光刻胶大全
euv光刻胶成分
EUV光刻胶成分一、引言光刻胶是微电子制造过程中的关键材料之一，它对微电子器件的性能和可靠性有着重要影响。
EUV光刻胶，即极紫外光刻胶，是近年来随着半导体工业的发展而兴起的一种新型光刻胶技术。
本文将详细介绍EUV光刻胶的成分及其在芯片制造过程中的作用。
二、EUV光刻胶的主要成分.树脂：树脂是EUV光刻胶的主要成分，含量通常在50%以上。
树脂提供了光刻胶的粘附性、渗透性以及成膜性，而这些特性对于光刻胶在芯片制造过程中的关键作用至关重要。
在EUV光刻胶中，通常使用环氧树脂、丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等高性能树脂。
.感光剂：感光剂是EUV光刻胶的关键组成部分，它决定了光刻胶对光线的敏感性和成像质量。
感光剂的种类很多，包括单体、预聚物和聚合物等。
在EUV光刻胶中，通常使用的是具有高感光性的叠氮基单体或预聚物。
.溶剂：溶剂的作用是使感光剂和其他添加剂在光刻胶中充分溶解，并形成均匀的薄膜。
在EUV光刻胶中，通常使用的是具有高沸点和低毒性的溶剂，如丙二醇甲醚醋酸酯和甲基异丁基酮等。
.其他添加剂：除了上述主要成分外，EUV光刻胶中还可能包含一些其他添加剂，如催化剂、抑制剂和表面活性剂等。
这些添加剂的作用是调节光刻胶的化学性质和物理性能，以适应不同的制造工艺需求。
三、EUV光刻胶的特性及应用EUV光刻胶具有高分辨率、高敏感性和低毒性的特点，使其成为下一代微电子制造的关键材料之一。
EUV光刻胶可以用于制造高密度存储器、高速逻辑电路和微机电系统等高性能芯片。
同时，由于EUV光刻胶对环境友好，因此在提高芯片制造效率的同时，也降低了对环境和人体健康的负面影响。
四、结论EUV光刻胶是微电子制造领域的重要发展方向之一，其成分包括树脂、感光剂、溶剂和其他添加剂。
这些成分通过协同作用，为芯片制造提供了高分辨率、高敏感性和低毒性的关键解决方案。
随着技术的不断进步和应用需求的不断增长，EUV光刻胶将在未来微电子制造领域发挥更加重要的作用。
光刻胶主要成分
光刻胶主要成分
光刻胶是一种特殊性能的热塑性材料，它主要用于电子行业中的可视化作业，比如印制电路板和其他电路图形绘制等。
目前，光刻胶已成为电子行业中非常重要的一项材料，它的主要作用是用于印制电路板，为电子行业提供了极大的帮助。
因此，我们应该特别重视光刻胶的主要成分。
1.氧树脂：环氧树脂是光刻胶的主要成分之一，它具有良好的热稳定性，耐老化性和耐腐蚀性。
环氧树脂是光刻胶的主要支撑结构，它能够形成柔软稳定和良好的抗拉强度，可以有效减少电路板之间的接触面积，降低整体制造成本。
2.酸乙烯：醋酸乙烯是光刻胶的另一主要成分，它的优点是具有良好的热稳定性和耐老化性，以及一定的剪切强度，在高温下保持稳定。
此外，它还具有高选择性和抗热性，可以显著提高印制电路中的绝缘性，从而节省能源。
3.醛：甲醛是光刻胶的另一主要成分，它拥有优异的热稳定性，耐老化性和高剪切强度，但其危险性较高，因此在使用时应特别小心。
由于甲醛具有优异的润湿性，因此可以显著提高光刻胶与基材的接触性，使之达到更高的可靠性。
4.发剂：引发剂是光刻胶的另一主要成分，主要用于调节光刻胶的硬化过程，确保光刻胶的硬度和强度。
它的种类有很多，包括硝酸铵、碘和氧化物等，使用效果更好。
总之，光刻胶的主要成分有环氧树脂、醋酸乙烯、甲醛和引发剂
等，它们具有良好的热稳定性和耐老化性，可用于印制电路板，为电子行业提供了极大的帮助。
此外，还应强调正确处理这些特性成分，使其发挥最大效用，可以有效提高印制电路板的性能，节省原材料，降低制造成本。
光刻胶photoresist性能及发展趋势简介
光刻胶成分：树脂（resin）、感光剂（photo active compound）和溶剂（solvent）。
树脂是一种有机聚合物，他的分子链长度决定了光刻胶的许多性质。
长链能增加热稳定性，增加抗腐蚀能力，降低曝光部分的显影速度，而短链能增加光刻胶和基底间的吸附，因此一般光刻胶树脂的长度为8-20个单体。
对于正性（positive tone）光刻胶，感光剂在曝光后发生化学反应，增加了树脂在显影液中的溶解度，从而使得曝光部分在显影过程中被冲洗掉；对于负性（negative tone）光刻胶，感光剂在曝光后诱导树脂分子发生交联（cross linking），使得曝光部分不被显影液溶解。
溶剂保持光刻胶的流动性，因此通过甩胶能够形成非常薄的光刻胶。
光刻胶的主要技术参数：1.分辨率（resolution）。
通常用关键尺寸（Critical Dimension）来衡量，CD越小，光刻胶的分辨率越高。
光刻胶的厚度会影响分辨率，当关键尺寸比光刻胶的厚度小很多时，光刻胶高台会塌陷，产生光刻图形的变形。
光刻胶中树脂的分子量会影响刻线的平整度，用小分子代替聚合物会得到更高的极限分辨率1。
另外，在化学放大光刻胶（CAR）中，光致产酸剂的扩散会导致图形的模糊，降低分辨率2。
2.对比度（contrast）。
指光刻胶曝光区到非曝光区侧壁的陡峭程度。
对比度越大，图形分辨率越高。
3.敏感度（sensitivity）。
