《集成电路原理及应用》课后答案
集成电路作业参考答案

14091平时作业参考答案第一次作业1、比较CZ法与FZ法制备Si单晶的优缺点。
答:直拉法在Si单晶的制备中更为常用,占75%以上。
直拉法制备Si单晶的优点是:1)成本低;2)能制备更大的圆片尺寸,6英吋(150mm)及以上的Si单晶制备均采用直拉法,目前直拉法已制备出400mm(16英吋)的商用Si单晶;3)制备过程中的剩余原材料可重复使用;4)直拉法制备的Si单晶位错密度低,0~104cm-2。
直拉法制备Si单晶的主要缺点是,由于使用坩埚,Si单晶的纯度不如区熔法。
区熔法制备Si单晶的主要优点是,由于不使用坩锅,可制备高纯度的硅单晶,电阻率高达2000Ω-mm,因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。
区熔法制备Si单晶的缺点是:1)成本高;2)可生产Si单晶的尺寸较小,最大为150mm直径;3)位错密度较直拉法高,在103~105cm-2之间。
2、为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体?答:目前,95%以上的集成电路都采用了Si半导体,其原因是:①Si 元素占地壳重量的20%-25%,制备Si单晶的石英岩(主要成分是SiO)分布广,开采成本低;②Si单晶的直径在所有半导体晶体最大,目前已达16英吋(400mm),且按照摩尔定律每3年增加1英吋,这大大降低了芯片的成本;③Si的氧化物SiO2性能稳定,在集成电路制造工艺中有各种用途,例如,掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质(多层布线)、绝缘栅、MOS 电容的介质材料等;④Si 半导体材料的另一形态多晶硅( Poly-Si )在集成电路工艺中也有许多用途,例如,栅极(可实现源漏自对准工艺)、杂质扩散源、局部互连线(比铝布线灵活)等;第二次作业3. 证明硅热氧化时,生成厚度为z ox 的二氧化硅膜,约需消耗0.45z ox厚的硅层(二氧化硅的密度为2.24g/cm3;硅的密度为2.33g/cm 3)。
4. 某npn 硅晶体管在1200℃下进行基区氧化,氧化过程为:15min干氧加45min 湿氧(T H2O =95 ℃)再加15min 干氧,试求所生成的氧化层厚度。
集成电路原理与应用

集成电路原理与应用
集成电路是由多个电子器件(如晶体管、电容器、电阻器等)以及相应的互连线路组成的一个集成整体。
它可以完成各种电子功能,如放大、开关、滤波、计数等,并且具有体积小、重量轻、性能稳定等优点。
集成电路可以广泛应用于各个领域。
在通信领域,集成电路被用于手机、电视、无线网络等设备中,实现信号处理、频率调节等功能。
在计算机领域,集成电路被用于中央处理器(CPU)、内存、硬盘等组件中,实现高速运算、数据存储等功能。
在汽车领域,集成电路被用于汽车电子控制单元(ECU)、导航系统、车载娱乐等设备中,实现车辆诊断、导航导向等功能。
集成电路的制造过程主要包括芯片设计、掩膜制作、晶圆加工、封装测试等环节。
芯片设计是将电路功能转化为物理结构的过程,通过CAD软件进行设计,生成相应的电路图和版图。
掩
膜制作是将设计好的电路图转化为掩膜,用于晶圆制作。
晶圆加工是对硅晶圆进行一系列工艺加工,包括沉积、光刻、刻蚀等步骤。
封装测试是将芯片封装成器件,并进行电气特性测试和可靠性测试。
集成电路的发展已经取得了巨大的成就,不断推动着信息技术的进步。
随着技术的不断发展,集成度越来越高,功耗越来越低,性能越来越强大。
未来,集成电路将继续发展,应用领域将更加广泛,为人们的生活带来更多的便利和创新。
《集成电路应用》课件

集成电路的技术创新
新材料的应用
采用新型材料,如碳纳米管、二维材料等,提高 集成电路的性能和降低功耗。
制程技术的进步
不断缩小芯片制程尺寸,提高芯片性能和集成度 。
封装技术的创新
采用先进的封装技术,如晶圆级封装、3D封装等 ,提高集成效率和可靠性。
集成电路在未来的应用前景
人工智能
物联网
集成电路作为人工智能技术的硬件基础, 将广泛应用于人工智能芯片、边缘计算等 领域。
集成电路的工作流程
集成电路的工作流程主要包括输入信号 的处理、信号的传输、信号的处理和输 出信号的处理等步骤。
在输出信号处理阶段,集成电路将处理 后的信号转换回适合外部应用的信号, 并将其输出。
在信号处理阶段,集成电路对接收到的 信号进行必要的处理,如放大、运算、 比较等。
在输入信号处理阶段,集成电路接收外 部输入的信号,并将其转换为适合内部 处理的信号。
集成电路的应用领域
总结词
集成电路应用广泛,涉及通信、计算机、工业控制、消费电子、医疗电子等多个领域。
详细描述
集成电路应用广泛,涉及通信领域的手机、基站、路由器等;计算机领域的个人电脑、 服务器等;工业控制领域的智能仪表、工业控制系统等;消费电子领域的电视、音响、 游戏机等;医疗电子领域的医疗设备、远程诊疗系统等。集成电路作为现代电子系统的
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医疗设备中的集成电路
