模电复习资料
模电复习资料

一、填空题1、三极管内部有____________,____________,__________三个区,____________,__________两个结。
2、放大电路的基本分析方法有_____________,_____________。
3、对放大电路来说,人们总是希望输入电阻__________越好,因为这可以减轻信号源的负荷;人们又希望放大电路的输出电阻________越好,因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
4、电压放大器中的三极管通常工作在__________状态下,而功率放大器通常工作在__________状态下。
5、功放电路不仅要求有足够大的_____________,还要求电路中有足够大的___________,以获取足够大的功率。
6、晶体管由于长期工作在受外界___________以及电网电压不稳定的影响,即使输入信号为零,放大电路输出仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做___________。
克服___________的最有效常用电路是_____________。
7、影响放大电路的低频响应的主要因素是________________,影响高频效应的主要因素是_______________。
8、理想集成运放的理想化条件是_______________,_______________,________________,___________________。
9、_____________运算电路可实现Au>1放大器,___________运算可实现Au<0的放大器,________运算电路可以将方波电压转换成三角波电压,________运算电路可以实现将方波电路转换成尖脉冲电路。
10、_________比较器的电压传输过程中具有回差特性。
11、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的______倍,桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的_____倍,桥式,含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的___倍。
模电综合复习题

模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中,不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时,三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中,多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中,多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中,晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-,I2=-,I3=。
此可知:1、电极①是 C 极,电极②是 B 极,电极③是 E 极。
模电总结复习模拟电子技术基础

模电总结复习模拟电子技术基础Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管~,锗管~。
*死区电压------硅管,锗管。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电复习题

第一章复习题一、填空1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的(五)价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为(自由电子)。
2、PN结正向偏置时,内、外电场方向(相反)。
3、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的(R×1k)档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的(阴)极。
检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区,有(发射)结和 ( 集电)结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死)区、正向导通区、 (反向截止)区和(反向击穿)区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管,属于(电流)控制型器件,单极型三极管称为MOS管,属于(电压)控制型器件。
MOS管只有(多数)流子构成导通电流。
二、判断1、P型半导体中空穴多于自由电子,说明P型半导体带正电.。
(×)2、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿而造成永久损坏。
(×)3、晶体管和场效应管一样,都是由两种载流子同时参与导电。
(×)4、只要在二极管两端加正向电压,二极管就一定会导通。
(×)5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。
(×)三、单选1、单极型半导体器件是(C)。
A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。
4、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率P CM;D、管子的电流放大倍数 。
模电复习题及答案

1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A1.3 电路如图P1.3所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i与u O的波形,并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解:波形如解图P1.3所示。
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,r b e=1kΩ,i U =20mV;静态时U B E Q=0.7V,U C E Q=4V,I B Q=20μA。
判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
图P2.5(1)200102043-=⨯-=-uA ( ) (2)71.57.04-≈-=u A ( ) (3)4001580-=⨯-=u A ( ) (4)20015.280-=⨯-=u A ( ) (5)Ω=Ω=k 1k )2020(i R ( ) (6) Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R ( ) (7)Ω≈k 3i R ( ) (8)Ω≈k 1i R ( )(9)Ω≈k 5o R ( ) (10)Ω≈k 5.2o R ( )(11)s U ≈20mV ( ) (12)s U ≈60mV ( )解:(1)× (2)× (3)× (4)√ (5)× (6)×(7)× (8)√ (9)√ (10)× (11)× (12)√2.13 电路如图P2.13所示,晶体管的β=60,'bb r =100Ω。
模拟电子技术基础总结

