国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》
合肥工业大学传感器与检测技术(陈荣保)期末复习资料
3-16、自自感式传感器器、差动变压器器式传感器器、电涡流式传感器器和电容式传感器器的最基本测量量量量是位移。请从测 量量原理理、测量量范围、测量量精度，测量量特点和测量量电路路这几几方方面面，对这几几种传感器器测量量位移进行行行比比较。 自自感式传感器器 测量量原理理
1.自自动⻔门，利利用用人人体的红外微波来开关⻔门
2.烟雾报警器器，利利用用烟敏敏电阻来测量量烟雾浓度，从而而达到报警目目的
3.手手机，数码相机的照相机，利利用用光学传感器器来捕获图象
设计出2、3、4线制的电桥以及恒流源电桥：
张力力力传感器器工工作原理理： 按其工工作原理理可分为应变片片型和微位移型。应变片片型是张力力力应变片片和压缩应变片片按照电桥方方式连接 在一一起，当受到外压力力力时应变片片的电阻值也随之改变，改变值的多少将正比比于所受张力力力的大大小小；微 位移型是通过外力力力施加负载，使板簧产生生位移，然后通过差接变压器器检测出张力力力，由于板簧的位移 量量极小小，大大约±200μm，所以称作微位移型张力力力检测器器。另外，由外型结构上又又分为：轴台式 、穿 轴式、悬臂式等。
金金金属应变片片的优点：1、结构简单频率特性好 2、价格低廉品种多样 3、可在高高(低)温、高高速、高高压、 强烈烈振动、强磁场及核辐射和化学腐蚀等恶劣条件下正常工工作 缺点：具有非非线性，输出信号微弱， 抗干干扰能力力力较差，因此信号线需要采取屏蔽措施；只能测量量一一点或应变栅范围内的平均应变，不不能 显示应力力力场中应力力力梯度的变化等；不不能用用于过高高温度场合下的测量量。
3-3、请比比较自自感式传感器器和差动变压器器式传感器器的异同。 自自感式传感器器与差动变压器器式传感器器相同点：
来料检验规范
将晶振引脚插入相应的插座位置，根据测试点电压、频率范围不同将频率计进行正确设置：
. 试点电压在 3～42V 范围将 VOLTAGE 键按入。
. 测试点电压在 50mV～5V 范围将 VOLTAGE 键按出。
. 测试点在80MHZ～1.3GHZ频率范围时将FUNC 设置键设置到FREQ
B 位 LED 灯亮.
耐压测试 仪
6、判定/标识：
将不良品标识清楚并及时隔离，以物料检验报告单的形式交由上级处理。将 PASS 好的物料做好标识放入指定 区域，并做好相关记录。
序号
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
材料名称
晶振 三极管 贴片三极管 铝电解电容 高压陶瓷电容 片状电容（SMD） 电阻（外挂程式与贴片） 贴片电感 色环电感 贴片二极体 稳压二极体 整流二极体 三端稳压器 开关二极体 瞬态抑制二极体 压敏电阻 TVS 管 滤波器 扼流圈 三端稳压器 整流桥堆 保险管 继电器 变压器 可控硅 光电耦合器 发光数码管 LED 灯 红外发射管 红外接收头 蜂鸣器 电源适配器 IC 晶片 CMOS 摄像头 CCD 摄像头 RF433 发射模组 RF433 接收模组 WIFI 模组 电源模组 触控式萤幕 液晶屏 MX27 核心板 窗帘马达
红（黑）表笔搭住“B”极该三极管为 NPN(PNP)型。再将万用表档位打到“HFE”档，将三极管插入万用表上相应 的 NPN 或 PNP 插座，如 LCD 显示放大倍数为“0”对换三极管 C/E 极再插入一次，LCD 将显示该三极管的放大倍 数数值，观察是否在三极管丝印标识的放大倍数等级范围内（如右图所示）。
MEMS封装可靠性测试规范
MEMS封装可靠性测试规范MEMS 封装可靠性测试规范华中科技大学微系统中心MEMS 封装可靠性测试规范1. 引言1.1 MEMS 概念微光机电系统(Micro ElectroMechanical Systems—MEMS)，以下简称 MEMS。
MEMS 是融合了硅微加工、LIGA(光刻、电铸和塑铸)和精密机械加工等多种微加工技术，并应用现代信息技术构成的微型系统。
