ITO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响
太阳能电池电池系列之方块电阻

丫丫学电池系列之方块电阻摘要:本篇是丫丫自“半导体基础知识”篇之后,再次回归基础知识的学习记录。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料,衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。
一、基本概念方阻就是方块电阻,又称面电阻,指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻,如图一所示,即B边到C边的电阻值。
方块电阻有一个特性,即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的,不管边长是1米还是0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻的计算公式:Rs=ρ/t (其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度)二、利用方阻监控扩散方块电阻是一个二级概念,真正的核心是扩散深度。
一般扩散深度会影响电性能参数,因为扩散深度无法测量,所以只能通过测电阻来大概反映扩散深度和扩散浓度。
他是一个深度和浓度,以及体材料多重作用的结果,至于其和电性能参数各值之间的线性关系,目前没有什么特定方程式,都是通过经验来控制在一定的方位,做到30-50的都有。
方阻一般只是在扩散后进行监控,监控方阻就是为了监控扩散的稳定性。
测试方阻跟最后的烧结工序的影响也是很重要的,因为结的深度也会影响你最后烧结的深度,否则有可能出现Rs的异常。
所以方阻也是烧结条件的重要指标。
一般结深则电阻小,掺杂浓度高。
电阻小了,掺杂量就高了,表面死层就会多,这样会牺牲很多电流;电阻大了,电流的收集就会比较困难;方阻要做高,是需要其他相关条件保障的,假如其他条件不满足,效率反而会降低。
一般扩散温度越高,时间越长,流量越大,方阻就越小,结就越深。
除了扩散之外,生产中的其它工序对方阻也会产生影响。
一般如果是稳定生产,方阻也是稳定的。
后道生产中,假如出现大量问题片,看症状跟方阻有可能相关的,就可以去反查工序中是否出现了问题,即使电池也是可以测试的。
但是这个只能相对参考,一般公司都会规定方阻多少到多少之间的片子可以进入流程,另外的就要返工,但是因为是抽检,谁又能保障进入流程的都是好的呢,甚至员工有可能会偷懒,好的片子坏的片子都流入流程。
太阳电池电极工艺对其并联电阻和影响

太阳电池电极工艺对其并联电阻和影响汪义川陈庭金(云南半导体器件厂) (云南师大太阳能所)摘要本文通过~10Omm 太阳电{忸 I进生产线上产品成批不合格的事例·发现了并联电阻R 低是影响大面积太阳电池效率舶重要参散.R h得到改善后,平均转换效率 >l3%-本研究是对引进技术一次良好的消化吸收和充实过程.对指导生产起了关键作用.关键词:太阳电池电极工艺并联电阻引言1987年7月云南半导体厂引进TPK公司太阳电池生产线调试完毕,联动试车成功.产品达到合同规定:转换效率≥9%,≥12%,台格率≥90%.验收产品电池 12.5%,台格率为91.3%.并生产了5KM 电池出口.但是,好景不长,从1988年3月开始,出现了一个严峻的现象,即产品连续出现不台格转换效率低,台格率低于9%.经反复研究实验,找到了影响产品质量的主要原因: Rsh值太低.并解决了提高Rsh值的工艺方法.产品质量分析引进线生产的TDBlo0太阳电池参数规范为:短路电流≥2300mA,开路电压V。
≥580mv,串联电阻R。
