【CN109920911A】阻变存储器的制备方法【专利】

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阻变存储器及其制备方法

专利名称：阻变存储器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：周鹏,张卫,朱宝,尹睿,奚晶晶申请号：CN202111228500.7
申请日：20211021
公开号：CN113972317A
公开日：
20220125
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种阻变存储器，包括顺次设置的衬底、底电极层、阻变功能层、钝化层和顶电极层，其中，所述底电极层覆盖所述衬底的一面的部分或全部，所述阻变功能层覆盖所述底电极层背向所述衬底的一面的部分或全部，所述钝化层覆盖所述阻变功能层背向所述底电极层的一面的部分或全部，所述顶电极层覆盖所述钝化层背向所述阻变功能层的一面的部分或全部，所述阻变功能层的材料为黑磷烯，所述钝化层的材料为二氧化铪，提高了阻变存储器的开关比，提升了阻变存储器的稳定性。

本发明还提供了所述阻变存储器的制备方法。

申请人：上海集成电路制造创新中心有限公司
地址：201203 上海市浦东新区碧波路690号401-23室
国籍：CN
代理机构：上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：黄海霞
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一种阻变存储器及其制备方法

一种阻变存储器及其制备方法
一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在顶电极和底电极之间的阻变层，阻变层的材料为银咪唑配合物，银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。

制备方法包括以下步骤：
1. 自下而上依次设置底电极、介质层和顶电极，底电极为活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括至少一种氧化层和一种聚合物的薄膜，顶电极为惰性电极Pt、Au或Pd中的一种。

2. 使用本方法制备出的阻变存储器开关比高，提高复位电压的均匀性。

以上信息仅供参考，可以咨询专业的技术人士获取更全面准确的信息。

一种基于薄膜晶体管的阻变存储器[发明专利]

专利名称：一种基于薄膜晶体管的阻变存储器专利类型：发明专利
发明人：陆晓青
申请号：CN201711320129.0
申请日：20171212
公开号：CN109920461A
公开日：
20190621
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种基于薄膜晶体管的阻变存储器，包括：存储器阵列电路，所述存储器阵列电路包括至少一个阻变存储器基础单元，每个存储器基础单元包括至少一个存储元和至少一个选择晶体管，所述选择晶体管的另一端作为检测端与分压元件相连；数据读取电路，且所述数据读取电路的第一输入端与检测端相连，所述数据读取电路的第二输入端与一阈值电压相连，所述差分放大电路的输出端与一反向器的输入端相连，通过选择合适的反向器的反向阈值和阈值电压，使得通过识别反向器输出端的高低电平来获取每个存储元的存储状态，其中，所述选择晶体管和数据读取电路的晶体管为薄膜晶体管。

申请人：杭州潮盛科技有限公司
地址：311500 浙江省杭州市桐庐县城迎春南路28号海陆世贸中心1区402-3号
国籍：CN
代理机构：杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人：姚宇吉
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一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法

一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法
本发明为一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法，涉及一种抗电磁干扰的阻变存
储器以及其制备方法。

该抗电磁干扰的阻变存储器有铜介导层、介质层以及一改变阻值元件，铜介导层与介
质层交替组成，介质层具有电磁屏蔽性能，改变阻值元件位于铜介导层和介质层之间，铜
介导层与介质层的厚度都小于100nm，至少有一层改变阻值元件的金属形成层的厚度小于
10nm，所述改变阻值元件是作为记忆的器件，金属形成层能够发生断裂，改变元件的阻值，所述断裂产生在金属形成层的厚度小于10nm的区域，两层改变阻值元件的金属形成层设
置在改变阻值元件的两个主面之间，改变阻值元件的两个主面分别位于铜介导层和介质层
之间，这样形成的抗电磁干扰的阻变存储器，能增大元件内部断裂的阻值，使元件具备更
好的电磁屏蔽性能，从而减小改变阻值元件被电磁侵蚀的概率。

1. 将厚度小于100nm的铜等金属电介导材料空间固定在晶圆表面；
2.在铜介导层上沉积介质层，让介质层有电磁屏蔽的作用；
3.在铜介导层和介质层之间沉积金属；
4. 将厚度小于10nm的金属形成两个层，改变阻值元件、铜介导层和介质层两个主面
之间，两个金属形成层之间相互联结；
5.将材料经由暴露、去膜、漂白、重新沉积膜层，形成抗电磁干扰的阻变存储器。

以上就是本发明的有关内容，以及抗电磁干扰的阻变存储器的制备方法，可以改善元
件受电磁干扰的概率，改善存储器的可靠性。

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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910166430.3
(22)申请日 2019.03.06
(71)申请人中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
(72)发明人卢年端　姜文峰　李泠　耿玓　
刘琦　吕杭炳　刘明　
(74)专利代理机构北京华沛德权律师事务所
11302
代理人房德权
(51)Int.Cl.
H01L 45/00(2006.01)
(54)发明名称
阻变存储器的制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，
包括：提供衬底；在所述衬底的上表面沉积第一
金属层；在所述第一金属层的上表面沉积阻变功
能层；在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁
移率的材料层；在所述具有低迁移率的材料层上
制备一个以上通孔；在所述具有低迁移率的材料
层的上表面沉积第二金属层。

本发明提供的阻变
存储器的制备方法，制备出的阻变存储器可以控
制导电细丝的大小。

由于导电细丝的生长方位、
数量以及大小均可以控制，因而能够降低导电细
丝生长的随机性，减小所述阻变存储器的电流波
动性，从而减小所述阻变存储器的参数波动，提
高所述阻变存储器的可靠性。

权利要求书2页说明书5页附图5页CN 109920911 A 2019.06.21
C N 109920911
A
权　利　要　求　书1/2页CN 109920911 A
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的上表面沉积第一金属层；
在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层；
在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层；
在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔；
在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的上表面沉积第一金属层包括：
通过磁控溅射、离子束溅射或者电子束蒸发在所述衬底的上表面沉积所述第一金属层。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一金属层为铂材料层或者金材料层，所述第一金属层的厚度为50纳米至100纳米。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层包括：
通过原子层沉积法、磁控溅射或者离子束溅射在所述第一金属层的上表面沉积所述阻变功能层。

5.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述阻变功能层为氧化钽材料层、二氧化铪材料层、二氧化钛材料层、氧化镍材料层或者二氧化锆材料层，所述阻变功能层的厚度为5纳米至20纳米。

6.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层包括：
通过原子层沉积法、磁控溅射或者离子束溅射在所述阻变功能层的上表面沉积所述具有低迁移率的材料层。

7.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述具有低迁移率的材料层为氮化硼材料层、有机半导体材料层或者氮化硅材料层，所述具有低迁移率的材料层的厚度为5纳米至10纳米。

8.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔包括：
在所述具有低迁移率的材料层的上表面滴加液体腐蚀剂；
采用金属探针对所述液体腐蚀剂施加向下的力，在所述具有低迁移率的材料层上形成所述通孔；
去除所述液体腐蚀剂；
对所述具有低迁移率的材料层的上表面进行清洗；
对所述具有低迁移率的材料层的上表面进行烘干。

9.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层包括：
通过磁控溅射、离子束溅射或者电子束蒸发在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积所述第二金属层。

2。