对于某一波长的光，要在光刻胶上形成1/news177697613.html2G.M. Wallraff, D.R. Medeiros, Proc. SPIE 5753 (2005) 309.图像需要的最小能量密度值称为曝光的最小剂量，单位mJ/cm，通常用最小剂量的倒数也就是灵敏度来衡量光刻胶对光照的灵敏程度和曝光的速度。
灵敏度越高，曝光完成需要的时间越小。
通过曝光曲线，我们可以直观地看到对比度、分辨率和敏感度。
上图为ABC三种光刻胶的曝光曲线。
jsr111光刻胶规格书
jsr111光刻胶规格书JSR111光刻胶规格书一、引言光刻胶是半导体行业中重要的材料之一，用于芯片制造过程中的图案转移。
JSR111光刻胶是一种常用的光刻胶材料，广泛应用于半导体制造工艺中。
本文将对JSR111光刻胶的规格进行详细介绍。
二、产品概述JSR111光刻胶是一种二氧化硅基材料，具有优异的光刻性能和稳定性。
其主要特点包括：1. 高分辨率：JSR111光刻胶具有较高的分辨率，可以实现微米级图案转移。
2. 良好的耐化学性：JSR111光刻胶在酸、碱等化学物质的作用下具有较高的稳定性，可以保证其在制造过程中的可靠性。
3. 低残留物：JSR111光刻胶具有低残留物的特点，可以有效减少后续工艺对芯片性能的影响。
4. 宽光谱适应性：JSR111光刻胶在紫外光和深紫外光等不同波长范围内均有良好的适应性。
三、技术规格1. 粘度：JSR111光刻胶的粘度为30-60cps，可以根据工艺需求进行调节。
2. 溶解度：JSR111光刻胶的溶解度为10-20WT%，适用于常见的溶剂体系。
3. 固化温度：JSR111光刻胶的固化温度为120-150℃，固化时间为60-90秒。
4. 抗剥离性：JSR111光刻胶具有良好的抗剥离性能，可以满足芯片制造过程中的要求。
5. 厚度均匀性：JSR111光刻胶的厚度均匀性在±5%以内，保证了图案转移的精度。
6. 曝光能量：JSR111光刻胶的曝光能量为10-50mJ/cm²，可以根据不同芯片的需求进行调节。
7. 环境友好性：JSR111光刻胶符合环保要求，不含有害物质。
四、应用领域JSR111光刻胶广泛应用于半导体行业中的芯片制造工艺中，主要包括以下领域：1. 存储器芯片：JSR111光刻胶可用于存储器芯片的制造，实现高密度、高性能的存储器产品。
2. 逻辑芯片：JSR111光刻胶可用于逻辑芯片的制造，满足不同终端设备对性能和功耗的需求。
3. 光通信芯片：JSR111光刻胶可用于光通信芯片的制造，实现高速、高带宽的光通信传输。
光刻胶的成分
光刻胶的成分
光刻胶是一种重要的材料，广泛应用于电子、光电子、半导体等领域。
它的成分主要包括以下几个方面：
1. 光敏剂：光刻胶的主要成分之一，能够吸收特定波长的光线，从而引发化学反应。
光敏剂的种类很多，常见的有二氧化钛、二苯乙烯、环氧化合物等。
2. 树脂：光刻胶的主要成分之一，负责固化和形成光刻胶膜。
树脂的种类很多，常见的有环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等。
3. 溶剂：用于稀释光刻胶，使其达到适合加工的粘度。
常见的溶剂有丙酮、甲醇、甲苯等。
4. 其他添加剂：光刻胶中还可以添加一些辅助成分，如增塑剂、消泡剂、抗氧化剂等，以提高其性能或稳定性。
综上所述，光刻胶的成分涉及到光敏剂、树脂、溶剂以及其他添加剂等多个方面，不同的成分组合和比例会影响光刻胶的性能和应用范围。
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lor3a光刻胶说明书
lor3a光刻胶说明书一、光刻胶的概述与作用光刻胶（Photoresist）是一种用于微电子制造过程中的材料，主要用于通过光刻技术将图案转移到半导体材料表面。
它在电子、光电、微电子等领域具有重要的应用价值。
光刻胶通常由聚合物基质、感光剂和添加剂等组成，具有良好的感光性能、化学稳定性和热稳定性。
二、LOR3A光刻胶的特点与优势1.优良的感光性能：LOR3A光刻胶具有较高的感光灵敏度，能够在较短的时间内完成曝光过程，提高生产效率。
2.优异的分辨率：LOR3A光刻胶具有较高的分辨率，能够满足微纳米级别制程的要求，助力我国半导体产业发展。
3.良好的附着力：LOR3A光刻胶与半导体材料表面具有优异的附着力，确保图案转移的准确性。
4.稳定性：LOR3A光刻胶在长时间储存和使用过程中，性能稳定，减少了因材料变化导致的工艺误差。
5.环保无污染：LOR3A光刻胶符合环保要求，废液处理简单，降低环境污染风险。
三、LOR3A光刻胶的适用场景与应用范围LOR3A光刻胶广泛应用于半导体制造、光电子器件、微机电系统（MEMS）等领域。
适用于各种制程工艺，如湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等。
四、光刻胶的选用与使用方法1.选用光刻胶时，需根据实际应用场景、制程要求、成本预算等因素进行综合考虑。
2.使用光刻胶前，应进行实验评估，确保所选光刻胶性能满足工艺需求。
3.使用光刻胶时，应严格按照工艺流程操作，避免因操作不当导致的光刻胶性能下降。
五、光刻胶的储存与注意事项1.光刻胶应储存在阴凉、干燥、通风良好的环境中，避免高温、潮湿、直接阳光照射。