≤0.03Ω,并联电阻Rsh ≥5Ω,填充因子FF≥70%,转换效率≥l2%.规范参数表明应达到的标准,但是,除η外,不要求同时达到.研究中,电池电学参数采用CT一100测试仪对单体太阳电池进行全面测试,其终端可显示从零起,每隔I2mV一个电流值,或固定显示每隔24mV对应的电流值同时,可显示I—V 曲线,给出Isc 、Voc 、FF、Pmax、Vmax,Imax、Rsh、Rs等数据.例:Isc= 2338mA , Voc= 584mA . FF= 71.3%, P = 974mw, Vmax = 468mv,Imax=2082, Rsh=6.41Ω, Rs=0.03Ω,η=12.5%·下面表(一)是多批各种档次的不台格产品,其参数的测试平均值.表中数据指出: Rsh 上升, Rs下降,则FF和η上升理论和实践结果一致指出,Rsh不影响Isc .但影响Voc ;Rs 不影响Voc,而对FF和η影响很大,I-V特性很坏.用DT一830数字表测电池的P_N结正反向特性.无一例外的显示出正向、反向有近似相等的阻抗值,且其值较低.结果列于表(二)中表(二)显然,电池P—N 结处于空穿通状态当我们把电池四周掰掉,直到只剩1一2cm 时再测量,其结果但然是正反向一样.同样测≥12%的电池,其正反向阻抗数据差别较大,结果如表(三)所示.,表(三)生产中还发现.在烧结电极时无论升温还是延时,只要Rsh 低,则Rs就偏大.当Rsh值合格时, Rs也有好的值.以上分析表明Rsh 低是造成产品不合格的主要原因之一.当我们调研提高Rsh 值的方法时,发现太阳电池究资料鲜为人见.人们多半论述Rs;对η的影响.曹泽淳“.洪垣的文章,以及书籍中.对Rsh仅有一般论述,或认为可以作得很大,因而对效率的影响可以不考虑值得指出的是:上述研究都是以几个平方厘米的小面积太阳电池作为对象得出的结论3 实验研究及其结果从我们的生产工艺流程看,以下几个因素与Rsh 有关:1.硅材料,2.切片损伤层 3.太阳电池周边扩散层的去除,4_绒面扩散层的保护.5 电极烧结温度和时间,为此,我们对上述五方面进行了实验研究.在实验过程中,我们又发现一个新的重要因素:Rsh与浆料有关.下面简述实验研究结果:3.1Rsh与硅材料的关系用三家的硅片做了对比试验,结果示于表(四)表(四)指出:R 与材料有关.739厂的单品硅片结果好一些,但总的讲来差别不大.3.2 Rsh与切片机械损伤层的关系:单晶硅棒用切片机切割成片对,因机械切割使硅片表受到损伤的区域可分为四部分,即表面粗糙区、碎裂区,位错网络区和弹性应变区对高精度切片机,损伤区的总厚度约10~2O m.这些表面损伤区若不去除,将在高温扩散时产生大量的表面复合中心,增加表面复合速率,减少扩散区域流于寿命.从而降低太阳电池效率.制造太阳电池时,去除表面损伤区,可通过制绒面减薄硅片实现一步法制绒面工艺中,NaOH 浓度2.3%,温度78"C,时间40分钟.各向异性腐蚀结果列于表(五)中表(五)厚度、电阻率均用Sologon200无接触厚度电阻牢测试仪测得,表中所列硅片减薄厚度均在49μm 以上,因此所制出的绒面基片的表面机械损伤层B 完全去除但用这些基片作的实验电池,其Rsh=1.22Ω,故机械损伤不是我们生产工艺导致低R h的原因在生产中,每批投料都把硅片减薄厚度作为个一重要参数来检测,并调整腐蚀温度和时间,保证硅片减薄厚度在40μm 以上.3.3 Rsh与周边扩散P—N 结去踩的关系:基片周边因扩散形成P—N 结,若去除不尽,将造成电池短路.生产中我们用等离子体腐蚀法去除周边p-N 结,其腐蚀反应方程为:射频电场CF ——————C+4F+Si+ 4F+————SiF4上述反应与射频电场的能量,CF4的流量,电池片数目和反应时问有关.腐蚀后可用冷热探针法检查边缘P_N 结是否去除干净.当电池边周均呈现P型硅后,则确认同边P-N 结巳被去除.3.4 Rsh与绒面扩散层是否损坏有关:电池表面用腐蚀法制成的绒面,对人射光有强的减反射性能,是其优点.但是,扩散后的硅片在各种操作工序中必须精心-稍不注意就会把表面的金字塔体的尖顶损坏,将P型基底暴露出来.如果又适逢在损坏处被金属电极覆盖,便会造成短路应该指出:这种损坏是随机的,不可能片片都有,且金属电极又总是分布在损坏处.我们知道,上电极栅线的遮光面积占总受光面的8~10%,因此,整批电池由此引起短路机率是小的.另外,我们曾用同批扩散采用两种方法制作电极.其中一部分采用化学镀镍电极,结果测得好的I—V特性;另一部分采用引进线的烧结银桨电极,结果测得差的I—V特性,由此得到结论:整拙产品的Rsh 值低,主要不是扩敬层缄面金字塔顶破坏被金属电极覆盖 l起短路造成的.3.5 Rsh与上电极烧结温度和烧结时间的关系:引进线太阳电池采用厚薄化电极工艺.