它在微电子技术的基础上发展起来的，但又区别于微电子技术。
它包括感知外界信息 (力、热、光、磁、电、声等)的传感器和控制对象的执行器，以及进行信号处理和控制的电路。
MEMS 器件和传统的机器相比，具有体积小、重量轻、耗能低、温升小、工作速度快、成本低、功能强、性能好等特点。
MEMS 封装可靠性测试规范所含范围 1.2本可靠性测试规范涉及到在 MEMS 封装工艺中的贴片(包括倒装焊、载带自动焊)、引线键合、封盖等几个重要工艺的可靠性测试。
每步工艺的测试项目可根据具体器件要求选用。
2. 贴片工艺测试2.1 贴片工艺测试要求贴片工艺是将芯片用胶接或焊接的方式连接到基座上的工艺过程。
胶接或焊接的质量要受到加工环境与工作环境的影响，因此要对胶接或焊接的质量与可靠性进行测试。
胶接或焊接处表面应均匀连接，无气孔，不起皮，无裂纹，内部无空洞，并能承受一定的疲劳强度。
在热循环、热冲击、机械冲击、振动、恒定加速度等环境工作时，芯片与基座应连接牢固，不能产生过大的热应力。
芯片与基座无裂纹。
2.2 贴片工艺测试项目测试项目测试说明失效判据外部目检外观缺陷 50 倍放大镜检查芯片剪切强度大于最小剪切强度加力方向应与衬底表面方向平行芯片与基座的附拉力方向应与衬底表面方向垂直大于最小抗拉力着强度芯片与基座连接沿横截面贴光栅，用云纹干涉仪来测应变大于 0.1, 其应力应变场处的应力应变检测焊点或胶接处内部的空隙 X 射线照相空隙长度和宽度小于接触面积的 10, 芯片脱离、有裂纹高温高湿 85?、85,RH、1000h芯片脱离、有裂纹恒定加速度一般 30000g一般 1500g、0.5ms 芯片脱离、有裂纹机械冲击一般-65?,150?、10 次温度循环芯片脱离、有裂纹一般-40?,100?、5min/10sec 热冲击芯片脱离、有裂纹一般 20,2000Hz，20g 芯片脱离、有裂纹扫频振动沿芯片表面法线方向无冲击地拉芯片小于最小外加应力倒装片拉脱试验3.1 引线键合工艺测试要求引线键合工艺是用金或铝线将芯片上的信号引出到封装外壳的管脚上的工艺过程。
1208项行业标准编号、名称、主要内容等一览表.
附件1：1208项行业标准编号、名称、主要内容等一览表序号标准编号标准名称标准主要内容代替标准采标情况实施日期机械行业1J B/T 9111-2014 不干胶标签印刷机本标准规定了不干胶标签印刷机的术语和定义、型式与基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。
本标准适用于对各种卷筒不干胶材料进行印刷的、以感光树脂版或PS版为版材的卷筒料不干胶标签印刷机。
本标准还适用于联线烫印、覆膜、模切、上光等功能单元的卷筒料不干胶标签印刷机JB/T 9111-1999 2014-10-012J B/T6228-2014 汽轮发电机绕组内部水系统检验方法及评定本标准规定了汽轮发电机水冷绕组内部水系统密封性和流通性的检验项目、方法及质量评定的要求。
本标准适用于水冷却的汽轮发电机制造过程的检验，也适用于机组的交接验收及大修过程的检验。
JB/T6228-2005 2014-10-013J B/T6229-2014 隐极同步发电机转子气体内冷通风道检验方法及限值本标准规定了透平发电机转子气体内冷通风道的检验方法及通风道内应达到的等效风速限值。
本标准适用于国内电机制造厂生产的气隙取气或槽底副槽通风的转子通风道的检验；也适用于国内电厂在安装交接和大修时，对转子通风道的检验。
JB/T6229-2005 2014-10-01序号标准编号标准名称标准主要内容代替标准采标情况实施日期4J B/T 10180-2014 水轮发电机推力轴承弹性金属塑料瓦技术条件本标准规定了水轮发电机推力轴承弹性金属塑料瓦的术语、技术要求、制造要求、检验、包装运输储运、安装与使用、售后服务和技术保证。
本标准适用于水轮发电机组推力轴承用弹性金属塑料瓦，水轮发电机组导轴承用弹性金属塑料瓦可参照执行。
JB/T 10180-2000 2014-10-015J B/T 7950-2014 火焰割嘴本标准规定了各种射吸式和等压式割嘴的分类、型号、技术要求、检验方法、标志和包装。