2.光刻胶的保质期一般为一年，过期后性能可能发生变化，建议及时更换。
3.使用光刻胶时，应注意佩戴防护设备，避免直接接触皮肤和眼睛。
4.废弃的光刻胶和废液应按照当地环保规定进行处理，切勿随意丢弃。
通过以上对LOR3A光刻胶的介绍，希望能帮助大家更好地了解和应用这款产品。
su8光刻胶参数
su8光刻胶参数
摘要：
1.SU8 光刻胶简介
2.SU8 光刻胶的参数
3.SU8 光刻胶的应用领域
4.SU8 光刻胶的发展前景
正文：
【SU8 光刻胶简介】
SU8 光刻胶是一种半导体制造中使用的光刻胶，其全称为Submicron Photoresist，意为亚微米光刻胶。
SU8 光刻胶具有高分辨率、高对比度、低轮廓和高耐刻蚀性等优点，因此在半导体制造中被广泛应用。
【SU8 光刻胶的参数】
SU8 光刻胶的主要参数包括：
1.曝光波长：SU8 光刻胶的曝光波长通常在365-436 纳米之间。
2.曝光剂量：SU8 光刻胶的曝光剂量一般在10-100mJ/cm之间。
3.显影剂：SU8 光刻胶的显影剂通常为正性或负性显影剂，其选择取决于光刻胶的类型和应用。
4.烘烤温度：SU8 光刻胶的烘烤温度一般在90-120 摄氏度之间。
5.刻蚀速率：SU8 光刻胶的刻蚀速率通常在100-200 纳米/分钟之间。
【SU8 光刻胶的应用领域】
SU8 光刻胶主要应用于半导体制造领域，尤其是微电子制造中。
此外，
SU8 光刻胶还应用于光电子器件制造、微机电系统制造等领域。
【SU8 光刻胶的发展前景】
随着半导体技术的不断发展，对光刻胶的需求也在不断提高。
SU8 光刻胶以其优异的性能，被认为是未来半导体制造的重要材料之一。
az4620光刻胶成分
光刻胶是一种用于微电子制造领域的特种胶粘剂，其中az4620是一种常用的光刻胶材料。
下面将详细介绍az4620光刻胶的成分及其作用。
1. 光刻胶基质
az4620光刻胶的基质是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或其共聚物。
PMMA是一种透明、无色的聚合物，具有优良的光刻特性和化学稳定性。
在光刻胶中，基质的作用是提供胶体的机械强度和稳定性，以确保光刻过程的顺利进行。
2. 光致引发剂
az4620光刻胶中通常含有一种或多种光敏物质，即光致引发剂。
这些光致引发剂在受到特定波长光线照射时，会发生光化学反应，产生自由基或离子，从而引发聚合反应。
这些光致引发剂的种类很多，包括有机金属络合物、饱和技术、偶氮类染料等。
3. 其他添加剂
除了上述主要成分外，az4620光刻胶中还可能添加一些其他添加剂，以改善其性能或满足特定工艺需求。
例如，可以添加润湿剂、表面活性剂、抗静电剂、消泡剂等。
这些添加剂的作用各不相同，如润湿剂有助于胶体更好地附着在基材表面，表面活性剂可以降低界面张力，促进胶体铺展，抗静电剂可以防止静电引起的尘埃吸附，消泡剂则可以消除气泡，防止气孔产生。
总之，az4620光刻胶是一种复杂的化学体系，其成分涵盖了聚合物、有机金属络合物、偶氮类染料等多种物质。
这些成分在光刻过程中发挥着不同的作用，共同保证了微电子制造过程中图像转移的精确性和稳定性。
随着科技的不断发展，相信未来还会有更多新型的光刻胶材料出现，为微电子制造领域带来更大的突破。
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光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）之宇文皓月创作1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变更的耐蚀刻薄膜资料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息财产中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工资料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不竭向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司 2001年收益 2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.525.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.416.1 Shin-EtsuChemical 70.1 10.6 74.28.6 ArchChemicals 63.7 9.6 84.19.8 其他 122.2 18.5 171.620.0 总计 662.9 100.0 859.4100.0 Source: Gartner Dataquest目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm 的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包含美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