在扩散过的硅片上,通过丝网印刷上银桨栅线,再在红外线炉中烧结形成欧姆接触电极.它和真空蒸镀,化学镀工艺制电极完全不同.具有操作简单、重复性好、自动化程度高,因而产量大、成本低等优点红外线干燥炉具有5米长的不锈钢传送带,带速每分钟4~60(10~ 150cm)连续可调;温度在900℃以下,有连续可调的七段温区,工作方便.表(六)是在该炉中烧结电极的实验结果.七段炉温分布取150℃、250℃,350℃、450℃,775℃, 850℃。
镀膜温度对ITO薄膜光电性能及稳定性的影响

镀膜温度对ITO薄膜光电性能及稳定性的影响在不同温度条件下采用磁控溅射法制备ITO薄膜,研究镀膜温度对ITO薄膜光电性能以及薄膜相关稳定性的影响。
结果表明:随着镀膜温度的升高,薄膜的生长速率降低,在可见光区内,会使截止吸收边及峰值透过率蓝移。
薄膜的方阻及电阻率,随着镀膜温度的升高而降低,在295℃薄膜方阻最小为10.82Ω/□,电阻率最低为1.210E-4Ω·cm。
常温放置1年后,200℃以下(包含200℃)制备的ITO薄膜,其方阻变化率均在10%以上,阻值变化较大,稳定性差。
大于200℃制备的ITO薄膜,其方阻变化率小于10%,其中295℃最小,变化率为1.66%。
标签:温度ITO薄膜磁控溅射一、引言透明导电薄膜是指对波长380~780nm的可见光的光透过率高(平均光透过率TA VG>80%),导电性能好(电阻率<10-3Ω·cm)的薄膜。
其种类较多,包括金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等[1]。
其中ITO,AZO,FTO,IGZO等氧化物膜占主导地位,近年来石墨烯薄膜的制备研究速度加快,但制备过程中问题不少,石墨烯薄膜關键性能指标,导电性和透明性均未达到ITO的水平。
ITO铟锡氧化物薄膜是一种重掺杂、高简并n型半导体材料,因具有可见光透过率高、电阻率低、附着性好、稳定性高等优点,被广泛应用于太阳能电池、显示器、薄膜晶体管(TFT)、红外辐射反射涂层、触摸屏等[2、3]。
ITO薄膜的制备方法很多,包括溶胶-凝胶法,电子束蒸发法,直流、射频磁控溅射法,脉冲激光沉积法等[3-6],磁控溅射法具有膜层附着性好、生长速率快、膜层均匀性好、成膜面积大、工艺可控性好、适用于大规模生产等优点,因此被广泛使用。
磁控溅射法制备ITO膜的工艺研究文献较多,涉及影响ITO薄膜性能关键工艺参数:氧气含量、镀膜温度、镀膜功率、溅射压强等。
目前各行业对产品的可靠性要求越来越高,ITO薄膜在性能要求方面更为严格,不仅要求光电性能良好,均匀性及附着性好,而且要求在高温、耐酸耐碱性等特殊环境条件下电学性能的稳定性好。
电池片扩散方阻

电池片扩散方阻随着太阳能技术的发展,电池片成为太阳能能量转换的核心。
电池片的性能不仅仅取决于电子和空穴的跨越能力,还需要考虑到电池片的扩散方阻。
本文将重点介绍电池片的扩散方阻。
一、什么是电池片的扩散方阻电池片扩散方阻是指在介质中,由于物质浓度不同而引起的扩散,形成的电阻,是电池片内部电阻的一种形式。
电池片的扩散方阻是影响电池片性能的重要因素。
二、扩散方阻的影响因素1. 导电层的材料导电层的材料影响电池片的扩散方阻。
常见的导电层材料有铝、银、铜、金等。
其中,银常常被用作导电层材料,因为它的电导率高,电切应力小,抗氧化性好,能够降低电池片的扩散方阻。
2. 晶粒尺寸电池片的晶粒尺寸也会影响电池片的扩散方阻。
在晶粒尺寸越小的情况下,扩散方阻也会相应的减小。
因为晶粒尺寸小,电子和空穴的重复进出现象就会更频繁,能够加快电子和空穴的输运速度,从而减小扩散方阻。
3. 入射光辐照度电池片在辐照条件下,扩散方阻也会发生变化。
辐照度越高,扩散方阻就会越小。
因为在光照下,电子和空穴从锁定态跃迁到非锁定态的时间增加,减小了扩散方阻。
三、如何降低电池片的扩散方阻1. 导电层的优化优化导电层的材料和厚度,能够有效地减小电池片的扩散方阻。
银作为导电层的材料,在选用的过程中需注意耐腐蚀性和物理性能。