医疗设备是现代医疗中不可或缺的重要工具, 而集成电路在医疗设备中扮演着关键角色。
医疗设备中的集成电路主要用于信号处理、控 制、监测等功能,如心电图机、监护仪、超声 波诊断仪等设备中都有集成电路的存在。
集成电路的应用使得医疗设备更加精准、可靠 ,提高了医疗诊断和治疗的水平,为人们的健 康提供了更好的保障。
集成电路工艺原理试题总体标准答案

目录一、填空题(每空1分,共24分)1二、判断题(每小题1.5分,共9分)1三、简答题(每小题4分,共28分)2四、计算题(每小题5分,共10分)4五、综合题(共9分)5一、填空题(每空1分,共24分)1.制作电阻分压器共需要三次光刻,分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。
2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类,包括图形车___________3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。
4.咼纯硅制备过程为氧化硅T粗硅T低纯四氯化硅T咼纯四氯化硅T咼纯硅。
5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。
6.提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。
7.常规的硅材料抛光方式有:机械抛光,化学抛光,机械化学抛光等。
8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种,包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。
9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、 _ 磷、砷(As)、锑(Sb)等元素具有掩蔽作用。
10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。
11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。
12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足余误差函数分布。
常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足高斯分布函数分布。
13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。
14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。
15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。
16.真空蒸发设备由三大部分组成,分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。
—仃.自持放电的形式有辉________18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。
(参考资料)数字集成电路课后习题1-4章作业解析

QB0 =−3×10−7 C / cm××1100−−76
=−0.188 V
= QOX COX
6= ×1011.16××11.60−×610−19
0.06 V
VT0 =−0.99 − (−0.88) − (−0.188) − 0.060 =+0.018 V
计算 PMOS 器件的阈值电压:
VGS −VT + EC L
(1.2 − 0.4)(6)(0.2) 1.2 − = 0.4 + (6)(0.2)
0.48V
VDS = 0.2V
∴ VDS < VDSAT
d. 饱和
VGS>VT,VD > VG 肯定工作在饱和区。对于长沟道器件,如果满足这个关系 就工作在饱和区。而发生速度饱和的短沟道器件的 VDSAT 比长沟道器件的要 小,如果电压偏置能使长沟道器件饱和,那么肯定能使速度饱和的短沟道器件 饱和。
VGS = VG −VS = 1.2 −1.1 = 0.1V V=T V= T 0 0.4V ∴ VGS < VT
c. 线性
VGS = VG −VS = 1.2 − 0 = 1.2V V=T V= T 0 0.4V ∴ VGS > VT
不在饱和区的判断依据:
= VDSAT
(= VGS −VT ) EC L
(N 型)
对于(b)中的 PMOS 器件:
NI
= − QI q
= − (1.6
×10−6 )(1.24 1.6 ×10−19
−
0.4)
= 8.4 ×1012 ions / cm2
(P 型)