中国专利CN1272637A2000年公开了国际商业机器公司发明的193nm光刻胶组合物，在无需相传递掩膜的情况下能够分辨尺寸小于150nm，更优选尺寸小于约115nm。
2003年美国专利US2003/0082480又公开了Christian Eschbaumer等发明的157nm光刻胶。
预计2004年全球光刻胶和助剂的市场规模约37亿美元。
3 国内现状国内主要产品有聚乙烯醇肉桂酸酯（相当于美KPR胶）、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯胶、环化橡胶型购胶（相当于OMR－83胶）和重氮萘醌磺酰氯为感光剂主体的紫外正型光刻胶（相当于AZ－1350）。
其中紫外线负胶已国产化，紫外线正胶可满足2µm工艺要求，深紫外正负胶（聚甲基异丙烯基酮、氯甲基聚苯乙烯，分辨率0.5～0.3µm）、电子束正负胶（聚甲基丙烯酸甲酯一甲基丙烯酸缩水甘油酯一丙烯酸乙酯共聚）（分辨率0.25～0.1µm）、X射线正胶（聚丁烯砜聚1，2一二氯丙烯酸，分辨率0.2µm），可提供少量产品，用于IC制造的高档次正型胶仍全部依赖进口。
光刻胶目前国产能力约为100多吨。
据国家有关部分预测，到2005年微电子用光刻胶将超出200吨。
国内光刻胶主要研制生产单位有北京化学试剂所、北京化工厂、上海试剂一厂、苏州瑞红电子化学品公司、黄岩有机化工厂、无锡化工研究设计院、北师大、上海交大等。
近年来，北京化学试剂所和苏州瑞红电子化学品公司等单位在平板显示器（FPD）用光刻胶方面进行了大量工作，已研制成功并规模生产出液晶显示器（LCD）专用正型光刻胶，如北京化学试剂所的BP218系列正型光刻胶适用于TN／STNLCD的光刻制作。
北京化学试剂研究所一直是国家重点科技攻关课题——光刻胶研究的组长单位。
“十五”期间，科技部为了尽快缩小光刻技术配套用资料与国际先进水平的差距，将新型高性能光刻胶列入了“863”重大专项计划之中，而且跨过0.35µm和0.25µm工艺用i线正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶两个台阶，直接开展0.1µm～0.13µm工艺用193nm光刻胶的研究。
苏州瑞红则是微电子化学品行业中惟一一家中外合资生产企业，曾作为国家“八五”科研攻关“南方基地”的组长单位，其光刻胶产品以用于LCD的正胶为主，负胶为辅。
为加快发展光刻胶财产的程序，北京化学试剂研究所的上级单位——北京化工集团有限责任公司正在做相关规划，争取在“十五”期间，在大兴区兴建的化工基地实现年产光刻胶80吨至100吨的规模。
在此规划中，化工基地前期以生产紫外负型光刻胶及0.8µm～1.2µm技术用紫外正胶为主，之后还要相继生产i线正胶、248nm深紫外光刻胶及0.1µm～0.13µm技术用的193nm高性能光刻胶。
而苏州瑞红也正积极地与国外著名的光刻胶厂商合作，进行248nm深紫外光刻胶的财产化工作，争取使其产品打入国内合资或独资的集成电路生产企业。
4 前途无量近年来，光刻胶在微电子行业中不竭开发出新的用途，如采取光敏性介质资料制作多芯片组件(MCM)。
MCM技术可大幅度缩小电子系统体积，减轻其质量，并提高其可靠性。
近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中，已广泛地应用MCM技术。
可以预见，发展微电子信息财产及光电财产中不成缺少的基础工艺资料——光刻胶产品在21世纪的应用将更广泛、更深入。
光刻胶的定义及主要作用光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变更。
一般光刻胶以液态涂覆在硅片概况上，曝光后烘烤成固态。
光刻胶的作用：a、将掩膜板上的图形转移到硅片概况的氧化层中；b、在后续工序中，呵护下面的资料（刻蚀或离子注入）。
光刻胶起源光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。
图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。
光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。
如图wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。
几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到概况的所有地方。
光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。
多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。
薄膜在几秒钟之内就缩到它最终的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。
最后通过烘焙去掉最后剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。
镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）线。
相对来说他们仍旧对其他波长的，包含红，橙和黄光不太敏感。
所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
光刻胶的主要技术参数a、分辨率（resolution）。
区别硅片概况相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
b、对比度（Contrast）。
指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
c、敏感度（Sensitivity）。
光刻胶上发生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。
单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
d、粘滞性/黏度（Viscosity）。
衡量光刻胶流动特性的参数。
粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会发生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。
它与光刻胶中的固体含量有关。
较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。
粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。
百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。
单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。
e、粘附性（Adherence）。
表征光刻胶粘着于衬底的强度。
光刻胶的粘附性缺乏会导致硅片概况的图形变形。
光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。
f、抗蚀性（Anti-etching）。
光刻胶必须坚持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中呵护衬底概况。
耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
g、概况张力（Surface Tension）。
液体中将概况分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的概况张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
h、存储和传送（Storage and Transmission）。
能量（光和热）可以激活光刻胶。
应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。
同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
一旦超出存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
光刻胶的分类a、根据光刻胶依照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。
负性光刻胶（Negative Photo Resist）。
最早使用，一直到20世纪70年代。
曝光区域发生交联，难溶于显影液。
特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀。
所以只能用于2μm的分辨率。
正性光刻胶（Positive Photo Resist）。
20世纪70年代，有负性转用正性。
正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。
特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。
传统光刻胶。
适用于I线（365nm）、H 线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。
化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。
适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶。
KrF（248nm）和ArF （193nm）。
光刻胶的化学性质a、传统光刻胶：正胶和负胶。
光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中分歧资料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），坚持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。