2. 晶粒尺寸的控制晶粒尺寸的大小对电池片的性能有较大影响。
可以通过优化材料生长过程、控制结晶温度、加入杂质等方法控制晶粒尺寸。
此外,通过合理的退火序列和处理,也能够使晶粒尺寸得到有效控制。
3. 光照条件的优化通过优化光照条件,例如增加入射光强度和光谱匹配度等,能够减少扩散方阻。
同时,厚度和透明电极的设计也能够减少扩散方阻。
四、总结电池片的扩散方阻是影响电池片性能的重要因素。
通过优化导电层材料、控制晶粒尺寸、优化光照条件等方式,能够有效降低电池片的扩散方阻。
AZO、ITO、FTO性能对比

AZO、ITO、FTO三种TCO玻璃,技术性能对比:ITO镀膜玻璃。
一种非常成熟的产品,具有透过率高,膜层牢固,导电性好等特点,初期曾应用于光伏电池的前电极。
但随着光吸收性能要求的提高,TCO玻璃必须具备提高光散射的能力,而ITO镀膜很难做到这一点,并且激光刻蚀性能也较差。
铟为稀有元素,在自然界中贮存量少,价格较高。
ITO应用于太阳能电池时在等离子体中不够稳定,因此目前ITO镀膜已非光伏电池主流的电极玻璃。
SnO2镀膜也简称FTO,目前主要是用于生产建筑用Low-E玻璃。
其导电性能比ITO略差,但具有成本相对较低,激光刻蚀容易,光学性能适宜等优点。
通过对普通Low-E的生产技术进行升级改进,制造出了导电性比普通Low-E好,并且带有雾度的产品。
利用这一技术生产的TCO玻璃已经成为薄膜光伏电池的主流产品。
氧化锌基薄膜的研究进展迅速,材料性能已可与ITO相比拟,结构为六方纤锌矿型。
其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛,它的突出优势是原料易得,制造成本低廉,无毒,易于实现掺杂,且在等离子体中稳定性好。
预计会很快成为新型的光伏TCO产品。
目前主要存在的问题是工业化大面积镀膜时的技术问题。
光伏电池对TCO镀膜玻璃的性能要求:1.光谱透过率为了能够充分地利用太阳光,TCO镀膜玻璃一定要保持相对较高的透过率。
目前,产量最多的薄膜电池是双结非晶硅电池,并且已经开始向非晶/微晶复合电池转化。
因此,非晶/微晶复合叠层能够吸收利用更多的太阳光,提高转换效率,即将成为薄膜电池的主流产品。
2.导电性能TCO导电薄膜的导电原理是在原本导电能力很弱的本征半导体中掺入微量的其他元素,使半导体的导电性能发生显著变化。
这些微量元素被称为杂质,掺杂后的半导体称为杂质半导体。
氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃就是将锡元素掺入到氧化铟中,提高导电率,它的导电性能在目前是最好的,最低电阻率达10-5Ωcm量级。
3.雾度为了增加薄膜电池半导体层吸收光的能力,光伏用TCO玻璃需要提高对透射光的散射能力,这一能力用雾度(Haze)来表示。
ito的电导率

ito的电导率ITO是一种常见的透明导电材料,具有优良的电导率。
本文将从ITO 的电导率原理、应用领域以及影响电导率的因素等方面进行探讨。
我们来了解一下ITO的电导率原理。
ITO全称为Indium Tin Oxide,是一种由铟、锡和氧元素组成的化合物。
ITO的导电性主要来自于其中的锡元素,锡在晶格中的掺杂可以提供自由电子,从而使得ITO具有优良的电导性。
此外,ITO具有优良的透明性,可在可见光范围内实现高透过率,这使得ITO成为一种理想的透明导电材料。
ITO的电导率决定了其在各个领域的应用。
首先是平板显示领域,ITO广泛应用于液晶显示器、触摸屏等设备中,作为透明电极。
由于ITO具有较高的电导率和透明性,能够提供良好的电子传输和光透过性能,从而实现了高质量的显示效果。
其次是太阳能电池领域,ITO可以作为透明电极材料,用于太阳能电池的前端电极,提高电池的光吸收和电子传输效率。
此外,ITO还应用于导电膜、电磁屏蔽、触摸传感器等领域。
影响ITO电导率的因素有多个。
首先是材料的成分和纯度。
锡元素的掺杂浓度、铟与锡的比例以及氧化物的纯度都会影响ITO的电导率。
其次是材料的晶格结构和取向。
晶格结构的缺陷和晶粒的取向都会对ITO的电导率产生影响。
此外,ITO薄膜的制备工艺也会对其电导率产生影响,如沉积方法、退火温度等。