d) 从上面的计算可以看到,NMOS 用 N 型多晶硅栅和 PMOS 用 P 型多晶硅栅算得的阈值 电压比较小,在沟道区使用与衬底相同的离子掺杂即可调整到期望值(NMOS:P 型注 入;PMOS:N 型注入)。如果我们在 MOS 管的栅极中采用跟衬底相同类型的离子注 入,得到的阈值电压很大,偏离期望值很多,调整起来比较困难。另外,源极和漏极 的制作过程采用自对准工艺,如果栅极的注入类型和源漏一致,一步即可完成离子注 入,简化了器件制作的工艺流程。
《集成电路设计(第2版)》习题答案10-12章

图10.40 反相器链驱动结构 4.列出CMOS存储器的分类和各自的特点。 分类: 半导体存储器按数据存取方式的不同可分为随机存储器 (RAM) 和只读存储器 (ROM) . 基 于单个数据存储单元的工作原理,RAM 主要分为两大类:动态存储器(DRAM)和静态存储器 (SRAM)。 而在ROM中根据数据存储(写入数据)方式的不同, 可分为掩膜ROM 和可编ROM(PROM)。 可编程ROM 又可进一步分为熔丝型ROM、 可擦除PROM(EPROM)、 电可擦除PROM(EEPROM)和闪存 (Flash),下图概括了存储器的分类。
1+X集成电路理论习题及参考答案
1+X集成电路理论习题及参考答案一、单选题(共40题,每题1分,共40分)1、以全自动探针台为例,上片过程中,当承重台下降到指定位置时,( )。
A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案:B答案解析:以全自动探针台为例,承重台前的两个按钮指示灯:绿色表示上升,红色表示下降。
承重台下降到指定位置后,下降指示灯灭,即红色指示灯灭。
2、分选机选择依据是()。
A、芯片封装类型B、芯片的管脚数量C、芯片的电气特性D、芯片的应用等级正确答案:A3、转塔式分选机常见故障不包括()。
A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案:D4、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用DHF清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。
A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物正确答案:D5、用重力式选机设备进行芯片检测的第二个环节是( )。
A、分选B、测试C、上料D、外观检查正确答案:B答案解析:重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料→测试→分选→编带(SOP)→外观检查→真空包装。
6、晶圆进行扎针测试时,测试机将测试结果通过()传输给探针台。
A、USDB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案:B7、下列选项中错误的是()。
A、客户需求量比较少的情况下,是需要编带的。
客户需要的量比较大,则可以不需要编带B、通常情况下,编带机要设置以下参数:1.编带一格的长度;2.编带一卷的数量;3.载带与盖带一卷长度;4.前空与后空IC数量;5.机械压刀的温度;6.产速C、编带是指利用编带机把散装元器件,通过检测、换向、测试等工位,放入载带中D、编带机的光检区能够运用高速高精度视觉处理技术自动检测芯片,将管脚不良或印章异常的芯片进行剔除正确答案:A8、墨点打点的位置是在( )的中央。
A、PAD点B、晶粒C、晶圆D、切割通道正确答案:B答案解析:打点时,合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4~1/3大小,且墨点不能覆盖PAD点。
《单片机原理及应用》各章课后习题参考答案
第1章单片机概述参考答案1.答:微控制器,嵌入式控制器2.答:CPU、存储器、I/O口、总线3.答:C4.答:B5.答:微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓,微处理器芯片本身不是计算机。
而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统,单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。
嵌入式处理器一般意义上讲,是指嵌入系统的单片机、DSP、嵌入式微处理器。
目前多把嵌入式处理器多指嵌入式微处理器,例如ARM7、ARM9等。
嵌入式微处理器相当于通用计算机中的CPU。
与单片机相比,单片机本身(或稍加扩展)就是一个小的计算机系统,可独立运行,具有完整的功能。
而嵌入式微处理器仅仅相当于单片机中的中央处理器。
为了满足嵌入式应用的特殊要求,嵌入式微处理器虽然在功能上和标准微处理器基本是一样的,但在工作温度、抗电磁干扰、可靠性等方面一般都做了各种增强。
6.答:MCS-51系列单片机的基本型芯片分别:8031、8051和8071。
它们的差别是在片内程序存储器上。
8031无片内程序存储器、8051片内有4K字节的程序存储器ROM,而8751片内有集成有4K 字节的程序存储器EPROM。
7.答:因为MCS-51系列单片机中的“MCS”是Intel公司生产的单片机的系列符号,而51系列单片机是指世界各个厂家生产的所有与8051的内核结构、指令系统兼容的单片机。