IPC4101刚性多层印制线路板的基材规范
IPC-4101刚性多层印制线路板的基材规范刚性及多层印制线路板用基材规范1.范围本规范规定了主要应用于电气和电子电路中的刚性及多层印制线路板基材的要求，这里指的是层压板或半固化片。
1.1分类覆箔和未覆箔层压板或半固化片采用如下体系进行标识，详细规范中有一个相应的参考型号。
它将本规范中所概述的体系和以前使用的有关体系联系在一起。
层压板基材的参考规范举例如下：L 材料编号（见1.1.1节）25 规范表号码（见1.1.1节）1500 标称层压板厚度（见1.1.2节）C1/C1 覆金属箔类型和标称重量/厚度（见1.1.3）A 厚度偏差等级（见1.1.4）A 表面质量等级（见1.1.5）半固化片材料的参考规范举例：P 材料编号（见1.1.1）25 规范表号码（见1.1.1）E7628 增强材料类型（见1.1.6）TW 树脂含量（见1.1.7）RE 流动度参数（见1.1.7）VC 半固化片的选择方法（见1.1.7）1.1.1详细规范说明在本规范末尾有一系列详细规范表，每一个详细规范表分别列出了每一个产品等级的层压板和半固化片的要求。
详细规范表按照一特定的增强材料类型，树脂体系，和/或结构进行组织。
并有一个编号。
为了方便起见，用于相同结构的层压板和半固化片，列在同一详细规范上。
如上述例子所示，材料编号“L”表示层压板材料，材料编号“P”表示半固化片材料。
当确认复合规范表时，应该使用增强性能要求。
每一个详细规范表中的题目包括材料的相关定义，包括增强材料，树脂体系，阻燃剂，和填充材料，还有其它已知鉴定和玻璃化温度，Tg。
规范表中的特殊项目是材料应该满足的本规范确认的要求。
1.1.2层压板标称厚度层压板标称厚度由四位数字表示。
本规范中的所有基板，可以规定或测量覆箔的或绝缘基材的厚度，（见1.1.4和3.8.4.2）。
对于公制的规范,第一位数字代表毫米，第二位代表十分之一毫米，依此类推。
若订单要求英制单位，四位数字表示厚度为千分之十英寸。
后视镜检验标准(不针对车厂)
GB∕T 2423.56-2006 电工电子产品环境试验第2部分： 试验Fh：宽带随机振动（数字控制）和导则
GB∕T 2423.57-2008 电工电子产品环境试验第2-81部分试验方法试验Ei 冲击冲击响应谱合成
GBT 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
3.术语和定义
3.1性能测试：性能测试是通过自动化的测试工具模拟多种正常、峰值以及异常负载条件来对系统的各项性能指标进行测试。
3.2 可靠性测试：样机在特定条件、时间内，完成规定功能的能力。
4.验收标准
（4）. 客户指定实现的功能操作正常；
4.3.4根据公司产品特性，测试反应故障按 A、B、C、D 三个等级划分:
A类故障(1)：致命性（严重级别为1）：需求功能未实现，系统崩溃、无法运行、死机、花屏、反复重启。 （规格书定义的功能无法实现，如：设计有 GSM 功能，但该功能不能使用；内存泄露；应用程序死掉；应用程序异常退出）
GB/T2423.1-2008 电工电子产品基本环境试验第2部分：试验方法试验A:低温
GB/T2423.6-1995 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验EB和导则：碰撞
GB 2423.8 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ed：自由跌落
GB/T2423.22-2002 电工电子产品基本环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化
镜像抑制
B
MI
AM抑制比
B
MI
有用输出功率
A
MI立体声分离度CMIST显示灵敏度
C
MI
VDMOS设计、工艺、应用精华资料
生长 晶向 导电类型 掺杂 电阻率 电阻率径向 梯度 (离边缘 6MM 处) 含氧量 含碳量 厚度 外延层 特性 导电类型 掺杂 电阻率/厚度 及片内均匀 性 电阻率片内 均匀性 (离边缘 6MM 处) 2.
