定值,电压表显示为零。
8)电源输出电压自适应半导体激光器所需电压,电源最大电压为20V。
9)电源带有电网断电自动保护功能以及过流过压自动保护功能。
一、遥控操作
请将“遥控、本地”开关打到“遥控”
1)在3脚输入0~10V电压(对应0~20A电流)用以设定电流。
2)在1脚加高电平启动,低电平无输出。
3)4脚为0伏。
三、后面板九针接口(REMOTE)接法如下:
1:开关电平输入,5~10V为高电平。
2:空脚。
3:V/I输入,外接控制电压输入,0~10V控制0~20A。
4:电源地。
前面板图
后面板图电流显示
电压显示
水压灯
电源开关
启动开关
电流调节
水压灯
警告:在启动状态禁止断开和接入半导体激光器!
在输出电压降为零以前,请勿断开和接入半导体激光器!。