8.答:相当于MCS-51系列中的87C51,只不过是AT89S51芯片内的4K字节Flash存储器取代了87C51片内的4K字节的EPROM。
9.单片机体积小、价格低且易于掌握和普及,很容易嵌入到各种通用目的的系统中,实现各种方式的检测和控制。
单片机在嵌入式处理器市场占有率最高,最大特点是价格低,体积小。
DSP是一种非常擅长于高速实现各种数字信号处理运算(如数字滤波、FFT、频谱分析等)的嵌入式处理器。
由于对其硬件结构和指令进行了特殊设计,使其能够高速完成各种复杂的数字信号处理算法。
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成都理工大学信息科学与技术学院 1 集成电路原理及应用(第2版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路,有何特点?图中设3421RRRR。
(图1) 解:第一级运放为同相放大器。对A1:由“虚断”和“虚短”得 i1=i2,v1=v1=u1i,
则u1i=1211RRRuo,即1121)1(iouRRu, 对A2:由“虚断”和“虚短”得 i3=i4,v2=v2=u2i, 则42321RuuRuuoiio,即134234)1(oiouRRuRRu
代入u1o得))(1(1234iiouuRRu, 因两个输入信号均从同相端输入,所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。
2.11 求图3所示电路的增益Af,并说明该电路完成什么功能。 成都理工大学信息科学与技术学院 2
解:该电路由两个集成运放构成,A1为主放大器接成反相运算放大器,A2为辅助放大器,A2也接成反相放大器,利用A2对A1构成正反馈,是整个电路向信号源索取的电流极少。
主放大器A1:由“虚断”和“虚短”得
21RuRuoi,则Af=121ooiiuuRuuR
辅助放大器A2的电压放大倍数:2212222ooVFiouuRAuuR 该电路为自举电路,目的是提高电路的输入电阻。 由1iiiiUURIII
由12ioUURR和3212oUURR得32iUU 所以 1iiiUUIRR 因此11iiiURRRIRR 当1RR时,iR,1II 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式,并说明该电路完成什么功能。 成都理工大学信息科学与技术学院 3
解:对A1:由“虚断”和“虚短”得 RuRuoi11,即u1o=-u1i。A1为倒相器
对A2:由“虚断”和“虚短”得
foioRuRuRu2211则uo=)(2211ifofuRRuRR,A2为反相放大器
将u1o=-u1i代入上式得uo=2211ififuRRuRR 故该电路为减法电路。 2.15 如图6所示电路为积分反馈式微分电路,试分析此电路的工作原理,并写出传递函数的表达式。
解:对A1:由“虚断”得 v1=v1 由“虚短”得2111RuvRvuoi,41234oRvuRR 成都理工大学信息科学与技术学院 4
又R3=R1,R4=R2 整理得221()(()())ooiRusususR 对A2:由“虚断”和“虚短”得2()1()ooususSCR代入上式得 2
12()As()oi
usR
usRRSCR
A1为差动放大器,A2以A1的输出为反相输入,经过积分放大后的输出电压在电阻R4 上的分压作为A1放大器的同相输入。 2.16 设计一个运算电路,要求运算关系为uo=20dttutuii21。 解:此题设计方法较多,此只列举几种仅供参考 方法一:将求和电路的输出作为积分电路的输入,则积分电路的输出即为uo;
方法二:将积分电路的输出作为求和电路的输入,则求和电路的输出即为uo; 方法三:反相积分求和电路再加一个倒相器; 方法四:利用同相积分求和电路。 前三种方法只要电路参数选择合适,即可得出结果,再此简单说明几种,具体如下: 方法一:电路如下
u1o=223113iiuRRuRR,uo=dtuRCo11, 则uo=RC1dtuRRuRRii223113 当R3=R1=R2,RC=201时,uo=20dttutuii21。 方法三:电路如下 成都理工大学信息科学与技术学院 5
对A1:1211oiiudtRtuRtuC, 对A2:uo=1ou, 则uo=RC1dtuRRuRRii223113, 当RC1=20时,uo=20dttutuii21。 方法四:电路如下
u1i单独作用时: dtdvCRvuRvuoi531,
又v=v,v=121RRRuo, 整理得,ou=dttuCRRRi12121 同理,u2i单独作用时:dttuCRRRuio22121, 成都理工大学信息科学与技术学院 6
则uo=ou+ou=dttutuCRRRii212121, 当2121CRRR=20时,uo=20dttutuii21。 第三章 模拟集成电路的非线性应用 3.7 试分析如图3所示电路输出电压与输入电压之间的关系,并说明此电路在什么条件下能完成全波整流功能,此电路有什么特点?