模拟电子技术基础总结篇一:模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1.本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。
前者是制造半导体ic的材料(三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料)。
·纯净(纯度>7n)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高,本征激发越强。
·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位,使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。
·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。
2.杂质半导体·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成n型(或P型)杂质半导体(n型:图1-5,P型:图1-6)。
·在很低的温度下,n型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。
·由于杂质电离,使n型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。
·在常温下,多子>>少子(图1-7)。
多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3.半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4.Pn结·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近,会形成一个特殊的薄层——Pn结(图1-8)。
数电和模电知识点
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电1~10章总复习知识点
9 信号处理与信号产生电路
滤波电路的定义、分类
滤波电路的传递函数、幅频特性
正弦波振荡的条件
正弦波振荡电路的组成
RC振荡电路和LC振荡电路
相位平衡条件的判断 桥式、变压器反馈式、三点式、晶体
电压比较器
单门限、迟滞
10 直流稳压电源
桥式整流电路 电容滤波电路 串联反馈式稳压电路
三端集成稳压器
抑制温漂的原理、输出输入关系、共模抑制比
集成运放的参数及典型值、理想运放的特点 实际运放参数的对应用电路的影响
7 反馈放大电路
反馈的概念与分类、反馈类型的判断
负反馈电路闭环增益
不同反馈类型的信号量、增益和反馈系数的含义
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性、减小反馈环内的非线性失真、抑制噪声、 扩展频带、影响输入输出电阻等
1 绪论
电信号源的电路表达形式 放大电路模型
电压放大模型、电流放大模型、互阻放大模型、互导放大模型
放大电路的主要性能指标
输入电阻、输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真
分贝、对数坐标、归一化、波特图、通频带、 半功率点、传输特性
2 运算放大器
运算放大器的电压传输特性 工作在线性区的运放电路
在深负反馈条件下的近似计算 负反馈放大电路的稳定性
自激振荡及稳定工作的条件、稳定性分析 增益裕度、相位裕度
8 功率放大电路
功放电路的特点 乙类双电源互补对称功率放大电路的计算
功率BJT的选择依据
交越失真的产生及消除方法
利用二极管进行偏置的甲乙类互补对称功率放大电路
功率器件安全运行采取的措施
直流负载线、交流负载线 非线性失真的产生及消除
模电基础知识
模电基础知识文件管理序列号:[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]模拟电路基础复习资料一、填空题1.在P型半导体中,多数载流子是(空隙),而少数载流子是(自由电子)。
2.在N型半导体中,多数载流子是(电子),而少数载流子是(空隙)。
3.当PN结反向偏置时,电源的正极应接(N)区,电源的负极应接(P)区。
4.当PN结正向偏置时,电源的正极应接(P)区,电源的负极应接(N)区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体,当掺入五价微量元素便形成N型半导体,其电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
当掺入三价微量元素便形成P型半导体,其空穴为多子,而电子为少子。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V,导通压降约为0.7V,锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。
5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。
饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。
放大时:发射结应(正向)偏置,集电结应(反向)偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是:共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。
模电期末复习资料
2. 确定反馈系数的大小
深度负反馈时
Af 1 F
3. 适当选择反馈网络中的电阻阻值
功率放大器
1、了解放大器的三种工作状态
甲类:在整个周期IC≥O导通角3600η高=50% 乙类:在半个周期IC≥O导通角1800η高=78.5% 甲乙类:在大半个周期IC≥O导通角1800<θ<3600
抑制零漂能力
单端输出时的总输出电压
v o1 A VD1 v id ( 1
v ic K CMR v id
)
频率响应
高频响应与共射电路相同,低频可放大直流信号。
信号运算与处理电路 运放的特点:
KCMR 很大 ri 大: 几十k 几百 k
理想运放: ri
KCMR
ro 小:几十 几百
1. 反馈
反馈通路——信号反向传输的渠道 开环 ——无反馈通路 闭环 ——有反馈通路 正反馈与负反馈
判别方法:瞬时极性法。即在电路中,从输入端开始,沿着 信号流向,标出某一时刻有关节点电压变化的斜率 (正斜率或负斜率,用“+”、“-”号表示)。共射、共集、共基、差分、 运放输入与输出间的瞬时极性法关系
A o 很大: 104 107
运放符号: u- u+
ro 0 Ao
-+
+
Ao
uo
u- u+
-
+
uo
国际符号
国内符号
Rf R1 vN vP R2
(1)反相比例运算电路
vI
A + vO
(2)同相比例运算电路
Rf
为提高精度,一般取 R 2 R 1 // R f
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
判断题 第一章 半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。(对) 二极管 1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。(对) 2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。(错) 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。(错) 三极管 1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结也正偏。(错) 2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. (错) 3、三极管处于截止状态时,发射结正偏。(错) 4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c极可以互换使用。(错) 5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时,晶体三极管一定损坏。(错) 6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。(错) 场效应管 1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域:可变电阻区、截止区和饱和区。(错) 第二章 1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的,对 2、基本放大电路 在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。(对) 3、放大电路的三种组态 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。(错) 三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。(对) 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。(错) 射极输出器不具有电压放大作用。(对) 4、多级放大电路 直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号。(错) 直流放大器只能放大直流信号。(错) 现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。(错) 多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。(错)。 多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。(错) 多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。(错) 第四章