为了进一步提高ITO的电导率,研究者们也进行了一系列的改进措施。
一种常见的方法是通过掺杂其他元素来提高ITO的导电性能,如钒、锰等。
此外,还可以通过优化制备工艺,如使用磁控溅射、离子束辅助沉积等技术来制备高质量的ITO薄膜,提高其电导率。
总结起来,ITO作为一种透明导电材料,具有优良的电导率和透明性,广泛应用于显示器、太阳能电池等领域。
其导电性能受多个因素的影响,包括成分纯度、晶格结构、制备工艺等。
为了进一步提高其电导率,可以通过掺杂其他元素、优化制备工艺等方法进行改进。
未来随着技术的不断发展,ITO的电导率有望进一步提高,为各个领域的应用提供更好的性能。
异质结电池ito与电极钝化

异质结电池ito与电极钝化异质结电池是一种能够将光能转化为电能的装置。
ITO(Indium Tin Oxide)是一种常用的透明导电材料,常被用作异质结电池中的电极材料。
然而,在实际应用中,ITO电极往往会出现电极钝化的问题。
本文将对ITO与电极钝化进行深入探讨。
首先,我们需要了解什么是电极钝化。
电极钝化是指电极在一定条件下,表面形成一层难溶解的物质,阻碍了电极与电解液之间的电子和离子传输。
电极钝化的发生主要是由于电极表面的物理和化学反应。
对于ITO电极而言,钝化现象主要表现为电极表面的电导率下降、电极电势变化、电化学活性降低等。
这些现象直接影响了电池的性能和效率。
因此,针对ITO 电极的电极钝化问题,我们需要寻找解决方案。
钝化的主要原因是ITO电极表面的氧化物层的形成。
氧化物层的生成可能是由于ITO电极在工作环境中受到氧化作用的影响,或是在ITO电极制备过程中残留的氧化物。
为了解决这一问题,可以采取以下措施:1. 清洁和预处理:在ITO电极制备过程中,要确保材料的纯净度,并且在使用之前进行充分的清洁和预处理。
这包括使用适当的溶剂和表面活性剂清洁电极表面,去除可能存在的污染物和残留物。
2. 表面修饰:通过表面修饰可以改变ITO电极的表面性质,减少钝化现象的发生。
一种常用的方法是在ITO电极表面形成一层有机物薄膜,以阻止氧化物层的形成。
这可以通过溶胶-凝胶法、化学气相沉积法等方法实现。
3. 薄膜保护层:在ITO电极表面涂覆一层薄膜保护层,可以有效防止氧化物层的形成和钝化的发生。
常用的薄膜保护材料有氧化锌、氧化铟、氧化铟锡等。
这些材料可以在ITO电极表面形成一层稳定的保护层,阻止氧化物的形成。
4. 温度控制:钝化现象往往受到温度的影响。
通过控制ITO电极的工作温度,可以减缓或防止电极钝化的发生。
需要注意的是,在温度控制过程中要确保电池的正常运行和稳定性。
除了以上方法,还可以根据具体情况采取其他措施。
有机太阳能电池器件的性能研究与优化

有机太阳能电池器件的性能研究与优化一、引言太阳能作为可再生能源的重要组成部分,在近年来得到了广泛的关注和研究。
有机太阳能电池作为一种新兴的太阳能转换技术,在光电转换效率、柔性性能和低成本等方面具备巨大的潜力。
因此,对有机太阳能电池器件的性能进行研究与优化,对于推动可再生能源的应用和发展具有重要意义。
二、有机太阳能电池原理有机太阳能电池利用有机半导体材料吸收太阳光,产生电子-空穴对,进而将光能转化为电能。
具体而言,有机太阳能电池器件主要由阳极(ITO)、有机半导体层、阴极(金)等组成。
其中,有机半导体层起到光电转换的关键作用,通过吸收和传输光能,将其转化为电能并输出。
三、有机太阳能电池性能研究1. 光电转换效率优化光电转换效率是衡量有机太阳能电池性能的重要指标之一。
为了提高光电转换效率,研究者通过一系列的策略对器件进行了优化。
例如,改进有机半导体材料的能带结构,提高光吸收和载流子传输效率;引入表面修饰层,增强电子和空穴的抑制作用;优化阳极和阴极的界面特性,提高电池器件的光电转换效率。
2. 稳定性改善有机太阳能电池的稳定性问题是限制其实际应用的重要因素之一。
长时间光照、潮湿环境等因素都可能导致器件降解,影响其性能和寿命。
因此,研究者致力于改善有机太阳能电池的稳定性。
例如,引入稳定性增强剂,提高器件的耐光照和耐湿性能;优化材料配方和器件结构,减少器件的降解现象。