(习题3.7图) 解:对A1:ui0时,u=u=ui, VD2导通,VD1截止 , u1o=ui
对A2:u=u=ui故流过R2f的电流为零,故uo=ui 当ui<0时,VD2截止,VD1导通,
对A1:u1o=(1+11RRf)ui, 对A2:u=u=ui ,221fiooiRuuRuu
此时uo=21R(R2+R2f11RRf1)ui 当21R(R2+R2f2211fffRRRR)=1时,完成全波整流功能;由于为同相输入,故该电 路输入电阻较高。 3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。 成都理工大学信息科学与技术学院 7
(习题3.8图) 解:设计图为:(可参考课本P88页)
3.10 如图6所示电路为集成块BG307专用电压比较器,画出其传输特性(常温下输出高电平为3.2V,低电平为0.5V)。
(图3.10) 解:由“虚断”和“虚短”得
32RUURUUoi
rUUU=3V 故oiUU314 则: VUVUmhml16.45.031493.22.3314
其传输特性如下所示: 成都理工大学信息科学与技术学院 8
第四章 集成变换器及其应用 4.1 求下图所示电路的输入阻抗,假定图中的集成运放满足理想条件。
sR10kΩoR100kΩiZ
oC
0.1μF
A
(图4.1) 解:
ooo
iiii
SCUURUUIUZ1••••••
又'''1oiioosUUUUUIRSCR,ioUU 则'00osiossRSCRRUURSCRRR 将上式代入,则'01iiisossUUIURRSCRRR 因此 0110000100iiossiUZRSCRRRjI 成都理工大学信息科学与技术学院 9
4.2 求下图所示电路的输入阻抗,假定图中的集成运放满足理想条件。 (图4.2) 解: 整体有:
SCI
UUioi12•
••
对2A有: 1222210ooooUaURaURU
对1A有: ioioiUaUaRUURU111
1
)1(
以上各式联立得:CaajIUii211(1•• 4.3 求如图3所示电路的输入阻抗,并说明其性质,假定图中的集成运放满足理想条件。
(图4.3) 解:对于A1有: 成都理工大学信息科学与技术学院 10
•••iOUUU1
对于A2有:
ooURRU••211
则Uo=•iURR12﹍① 整体有:
SCI
UUioi1•
••
﹍②
①②联立整理得:
••12121111RRcjRRSCI
UZ
ii
ie
则该电路输入端等效为一电容,等效的电容值为121RRCC 该电路为电容倍增器,通过改变12RR的值,以及C的大小,可得到任意大小的电容值。 4.12 A/D转换器的主要技术指标有哪些?D/A转换器的技术指标有哪些?设某DAC有二进制14位,满量程模拟输出电压为10V,试问它的分辨率和转换精度各为多少? 答:A/D转换器的主要技术指标有: ①分辨率;②量程;③精度;④转换时间和转换率;⑤输出逻辑电平;⑥对参考电压的 要求。 D/A转换器的技术指标有: ①分辨率;②转换精度;③偏移量误差;④线性度;⑤输入编码方式;⑥输出电压;⑦ 转换时间。
分辨率为10V×214≈610.4V;
转换精度为21LSB=305.2V。 4.13 某一控制系统要使用D/A转换器,要求该D/A转换器的精度小于0.25%,那么应选择多少位的D/A转换器?
解:转换精度a=21LSB,又LSB=b×2n(b为量程,n为位数)
则21b×2n/b<0.25% 得n8