在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。(对) 第五章 从信号的传输途径看,集成运放由输入级,输出级,偏置电路这几个部分组成。(错) 差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。(错) 放大器级间耦合方式有三种:阻容耦合;变压器耦合;直接耦合;在集成电路中通常采用阻容耦合。(错) 第六章
若放大电路的Au小于1,则接入的反馈一定是负反馈;若放大电路的Au大于1,则接入的反馈一定是正反馈。(错) 第八章 电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,滞回比较器的输出状态发生 2 次跃变。(错) 三、判断题(每题2分) 1.在某些场合,可将硅稳压管加正向偏压,取得左右的稳压值。 ( ) 2.三极管在放大区是具有恒流特性,I C 不随 I B的增大而增大。 ( ) 3.温度升高,三极管的穿透电流增大,管子的工作稳定性变差。 ( ) 4.负反馈只能减小非线性失真而不能完全消除失真。 ( ) 5.既有选频网络又有放大能力的电路实质上就是一个自激振荡器电路。 ( ) 6.为了获得最大输出功率,担任功率放大任务三极管的工作参数往往接近于极限状态。( ) 7.加在运放反相输入端的直流正电压可使输出电压变为正。 ( ) 8.甲类功放电路静态工作点合适,交越失真最小,因此功放电路多采用甲类。( ) 9.基本RS触发器与同步RS触发器的逻辑功能均为置0 、置1、保持。 ( ) 10.同步RS触发器可以防止空翻现象,其工作方式分两拍进行。 ( ) 11. T触发器具有置0 、置1的逻辑功能 。 ( ) 12.编码器、译码器、寄存器、计数器均属于时序逻辑电路。 ( ) 13.单稳态触发器由稳态翻转到暂态,不需要外加触发信号就能自动反转。( ) 14.可控硅由导通转向阻断,去掉控制极电压即可。 ( ) 15.无论触发信号是正向还是反向,双向可控硅都能被触发导通,因而输出交流电压。( ) 1.√ 2.× 3.√ 4.√ 5.× 6.√ 7.× 8.× 9.√ 10.× 11.× 12.× 13.× 14.× 15.√ 三、判断题(每题2分) 1.二极管加正向电压时一定导通,加反向电压时一定截止。 ( ) 2.放大器的三种组态是共基极、共射极、共集电极。 ( ) 3.整流电路加接滤波电容后,使输出电压变得连续而平滑,对输出电压的大小没有影响 ( ) 4.射极输出器电压放大倍数略小于1,因此没有任何使用价值。( ) 5.当放大器的负载加重时,其电压放大倍数将增大。 ( ) 6.振荡电路不需外加输入信号就能产生输出信号。 ( ) 7.从AF > 1到AF = 1是自激振荡建立的过程。 ( ) 8.三点式振荡器的共同特点是从LC回路引出三个端分别与三极管的三个电极连接。( ) 9.差动放大器有单端输出和双端输出两大类,他们的差模电压放大倍数相等。 ( ) 10.数字电路中的三极管工作于饱和、截止状态,而放大状态只是过渡过程 。 ( ) 11.主从RS触发器的主触发器与从触发器的状态同时翻转 。 ( ) 12.同步RS触发器和JK触发器都在时钟脉冲前沿翻转。 ( ) 13.真值表包括全部可能的输入值组合及对应的输出值。 ( ) 14.同步 RS触发器的RD、SD端不受始终脉冲控制就能将触发器置0或置1。 ( ) 15.异步计数器中各位触发器在计数时同时翻转。 ( ) 16.可控硅具有弱电控制强电的作用。 ( ) 18.常见的DAC电路有T型电阻网络和倒T型电阻网络数模转换器。 ( )
1.× 2.√ 3.× 4.× 5.× 6.√ 7.√ 8.√ 9. × 10.√ 11.× 12.× 13.√ 14.√ 15.× 16.√ 17.√
一、判断题 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) (7)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (8)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( ) (9)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ) (10)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ) (11)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (12)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( ) (13)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 解: (14)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。( ) (15)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。( ) (16)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。( ) (17)只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。( ) (18)互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) (19)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。( ) (20)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。( ) (21若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 (22)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。( ) (23)运算电路中一般均引入负反馈。( ) (24)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。( ) (25)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 (26)各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( ) (27)在图1所示方框图中,若φF=180°,则只有当φA=±180°时,电路才能产生正弦波振荡。( )
图1 (28)只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。( ) (29)凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。( ) (30)非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。( ) (1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×(7)× (8)√ (9)× (10)× (11)√(12)× (13)×(14)×(15)√ (16)× (17)× (18)√(19)×(20)√(21)×(22)√(23)√ (24)× (25)√(26)×(27)√(28)×(29)×(30)×
1.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 (√ ) 2.放大电路产生饱和失真或截止失真的根本原因是静态工作点不合适。 (√ ) 3.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。 (√ ) 4.只要放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 (× ) 5.直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。 (√ )
B三、判断题。正确的打“√”,错误的打“×”。(共5小题,每小题1分,共5分。) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 (×) 2.任何放大电路都既能放大电流又能放大电压。 (×) 3.在推挽功率放大器中,当两只晶体三极管有合适的偏置时,就可以消除交越失真。(√) 4.在输入量不变的情况下,若引入反馈后净输入量减小,则说明引入的反馈是负反馈。(√) 5.功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。 (×) C三、判断题。正确的打“√”,错误的打“×”。(共5小题,每小题1分,共5分。)