< 15% 12.5-16.5 < 0.5 52515 45015
< 15% 12.5-16.5 < 0.5 45015 ppm(新 ASTM) ppm(新 ASTM) m
1
1
综述 1.1 功率 DMOS 的发展历史、现状和将来。 以 IR 为例,下图为功率 DMOS 过去近三十年的技术路线发展图:
2
1.2
功率 DMOS 器件的主要特点。 以功率 DMOS 器件与双极型 BJT 管相比,有以下特点:
1.3
功率 DMOS 器件的 datasheet 介绍。 1.3.1 最大值参数介绍
3
以 IRF630 为例:
4
1.3.2
电参数参数介绍
5
以 IRF630 为例
6
1
器件结构设计 1.1 器件结构介绍。 芯片正面图:
以 IR 使用的六角型元胞为例:
7
Cross-Sectional View of a Cell and Device Symbol of N-Channel Power MOSFETs
场板结构 Al Oxide p n
上图为场板终端的基本结构，它的基本原理是通过金属场板覆盖 在 PN 结上，从而降低 PN 结的电场，尤其在 PN 的表面和边缘位置的 电场，它的特点是结构设计简单、占硅表面积较少，适用的电压在 200V 以下。
保护环结构
P n
P （FLR）
P（FLR）
格力公司环保产品中有害物质控制管理规定
标准修订记录表QJ环保产品中有害物质控制管理规定珠海格力电器股份有限公司发布目次前言 (II)引言 (III)1 围 (1)2 规性引用文件 (1)3 术语和定义 (1)4 Ⅰ级有害物质具体管理标准 (5)5 Ⅱ级有害物质具体管理标准 (23)6 有害物质环保标识管理及对供应商的要求 (24)附录A（资料性附录） RoHS同质材料计算方法及部分环境管理物质的详细信息 (26)附录B（资料性附录）各主要国家和地区就有害物质使用实施的法律法规 (35)附录C（资料性附录）免于注册的物质清单 (39)附录D（资料性附录）注册需提交的信息 (40)附录E（资料性附录）我司重点物料关注表 (41)附录F（规性附录） REACH限制物质清单及使用要求 (42)附录G（资料性附录）第1批十五种高关注物质的检测流程 (58)参考文献 (61)前言格力电器股份技术标准是公司标准化委员会发布的标准，是公司部使用的技术法规性文件。
本标准规定了格力电器产品需要满足的有害物质控制标准，检验分析方法等，旨在使原材料供应商和公司部生产采用一致的控制标准，以符合欧盟及其他有关国家和地区或客户对电子电器产品中有毒有害物质的控制要求。
本标准与上次下发的版本相比的主要变化如下：——根据欧盟RoHS豁免条款修订决议修改本标准中关于RoHS各项豁免的表述(见4.1中表4，表6，表8，表9)本标准的附录A、附录B、附录C、附录D、附录F为资料性附录，附录E为规性附录。
本标准由格力电器股份提出。
本标准由格力电器股份标准化委员会归口。
本标准由格力电器股份制冷技术研究院起草。
本标准主要起草人：王茜、袁琪、曾伟强、蔡小洪、颜小琳、龙新文、文力、古文育、唐君、高海涛、思红、华、岳琳琳。
本标准于2005年12月首次发布，2006年5月第一次修订，2006年5月第二次修订，2006年7月第三次修订，2006年7月第四次修订，2006年9月第五次修订，2007年3月第六次修订，2007年9月第七次修订，2008年5月第八次修订，2008年7月第九次修订，2008年11月第十次修订，2009年2月第十一次修订，2009年4月第十二次修订，2009年7月第十三次修订，2009年9月第十四次修订，2010年1月第十五次修订，2010年4月第十六次修订，2010年10月第十七次修订，本次第十八次修订。
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国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》
（征求意见稿）编制说明
一、工作简况
1.立项目的和意义
半导体低位错密度锗单晶片是微电子和光电子的基础材料，广泛应用于太阳能电池、大功率晶体管、发光二极管、红外光学器件和探测器，使得其成为光电探测产业、卫星电池和卫星定位系统（GPS）及现代国防建设的基础材料，并能带动和促进下一代半导体材料的加速发展，成为发达国家与重大的发展中国家都非常重视的战略性基础材料产业。
国内低位错密度锗单晶主要生产厂家云南中科鑫圆晶体材料有限公司、南京中锗科技股份有限公司、天津电子46所、北京通美晶体材料有限公司等，如果太阳能电池用锗单晶片的位错密度过高或不均匀，将严重影响太阳能电池光电转换效率和寿命，国内外太阳能电池客户均要求锗单晶片位错密度小于1000个/cm2。
而GB/T 5252-2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》主要应用于直拉法生产的红外锗单晶，其主要适用的位错密度约5000个/cm2-100000个/cm2。
本标准规定的方法有利于提高测量低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度的精密度和均匀性，便于材料生产、使用厂家的测试。
2.任务来源
根据《国家标准委关于下达2014年第二批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2014]89号）的要求，由云南中科鑫圆晶体材料有限公司等单位负责起草、编制《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》，计划编号20141872-T-469，要求完成时间2015年。
3.标准主编单位简况