3. 柔性性能研究作为一种柔性的太阳能转换技术,有机太阳能电池的柔性性能对其应用领域具有重要影响。
为了满足不同应用场景对器件形态的需求,研究者通过控制材料的晶型、优化层间的相互作用等方法,提高有机太阳能电池的柔性性能,使其可以适应不同的曲面和基底。
四、优化策略在研究过程中,通过对有机太阳能电池性能的分析,研究者提出了一系列的优化策略,以进一步提高器件性能。
例如,通过优化材料组分和配比,提高光电转换效率;引入新型的界面修饰层,增强器件的稳定性;探索新型的有机半导体材料,拓展器件的应用范围等。
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第33卷第1期 南京邮电大学学报(自然科学版) 2013年2月 Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications(Natural Science) V01.33 No.1
Feb.2013
ITO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响 赵新彦 ,李志刚 ,密保秀 ,高志强 ,黄 维 , /1.南京邮电大学江苏省平板显示与固体照明研究中心材料科学与工程学院,江苏南京210023 l 2.南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地信息材料与纳米技术研究院,江苏南京
摘要:研究了氧化锢锡(ITO)电极方阻对有机太阳能电池性能的影响。通过分析采用不同方阻的ITO作为阳极 的有机太阳能电池电阻特性和光学特性,探讨了影响器件性能的原因。ITO电极方阻影响器件的串联电阻和并联 电阻,从而对器件的短路电流和功率转换效率有显著影响。不同ITO玻璃的透过率以及电磁场在电池器件内部的 分布表明,ITO玻璃的光学特性差异不大,对器件性能影响较小。器件效率的差别主要是由于不同ITO方阻对器件 电阻特性的影响导致。 关键词:ITO电极;方阻;有机太阳能电池;电阻特性;电磁场分布 中图分类号:TM914.4 2 文献标志码:A 文章编号:1673-5439(2013)O1-0091-05
Influence of ITO Electrode Square Resistance on Characteristics of Organic Solar Cells
ZHAo Xin.yan ,LI Zhi-gang ,MI Bao-xiu , GAO Zlli-qiang .HUANG Wei 厂1.Jiangsu Engineering Center for Flat—Panel Displays&Solid—State I』ighting,School of Materials Science&Engineering'、 1 Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210023,China l 1 ・Key Laboratory for Organic Electronics&Informati0n Displays,Institute of Advanced Material l Nanjing University of Posts and Telecommunications。Nanjing 210023.China /
Abstract:Infuence of ITO(Indium Tin Oxides)electrode square resistance on characteristics of organic solar cells is studied.Based on the analysis of resistance characteristics and optical properties of organic solar cells using ITO electrodes with different square resistances,causes affecting the device characteris- tics are explored.Through affecting the series resistance and shunt resistance of the device,ITO electrode square resistance has substantial influence on the device short・・circuited current and power conversion effi-- ciency.The transmittance of ITO glass substrates and the distribution of electromagnetic field inside the solar cells reveal that the optical property of different ITO glass differs slightly and has insignificant influ— ence on the device characteristics.The difference of the device efficiency mainly comes from the influence of diferent ITO square resistance on the device resistence. Key words:ITO electrode;square resistance;organic solar cells;resistance characteristics;electromag— netic field distribUtion
收稿日期:2012-03-04 基金项目:国家重点基础研究发展计 ̄l(973计划)(2009CB930600)、国家自然科 ̄(20974046,61077021,61076016)、国家教育部新世纪 优秀人才基金(NCET-08-0697)资助项目 通讯作者:黄维电话:(025)85866008 E-mail:wei.huang@njupt.edu.cn 南京邮电大学学报(自然科学版) 2013年 0 引 言
基于有机材料制备的太阳能电池器件具有柔 性、轻便、低成本的优势,近年来受到广泛关注并得 到突飞猛进的发展。器件效率8%左右的有机太阳 能电池已有报道¨ J,有望在不远的将来达到并突 破可商业生产的效率基线10% 。氧化铟锡(indi— um tin oxides,ITO)是当前制备有机太阳能电池最常 用的电极材料,其性质对器件性能有显著影响。 ITO表面处理对ITO特性以及有机光伏器件性能的 影响已得到了广泛研究 5 j。等离子体处理和紫外 臭氧处理可以改善ITO表面的亲水性,提高ITO的 功函数,进而提高有机光伏器件的效率 “j。理想 情况下,有机太阳能电池器件应该具有较小的串联 电阻和较高的并联电阻,以保证较高的电流密度和 较少的电流泄漏¨ “ 。ITO电极的电阻会影响电 极与有机功能层之间的接触,进而影响器件的串联 电阻 。因此,有必要对ITO电极方阻对有机太 阳能电池器件性能的影响进行详细的研究。本文基 于ITO/CuPc(酞菁铜)/C60/TPBi(1,3,5-tris(2一N— phenylbenzimidazoly1)benzene)/A1结构的有机太阳 能电池器件,探讨了ITO电极方阻对器件电流.电压 特性和IPCE特性的影响,从并联电阻和串联电阻, 以及器件的光学特性等方面分析了ITO电极对器件 性能的影响。 1 实 验 所用器件结构为ITO/CuPc(20 nm)/C∞(40 nm)/TPBi(8 nm)/A1(100 nm)。镀有ITO的玻璃 依次用中性洗涤剂、去离子水、丙酮和异丙醇超声洗 涤,每个过程15分钟。洗净的玻璃片放在烘箱中 120℃烘烤24小时,去除表面水分。PEDOT:PSS层 旋涂在ITO表面,作为空穴传输层和阳极缓冲层。 CuPc、C∞、TPBi和金属铝在真空度为8×10 Pa的 真空腔中进行热蒸镀。TPBi层在C∞和金属阴极之 间作为激子阻挡层。真空蒸镀膜层的厚度用石英晶 振片进行监测。电池器件的面积为0.1 cm 。 