云南中科鑫圆晶体材料有限公司是一家专业从事高效率太阳能电池用锗单晶、砷化镓单晶等半导体晶体材料产品研发、生产、销售的高科技企业。
为充分发挥中国科学院半导体所在半导体晶体材料研究开发领域的优势及云南临沧鑫圆锗业股份有限公司的资源优势和产业化生产经验优势，满足国内外太阳能、LED产业的高速发展，于2008年6月在昆明高新区共同设立“云南中科鑫圆晶体材料有限公司”（以下简称“中科鑫圆”）。
中科鑫圆公司研究掌握了VGF单晶炉设计、制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺和开盒即用晶片加工工艺等核心产业化生产技术。
生产的锗单晶片被国内外客户广泛应用于航空航天太阳能电池和地面聚光光伏电站等高科技领域，填补了国内空白，达到国际先进水平。
中科鑫圆公司先后承担了昆明市重大科技项目、云南省重点科技项目和国家科技支撑计划等多项重大科技项目，主持起草了《太阳能电池用锗单晶》、《太阳能电池用砷化
镓单晶》等多项国家标准。
4. 主要工作过程
立项之后，成立了以云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所为主的编制组单位，于2015年3月形成了讨论稿。
二、 2015年5月28日，由全国半导体材料标准化分技术委员会组织，在云南省昆明市
召开《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD ）的测量方法》第1次工作会议，共有中国有色金属工业标准计量质量研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国家有色金属质量监督检验中心、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、南京中锗科技有限公司等16家单位，22名专家参加会议，与会专家对标准资料从标准技术内容和文本质量等方面进行了充分的讨论。
编制组根据专家意见修改后形成了征求意见稿。
标准编制的原则和确定主要内容的依据
1. 标准编制原则
1.1 标准的编写格式按国家标准GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则》的统一规定和要求进行编写。
1.2
考虑用户的当前使用要求及以后技术发展的潜在使用要求。
1.3 考虑国内生产企业的生产现状及技术发展趋势。
2、确定标准主要内容的依据
本标准以国家标准GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法为基础，参照国外先进标准SEMI M36-0699对本标准进行了编写。
2.1范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD ）的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm 2、直径为75mm ～150mm 的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
2.2方法提要
锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后，经显微镜观察，用单位面积的腐蚀坑数目表示位错密度N d 。
位错密度N d 按式（1）计算：
S n N d …………………………………………..(1) 式中： N d ——位错密度，单位为个每平方厘米（个/cm 2）； n ——穿过视场面积S 的腐蚀坑数目，单位为个； S ——视场面积，单位为平方厘米（cm 2）。
2.3设备和仪器
金相显微镜，选取目镜10X ，物镜20X ，放大倍数200倍，测量视场面积为1mm ²。
为精确测量腐蚀坑密度，应用“标准尺寸量具”精确测量视场面积。
2.4测量步骤
本标准中锗单晶位错密度测试片的制备方法按GB/T 5252进行，以直径100mm 锗单晶测试片为例，测量点见（图4）。
对直径100mm 锗单晶测试片，方格边长为13mm ，总测量点37个。
测量点19在晶片中心。
75mm 、150mm 锗单晶测试片的方格边长分别为10mm 、21.8mm 。
各测量点应位于每个方格的中心。
图4 100mm 锗单晶片测量点
2.4.1记录腐蚀坑数目
对区域1测量点视场面积内的腐蚀坑（其中心在测量视场内）进行计数。
如果腐蚀坑之间间隔太近而难以计数，可提高放大倍数。
计数完毕后，记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数。
对所有其他它计数位置重复上述操作，即对晶片，从第2个区域数到第37个区域。
2.4.2测试结果的计算
每个测量点视场内的EPD 是所计数的腐蚀坑总数除以面积: s ni n d = (2)
式中：
S ——视场面积，单位为平方厘米（cm 2）；
ni ——穿过视场面积S 的腐蚀坑数目。
平均位错密度N d 的计算 ∑=⨯=3737
...1371d d d n N …………………………………………..(3) 2.5 根据标准中规定的试验方法，本次送检总计三个样片：ZKG415577-H1、ZKG415577-H2、ZKG415580-H1（ZKG415577-H3即ZKG415580-H1），分别送去中国科学院半
导体研究所、国家电子功能及辅助材料质量监督检验中心检测，云南中科鑫圆晶体材料公司自测一份，所测位错结果如下：
三、标准水平分析
本标准为首次制定，为推荐性国家标准，达到国内先进水平。
四、其他予以说明的事项
本标准作为推荐性标准供大家使用，若对结果有疑义，以供需双方商议的测试方法为
准。
五、预期效果
本标准是首次制定，考虑到锗单晶片的特性，推荐使用本检测方法，期望能够为太阳
能锗晶片行业提供一种经济、简单、可行的测试方法。