电流一电压(J.V)特性用Keithley 2 400电流电 压源进行测试,光源为AM 1.5(100 mW/cm )的太 阳光模拟器。采用三种不同方阻和不同厚度的ITO 作为阳极,分别为:10 口(150 nm),20 ft/口(120 nm)和150 口(30 nm)。 2器件性能 采用三种不同ITO作为阳极的太阳能电池电 流一电压( )特性如图1所示。相应的短路电流 (., )、开路电压(Vo )、填充因子(FF)以及功率转 换效率(r/。)在表1中给出。由器件的电流.电压特 性可以看到:随着ITO电极方阻减小,器件的Jsc有 所增加;ITO电极为10 Q/口和20 口的器件 比150 口ITO的器件稍有增加(0.38 V至 0.4 V),而10 口和20 口的器件 相等; 10 口和150 口的器件FF接近(56%和 55%),20 口的器件FF最小(52%)。采用不同 ITO阳极的电池 和FF区别不大,这表明不同方 阻的ITO对 和FF的影响较小。从器件总的功 率转换效率来看,卵 随ITO电极电阻减小而增大, 150 口的器件卵。最小(0.68%),10 口的器件 最大(0.78%),比较而言,减小ITO电阻对器件 '7 的提高可达15%左右。可见不同的ITO电极对 有机太阳能电池器件的性能有显著影响。由器件的 电流-电压特性可知,这种提高主要源自于器件短路 电流的提高。
Vohage/V 图1 电流・电压(J・V)特性曲线
3电阻特性分析 有机太阳能电池应具有较高的并联电阻和较低 的串联电阻。并联电阻和串联电阻与有机太阳能电 池的短路电流和填充因子密切相关 。为研究不 同方阻的ITO电极对器件并联电阻和串联电阻的影 响,我们通过电流一电压曲线计算并联电阻和串联 电阻 :
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其中,J。为暗电流,Jsc为短路电流,A为电池器件面 第1期 赵新彦等:1TO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响 积,k 为波尔兹曼常数, 为开氏温度,q为电荷电 量,n。为理想因子。 和 分别为串联电阻和并 联电阻,计算结果如表1所示。 表1器件性能:短路电流( )、开路电压( )、 填充因子(FF)以及功率转换效率( ),以及 电池器件的串联电阻(R l和并联电阻(R l 从表1中可知随着ITO方阻的减小, 减小而 R 有所增加。R 高,说明器件漏电流比较小;R 低,说明电极与有机层之间形成欧姆接触,界面问的 接触电阻较小¨ 引。因此,较小的ITO电极方阻有 可能导致在有机太阳能电池器件的电极界面处形成 良好的欧姆接触,从而减小载流子收集的势垒,并减 小电极界面处的漏电流。器件串联电阻和并联电阻 的变化规律与短路电流和功率转换效率的变化规律 符合,这表明ITO电极的方阻影响器件的串联电阻 和并联电阻,从而对器件的短路电流和功率转换效 率有显著影响。 4光学特性分析 有机太阳能电池器件的功率转换效率除了和电 池器件中激子解离、载流子传输以及电极对载流子 的收集效率等电学特性有关外,还和器件的光学性 能有关,包括入射光子透过玻璃基底和ITO膜层的 透过率,以及由于薄膜干涉在器件内部形成的电磁 场分布。为进一步探讨影响不同方阻ITO的电池器 件性能的原因,我们测量了有机太阳能电池器件入 射光量子转换效率光谱分布(IPCE),结果如图2所 示。为分析光学特性对器件IPCE的影响,我们测 量了三种不同方阻的ITO玻璃的透过率,并通过计 算模拟出了电磁场在器件内部的分布曲线。 IPCE是指不同波长下,转换为光生载流子数量 和入射到器件上该波长的光子数量之比。由图2可 以看到,对于CuPc/C砷为活性层的有机太阳能电 池,有三个明显的光吸收峰,分别在463 am、621 am 和705 nm处。ITO电极方阻为150 D./口的器件 IPCE值在463 nm波段较大,但随着波长增加,其 IPCE值与20 12/口的器件接近。ITO电极方阻为 10 l-b/口的器件在463 am波段处IPCE的值较小,而 在较长波长处(621 nm和705 nm)其IPCE值明显 大于20 口和150 O,/口的器件。 25